JP2007012415A - Manufacturing method for panel display member - Google Patents

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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a panel display member capable of shrinkage control in a X-Y plane generated in baking and maintaining the shape of a partition wall by a simple method. <P>SOLUTION: This manufacturing method for the panel display member comprises a process applying a paste A comprising an inorganic component containing at least glass particles and an organic component containing a binder resin on a substrate, a process applying a paste B comprising at least a inorganic component containing glass particles and an organic component containing at least the binder resin on a layer of the paste A, a process forming a desired pattern if necessary, and a sintering process. When a panel display member is manufactured, a relation T<SB>CA</SB><T<SB>CB</SB>is satisfied when T<SB>CA</SB>is crystallizing temperature of the glass particles contained in the paste A, and T<SB>CB</SB>is crystallizing temperature of the glass particles contained in the paste B. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、パネルディスプレイの製造方法に関し、詳細には電界発光ディスプレイ等に好適に使用できるパネルディスプレイの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a method for manufacturing a panel display, and more particularly to a method for manufacturing a panel display that can be suitably used for an electroluminescent display or the like.

ブラウン管に代わる画像形成装置として、自発光型の放電型ディスプレイである電子放出素子を用いた画像形成装置が提案されている。これは液晶ディスプレイに比べて明暗のコントラストが非常に大きく、また視野角も広く、さらには大画面化、高精細化の要求に応えうることから、そのニーズが高まりつつある。電子放出素子としては、大別して熱陰極電子放出素子と冷陰極電子放出素子の2種類が知られている。熱陰極電子放出素子には、電界放出型(FE型と称す)、金属/絶縁層/金属型(MIM型と称す)や表面伝導型電子放出素子などがある。冷陰極電子放出素子を用いた画像形成装置は、電子放出素子から放出される電子ビームを蛍光体に照射して蛍光を発生させることで画像を表示するものである。ここで必要なことは、これらの電子放出素子から発生する電子が隣のユニットへ放射することが無いようにすることである。電子が隔壁を飛び越えると、隣のユニットを発光させるため、コントラストの低下を生じる。そのため、各ユニットの隔壁形状をシャープなものにし、隔壁の高さを適度に調整することが重要である。例えば、基板上に少なくとも2種の隔壁材料による2層の隔壁を形成し、その屈折率差を変えることで、コントラストの向上と輝度向上に必要な隔壁を得る方法(例えば特許文献1)や、感光性ペーストを用いて、塗布、露光、乾燥の各工程を組み合わせることにより、1度の現像および焼成のみで、高さの異なる隔壁を形成する方法などがある。(例えば特許文献2)
また、電子放出素子用部材の隔壁構造は、たとえばサンドブラスト法、凹版転写法、フォトリソ法、プレス法、スクリーン印刷法といった製造方法により形成される。例えば、サンドブラスト法を用いて、隔壁頂部のエッジ部に欠損のない形状の整った隔壁を形成する技術が提案されている。(例えば特許文献3)
隔壁は、主に低融点ガラス 、樹脂バインダー、溶剤、添加剤等の材料からなるペーストを用いて隔壁パターンを形成し、これを焼成することで得ることができる。隔壁の焼成においては、まず溶剤分が蒸発した後、樹脂バインダー等の有機物が焼成炉内の空気と反応して熱・酸化分解されて除去される。このときの分解ガスの放出により隔壁が多孔質化するが、さらに昇温すると低融点ガラスが軟化・流動性を持つようになり、多孔質化した箇所を埋めるように焼結し、隔壁パターン全体に熱収縮が起こる。隔壁パターンの熱収縮は全体に対して一様に起こるので、直立すべき隔壁が熱収縮による引っ張りの力を受けて斜めになり、焼成前の隔壁構造に対し焼成後は、電子が隣ユニットへ放射しやすい構造となり、その結果コントラストが悪化する懸念があった。つまり、ガラスを軟化点温度以上で焼成すると、所望のガラス形状が得られないことがあった。この問題に対し、例えば軟化点が焼成温度よりも高い高融点ガラス粉末と軟化点が焼成温度よりも低い低融点ガラス成分によりパターンを形成し、次いで、低融点ガラス成分で被覆することで、焼成時の熱変形による寸法ずれが改善できる方法が提案されている。(例えば特許文献4)しかしながら、この方法では、高融点ガラスと低融点ガラスを混合しパターン形成する工程と、その後低融点ガラスを被膜する工程とを含むので、隔壁構成のプロセスが煩雑になる。また、充填材料を隔壁パターン内に充填したまま焼成することで、隔壁パターンの形状変形が低減できる方法も提案されている。(例えば特許文献5)しかしながら、この方法でも、焼成後の充填材料を物理的に、または化学的に除去する必要があり、焼成後に除去工程が別途必要となる。
特開2000−133139号公報 特開2002−216618号公報 特開2001−043793号公報 特開2005−135682号公報 特開2001−332178号公報
As an image forming apparatus that replaces a cathode ray tube, an image forming apparatus using an electron-emitting device that is a self-luminous discharge type display has been proposed. This is because the contrast between light and dark is much larger than that of a liquid crystal display, the viewing angle is wide, and the demand for larger screens and higher definition can be met. There are two known types of electron-emitting devices, a hot cathode electron-emitting device and a cold cathode electron-emitting device. Hot cathode electron-emitting devices include field emission type (referred to as FE type), metal / insulating layer / metal type (referred to as MIM type), and surface conduction type electron emitting device. An image forming apparatus using a cold cathode electron-emitting device displays an image by generating fluorescence by irradiating a phosphor with an electron beam emitted from the electron-emitting device. What is required here is to prevent electrons generated from these electron-emitting devices from radiating to the adjacent unit. When electrons jump over the barrier rib, the adjacent unit emits light, resulting in a decrease in contrast. Therefore, it is important to make the partition shape of each unit sharp and adjust the height of the partition appropriately. For example, a method of obtaining a partition wall necessary for improving contrast and improving brightness by forming a two-layer partition wall using at least two kinds of partition wall materials on a substrate and changing a difference in refractive index thereof (for example, Patent Document 1) There is a method in which barrier ribs having different heights are formed by only one development and baking by combining the steps of application, exposure, and drying using a photosensitive paste. (For example, Patent Document 2)
The barrier structure of the electron-emitting device member is formed by a manufacturing method such as a sandblast method, an intaglio transfer method, a photolithography method, a press method, or a screen printing method. For example, a technique for forming a partition wall having a uniform shape without a defect at the edge portion of the partition wall top portion using a sandblast method has been proposed. (For example, Patent Document 3)
The barrier ribs can be obtained by forming a barrier rib pattern using a paste mainly made of a material such as a low-melting glass, a resin binder, a solvent, an additive, and the like, and firing it. In firing the partition walls, first, after the solvent is evaporated, organic substances such as a resin binder react with the air in the firing furnace and are removed by heat and oxidative decomposition. The partition walls become porous due to the release of the decomposition gas at this time, but as the temperature rises further, the low melting point glass becomes soft and fluid, and sinters to fill the porous part, and the entire partition pattern Heat shrinkage occurs. Since the heat shrinkage of the barrier rib pattern occurs uniformly over the entire wall, the barrier ribs to be erected are slanted due to the tensile force caused by the heat shrinkage, and after firing the barrier rib structure before firing, electrons are transferred to the adjacent unit. There was a concern that the structure would be easy to radiate and as a result the contrast would deteriorate. That is, if the glass is baked at the softening point temperature or higher, the desired glass shape may not be obtained. For this problem, for example, by forming a pattern with a high melting point glass powder having a softening point higher than the firing temperature and a low melting point glass component having a softening point lower than the firing temperature, and then coating with the low melting point glass component, firing There has been proposed a method capable of improving the dimensional deviation due to thermal deformation at the time. However (for example, Patent Document 4), since this method includes a step of mixing high-melting glass and low-melting glass to form a pattern and a step of coating low-melting glass thereafter, the process of partition configuration becomes complicated. In addition, a method has also been proposed in which shape deformation of the partition wall pattern can be reduced by firing with the filling material filled in the partition wall pattern. (For example, Patent Document 5) However, even in this method, it is necessary to physically or chemically remove the filling material after firing, and a separate removal step is necessary after firing.
JP 2000-133139 A JP 2002-216618 A JP 2001-043793 A JP 2005-135682 A JP 2001-332178 A

