JP2006520773A - 金属錯体の製造方法 - Google Patents

Abstract

次の一般式（Ｉ）の化合物と２座配位子Ｌと反応する工程を含む一般式Ｍ（Ａｒ¹Ａｒ²）ｎＬの金属錯体を形成する方法であって、
【化１】

ここで、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立して選択的に置換されたアリール又はヘテロアリールである。Ａｒ¹−Ａｒ²は、ＭとＡｒ¹−Ａｒ²カルバニオンの反応によって少なくとも１つの炭素−Ｍ結合を形成する。ここで、Ｍはイリジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウムである。Ｈａｌはハロゲンであり、ｎはＭの価数を満足するのに必要な価数を有する１〜３の数字であり、一般式（Ｉ）の化合物のハロゲンの架橋を破壊することができるイネーブリング配位子の存在下で反応が行われることを特徴とする方法。

Description

本発明は金属錯体の製造方法に関する。

大きく注目されている光電気装置の１つの分野は発光（電子発光装置）又は光電池若しくは光検出器（「光起電」装置）に半導体有機材料を使用するものである。これらの装置の基本的な構造は、負電荷輸送体（電子）を有機層に注入又は受領するカソード及び正電荷輸送体（正孔）を有機層に注入又は受領するアノードの間に挟まれた有機半導体層である。

有機発光装置（ＯＬＥＤ）においては、電子及び正孔は、結合して放射性崩壊をもたらす励起を生じるように半導体有機層に注入される。有機発光材料の多くの種類が知られている。特に、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＷＯ９０／１３１４８に開示される）、ポリフルオレン及びポリフェニレンのようなポリマー；ＵＳ４，５３９，５０７に開示されるような（８−ヒドロキシキノン）アルミニウム（Ａｌｑ３）低分子材料；ＷＯ９９／２１９３５に開示されるようなデンドリマーとして知られる材料の分野がある。これらの材料は一重項励起の放射性崩壊によって発光する（すなわち、蛍光）が、スピン統計は励起の７５％までは３重項励起であること、すなわち、量子効率は蛍光ＯＬＥＤでは２５％まで低いことを示した。例えば、Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，１９９３，２１０，６１，Ｎａｔｕｒｅ（Ｌｏｎｄｏｎ），２００１，４０９，４９４，Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，２００２，１２５，５５及びその引用文献参照。

したがって、３重項励起が放射性崩壊をする金属錯体を利用して３重項励起から発光（燐光）する方向に研究の力が向けられた。この目的のために調査された錯体は、ランタニド金属キレート（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９９９，１１，１３４９）、プラチナ（ＩＩ）ポルフィリン［Ｎａｔｕｒｅ（Ｌｏｎｄｏｎ），１９９８，３９５，１５１］及びインジウムトリス（フェニルピリジン）［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ., ２０００，７７，９０４］。同錯体のフラーのリブューは、Ｐｕｒｅ Ａｐｐｌ．Ｃｈｅｍ．，１９９９，７１，２０９５，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ&Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｒ：Ｒｅｐｏｒｔｓ，Ｒ３９（５−６），１４３−２２２及びＰｏｌｙｍｅｒｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ （２０００），８３，２０２−２０３．

これら金属錯体の合成の１つの手法は、例えば、ＷＯ０２／１５６４５、ＵＳ２００２／０３４６５６、ＪＰ２００２−１０５０５５及びこれらの引用文献に記載されている。これは、フェニルピリジンを含む非対称錯体のためのスキーム１に図示されている。
１）クロロ架橋２量体の形成
２）最終製品（ｂ）を形成するために、塩基及び配位子の存在下で２量体を反応させる
スキーム１

この２つの工程は、架橋２量体を形成する金属錯体の幅広い範囲への応用が可能であることが当業者には明らかであろう。ハロゲン架橋２量体を形成する他の金属はロジウム、パラジウム及びプラチナである（例えば、ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００２，４１，３０５５参照）。

