JP2006515452A - 符号化書き込みマスキング - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、発明者リチャード・E・ペレゴ(Richard E.Perego)およびフレデリックA.ウェア(Frederick A.Ware)によって2003年1月13日に出願された米国仮特許出願第60/439,666号、表題「符号化書き込みマスキング(Coded Write Masking)」、発明者リチャード・E・ペレゴ(Richard E.Perego)およびフレデリックA.ウェア(Frederick A.Ware)によって2003年3月11日に出願された米国特許出願第10/386,236号、表題「符号化書き込みマスキング(Coded Write Masking)」、および発明者リチャード・E・ペレゴ(Richard E.Perego)およびフレデリックA.ウェア(Frederick A. Ware)によって2003年3月11日に出願された米国特許出願第10/385,908号、表題「シリアル化データ転送によるメモリシステムおよび装置(Memory System And Device With Serialized Data Transfer)」に対する優先権を主張する。
本発明は、一般に、データ転送および記憶技術、より詳しくは、メモリシステムにアクセスするメモリシステムおよび装置のマスクされた書き込み動作に関する。
現在のメモリシステムの読み取りおよび書き込みアクセスは、マルチバイトデータブロックの転送を通して典型的に処理される。完全でないデータブロックをメモリシステムから読み取る場合、所望のデータを含むデータブロックのアドレスがメモリシステムに付与され、完全なデータブロックが読み取られる。一般的に、必要とされるよりも多くのデータの読み取りに不利益はない。対照的に、完全なデータブロックよりも小さな値を書き込む場合、書き込まれた値を除き記憶されたデータブロックが変更されないままであることが重要である。このことは、2種類の特殊な書き込み動作、すなわちマージされた書き込み動作またはマスクされた書き込み動作の一方を通して典型的に達成される。
次の説明および添付図において、本発明の完全な理解を提供するために、特定の用語および図面の記号が規定される。ある場合には、用語および記号は、本発明を実施するために必要とされない特定の細部を意味する場合がある。例えば、回路要素または回路ブロックの間の相互接続は、多導体または単一導体の信号ラインとして図示または記述することが可能である。多導体信号ラインの各々は、代わりに単一導体信号ラインでもよく、また単一導体信号ラインの各々は、代わりに多導体信号ラインでもよい。単端であるとして図示または記述した信号および信号経路は、また差異的であってもよく、またその逆でもよい。同様に、アクティブハイまたはアクティブローの論理レベルを有するように記述または示した信号は、代替実施形態の反対の論理レベルを有してもよい。他の実施例として、信号制御の電流を達成し得るバイポーラ技術または他の任意の技術を用いて、金属酸化物半導体(MOS)トランジスタを含むとして記述または示した回路を代わりに実装してもよい。用語に関し、信号が特定の状態を示すためにローまたはハイ論理状態に駆動される(あるいは高い論理状態に充電されるかまたは低い論理状態に放電される)とき、信号が「アサート」されると言われる。逆に、信号がアサート状態以外の状態(ハイまたはロー論理状態、あるいは信号駆動回路がオープンドレインまたはオープンコレクタ状態のような高インピーダンス状態に移行したときに生じ得る浮動状態を含む)に駆動される(あるいは充電または放電される)ことを示すために、信号は「デアサート」されると言われる。信号駆動回路が、信号駆動回路と信号受信回路との間に結合された信号ラインに信号をアサートする(明示的に文脈によって述べられるかまたは示された場合、デアサートする)とき、信号駆動回路は信号を信号受信回路に「出力する」と言われる。信号ラインは、信号が信号ラインにアサートされるときに「活性化」され、信号がデアサートされるときに「非活性化」されると言われる。さらに、信号名に付された接頭辞記号「/」は、信号がアクティブロー信号であることを示す(すなわち、アサート状態は論理ロー状態である)。信号名の上の線(例えば、「<信号名>」)は、アクティブロー信号を示すために使用される。