そこで、本発明はより簡便な方法で、焼成時に生じるX−Y平面での収縮抑制と隔壁の形状維持を可能とした、パネルディスプレイ部材の製造方法を提供することを目的とするものである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a panel display member, which can suppress shrinkage in the XY plane generated during firing and maintain the shape of the partition wall by a simpler method.

上記課題を解決するための本発明の本旨とするところは、基板上に少なくともガラス粒子を含む無機成分と少なくともバインダー樹脂を含む有機成分とからなるペーストAを塗布する工程と、前記ペーストAによる層の上に少なくともガラス粒子を含む無機成分と少なくともバインダー樹脂を含む有機成分とからなるペーストBを塗布する工程、必要により所望のパターンを形成する工程、そして焼結工程を有するパネルディスプレイ部材の製造方法であって、ペーストAに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCA 、ペーストBに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCB とした時、TCA <TCB を満たすことを特徴とするパネルディスプレイ部材の製造方法である。 The gist of the present invention for solving the above-mentioned problems is to apply a paste A consisting of an inorganic component containing at least glass particles and an organic component containing at least a binder resin on a substrate, and a layer made of the paste A. A method for producing a panel display member, comprising: applying a paste B comprising an inorganic component containing at least glass particles and an organic component containing at least a binder resin; forming a desired pattern if necessary; and sintering step a is, when the crystallization temperature T CA of the glass particles contained in the paste a, the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste B was T CB, panel and satisfies the T CA <T CB It is a manufacturing method of a display member.

本発明によれば、従来実施されていた被膜する工程や焼成後のプロセスを要せず、簡便に焼成時に生じるX−Y方向の収縮抑制と隔壁の形状維持を可能としたパネルディスプレイ部材の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to manufacture a panel display member that can easily suppress shrinkage in the X and Y directions and maintain the shape of the partition wall, which is easily generated during firing, without requiring a coating step and a post-baking process that have been conventionally performed. A method can be provided.

以下、本発明の無機粒子含有ペースト組成物を用いたパターン形成方法およびそれにより作製したパネルディスプレイ部材の製造方法について説明する。   Hereinafter, the pattern formation method using the inorganic particle containing paste composition of this invention and the manufacturing method of the panel display member produced by it are demonstrated.

本発明のパネルディスプレイ部材の製造方法において用いる基板としては、一定の剛直性や平面性があり、焼成に耐える材質のものであれば特に制限はないが、取り扱いが容易であるのでガラス基板を用いることが好ましい。ガラス基板として、ソーダライムガラスや耐熱ガラス(旭硝子社製PD200、日本電気硝子社製PP8、サンゴバン社製CS25など)を好ましく用いることができる。また放熱性を考慮し、セラミック基板、金属基板や半導体基板(AiN、CuW、CuMo、SiC基板など)も用いることが可能である。   The substrate used in the method for producing a panel display member of the present invention is not particularly limited as long as it has a certain rigidity and flatness and can withstand firing, but a glass substrate is used because it is easy to handle. It is preferable. As the glass substrate, soda lime glass or heat-resistant glass (PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd., PP8 manufactured by Nippon Electric Glass Co., Ltd., CS25 manufactured by Saint-Gobain Co., Ltd.) can be preferably used. In consideration of heat dissipation, ceramic substrates, metal substrates, and semiconductor substrates (AiN, CuW, CuMo, SiC substrates, etc.) can also be used.

これら基板上には、必要に応じて、絶縁体、半導体、導体などを一層以上、あるいはそれらを組み合わせたものを形成しても構わない。この場合、絶縁体、半導体、導体などは焼結温度に耐えうるものであるべきである。   On these substrates, if necessary, one or more insulators, semiconductors, conductors, etc., or a combination thereof may be formed. In this case, the insulator, semiconductor, conductor, etc. should be able to withstand the sintering temperature.

本発明に用いるペーストAおよびペーストBに用いるガラス粉末は、ガラス成分として、SiO、Al、B、ZnO、PbO、Bi、ZrO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物などの金属酸化物を含有したものであって、例えば、ホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラスなどが挙げられる。これらのガラスには、焼成処理することによって、結晶化ガラス(ムライト、スピネル、ガーナイトなど)を少なくとも1種類析出するものが好ましく用いられる。 The glass powder used in the paste A and paste B used in the present invention has SiO 2 , Al 2 O 3 , B 2 O 3 , ZnO, PbO, Bi 2 O 3 , ZrO 3 , alkaline earth metal oxide as glass components. These include metal oxides such as alkali metal oxides, and examples thereof include borosilicate glass, alkali silicate glass, Pb glass, and Bi glass. As these glasses, those in which at least one kind of crystallized glass (mullite, spinel, garnite, etc.) is precipitated by firing treatment are preferably used.

ガラスの組成としては、非酸化鉛系または低酸化鉛系であることが望ましい。それにより、環境汚染および作業性を改善することができる。また、結晶化温度が600℃以下であるガラスを利用することが望ましい。結晶化温度が600℃以下であると低い温度での焼成が可能であることによるコスト削減と生産性の向上はもちろんのこと、安価なガラス基板を利用できるメリットがある。さらには、無アルカリガラスであることが望ましい。以上より、具体的には、Ba−Bi系あるいはBi−Zr系ガラスが好ましいが、これに限定されるものではない。   The glass composition is preferably non-lead oxide or low lead oxide. Thereby, environmental pollution and workability can be improved. Further, it is desirable to use a glass having a crystallization temperature of 600 ° C. or lower. When the crystallization temperature is 600 ° C. or lower, there is an advantage that an inexpensive glass substrate can be used as well as cost reduction and productivity improvement due to the fact that firing at a low temperature is possible. Furthermore, it is desirable that it is an alkali free glass. As described above, specifically, Ba—Bi or Bi—Zr glass is preferable, but it is not limited thereto.