これら従来技術の有機金属錯体の合成は、クロロ架橋２量体（ａ）が相対的に安定な材料であるため、必然的に２つの工程を伴う。２量体のクロロ架橋は、フェニルピリジンのような配位子によって破壊され得ず、したがって第２の工程はクロロ架橋を破壊することができる配位子Ｌを必要とし、これによってこの合成が非対称錯体（すなわち、ＬがＰＰｙではないもの）にのみ適合するようになる。

Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（１９９４），３３（３），５４５−５０及びＣｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，Ｕｎｉｔｅｄ Ｋｉｎｇｄｏｍ）（２００１），（１６），１４９４−１４９５に記載されるように銀トリフレートのような塩に存在下において反応を行うことによって、フェニルピリジンと２量体との反応によって、トリス（フェニルピリジン）インジウム（ＩＩＩ）を生成する。この手法は、残った銀が最終製品に存在し、これを取り除くことが非常に困難であり、ＯＬＥＤ特性に弊害をもたらすという欠点を有する。さらに、この手法は、対称性錯体（すなわち、Ｌ＝ＰＰｙであるもの）の合成についてのみ報告されている。本明細書で使用される「対称性錯体」とは、金属に付着するすべての配位子が同じである錯体を意味する。本明細書で使用される「非対称性錯体」とは、金属に付着する少なくとも１つの配位子が金属に付着する少なくとも１つの他の配位子と異なる錯体を意味する。

イリジウム錯体の他の合成方法は、例えば、トリス−アセチルアセトネートイリジウム（ＩＩＩ）をフェニルピリジンの３当量と反応させるＷＯ０２／６０９１０及びＵＳ２００２／０３４６５６に開示されている。これは、トリス−アセチルアセトネートイリジウムが塩化イリジウム（それによってこれが製造される）と比較して相対的に値段が高いという欠点を有する。イリジウムトリクロライド及び２，５−ペンタネジオンの反応によってトリス−アセチルアセトネートイリジウムを製造することは可能であるが、これは合成に更なる工程を付加する（本発明の発明者らは、２，５−ペンタネジオンの存在下でイリジウムトリクロライドと２−フェニルピリジンを反応させることは、反応物を悪化させるため、可能ではないことを発見した）。さらに、この１工程の手法は、非対称性錯体の形成を許容しない。
国際公開第０２／１５６４５号パンフレット 米国特許出願公開第２００２／０３４６５６号明細書 日本国公開２００２−１０５０５５号公報

従来の合成の上記の欠点を勘案して、ハロゲン架橋インジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウム２量体を量体のハロゲン架橋を破壊することができる配位子と反応させ、しかし、量体自体以外に金属含有試薬を必要としない方法を提供することが本発明の目的である。また、対称性及び非対称性錯体両者を合成するのに適切な前記錯体を合成するためのワンポットプロセスを提供することが本発明の他の目的である。（本明細書で使用される「ワンポット」は、第１の工程で形成されたハロゲン架橋量体の中間体が、第２の工程前にその中において前記中間体が形成される反応混合物のいくつか又は全てのコンポーネントから分離されないことを意味する）。値段が高い初期材料を必要とせずに、ワンポットプロセスにおいて前記錯体を合成するための方法を提供することが本発明の他の目的である。

第１の態様において、本発明は、一般式（Ｉ）の化合物と２座配位子Ｌと反応する工程を含む一般式Ｍ（Ａｒ¹Ａｒ²）_nＬの金属錯体を形成する方法を提供する。
ここで、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立して選択的に置換されたアリール又はヘテロアリールである。Ａｒ¹−Ａｒ²は、ＭとＡｒ¹−Ａｒ²カルバニオンの反応によって少なくとも１つの炭素−Ｍ結合を形成する。ここで、Ｍはイリジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウムである。Ｈａｌはハロゲンであり、ｎはＭの価数を満足するのに必要な価数を有する１〜３の数字であり、一般式（Ｉ）の化合物のハロゲンの架橋を破壊することができるイネーブリング配位子の存在下で反応が行われることに特徴がある。