図2は、本発明の実施形態によるメモリコントローラ内の動作方法を示している。153において、メモリコントローラは、X書き込みデータ値、WD0−WD(X−1)を含む書き込みデータブロック150と、Xマスク値、M0−M(X−1)を含む対応するマスクワード152とを受信し、各マスク値は書き込みデータ値のそれぞれの1つに対応する。書き込みデータ値は任意のサイズでよいが(例えば、8ビット、16ビット、32ビット等)、少なくとも図2の実施形態では、少なくともXの可能なビットパターンがあることを保証するために十分な数の構成ビットを含む。すなわち、書き込みデータ値サイズがNビットであるならば、Nは、2N≧Xを保証する程度に十分に大きい。この構成により、マスクされた書き込み動作でアンマスクされたデータ値のX−1の可能なビットパターンのいずれにもマッチしない少なくとも1つのNビットパターンの存在が保証される(すなわち、書き込みデータブロックのXの書き込みデータ値の少なくとも1つがマスクされるからである)。この説明の残りのため、マスク値は単一ビットの値であると仮定され、またマスクビットと称されるが、マルチビットのマスク値を代わりに使用してもよい。
qb10=b1&/b0;および
qb11=b1*b0。
qb20=b2&/b1&/b0;
qb21=b2&/b1&b0;
qb22=b2&b1&/b0;および
qb23=b2&b1&b0。
図10は、図4のメモリコントローラと記憶サブシステムとの間の32ラインのデータ経路にわたってバイトサイズの書き込みデータ値を転送するための模範的なタイミング図を示している。図示したように、16の伝送間隔の各々の間にデータ経路にわたって4バイトが並列に転送され、これによって、16の伝送間隔にわたって完全な64バイトの書き込みデータブロックの転送が達成される。図4と図5を参照して説明したように、マスクキーは、記憶サブシステムの構成メモリ装置内に受信された各書き込みデータ値と比較される。このように、図10の並列データ転送スキームが使用される場合、各メモリ装置は、一般に、書き込みデータ値のサイズと少なくとも同一幅(すなわち、少なくともマスクグラニュラリティと同一幅)のデータインタフェースを必要とする。したがって、図11に示したように、図10の制約(すなわち、32ラインのデータ経路およびバイトマスクグラニュラリティ)に従って単一ランクのメモリ装置401で達成できる最大記憶容量は、4×SCビットであり、ここで、SCはメモリ装置401の所定の発生の最大記憶容量である。より一般的には、単一ランクのメモリ装置の最大記憶容量は、SC×(DPW)/(MG)であり、ここで、DPWはメモリコントローラと記憶サブシステムとの間のデータ経路の幅であり、MGはマスクグラニュラリティである。記憶サブシステムの容量を増すために、追加のランクのメモリ装置を加えることが可能であるが、信号ドロップの増加は、一般に、データ経路の信号性能の悪化をもたらす。
図4〜図9および図14〜図16を参照して記述した模範的なメモリシステムでは、メモリコントローラが、各着信書き込みデータブロック用のマスクキーを発生し、次に、マスクキーを記憶サブシステムに転送する。バイトマスクグラニュラリティを有する64バイトの書き込みデータブロックの場合、64の別個のマスク信号(すなわち、図1を参照して記述した別個のマスク信号)の代わりに8ビットのマスクキーの転送により、メモリコントローラと記憶サブシステムとの間に転送されるマスク情報量の8:1の低減が達成される。メモリコントローラと記憶サブシステムとの間のインタフェース全体に関して、書き込みデータブロック当たり56ビットの帯域幅の節減が達成される。
MD0:QM00:(WD0=MK0)&/M0
QM01:(WD0=MK1)&/M0
QM02:(WD0=MK2)&/M0
QM03:(WD0=MK3)&/M0
MD1:QM10:(WD1=MK0)&/M1
QM11:(WD1=MK1)&/M1
QM12:(WD1=MK2)&/M1
QM13:(WD1=MK3)&M1
・
・
・
MDX-1:QM(X−1)0:(WD(X−1)=MK0)&/M(X−1)
QM(X−1)1:(WD(X−1)=MK1)&/M(X−1)
QM(X−1)2:(WD(X−1)=MK2)&/M(X−1)
QM(X−1)3:(WD(X−1)=MK3)&/M(X−1)
上に簡単に述べたように、キー選択メモリコントローラのマスク抵触を低減する1つの方法は、各々の着信書き込みデータブロックのために多数のマスクキーを選択することであり、選択された各マスクキーは書き込みデータブロックのそれぞれのサブブロック(すなわち、部分)に対応する。次に、選択された各マスクキーは、対応するサブブロック内でマスク値に置き換えられて、符号化されたサブブロックを発生し、また符号化されたサブブロックは、対応するサブブロックのキーセレクタと共に記憶サブシステムに伝送される。各サブブロックの母集団サイズの低減(すなわち、完了した書き込みデータブロックと比較した書き込みデータ値の数の低減)により、マスク抵触の確率のほぼ比例的な低減が達成される。
Claims (76)
- メモリコントローラであって、
書き込みデータ値のブロックと複数のマスク値とを受信するためのホストインタフェースであって、各マスク値が、前記書き込みデータ値の対応する値が記憶サブシステム内の記憶から除外されるべきマスクされたデータ値であるかどうかを示すホストインタフェースと、