ガラス成分中には、SiOが3〜60重量%の範囲で含まれることが望ましく、より好ましくは20〜60重量%である。3重量%未満の場合は焼結時において無機成分の緻密性、強度や安定性が低下し、無機成分が基板から剥がれやすくなる。また、60重量%を超えると熱軟化点が高くなり、ガラス基板への焼付けが難しくなる。 In the glass component, SiO 2 is desirably contained in a range of 3 to 60% by weight, and more preferably 20 to 60% by weight. When the amount is less than 3% by weight, the density, strength and stability of the inorganic component are lowered during sintering, and the inorganic component is easily peeled off from the substrate. On the other hand, if it exceeds 60% by weight, the heat softening point becomes high, and baking on the glass substrate becomes difficult.

一般に非晶質ガラスは結晶化温度まで加熱されると、結晶化する性質を有している。結晶化したガラス中にはガラスの結晶が数十から90vol%前後まで形成されるので、強度や熱膨張率を改善できる。これを利用して、焼成時における収縮を抑制することが可能である。また、すでに結晶化されたガラスを使用することも可能である。この場合、結晶化ピーク温度に近づくに従って結晶化するために逆にガラスが固まる性質を持っている。本発明においては非晶質ガラスおよび結晶化ガラス共に使用可能である。   In general, amorphous glass has a property of crystallizing when heated to a crystallization temperature. In the crystallized glass, glass crystals are formed from several tens to about 90 vol%, so that the strength and the coefficient of thermal expansion can be improved. Using this, it is possible to suppress shrinkage during firing. It is also possible to use already crystallized glass. In this case, since the glass crystallizes as it approaches the crystallization peak temperature, it has the property of consolidating the glass. In the present invention, both amorphous glass and crystallized glass can be used.

ガラスの結晶化温度は組成(構成成分の種類および量)により変化することがわかっており、目的とする結晶化温度を有するガラスは組成を操作することによって得ることができる。ガラスの結晶化温度はDTA(示差熱分析)により特定することができる。この装置を用いてペーストに含有せしめるガラス粉末の結晶化温度を設計することができるので、上層に対して下層に結晶化温度の低いガラス粉末を含有したペーストを塗布することが可能となる。   It is known that the crystallization temperature of glass varies depending on the composition (type and amount of constituent components), and a glass having a target crystallization temperature can be obtained by manipulating the composition. The crystallization temperature of the glass can be specified by DTA (differential thermal analysis). Since the crystallization temperature of the glass powder to be contained in the paste can be designed using this apparatus, it becomes possible to apply a paste containing glass powder having a low crystallization temperature in the lower layer relative to the upper layer.

本発明はペーストAとペーストBの2種のペーストを用い、これを層状に塗布する工程を有している。ここで、ペーストAに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCA 、ペーストBに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCB とした時、TCA<TCB を満たすことを必要とするのは、焼成の昇温過程において、低温側で結晶化するペーストAのパターンと、そのペーストAのパターンよりも高温側で結晶化するペーストBのパターンをペーストAのパターンの上に直接塗布する場合に、ペーストAのパターンが結晶化する前は、ペーストBのパターンによりペーストAのパターンのX−Y方向の収縮が抑制され、ペーストAのパターンが結晶化した後は、ペーストBのパターンのX−Y方向の収縮がペーストAによって抑制されることを利用することで、焼結時のX−Y方向の収縮を抑制することができると考えられるからである。TCAとTCB の関係は、TCB−TCA≧5℃であることが好ましい。TCBとTCAの差が5℃未満であると、X−Y方向の収縮を抑制する効果が小さい可能性がある。より好ましくはTCB−TCA≧10℃である。さらに好ましくは、TCB−TCA≧20℃である。上限としては特に限定はないがTCBが大きくなることは先述したようなメリットが得難くなるからTCB−TCAとして150℃以下である。また、好ましくは無機成分としてさらにフィラーを用いても構わない。フィラーとしては、SiO、Al、ZrO、ムライト、スピネル、マグネシア、ZnOなどが好適に用いられる。ここで、フィラーとは焼結時においても前記ガラス成分と固溶しない成分である。フィラーを添加することにより、隔壁の強度を向上することができるが、フィラーの含有量としてはペーストの全体積に対して10vol%未満が好ましい。それ以上含有する場合は、焼結時にひび割れが発生するおそれがある。 The present invention has a process of using two types of pastes, paste A and paste B, and applying them in layers. Here, when the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste A T CA, the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste B was T CB, to require that satisfy T CA <T CB is When the pattern of paste A that crystallizes on the low temperature side and the pattern of paste B that crystallizes on the higher temperature side than the pattern of paste A are directly applied on the pattern of paste A in the temperature rising process of firing. Before the paste A pattern crystallizes, the paste B pattern suppresses the shrinkage of the paste A pattern in the XY direction, and after the paste A pattern crystallizes, the paste B pattern X- This is because by utilizing the fact that the shrinkage in the Y direction is suppressed by the paste A, it is considered that the shrinkage in the XY direction during sintering can be suppressed. The relationship between T CA and T CB is preferably T CB −T CA ≧ 5 ° C. If the difference between T CB and T CA is less than 5 ° C., the effect of suppressing shrinkage in the XY direction may be small. More preferably, TCB - TCA ≧ 10 ° C. More preferably, T CB −T CA ≧ 20 ° C. Is 0.99 ° C. or less as a T CB -T CA because is not particularly limited but the T CB is large becomes difficult to obtain the benefits as previously described as the upper limit. Further, a filler may be further used as an inorganic component. As the filler, SiO 2 , Al 2 O 3 , ZrO 2 , mullite, spinel, magnesia, ZnO and the like are preferably used. Here, the filler is a component that does not dissolve in the glass component even during sintering. By adding a filler, the strength of the partition wall can be improved, but the filler content is preferably less than 10 vol% with respect to the total paste volume. When it contains more than it, there exists a possibility that a crack may generate | occur | produce at the time of sintering.

ペーストAおよび/またはペーストBにおいて、そこに含まれる無機成分の量は、ペーストの全体積に対し30〜60vol%であることが望ましい。30vol%未満であるとペーストが液体状となって保形性が損なわれる恐れがあり、また、60vol%を超えると現像工程がある場合にパターン抜けが悪くなる。   In paste A and / or paste B, the amount of the inorganic component contained therein is preferably 30 to 60 vol% with respect to the total volume of the paste. If it is less than 30 vol%, the paste may be in a liquid state and the shape retention may be impaired. If it exceeds 60 vol%, pattern omission will be worse when there is a development step.

ペーストAおよびペーストBの有機成分に用いるバインダー樹脂としては、ペーストを塗布・乾燥したときにその形状を維持する作用を有するものであれば特に限定はなく、また、焼結時にタールやガスの発生などによる悪影響のないものであることが望ましい。例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。さらに好ましくはポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体、α−メチルスチレン重合体、ブチルメタクリレートなどが挙げられる。   The binder resin used for the organic components of paste A and paste B is not particularly limited as long as it has an action of maintaining its shape when the paste is applied and dried, and generates tar and gas during sintering. It is desirable that there is no adverse effect due to the above. For example, an acrylic resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a silicon resin, a melamine resin, a phenol resin, and the like can be given. More preferred are polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, methacrylic acid ester polymer, acrylic acid ester polymer, acrylic acid ester-methacrylic acid ester copolymer, α-methylstyrene polymer, butyl methacrylate, and the like.