「２座配位子」とは、金属錯体中に存在するとき、２つの配位子−金属結合によって金属に結合している配位子を意味する。各配位子−金属結合は共有結合又は配位結合である。

好ましくは、各Ｈａｌ（ハロゲン）は、臭素、塩素又はヨウ素であり、最も好ましくは塩素である。

好ましくは、Ａｒ¹−Ａｒ²は、フェニルピリジンである。

第１の態様において、Ａｒ¹−Ａｒ²とＬは同じである。第２の態様において、Ａｒ¹−Ａｒ²とＬは異なる。

本発明の第１の態様における１つの実施例において、イネーブリング配位子は単座配位子であり、より好ましくは選択的に置換されたピリジン及びトリアリールホスフィンから選択される。

本発明の第１の態様における他の実施例において、イネーブリング配位子は一般式（ＩＩｂ）の２座配位子である。
ここで、各ＲはＨ又は置換基から独立して選択される。好ましくは、各Ｒは水素である。

好ましくは、一般式（ＩＩｂ）の配位子は対応するプロトン化化合物を金属遊離塩基で処理することによって形成される。

好ましくは、この反応はプロトン性溶媒、より好ましくはエチレングリコール中で行われる。

好ましい実施例において、本発明は、Ｍ（Ｈａｌ）_m化合物をＡｒ¹−Ａｒ²と反応させることによって式（Ｉ）の化合物を製造する第１の工程、及び本発明の第１の側面の第２の工程を含むＭ（Ａｒ¹Ａｒ²）_nＬの金属錯体を形成する方法を提供する。ここで、ｍはＭの価を満足するに必要な数字であり、第１及び第２の工程は、ワンポットプロセスで行われることを特徴とする。

第２の側面において、本発明は次の工程を含む金属錯体の形成方法を提供する。
ａ）Ｍ（Ｈａｌ）_mの化合物とＡｒ¹−Ａｒ²の化合物と反応させて次式（Ｉ）の化合物を形成する第１の工程
及び
ｂ）式（Ｉ）の化合物と式（Ｉ）の化合物のハロゲン架橋を破壊することができる反応性配位子を反応させる第２の工程
ここで、Ａｒ¹とＡｒ²はそれぞれ独立して選択的に置換されたアリール又はヘテロアリールであり、Ａｒ¹−Ａｒ²はＭをＡｒ¹−Ａｒ²のカルバニオンと反応させることによって少なくとも１つの炭素−Ｍ結合を形成し、Ｌは式Ａｒ¹−Ａｒ²の化合物であり、Ｍはイリジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウムであり、Ｈａｌはハロゲンであり、ｍは２−８の数字であり、ｎは１−３の数字であり、ｍ及びｎは、金属Ｍの価を満足するに必要な値であり、第１及び第２の工程はワンポットプロセスであることを特徴とする。

第３の側面において、本発明はハロゲン化金属を式（ＩＩａ）の配位子と反応させる工程を含む金属錯体を形成する方法を提供する。
ここで、各Ｒは、ハロゲン又は置換基から独立して選択される。好ましくは、各Ｒは水素であり、式（ＩＩａ）の化合物を脱プロトン化するために十分な力の金属遊離塩基の存在下で反応が行われることを特徴とする。

「ハロゲン化金属」とは、式Ｍ（Ｈａｌ）_x（Ｌ’）_yの化合物を含む少なくとも２つの金属−ハロゲン結合を含む化合物を意味する。ここで、Ｍは金属であり、Ｈａｌはハロゲンであり、Ｌ’は単座又は多座配位子であり、ｘは２以上であり、ｙは０以上であり、ｘ＋ｙはＭの価を満足するに必要な数字である。本発明の第３の側面で使用される「ハロゲン化金属」という用語も、金属のハロゲン化合物架橋二量体を含む。

本発明の発明者は、ハロゲン架橋二量体を前記イネーブリング配位子の存在下で二座配位子Ｌと反応させることにより多くの金属錯体を形成することが可能であり、イネーブリング配位子が存在しないときは前記金属錯体は形成されないことを発見した。したがって、これらイネーブリング配位子の使用は広い範囲の反応生成物（対称及び非対称）及び反応条件を可能とする。

