JP2007005510A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、複数の半導体素子を集積して形成する。次に、複数の半導体素子が集積して形成された素子形成領域の周縁部の少なくとも一部において、積層された複数の絶縁膜層のうちの少なくとも一層を貫通するように凹状に犠牲剥離パターン313を形成する。次に、溝部上を覆うように、素子形成領域上に表面保護膜314を形成する。ここで、表面保護膜を形成する際には、表面保護膜は犠牲剥離パターンの内部に空孔部を有するように犠牲剥離パターン内を埋め込む。これにより、ダイシング時あるいは樹脂封止時にこの犠牲剥離パターンが犠牲剥離領域となり、膜剥離を防止する。
【選択図】 図3
Description
以下に、本発明の第1の実施形態の半導体装置およびその製造方法について、図1〜図3に基づいて説明する。
(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態の半導体装置およびその製造方法について、図4に基づいて説明する。
102 犠牲剥離領域
103 ダイシングライン領域
201 素子形成領域
202 犠牲剥離領域
301 基板
302 層間膜
303 low−k層間膜
304 low−k層間膜
305 配線
306 配線
307 配線
308 配線
309 コンタクト
310 コンタクト
311 コンタクト
312 Pad
313 犠牲剥離パターン
314 パッシベーション膜
401 基板
402 層間膜
403 low−k層間膜
404 low−k層間膜
405 配線
406 配線
407 配線
408 配線
409 コンタクト
410 コンタクト
411 コンタクト
412 Pad
413 犠牲剥離パターン
414 パッシベーション膜
Claims (12)
- 複数の半導体素子が集積して形成された素子形成領域の周縁部の少なくとも一部において、前記素子形成領域に積層された複数の絶縁膜層のうちの少なくとも一層を貫通するように凹状に形成された犠牲剥離パターンと、
前記犠牲剥離パターン上を覆うように、前記素子形成領域上に形成された表面保護膜とを備え、
前記表面保護膜は、前記犠牲剥離パターンの内部に空孔部を有するように前記犠牲剥離パターン内を埋め込んでいることを特徴とする半導体装置。 - 複数の半導体素子が集積して形成された素子形成領域の周縁部の少なくとも一部において、前記素子形成領域に積層された複数の絶縁膜層のうちの少なくとも一層を貫通するように凹状に形成された犠牲剥離パターンと、
前記犠牲剥離パターン上を覆うように、前記素子形成領域上に形成された表面保護膜とを備え、
前記表面保護膜は、前記犠牲剥離パターンの内面に沿うように前記犠牲剥離パターン内を覆っていることを特徴とする半導体装置。 - 前記犠牲剥離パターンが形成された前記絶縁膜層はLow−k膜からなる請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記Low−k膜の比誘電率は3.9未満である請求項3記載の半導体装置。
- 前記犠牲剥離パターンは、前記素子形成領域の周縁部全体に形成されている請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記犠牲剥離パターンは、前記素子形成領域の周縁部の角部およびその近傍に形成されている請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記犠牲剥離パターンは、複数個のコンタクト孔の集合体からなる請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記犠牲剥離パターンは、複数個のミシン目状の溝の集合体からなる請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 前記犠牲剥離パターンは、平行して並ぶ複数本の溝からなる請求項1,2,3または4記載の半導体装置。
- 基板上に、複数の半導体素子を集積して形成し、複数の絶縁膜層を積層する工程と、
前記複数の半導体素子が集積して形成された素子形成領域の周縁部の少なくとも一部において、前記複数の絶縁層膜のうちの少なくとも一層を貫通するように犠牲剥離パターンを凹状に形成する工程と、
前記犠牲剥離パターン上を覆うように、前記素子形成領域上に表面保護膜を形成する工程とを含み、
前記表面保護膜を形成する工程は、前記犠牲剥離パターンの内部に空孔部を有するように前記表面保護膜を前記犠牲剥離パターン内に埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に、複数の半導体素子を集積して形成し、複数の絶縁膜層を積層する工程と、
前記複数の半導体素子が集積して形成された領域の周縁部の少なくとも一部において、
前記複数の絶縁膜層のうちの少なくとも一層を貫通するように犠牲剥離パターンを凹状に形成する工程と、
前記犠牲剥離パターン上を覆うように、前記複数の半導体素子が集積して形成された領域上に表面保護膜を形成する工程とを含み、
前記表面保護膜を形成する工程は、前記表面保護膜を前記犠牲剥離パターンの内面に沿うように前記犠牲剥離パターン内を覆うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記犠牲剥離パターンを化学的エッチング手法により形成する請求項10または11記載の半導体装置の製造方法。
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