ペーストA、Bの有機成分としてはバインダー樹脂の他に、必要に応じて、可塑剤、増粘剤、有機溶媒、酸化防止剤、分散剤、有機あるいは無機の沈殿防止剤やレベリング剤などの添加剤成分を用いることができる。有機成分はペーストの全体積に対して、40〜70vol%が好ましい。   Addition of plasticizer, thickener, organic solvent, antioxidant, dispersant, organic or inorganic suspending agent or leveling agent as necessary in addition to binder resin as organic components of pastes A and B Agent components can be used. The organic component is preferably 40 to 70 vol% with respect to the total paste volume.

さらに、好ましくは、有機成分として感光性成分を用いることも可能である。感光性成分としては、感光性モノマー、光重合開始剤、紫外線吸収剤、増感剤などが挙げられる。   Further, preferably, a photosensitive component can be used as the organic component. Examples of the photosensitive component include a photosensitive monomer, a photopolymerization initiator, an ultraviolet absorber, and a sensitizer.

感光性モノマーの例としては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、n−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、n−ブチルアクリレート、sec−ブチルアクリレート、イソ−ブチルアクリレート、tert−ブチルアクリレート、n−ペンチルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシトリエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、ヘプタデカフロロデシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、メトキシジエチレングリコールアクリレート、オクタフロロペンチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、トリフロロエチルアクリレート、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、1,3−ブチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、アクリルアミド、アミノエチルアクリレート、フェニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ベンジルアクリレート、1−ナフチルアクリレート、2−ナフチルアクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、ビスフェノールA−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールA−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート、チオフェノールアクリレート、ベンジルメルカプタンアクリレート、また、これらの芳香環の水素原子のうち、1〜5個を塩素または臭素原子に置換したモノマー、もしくは、スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボキシメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、および、上記化合物の分子内のアクリレートを一部もしくはすべてをメタクリレートに変えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。   Examples of photosensitive monomers include methyl acrylate, ethyl acrylate, n-propyl acrylate, isopropyl acrylate, n-butyl acrylate, sec-butyl acrylate, iso-butyl acrylate, tert-butyl acrylate, n-pentyl acrylate, allyl acrylate, Benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxytriethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate, dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, heptadecafluorodecyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, Isobonyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate , Isodecyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, methoxydiethylene glycol acrylate, octafluoropentyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, trifluoroethyl acrylate, allylated cyclohexyl diacrylate 1,4-butanediol diacrylate, 1,3-butylene glycol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol monohydroxy Pentaacryle Ditrimethylolpropane tetraacrylate, glycerol diacrylate, methoxylated cyclohexyl diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, propylene glycol diacrylate, polypropylene glycol diacrylate, triglycerol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, acrylamide, aminoethyl acrylate , Phenyl acrylate, phenoxyethyl acrylate, benzyl acrylate, 1-naphthyl acrylate, 2-naphthyl acrylate, bisphenol A diacrylate, diacrylate of bisphenol A-ethylene oxide adduct, diacrylate of bisphenol A-propylene oxide adduct, thiophenol Acrylate, benzyl merca Butane acrylate, a monomer in which 1 to 5 hydrogen atoms of these aromatic rings are substituted with chlorine or bromine atoms, or styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, chlorination Styrene, brominated styrene, α-methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethylstyrene, carboxymethylstyrene, vinylnaphthalene, vinylanthracene, vinylcarbazole, and the above compounds In this molecule, acrylate in the molecule is partially or entirely changed to methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1-vinyl-2-pyrrolidone and the like. In the present invention, one or more of these can be used.

これら以外に、不飽和カルボン酸等の不飽和酸を加えることによって、感光後の現像性を向上することができる。不飽和カルボン酸の具体的な例としては、アクリル酸、メタアクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、ビニル酢酸、またはこれらの酸無水物などがあげられる。   In addition to these, the development property after exposure can be improved by adding an unsaturated acid such as an unsaturated carboxylic acid. Specific examples of the unsaturated carboxylic acid include acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, vinyl acetic acid, and acid anhydrides thereof.

光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジル、ベンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4、4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾインおよびエオシン、メチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミンなどの還元剤の組み合わせなどがあげられる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。光重合開始剤は、感光性成分に対し、0.05〜10重量%の範囲で用いられ、より好ましくは、0.1〜5重量%である。光重合開始剤の量が少なすぎると、光感度が不良となり、光重合開始剤の量が多すぎれば、露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。   Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl- 4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt- Butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyl, benzyldimethylketanol, benzylmethoxyethyl acetal, benzoin, ben Inmethyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (P-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propane Dione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxy , Michler's ketone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile , Diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenyl sulfone, benzoin peroxide and eosin, methylene blue and other reducing agents such as ascorbic acid and triethanolamine The combination etc. are given. In the present invention, one or more of these can be used. A photoinitiator is used in 0.05-10 weight% with respect to the photosensitive component, More preferably, it is 0.1-5 weight%. If the amount of the photopolymerization initiator is too small, the photosensitivity becomes poor. If the amount of the photopolymerization initiator is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

紫外線吸収剤は高アスペクト比、高精細、高解像度が得られるので好ましく用いられる。紫外線吸収剤としては有機系染料からなるもの、中でも350〜450nmの波長範囲で高UV吸収係数を有する有機系染料が好ましく用いられる。具体的には、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キサンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニルシアノアクリレート系、トリアジン系、p−アミノ安息香酸系染料などが使用できる。有機系染料は紫外線吸収剤として添加した場合にも、焼成後の隔壁中に残存しないで紫外線吸収剤による絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ましい。これらの中でもアゾ系およびベンゾフェノン系染料が好ましい。ペースト中の紫外線吸収剤の含有量は0.05〜5重量%が好ましい。0.05重量%未満では紫外線吸収剤の添加効果が減少し、5重量%を超えると焼成後の絶縁膜特性が低下するので好ましくない。より好ましくは0.1〜1重量%である。   Ultraviolet absorbers are preferably used because they provide high aspect ratio, high definition, and high resolution. As the ultraviolet absorber, an organic dye, particularly an organic dye having a high UV absorption coefficient in a wavelength range of 350 to 450 nm is preferably used. Specifically, azo dyes, amino ketone dyes, xanthene dyes, quinoline dyes, amino ketone dyes, anthraquinone dyes, benzophenone dyes, diphenyl cyanoacrylate dyes, triazine dyes, p-aminobenzoic acid dyes, and the like can be used. . Even when an organic dye is added as an ultraviolet absorber, it is preferable because it does not remain in the partition walls after firing and the deterioration of the insulating film characteristics due to the ultraviolet absorber can be reduced. Of these, azo dyes and benzophenone dyes are preferable. The content of the ultraviolet absorber in the paste is preferably 0.05 to 5% by weight. If it is less than 0.05% by weight, the effect of adding an ultraviolet absorber is reduced, and if it exceeds 5% by weight, the insulating film properties after firing are deteriorated. More preferably, it is 0.1 to 1 weight%.