前記金属錯体の形成は、イネーブリング配位子が次に２座配位子Ａｒ¹−Ａｒ²と反応することができる相対的に反応性のある中間体を形成する２量体（Ｉ）の相対的に安定なハロゲン架橋を破壊することができるという事実によって可能になった。これは、イネーブリング配位子が単座配位子Ｌｍ（例えば、ピリジン）であるスキーム２に図示されている。

さらに、スキーム２に示されるように、本発明の第１の工程は従来技術のようにジハロ架橋２量体も合成を伴う。最終生成物を製造するために、従来技術の合成は２量体（Ｉ）の分離とその後の２座配位子Ｌとの反応を伴う。これに対して、本発明の発明者は最終生成物（ＩＶ）は、単座配位子Ｌ^mの存在において、２量体（Ｉ）を配位子Ｌと反応させることによって、すなわち、第１の分離２量体（Ｉ）なしに形成されることができる。しかしながら、反応は、例えば、２量体（Ｉ）がエチレングリコールのような第１のプロトン性溶媒中で形成され、次いでジクロロメタンのような第２の非プロトン性溶媒中で反応させられる「２ポット」プロセスとしても行うことができる。
スキーム２

あるいは、ある種の２座配位子はイネーブリング配位子として使用することができる。

ハロゲン架橋を破壊することができる配位子をイネーブリング配位子として使用することに加えて、これらの配位子は非対称錯体の形成のための１ポットプロセスにおける反応物（反応性配位子）として使用することができる。この例において、式（ＩＩＩ）の化合物は中間体というより最終生成物である。この種の生成物は、例えば、ＷＯ０２／１５６４５に開示されているが、従来の合成は２ポットプロセスを伴う。

本発明は、従来技術のように銀塩を必要とせずに、ハロゲン架橋２量体から、又は対応の金属ハロゲン化物から始める１ポットプロセスにおいて、対称又は非対称金属錯体の製造を可能にする。さらに、本発明の第３の側面によれば、本発明の発明者は、式（ＩＩａ）の化合物の脱プロトン化によって形成され、しかし実質的に金属不純物を含まない式（ＩＩｂ）の配位子を有する金属錯体を形成する方法を発明した。この方法によれば、式（ＩＩａ）の化合物及び遊離金属塩基を使用して錯体が製造される。式（ＩＩｂ）の配位子は、本発明の第２の態様のようにイネーブリング配位子又は本発明の第３の態様のように最終生成物の一部を形成する反応性配位子であり得る。

Ａｒ¹−Ａｒ²とＬは、同じ又は異なることができる。スキーム２のプロセスにおいて、Ｌは反応の最終工程で加えられるが、特にＡｒ¹−Ａｒ²とＬが同じとき、ＬはＡｒ¹−Ａｒ²と共に最初の混合物に加えられる。Ａｒ¹−Ａｒ²とＬが異なるとき、単一の非対称錯体を製造するためには、最終工程でのＬの添加が好ましい。

カルバニオンを通してＭに結合することに加えて、式ＩＩＩの化合物におけるＡｒ¹−Ａｒ²は、金属−窒素結合によってＭに結合することができる。

Ａｒ¹及びＡｒ²は、選択的に置換されたフェニル、並びに単環又は縮合環の一部として５又は６員環を含む選択的に置換された複素環式芳香族化合物から構成される群から好ましくは選択される。特に好ましい複素環式芳香族化合物は１又は２以上の酸素、硫黄又は窒素原子を含むものである。

Ｌは、Ａｒ¹−Ａｒ²のような化合物、すなわち、ハロゲン架橋を破壊することができる化合物の同じ基から選択される。本発明の方法においては、Ｌ及びは同じ（対称錯体の製造のため）、又は異なる（非対称錯体の製造のため）。Ｌはイネーブリング配位子を移動させることができるものでなければならない。