前記ホストインタフェースから前記書き込みデータ値と前記マスク値とを受信するように結合され、かつ前記書き込みデータ値のブロック内のキー値を、マスクされた各データ値の代わりに用いることによって書き込みデータ値の符号化ブロックを発生するように適合されたマスク論理回路と、
前記マスク論理回路から前記書き込みデータ値の符号化ブロックを受信するように結合され、かつ前記書き込みデータ値の符号化ブロックを前記記憶サブシステムに出力するように適合されたメモリインタフェースと、を備えるメモリコントローラ。 - マスク値の各々が第1の状態または第2の状態を有するビットであり、前記第1の状態が、前記書き込みデータ値の対応する値がマスクされたデータ値であることを示す、請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 前記ホストインタフェースによって受信された前記書き込みデータ値の各々が、8構成ビットを有する1バイトであり、また前記マスク値の各々が、前記バイトの対応するバイトが前記記憶サブシステム内の記憶から除外されるべきマスクされたバイトであるかどうかを示す、請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 前記マスク論理回路が、前記キー値を発生するためのキー発生回路を備える、請求項1に記載のメモリコントローラ。
- マスクされたデータ値であることが示されない前記書き込みデータ値の各々が、アンマスクされたデータ値を構成し、また前記キー値が前記書き込みデータ値のブロック内のアンマスクされたデータ値にマッチしないように、前記キー発生回路が前記キー値を発生するように適合される、請求項4に記載のメモリコントローラ。
- 前記メモリインタフェースが、マスク論理回路からキー値を受信するようにさらに結合され、また前記キー値を前記記憶サブシステムに出力するように適合される、請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 前記メモリインタフェースが、前記書き込みデータ値の符号化ブロックを前記記憶サブシステムに出力するためのデータインタフェースと、前記キー値を前記記憶サブシステムに出力するためのリクエストインタフェースとを備える、請求項6に記載のメモリコントローラ。
- 前記データインタフェースが、
前記書き込みデータ値の符号化ブロックを表す信号を前記メモリコントローラから出力するためのデータ伝送回路と、
前記キー値を表す信号を前記メモリコントローラから出力するためのリクエスト伝送回路と、
を備える請求項7に記載のメモリコントローラ。 - 前記データ伝送回路が、前記書き込みデータ値の符号化ブロックのそれぞれの部分を表す信号を同時に出力するように各々が適合された第1の複数の出力ドライバ回路を備える、請求項8に記載のメモリコントローラ。
- 前記第1の書き込みデータ値を表す信号が前記メモリコントローラから並列に出力されるように、前記第1の複数の出力ドライバ回路の各出力ドライバ回路が、前記書き込みデータ値の符号化ブロックの第1の書き込みデータ値のそれぞれのビットを出力するように適合される、請求項9に記載のメモリコントローラ。
- 前記第1の書き込みデータ値と同時に前記メモリコントローラから第2の書き込みデータ値を出力するように適合された第2の複数の出力ドライバ回路をさらに備える、請求項10に記載のメモリコントローラ。
- 前記データ伝送回路が、前記書き込みデータ値の符号化ブロックの第1の書き込みデータ値の構成ビットの各々をシリアルに出力するように適合された第1の出力ドライバ回路を備える、請求項8に記載のメモリコントローラ。
- 前記データ伝送回路が、前記書き込みデータ値の符号化ブロックのそれぞれの書き込みデータ値の構成ビットをシリアルに出力するように各々が適合された複数の出力ドライバ回路を備える、請求項8に記載のメモリコントローラ。
- 前記マスク論理回路が、複数の所定値から前記キー値を選択するためのキーセレクタ回路を備える、請求項1に記載のメモリコントローラ。
- 前記複数の所定値を記憶するための複数の記憶回路をさらに備える、請求項14に記載のメモリコントローラ。
- 前記複数の所定値を前記記憶回路内にプログラムするための制御ロジックをさらに備える、請求項15に記載のメモリコントローラ。
- 前記制御ロジックが、前記ホストインタフェースを介して受信された命令に応答して前記複数の所定の値を前記記憶回路内にプログラムするように適合される、請求項16に記載のメモリコントローラ。
- 前記キーセレクタ回路が、前記複数の所定値を受信するための複数のデータ入力を有するマルチプレクサと、キー選択値を受信するための制御入力部とを備え、前記マルチプレクサが、前記キー選択値による前記キー値として前記複数の所定値の1つを出力するように適合される請求項14に記載のメモリコントローラ。