増感剤は、感度を向上させるために用いられる。増感剤の具体例としては、2,4−ジエチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどがあげられる。本発明ではこれらを1種または2種以上使用することができる。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。増感剤をペーストA、Bに添加する場合、その含有量は感光性成分に対して0.05〜30重量%が好ましく、より好ましくは0.1〜20重量%である。増感剤の量が少なすぎれば光感度を向上させる効果が発揮されず、増感剤の量が多すぎれば露光部の残存率が小さくなりすぎるおそれがある。   Sensitizers are used to improve sensitivity. Specific examples of the sensitizer include 2,4-diethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino) ) Chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) -isonaphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone 1,3-carbonyl-bis (4-diethylamino) Benzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, Examples thereof include 3-phenyl-5-benzoylthiotetrazole and 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthiotetrazole. In the present invention, one or more of these can be used. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. When adding a sensitizer to paste A and B, the content is 0.05-30 weight% with respect to the photosensitive component, More preferably, it is 0.1-20 weight%. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity is not exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.

本発明に用いるペーストA、ペーストBは、さらに好ましく有機成分として重合禁止剤、可塑剤、酸化防止剤、溶媒などを含有していてもよい。重合禁止剤の具体的な例としては、ヒドロキノン、ヒドロキノンのモノエステル化物、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、p−t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノール、クロラニール、ピロガロールなどが挙げられる。重合禁止剤を用いる場合、その含有量はペーストに対し0.001〜1重量%が好ましい。   The paste A and paste B used in the present invention may further contain a polymerization inhibitor, a plasticizer, an antioxidant, a solvent and the like as organic components. Specific examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, monoester of hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine, pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-tert-butyl-p- Examples include methylphenol, chloranil, and pyrogallol. When using a polymerization inhibitor, the content is preferably 0.001 to 1% by weight based on the paste.

可塑剤の具体的な例としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール、グリセリンなどがあげられる。   Specific examples of the plasticizer include dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, polyethylene glycol, glycerin and the like.

酸化防止剤は、保存時におけるアクリル系共重合体などの有機成分の酸化を防ぐために用いることができ、具体的には、2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフェニルホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤を用いる場合、その含有量はペーストに対し0.001〜1重量%が好ましい。   Antioxidants can be used to prevent oxidation of organic components such as acrylic copolymers during storage. Specifically, 2,6-di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole 2,6-di-t-4-ethylphenol, 2,2-methylene-bis- (4-methyl-6-t-butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-ethyl-6-t) -Butylphenol), 4,4-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-Methyl-4-hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [3,3-bis- (4-hydroxy-3-tert-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilaurylthiodipro Onato, triphenyl phosphite. When using an antioxidant, the content is preferably 0.001 to 1% by weight based on the paste.

本発明に用いるペーストは、粘度を調整するなどの目的に、有機溶媒を用いることができる。有機溶媒としては、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸などやこれらのうちの1種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。また、必要に応じて水が用いられることは差し支えない。   The paste used in the present invention can use an organic solvent for the purpose of adjusting the viscosity. Examples of the organic solvent include methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, bromobenzene, chlorobenzene, dibromobenzene, Dichlorobenzene, bromobenzoic acid, chlorobenzoic acid and the like and organic solvent mixtures containing one or more of these are used. Further, water may be used as necessary.

ペーストの粘度は無機成分、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は通常2〜200Pa・s(パスカル・秒)である。例えばガラス基板への塗布をスピンコート法で行う場合は、2〜5Pa・sが好ましい。スクリーン印刷法で1回塗布して膜厚10〜20μmを得るには、50〜200Pa・sが好ましい。ブレードコーター法やダイコーター法などを用いる場合は、2〜20Pa・sが好ましい。   The viscosity of the paste is appropriately adjusted depending on the addition ratio of the inorganic component, thickener, organic solvent, plasticizer, precipitation inhibitor, etc., but the range is usually 2 to 200 Pa · s (Pascal · second). For example, when applying to a glass substrate by a spin coat method, 2-5 Pa.s is preferable. In order to obtain a film thickness of 10 to 20 μm by applying it once by the screen printing method, 50 to 200 Pa · s is preferable. In the case of using a blade coater method or a die coater method, 2 to 20 Pa · s is preferable.

次にパネルディスプレイの隔壁のパターン加工方法について、一例を挙げてさらに詳しく説明する。ただし、本発明はこれに限定されない。   Next, the pattern processing method for the partition of the panel display will be described in more detail with an example. However, the present invention is not limited to this.

基板上に、ペーストAを全面もしくは部分的に塗布する塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター等一般的な方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度を選ぶことによって調整できるが、乾燥や焼成による収縮を考慮して、乾燥後の厚みが10〜30μmになるように塗布することが好ましい。   As a coating method for coating the paste A on the entire surface or a part thereof, a general method such as screen printing, bar coater, roll coater, or the like can be used. The coating thickness can be adjusted by selecting the number of coatings, the screen mesh, and the viscosity of the paste. However, in consideration of shrinkage due to drying or baking, it is preferable that the coating thickness is 10 to 30 μm after drying.

次いで、ペーストAによる層上にペーストBを全面もしくは部分的に塗布する。塗布方法としては、スクリーン印刷、バーコーター、ロールコーター等一般的な方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、スクリーンのメッシュ、ペーストの粘度を選ぶことによって調整できるが、乾燥や焼成による収縮を考慮して、乾燥後に5〜30μm程度の厚みになるように塗布することが好ましい。   Next, the paste B is applied to the entire surface or a part of the layer made of the paste A. As a coating method, general methods such as screen printing, bar coater, and roll coater can be used. The coating thickness can be adjusted by selecting the number of coatings, the screen mesh, and the viscosity of the paste. However, in consideration of shrinkage due to drying or baking, it is preferable that the coating thickness is about 5 to 30 μm after drying.

ペーストA上にペーストBを塗布する前に、ペーストAによる膜にはベークを施すのが好ましい。そうすることで、ペーストAが乾燥・硬化し、ペーストBを塗布した時にペースト厚みの減少を防ぐことができる。ベークの温度および時間は構成するペースト組成によって適宜設定することができ、50〜100℃で5分から30分程度施すのが好ましい。また、ベークは対流式ベーク炉や赤外線ベーク炉で行うことが望ましいが、特に制限はない。   Before applying the paste B onto the paste A, it is preferable to bake the film made of the paste A. By doing so, the paste A dries and hardens, and when the paste B is applied, a reduction in paste thickness can be prevented. The baking temperature and time can be appropriately set according to the paste composition to be constituted, and it is preferable to apply the baking at 50 to 100 ° C. for about 5 to 30 minutes. The baking is preferably performed in a convection baking furnace or an infrared baking furnace, but there is no particular limitation.

塗布において1回の塗布では厚みが不足する場合等には重ね塗りすることは何ら差し支えない。このように同一のペーストにて多数回塗布された層は全体として一層として見ることができる。   In the case of coating, if the thickness is insufficient by one coating, there is no problem in overcoating. Thus, the layer applied many times with the same paste can be viewed as a whole.

また、ペーストAおよび/またはペーストBに感光性成分を用いた場合は、ペーストを全面または部分的に塗布した後に、露光、現像することで、パターンを形成することが可能である。   When a photosensitive component is used for paste A and / or paste B, a pattern can be formed by exposing and developing after applying the paste entirely or partially.

露光は、フォトマスクを用いてマスク露光する方法とレーザー光等で直接描画露光する方法を用いることができるが、フォトマスクを用いた露光のほうが、露光時間を短くでき、生産性に優れている。この場合の露光装置としては、ステッパー露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。   For the exposure, a mask exposure method using a photomask and a direct drawing exposure method using a laser beam or the like can be used. However, exposure using a photomask can shorten the exposure time and is excellent in productivity. . As an exposure apparatus in this case, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, or the like can be used.