金属２量体のハロゲン架橋を破壊することができる配位子（すなわち、イネーブリング配位子又は反応性配位子）は単座配位子又はある種の２座配位子から選択される。

特に好ましい単座配位子は、選択的に置換されたフォスフィン（特に、トリアリール又はトリアルキルフォスフィン、最も好ましくは、トリフェニルフォスフィン）、好ましくは、選択的に置換されたピリジン、ジアジン又はトリアジン、最も好ましくはピリジンを含む選択的に置換された高電子６員窒素含有複素芳香族から選択される。

単座イネーブリング配位子は非対称錯体に合成に好ましい。

イネーブリング又は反応性配位子として使用される適切な２座配位子は、１又は２以上の酸素原子を通して金属Ｍに結合する２座配位子を含む。２座配位子の特に好ましい種類の１つは式（ＩＩｂ）の配位子である。
ここで、各Ｒは水素又は置換基から独立して選択される。２又はそれ以上の基Ｒが置換基であるとき、これらは共に脂環式又は芳香環を形成する。好ましくは、各Ｒは水素である。

式（ＩＩｂ）の配位子が対応するプロトン化化合物と前記化合物を脱プロトン化することができる塩基との処理によって形成されるであろう。

代替の好ましいイネーブリング又は反応性２座配位子は選択的に置換された式（Ｖ）のピコリナトである。
２又はそれ以上の置換基が存在する場合、これらは互いに脂環式又は芳香環を形成する。

イネーブリング又は反応性配位子の他の好ましい種類は、２つの窒素−金属結合を通じて金属に結合したもの、特に選択的に置換された式（ＶＩ）の配位子である。
ここで、各ピリジン環は選択的に置換され、２又はそれ以上の前記置換基は脂環式又は芳香環である。

式（ＩＩｂ）の化合物から誘導された２座配位子がイネーブリング配位子又は反応性配位子として使用されるとき、全てのＲは好ましくはＨ又はＣ_1-10アルキル、より好ましくはＨである。式（ＩＩｂ）の化合物は好ましくは遊離金属塩基によって脱プロン化される。特に好ましい遊離金属塩基は、水酸化アンモニウム又は炭酸アンモニウムのようなアンモニウム含有塩基、又はトリアルキル−又はトリアリールアミン、特にＣ_1-10アルキルアミン、最も好ましくはトリエチルアミンを含む。

本発明のワンポットプロセスに適する溶媒は、プロトン性溶媒、好ましくはジオール、最も好ましくはエチレングリコールである。

Ａｒ¹−Ａｒ²とＬに適する多くの材料は、例えば、ＷＯ０２／１５６４５に開示されている。好ましくは、各Ａｒ¹−Ａｒ²とＬは金属との配位結合を形成することができる窒素原子を含む。Ａｒ¹−Ａｒ²及びＬの例は次を含む。

上記の各Ａｒ¹−Ａｒ²基は１又は２以上の置換基をかかえることができる。特に好ましい置換基は、ＷＯ０２／４５４６６、ＷＯ０２／４４１８９、ＵＳ２００２−１１７６６２及びＵＳ２００２−１８２４４１に開示されるような錯体の発光の青色シフトに使用されるフルオリン又はトリフルオロメチル、ＪＰ２００２−３２４６７９に開示されるようなアルキル又はアルコキシ基、ＷＯ０２／８１４４８に開示されるような発光材料として使用されるとき錯体への正孔輸送を促進するために使用されるカルバゾール、ＷＯ０２／６８４３５及びＥＰ１２４５６５９に開示されるような他の基との付着のための配位子を機能させる働きをする臭素、塩素又はヨウ素、並びにＷＯ０２／６６５５２に開示されるような金属錯体の溶液による形成容易化を図るために使用されるデンドロンを含む。