- 前記キーセレクタが、前記選択値を発生するための選択値発生器をさらに備える、請求項18に記載のメモリコントローラ。
- マスクされたデータ値であることが示されない前記書き込みデータ値の各々が、アンマスクされたデータ値を構成し、また前記選択値発生器が、前記書き込みデータ値のブロックと前記複数のマスク値とを前記ホストインタフェースから受信するように結合され、前記選択値発生器が、前記書き込みデータ値のブロック内のアンマスクされたデータ値にマッチしない前記複数の所定値の1つを識別するように適合され、前記選択値発生器が、前記複数の所定値の前記識別された1つに従って前記選択信号を発生するようにさらに適合される、請求項19に記載のメモリコントローラ。
- メモリコントローラ内の動作方法であって、
書き込みデータ値のブロックと複数のマスク値とを受信するステップであって、各マスク値が、前記書き込みデータ値の対応する値がマスクされたデータ値であるかどうかを示すステップと、
マスクされた各データ値の代わりにキー値を用いることによって書き込みデータ値の符号化ブロックを発生するステップと、
前記書き込みデータ値の符号化ブロックを記憶サブシステムに出力するステップと、
を含む方法。 - 前記キー値にマッチしない各書き込みデータ値を記憶するようにリクエストを前記記憶サブシステムに出力するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 前記キー値を発生するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- マスクされたデータ値であることが示されない前記書き込みデータ値の各々が、アンマスクされたデータ値を構成し、また前記キー値を発生するステップが、前記書き込みデータ値のブロック内のアンマスクされたデータ値にマッチしないキー値を発生するステップを含む、請求項23に記載の方法。
- 前記キー値を前記記憶サブシステムに出力するステップをさらに含む、請求項23に記載の方法。
- 前記キー値を所定のキー値のテーブルから選択するステップをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- セレクタ値を前記記憶サブシステムに出力するステップをさらに含み、前記セレクタ値が、所定のキーの前記テーブルから選択された前記キー値に対応する、請求項26に記載の方法。
- 初期化動作において所定のキーの前記テーブル内への前記所定のキーをさらに含む、請求項27に記載の方法。
- 前記書き込みデータ値の符号化データブロックを前記記憶サブシステムに出力するステップが、前記符号化データブロックの少なくとも1つの書き込みデータ値を記憶サブシステムにシリアルビットストリームとして出力するステップを含む、請求項21に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの書き込みデータ値をシリアルビットストリームとして出力するステップが、前記書き込みデータ値の各構成ビットを第1の信号ラインにわたって連続伝送して出力するステップを含む、請求項26に記載の方法。
- メモリ装置であって、
記憶アレイと、
書き込みデータ値とキー値とを比較して、前記書き込みデータ値が前記キー値にマッチするかどうかを示すマッチ信号を発生するための比較回路と、
前記記憶アレイと前記比較回路とに結合された書き込み回路であって、前記マッチ信号が、前記書き込みデータ値が前記キー値にマッチしないことを示すならば、前記書き込み回路が、前記書き込みデータ値を前記記憶アレイに記憶するように適合される書き込み回路と、
を備えるメモリ装置。 - 前記書き込みデータ値を受信して、前記書き込みデータ値を前記比較回路と前記書き込み回路とに出力するための受信回路をさらに備える、請求項31に記載のメモリ装置。
- 前記受信回路が、前記キー値を受信して、前記キー値を前記比較回路に出力するように適合される、請求項32に記載のメモリ装置。
- 前記受信回路が、前記書き込みデータ値を受信するための少なくとも1つのサンプリング回路と前記キー値を受信するための少なくとも1つの他のサンプリング回路と、を含む複数のサンプリング回路を備える、請求項33に記載のメモリ装置。
- 前記記憶アレイが容量性素子のアレイを備え、前記容量性素子の各々が、その中に記憶される2進基準に従って充電状態または放電状態にあるように適合される、請求項31に記載のメモリ装置。
- 前記記憶アレイがラッチ回路のアレイを備え、前記ラッチ回路の各々が、その中に記憶される2進基準に従って第1の状態または第2の状態をラッチするように適合される、請求項31に記載のメモリ装置。
- 複数の所定値を記憶するためのテーブルと、前記所定値の1つを前記キー値であるように選択するための選択回路とをさらに備える、請求項32に記載のメモリ装置。