この際使用される活性光線としては、例えば、可視光線、近紫外線、紫外線、電子線、X線、レーザ光などが挙げられるが、これらの中で、紫外線が好ましく、その光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ、殺菌灯などが使用できる。これらの中でも超高圧水銀灯が好適である。露光条件は塗布厚みによって異なるが、例えば0.5〜100mW/cm2 の出力の超高圧水銀灯を用いて0.5〜30分間露光することが挙げられる。特に、露光量が0.05〜1.0J/cm2 程度の露光を行うことが好ましい。 Examples of the actinic rays used at this time include visible rays, near ultraviolet rays, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, and laser beams. Among these, ultraviolet rays are preferable. Low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, super high pressure mercury lamp, halogen lamp, germicidal lamp, etc. can be used. Among these, an ultrahigh pressure mercury lamp is suitable. Although exposure conditions vary depending on the coating thickness, for example, exposure may be performed for 0.5 to 30 minutes using an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 0.5 to 100 mW / cm 2 . In particular, it is preferable to perform exposure with an exposure amount of about 0.05 to 1.0 J / cm 2 .

露光後、現像液を使用して現像を行うが、現像方法としては浸漬法やスプレー法、ブラシ法などの公知の方法が採用可能である。現像液は、ペースト中の有機成分が溶解あるいは分散可能である有機溶媒または水溶液を使用できる。また該有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。ペースト中にカルボキシル基等の酸性基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ水溶液でも現像できる。アルカリ水溶液として水酸化ナトリウムや水酸化カルシウム、炭酸ナトリウム水溶液などのような金属アルカリ水溶液を使用できるが、有機アルカリ水溶液を用いた方が焼成時にアルカリ成分を除去しやすいので好ましい。有機アルカリとしては、一般的なアミン化合物またはアンモニウム塩を用いることができる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどが挙げられる。アルカリ水溶液に含まれるアルカリ成分の濃度は0.01〜10重量%が好ましく、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカリ濃度が低すぎれば未露光部が除去され難く、アルカリ濃度が高すぎれば、パターン部を剥離させ、また露光部を腐食させるおそれがあり好ましくない。また、現像液の温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好ましい。   After the exposure, development is performed using a developer. As the development method, a known method such as an immersion method, a spray method, or a brush method can be employed. As the developer, an organic solvent or an aqueous solution in which an organic component in the paste can be dissolved or dispersed can be used. Further, water may be added to the organic solvent as long as its dissolving power is not lost. When a compound having an acidic group such as a carboxyl group is present in the paste, it can be developed even with an alkaline aqueous solution. A metal alkali aqueous solution such as sodium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate aqueous solution or the like can be used as the alkaline aqueous solution. However, it is preferable to use an organic alkaline aqueous solution because an alkaline component can be easily removed during firing. As the organic alkali, a general amine compound or ammonium salt can be used. Specific examples include tetramethylammonium hydroxide, trimethylbenzylammonium hydroxide, monoethanolamine, and diethanolamine. The concentration of the alkali component contained in the alkaline aqueous solution is preferably 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, it is difficult to remove the unexposed portion. If the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the exposed portion may be corroded. Moreover, it is preferable on process control that the temperature of a developing solution is 20-50 degreeC.

本発明においては少なくとも2種類のペーストを用いるが、ペーストAおよびペーストBによるパターン(3層以上の場合は本発明に係るペーストを用いた全層のパターン)は同一であることが好ましい。これは、上層と下層のパターンが異なると、ペーストAのパターンのX−Y方向の収縮が抑制できないおそれが生じるためである。   In the present invention, at least two types of pastes are used, but the patterns of paste A and paste B (in the case of three layers or more, the pattern of all layers using the paste according to the present invention) are preferably the same. This is because if the patterns of the upper layer and the lower layer are different, shrinkage in the XY direction of the pattern of the paste A may not be suppressed.

また、下層のペーストの厚みtaと上層のペーストの厚みtbの関係が、0.5×ta≦tb≦taであることが好ましい。これは上層のペーストの厚みが下層のペーストの厚みよりも薄すぎると、下層のペーストに含まれるガラスの焼成において、X−Y方向の収縮が抑制できないおそれが生じるためであり、また上層が厚すぎると、焼結時に上層に含まれるガラスが軟化して隔壁の上部が湾曲するおそれが生じるためである。   Further, the relationship between the thickness ta of the lower layer paste and the thickness tb of the upper layer paste is preferably 0.5 × ta ≦ tb ≦ ta. This is because if the thickness of the upper layer paste is too thin than the thickness of the lower layer paste, shrinkage in the XY direction may not be suppressed in firing the glass contained in the lower layer paste, and the upper layer is thick. This is because the glass contained in the upper layer is softened during sintering and the upper part of the partition may be curved.

本発明の製造方法においては、ペーストA、Bによる層以外にも、さらにペーストA、Bとは別な少なくともガラス粒子を含む無機成分と少なくともバインダー樹脂を含む有機成分とからなるペーストCによる層をペーストBによる層上に塗布することができる。このように本発明においては3種類以上のペーストによる多層とすることが可能である。積層数は多い方がガラスの熱収縮時における湾曲が低減されるが、積層数は全体の厚みなどを勘案し適宜決定される。   In the production method of the present invention, in addition to the layers of pastes A and B, a layer of paste C composed of an inorganic component containing at least glass particles and an organic component containing at least a binder resin other than pastes A and B. It can apply | coat on the layer by the paste B. FIG. Thus, in the present invention, it is possible to form a multilayer with three or more types of paste. The larger the number of layers, the more the glass is bent during heat shrinkage, but the number of layers is appropriately determined in consideration of the overall thickness and the like.

上記のペーストCの無機成分および有機成分に用いることができるものの詳細については、ペーストA、Bに関する説明で説明したとおりである。ペーストCに含有されるガラス粒子の結晶化温度Tccは、Tcb < Tccの関係であることが好ましい。また、この場合ペースト厚みtbとペースト厚みtcの関係が、0.5×tb ≦tc≦tbであることが好ましい。   The details of what can be used for the inorganic component and the organic component of the paste C are as described in the description of the pastes A and B. The crystallization temperature Tcc of the glass particles contained in the paste C is preferably in a relationship of Tcb <Tcc. In this case, the relationship between the paste thickness tb and the paste thickness tc is preferably 0.5 × tb ≦ tc ≦ tb.

ペースト塗膜は、必要により所望のパターン形成を行った後、焼成工程に導入される。焼成における雰囲気や、温度はペーストや基板の種類によって適宜選択することでき、空気中、窒素、水素等の雰囲気が用いられる。焼成温度は通常は400〜610℃で行う。ペースト膜がパターン加工されている場合は、520〜610℃の温度で10〜60分間保持して焼成を行うことが一般的である。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。また、以上の各工程中に、乾燥、予備反応の目的で、50〜300℃の加熱をおこなっても良い。   The paste coating film is introduced into the firing step after forming a desired pattern as necessary. The atmosphere and temperature in firing can be appropriately selected depending on the type of paste or substrate, and an atmosphere of air, nitrogen, hydrogen or the like is used. The firing temperature is usually 400 to 610 ° C. When the paste film is patterned, firing is generally performed by holding at a temperature of 520 to 610 ° C. for 10 to 60 minutes. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used. Moreover, you may heat at 50-300 degreeC in the above each process for the purpose of drying and a preliminary reaction.