以下に、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。

実施例１−２量体からのＩｒ（ｐｐｙ） ₃ の合成
［Ｉｒ（ｐｐｙ）₂Ｃｌ］₂（１．３０ｇ，１．２１ｍｍｏｌ）、２−フェニルピリジン（０．４０ｇ，２．５８ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタネジオン（０．２７ｇ，２．７０ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．２７ｇ，２．６７ｍｍｏｌ）及び非水溶性エチレングリコール（２０ｍｌ）が窒素雰囲気中において３日間還流器で加熱される。黄色の沈殿物がろ過され、水（３×１００ｍｌ）で洗浄され、エタノール（３×１００ｍｌ）で洗浄され、乾燥された。Ｉｒ（ｐｐｙ）₃の生成物１．３６ｇ（９９％）が収集された。
１Ｈ［３００ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３］：７．８８（１Ｈ，ｄ，Ａｒ），７．６６（１Ｈ，ｄ−ｔ，Ａｒ）、７．５３（１Ｈ，ｄ−ｄ，Ａｒ），６．８５（４Ｈ，ｍ，Ａｒ）。

実施例２−ＩｒＣｌ ₃ からのＩｒ（ｐｐｙ） ₃ のワンポット合成
ＩｒＣｌ₃・３Ｈ₂Ｏ（０．２０ｇ，０．５７ｍｍｏｌ），２−フェニルピリジン（０．３０ｇ，１．９３ｍｍｏｌ）及び非水溶性エチレングリコール（２０ｍｌ）を窒素雰囲気中で１８時間還流器で加熱された。最初の黒色懸濁液は黄色の沈殿物に変わり、塩素架橋２量体の形成を示している。混合物は室温まで冷却され、２，４−ペンタネジオーネ（０．１８ｇ，１．８０ｇ）及びトリエチルアミン（０．１８ｇ、１．８０ｍｍｏｌ）が加えられた。混合物は３日間還流器で加熱され、次いで室温まで冷却された。黄色の沈殿物がろ過され、水（３×５０ｍｌ）、エタノール（３×５０ｍｌ）で洗浄され、最終的に乾燥された。Ｉｒ（ｐｐｙ）₃の０．２２ｇ（６０％）の生成物が収集された。
１Ｈ［３００ ＭＨｚ，ＣＤＣｌ₃］：７．８８（１Ｈ，ｄ，Ａｒ），７．６６（１Ｈ，ｄ−ｄ，Ａｒ），７．５８（１Ｈ,ｄ−ｔ,Ａｒ）,７．５３（１Ｈ，ｄ−ｄ，Ａｒ），６．８５（４Ｈ，ｍ，Ａｒ）。

実施例３−２量体からのＩｒ（Ｂｒｐｐｙ） ₃ の合成
［Ｉｒ（Ｂｒｐｐｙ）₂Ｃｌ］₂（２．６０ｇ，１．８７ｍｍｏｌ）、ブロモフェニルピリジン（１．００ｇ，４．２７ｍｍｏｌ）、２，４−ペンタネジオーネ（０．４０ｇ，４．００ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（０．４０ｇ，３．９６ｍｍｏｌ）及び非水溶性エチレングリコール（２０ｍｌ）が２４時間、窒素雰囲気中還流器で加熱され、室温まで冷却された。黄色の沈殿物がろ過され、水（３×１００ｍｌ）、次いでエタノール（３×１００ｍｌ）で洗浄され、最終的に乾燥された。Ｉｒ（Ｂｒｐｐｙ）₃の生成物２．５０ｇ（７５％）が収集された。
１Ｈ［３００ＭＨｚ，ｄｍｓｏ−ｄ₆］：８．２２（１Ｈ，ｄ，Ａｒ），７．８２（１Ｈ，ｄ−ｔ，Ａｒ），７．４５（１Ｈ，ｄ−ｄ，Ａｒ）、７．１７（１Ｈ，ｄ−ｄ，Ａｒ）、６．４９（１Ｈ，ｄ，Ａｒ）。

本発明の方法は有機電子発光又は光起電装置のような有機光学装置の活性化要素、特に有機電子発光装置の燐光材料として使用される金属錯体の製造に適するものである。しかしながら、本発明によって製造される金属錯体は他の応用にも適することは当然である。