以上の工程によって形成された隔壁の側面および隔壁間に電子放出素子を形成することによりパネルディスプレイの基板が得られる。   A substrate for a panel display can be obtained by forming an electron-emitting device between the side wall of the partition formed by the above steps and between the partitions.

また、上記基板を、例えば、背面板として使用し、別途作製された前面板と封着した後、配線の実装を行うことで、高輝度で、コントラストの高いパネルディスプレイを得ることができる。   In addition, by using the substrate as a back plate, for example, and sealing with a separately manufactured front plate, and then mounting the wiring, a panel display with high brightness and high contrast can be obtained.

以下に、本発明を実施例を用いて本発明を具体的に説明する。但し、本発明はこれに限定されない。なお、実施例、比較例中の濃度は特に断らない限り重量%である。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited to this. The concentration in Examples and Comparative Examples is% by weight unless otherwise specified.

ペーストA,B、Cに用いた材料は次のとおりである。   The materials used for the pastes A, B, and C are as follows.

(有機成分)
バインダー樹脂:40%のメタアクリル酸(MMA)、30%のメチルメタアクリレート(MMA)、30%のメタクリル酸からなる共重合体のカルボキシル基に対し、0.4当量のグリシジルメタアクリレート(GMA)を付加反応させた重量平均分子量19000、酸価107のものを用いた。
(Organic component)
Binder resin: 0.4 equivalent of glycidyl methacrylate (GMA) with respect to the carboxyl group of a copolymer comprising 40% methacrylic acid (MMA), 30% methyl methacrylate (MMA), and 30% methacrylic acid. A weight average molecular weight of 19000 and an acid value of 107 were used.

感光性モノマー:日本化薬社製カラヤッドTPA−330
光重合開始剤:2,4−ジメチルオキサントン(日本化薬社製)とイルガキュア369(チバスペシャルティケミカル社製)を1:2(重量比)混合物
紫外線吸光剤:スダン(化学式C2420O、分子量380.45のアゾ系有機染料)
分散剤:花王社製ノプコスパース
重合禁止剤:p−メトキシフェノール、
溶剤:3−メチル−3−メトキシブタノール
(無機成分)
ガラス粉末A:SiO 25%、Al 19%、B 33%、ZnO 12%、MgO 6%、CaO 2%、BaO 2%、LiO 1%
ガラス粉末はあらかじめアトラクターにて微粉末にし、平均粒径1.5μmとして用いた。結晶化温度は、510℃であった。
Photosensitive monomer: Nippon Kayaku Co., Ltd. Karayad TPA-330
Photopolymerization initiator: 2,4-dimethyl oxanthone (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and Irgacure 369 (manufactured by Ciba Specialty Chemicals) 1: 2 (weight ratio) mixture UV absorber: Sudan (chemical formula C 24 H 20 N 4 O, azo organic dye having a molecular weight of 380.45)
Dispersant: Noop Cosperth manufactured by Kao Corporation Polymerization inhibitor: p-methoxyphenol,
Solvent: 3-methyl-3-methoxybutanol (inorganic component)
Glass powder A: SiO 2 25%, Al 2 O 3 19%, B 2 O 3 33%, ZnO 12%, MgO 6%, CaO 2%, BaO 2%, LiO 2 1%
The glass powder was made into a fine powder with an attractor in advance and used with an average particle size of 1.5 μm. The crystallization temperature was 510 ° C.

ガラス粉末B:SiO19%、Al 35%、B 28%、ZnO 10%、MgO 3%、CaO 2%、BaO 1.5%、LiO 1.5%
ガラス粉末はあらかじめアトラクターにて微粉末にし、平均粒径1.8μmとして用いた。結晶化温度は、515℃であった。
Glass powder B: SiO 2 19%, Al 2 O 3 35%, B 2 O 3 28%, ZnO 10%, MgO 3%, CaO 2%, BaO 1.5%, LiO 2 1.5%
The glass powder was made into a fine powder with an attractor in advance and used with an average particle size of 1.8 μm. The crystallization temperature was 515 ° C.

ガラス粉末C:SiO 22%、Al 42%、B 28%、ZnO 5%、MgO 1%、CaO 1%、BaO 1%
ガラス粉末はあらかじめアトラクターにて微粉末にし、平均粒径1.7umとして用いた。結晶化温度は、540℃であった。
Glass powder C: SiO 2 22%, Al 2 O 3 42%, B 2 O 3 28%, ZnO 5%, MgO 1%, CaO 1%, BaO 1%
The glass powder was made into a fine powder with an attractor in advance and used with an average particle size of 1.7 um. The crystallization temperature was 540 ° C.

ペーストAは、上記のバインダー樹脂3.7重量%、感光性モノマー10重量%、光重合開始剤5重量%、紫外線吸光剤0.1重量%、分散剤0.2重量%、重合禁止剤0.5重量%、溶剤3.5重量%、上記ガラス粉末Aを77重量%加えて作製し、400メッシュのフィルターを用いて濾過して使用した。ペーストBおよびペーストCは、上記ペーストAにおいてガラス成分を各々ガラス粉末B、ガラス粉末Cに代えた他はペーストAと同様にして調製した。   Paste A consists of 3.7% by weight of the binder resin, 10% by weight of the photosensitive monomer, 5% by weight of the photopolymerization initiator, 0.1% by weight of the ultraviolet light absorber, 0.2% by weight of the dispersant, and 0% of the polymerization inhibitor. It was prepared by adding 5% by weight, 3.5% by weight of solvent, and 77% by weight of the above glass powder A, and was used after being filtered using a 400 mesh filter. Paste B and Paste C were prepared in the same manner as Paste A, except that the glass components in Paste A were replaced with Glass Powder B and Glass Powder C, respectively.

(収縮率の測定)
走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて焼成前の孔径と焼成後の孔径を求め、以下の式で求めた。
(Measurement of shrinkage rate)
Using a scanning electron microscope (SEM), the pore diameter before firing and the pore diameter after firing were determined and determined by the following formula.

収縮率=(焼成後の孔径)/(焼成前の孔径)
なお、孔径は開口面(隔壁の最上面)における径を測定した。
Shrinkage rate = (pore diameter after firing) / (pore diameter before firing)
In addition, the hole diameter measured the diameter in an opening surface (uppermost surface of a partition).

実施例1
ガラス基板上にペーストAをスクリーン印刷法を用いて一様に塗布した。その後80℃で5分保持して乾燥した。次いで、その上にペーストBをスクリーン印刷を用いて一様に塗布した。その後80℃で10分間保持して乾燥した。続いて、20μm径の円径パターンを40μmピッチで有するネガ型クロムマスクを用いて、上面から0.5kw出力の超高圧水銀灯で紫外線露光した。露光量は1.0J/cmであった。
Example 1
Paste A was uniformly applied on a glass substrate using a screen printing method. Thereafter, it was kept at 80 ° C. for 5 minutes and dried. Next, paste B was uniformly applied thereon using screen printing. Thereafter, it was kept at 80 ° C. for 10 minutes and dried. Subsequently, using a negative chrome mask having a circular pattern with a diameter of 20 μm at a pitch of 40 μm, the surface was exposed to ultraviolet rays from an upper surface with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 0.5 kW. The exposure amount was 1.0 J / cm 2 .

次に25℃に保持した水酸化カリウム0.1重量%の水溶液をシャワーで付与して30秒間現像し、その後シャワースプレーを用いて水洗浄し、ガラス基板上に約20μmの孔径をもつ隔壁パターンを形成した。この隔壁パターンを形成したガラス基板を空気中で540℃40分間焼成および結晶化させ、隔壁を形成した。乾燥後の膜厚は走査型電子顕微鏡(SEM)により観察したところ、ペーストA層は14μm、ペーストB層は9μmであった。焼成後の膜厚は15μmであった。   Next, a 0.1% by weight aqueous solution of potassium hydroxide maintained at 25 ° C. is applied by showering, developed for 30 seconds, then washed with water using a shower spray, and a partition wall pattern having a pore size of about 20 μm on a glass substrate. Formed. The glass substrate on which the partition pattern was formed was baked and crystallized in air at 540 ° C. for 40 minutes to form the partition. When the film thickness after drying was observed with a scanning electron microscope (SEM), the paste A layer was 14 μm and the paste B layer was 9 μm. The film thickness after firing was 15 μm.

実施例2
実施例1と同様にペーストAとペーストBをスクリーン印刷した後、ペーストB層上にさらにペーストCをスクリーン印刷法により塗布し、その後実施例1と同様に乾燥し、次いで露光、現像、焼成を行って隔壁を形成した。乾燥後のペーストA層の膜厚は12μm、ペーストB層の膜厚は8μm、ペーストC層の膜厚は5μmであった。焼成後の膜厚は17μmであった。
Example 2
After paste-printing paste A and paste B in the same manner as in Example 1, paste C is further applied onto the paste B layer by screen printing, followed by drying in the same manner as in Example 1, followed by exposure, development, and baking. A partition wall was formed. The thickness of the paste A layer after drying was 12 μm, the thickness of the paste B layer was 8 μm, and the thickness of the paste C layer was 5 μm. The film thickness after firing was 17 μm.

実施例3
ペーストAを下層に、ペーストCを上層に用いた以外は実施例1と同様にして隔壁を形成した。乾燥後のペーストA層の膜厚は12μm、ペーストC層の膜厚は8μmであった。焼成後の膜厚は14μmであった。
Example 3
A partition wall was formed in the same manner as in Example 1 except that the paste A was used for the lower layer and the paste C was used for the upper layer. The thickness of the paste A layer after drying was 12 μm, and the thickness of the paste C layer was 8 μm. The film thickness after firing was 14 μm.

比較例1
ペーストBを下層に、ペーストAを上層に用いた以外は実施例1と同様にして隔壁を形成した。乾燥後のペーストB層の膜厚は12μm、ペーストA層の膜厚は10μmであった。焼成後の膜厚は15μmであった。
Comparative Example 1
A partition wall was formed in the same manner as in Example 1 except that paste B was used for the lower layer and paste A was used for the upper layer. The thickness of the paste B layer after drying was 12 μm, and the thickness of the paste A layer was 10 μm. The film thickness after firing was 15 μm.

比較例2
ペーストAを用いて2回塗布を行った以外は実施例1にして隔壁を形成した。乾燥後の下層のペーストA層の膜厚は12μm、上層のペーストA層の膜厚は10μmであった。焼成後の膜厚は14μmであった。
Comparative Example 2
A partition wall was formed in the same manner as in Example 1 except that the paste A was applied twice. The film thickness of the lower paste A layer after drying was 12 μm, and the film thickness of the upper paste A layer was 10 μm. The film thickness after firing was 14 μm.

実施例4
ペーストBの粘度を下げて、上層のペーストB層の膜厚を3μmにした以外は実施例1と同様にして隔壁を形成した。乾燥後の下層のペーストA層の膜厚は14μmであった。焼成後の膜厚は9μmであった。
Example 4
A partition wall was formed in the same manner as in Example 1 except that the viscosity of the paste B was lowered and the film thickness of the upper paste B layer was changed to 3 μm. The film thickness of the lower paste A layer after drying was 14 μm. The film thickness after firing was 9 μm.

実施例1〜4と比較例1、2の結果を表1にまとめる。表1の中の第1層〜第3層は基板面側からの順であり、A、B,Cの記号は各々ペーストの種類に対応している。   The results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 are summarized in Table 1. The first to third layers in Table 1 are in order from the substrate surface side, and the symbols A, B, and C correspond to the types of paste, respectively.

Figure 2007012415
Figure 2007012415

Claims (8)

基板上に少なくともガラス粒子を含む無機成分と少なくともバインダー樹脂を含む有機成分とからなるペーストAを塗布する工程と、前記ペーストAによる層の上に少なくともガラス粒子を含む無機成分と少なくともバインダー樹脂を含む有機成分とからなるペーストBを塗布する工程、必要により所望のパターンを形成する工程、そして焼結工程を有するパネルディスプレイ部材の製造方法であって、ペーストAに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCA 、ペーストBに含まれるガラス粒子の結晶化温度をTCB とした時、TCA <TCB を満たすことを特徴とするパネルディスプレイ部材の製造方法。 A step of applying a paste A composed of an inorganic component including at least glass particles and an organic component including at least a binder resin on the substrate; and an inorganic component including at least the glass particles and at least a binder resin on the layer of the paste A. A method for manufacturing a panel display member comprising a step of applying a paste B comprising an organic component, a step of forming a desired pattern as necessary, and a sintering step, wherein the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste A is determined. T CA, when the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste B was T CB, the manufacturing method of the panel display member characterized by satisfying T CA <T CB. 前記の有機成分が感光性成分を含むことを特徴とする請求項1に記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The method for producing a panel display member according to claim 1, wherein the organic component includes a photosensitive component. CB がTCA よりも5℃以上高いことを特徴とする請求項1または2に記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 Method for producing a panel display member according to claim 1 or 2 T CB may be higher 5 ° C. or higher than T CA. ペーストAおよびペーストBに含まれるガラス粒子の結晶化温度が600℃以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The method for producing a panel display member according to any one of claims 1 to 3, wherein the crystallization temperature of the glass particles contained in the paste A and the paste B is 600 ° C or lower. ペーストA中の無機成分の量がペーストAの全体積に対し、30〜60vol%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The method for manufacturing a panel display member according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of the inorganic component in the paste A is 30 to 60 vol% with respect to the total volume of the paste A. ペーストB中の無機成分の量がペーストBの全体積に対し、30〜60vol%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The method for manufacturing a panel display member according to any one of claims 1 to 5, wherein the amount of the inorganic component in the paste B is 30 to 60 vol% with respect to the total volume of the paste B. ペーストAまたはペーストBに含まれるガラス粒子の粒径が2μm以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The method for producing a panel display member according to claim 1, wherein the particle size of the glass particles contained in the paste A or paste B is 2 μm or less. 焼結後の厚みが40μm以下であることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のパネルディスプレイ部材の製造方法。 The thickness after sintering is 40 micrometers or less, The manufacturing method of the panel display member in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned.
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