本発明は、特定の実施例によって説明されたが、特許請求の範囲で規定される発明の精神及び範囲から逸脱しない限り、本明細書開示された特徴の多くの変形、変更及び又は組み合わせが可能であることは当業者にとって明らかであろう。

Claims (14)

1. 次の一般式（Ｉ）の化合物と２座配位子Ｌと反応する工程を含む一般式Ｍ（Ａｒ¹Ａｒ²）ｎＬの金属錯体を形成する方法であって、
   ここで、Ａｒ¹及びＡｒ²は、それぞれ独立して選択的に置換されたアリール又はヘテロアリールである。Ａｒ¹−Ａｒ²は、ＭとＡｒ¹−Ａｒ²カルバニオンの反応によって少なくとも１つの炭素−Ｍ結合を形成する。ここで、Ｍはイリジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウムである。Ｈａｌはハロゲンであり、ｎはＭの価数を満足するのに必要な価数を有する１〜３の数字であり、一般式（Ｉ）の化合物のハロゲンの架橋を破壊することができるイネーブリング配位子の存在下で反応が行われることを特徴とする方法。
2. Ｈａｌ（ハロゲン）が、臭素、塩素又はヨウ素、好ましくは塩素である請求項１に記載の方法。
3. Ａｒ¹−Ａｒ²がフェニルピリジンである請求項１又は２に記載の方法。
4. Ａｒ¹−Ａｒ²とＬが同じである請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. Ａｒ¹−Ａｒ²とＬが異なる請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
6. イネーブリング配位子が単座配位子である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
7. 単座配位子が選択的に置換されたピリジン及びトリアリールフォスフィンから選択される請求項６に記載の方法。
8. イネーブリングリガンドが式（ＩＩｂ）の２座配位子である請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
   
9. 式（ＩＩｂ）の配位子が対応するプロトン化化合物と遊離金属塩基との反応によって形成される請求項８に記載の方法。
10. 各Ｒは水素である請求項８又は９に記載の方法。
11. Ｍ（Ｈａｌ）_mを化合物Ａｒ¹−Ａｒ²と反応させることによって請求項１に記載の式（Ｉ）の化合物を製造する第１の工程、及び請求項１〜１０のいずれかに記載の第２の工程を含むＭ（Ａｒ¹Ａｒ²）_nＬの金属錯体を形成する方法であって、ここで、ｍはＭの価を満足するに必要な数字であり、第１及び第２の工程は、ワンポットプロセスで行われることを特徴とする方法。
12. 反応がプロトン性溶媒、好ましくはエチレングリコール中で行われる請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
13. 次の工程を含む金属錯体の形成方法であって、
    ａ）Ｍ（Ｈａｌ）_mの化合物とＡｒ¹−Ａｒ²の化合物と反応させて次式（Ｉ）の化合物を形成する第１の工程
    及び
    ｂ）式（Ｉ）の化合物と式（Ｉ）の化合物のハロゲン架橋を破壊することができる反応性配位子を反応させる第２の工程
    ここで、Ａｒ¹とＡｒ²はそれぞれ独立して選択的に置換されたアリール又はヘテロアリールであり、Ａｒ¹−Ａｒ²はＭをＡｒ¹−Ａｒ²のカルバニオンと反応させることによって少なくとも１つの炭素−Ｍ結合を形成し、ＬはＡｒ¹−Ａｒ²化合物であり、Ｍはイリジウム、ロジウム、プラチナ又はパラジウムであり、Ｈａｌはハロゲンであり、ｍは２−８の数字であり、ｎは１−３の数字であり、ｍ及びｎは、金属Ｍの価を満足するに必要な値であり、第１及び第２の工程はワンポットプロセスであることを特徴とする方法。
14. ハロゲン化金属を式（ＩＩ）の配位子と反応させる工程を含む金属錯体を形成する方法であって、
    ここで、各Ｒは、水素又は置換基であり、式（ＩＩ）の化合物を脱プロトン化するために十分な力の金属遊離塩基の存在下で反応が行われることを特徴とする方法。