- 前記受信回路がセレクタ値を受信するように適合され、また前記選択回路が、前記セレクタ値に従って前記所定値の1つを選択するように適合される、請求項37に記載のメモリ装置。
- 前記受信回路が、サンプリング動作シーケンスで前記書き込みデータ値を受信するための少なくとも1つのサンプリング回路を備える、請求項32に記載のメモリ装置。
- メモリ装置内の動作方法であって、
前記メモリ装置の記憶アレイ内に記憶される書き込みデータ値を受信するステップと、
前記書き込みデータ値とキー値とを比較するステップと、
前記書き込みデータ値が前記キー値にマッチしない場合、前記書き込みデータ値を前記記憶アレイ内に記憶するステップと、
を含む方法。 - 前記キー値を受信するステップをさらに含む、請求項40に記載の方法。
- 複数の所定値の1つを前記キー値であるように選択するステップをさらに含む、請求項40に記載の方法。
- 複数の所定値を受信して、前記複数の所定値を前記メモリ装置内に記憶するステップをさらに含む、請求項42に記載の方法。
- 選択値を受信するステップをさらに含み、また前記複数の所定値の1つを選択するステップが、前記選択値によって示された前記複数の所定値の1つを選択するステップを含む、請求項42に記載の方法。
- メモリシステムであって、
書き込みデータ値を出力するためのメモリコントローラと、
前記書き込みデータ値を前記メモリコントローラから受信するように結合されたメモリ装置であって、前記書き込みデータ値と第1のキー値とを比較して、前記書き込みデータ値が前記第1のキー値にマッチしない場合に前記書き込みデータ値を記憶するように適合されるメモリ装置と、
を備えるメモリシステム。 - 前記メモリコントローラが前記第1のキー値を発生して、前記第1のキー値を前記メモリ装置に出力するように適合される、請求項45に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラが第1のテーブルの所定値を備え、また前記メモリコントローラが前記第1のテーブルの所定値から第2のキー値を選択するように適合される、請求項45に記載のメモリシステム。
- 前記メモリコントローラが、前記第1のテーブルの所定値内の前記所定値の1つに対応するセレクタ値を前記メモリ装置に出力するようにさらに適合される、請求項47に記載のメモリシステム。
- 前記メモリ装置が第2のテーブルの所定値を備え、また前記メモリ装置が前記セレクタ値を受信するように適合され、かつ前記セレクタ値に基づき前記第2のテーブルの所定値から前記第1のキー値を選択するように適合される、請求項48に記載のメモリシステム。
- メモリシステム内の動作方法であって、
書き込みデータ値のブロックと、対応する複数のマスク値とを受信するステップと、
前記マスク値の対応する1つが第1の状態にある前記書き込みデータ値の各々の代わりにキー値を用いることによって、書き込みデータ値の符号化ブロックを発生するステップと、
前記書き込みデータ値の符号化ブロックを記憶サブシステムに転送するステップと、
前記記憶サブシステム内で、前記書き込みデータ値の各々と前記キー値とを比較するステップと、
前記記憶サブシステム内に、前記キー値にマッチしないことが決定された前記書き込みデータ値の各々を記憶するステップと、
を含む方法。 - 前記キー値を発生して、前記キー値を前記記憶サブシステムに転送するステップをさらに含む、請求項50に記載の方法。
- 前記キー値を発生するステップが、前記マスク値の対応する1つがマスク状態を示す前記書き込みデータ値のいずれにもマッチしないキー値を発生するステップを含む、請求項51に記載の方法。
- セレクタ値を用いて第1のテーブルの所定値から前記キー値を選択するステップと、
前記セレクタ値を前記記憶サブシステムに転送するステップと、
前記記憶サブシステム内の第2のテーブルの所定値から前記キー値を選択するステップと、
をさらに含む、請求項50に記載の方法。 - 初期化動作において前記第2のテーブルの所定値に所定値を記憶するステップをさらに含む、請求項53に記載の方法。
- メモリコントローラであって、
第1の書き込みデータ値を受信するためのリクエストインタフェースおよび前記第1の書き込みデータ値を記憶サブシステムに記憶するためのリクエスト部と、
前記リクエストインタフェースから1組の並列の構成ビットとして前記第1の書き込みデータ値を受信するように結合され、かつシリアル構成ビットストリームとして前記第1の書き込みデータ値を第1の信号ラインを介して前記記憶サブシステムに出力するように適合されたシリアル化ドライバ回路と、
を備えるメモリコントローラ。 - 前記シリアル化ドライバ回路が、
前記並列構成ビットの組を前記シリアル構成ビットストリームに変換するためのシリアル化回路と、
前記シリアル化回路から連続して前記シリアル構成ビットストリームのビットの各々を受信して、前記シリアル構成ビットストリームの各ビットを前記第1の信号ラインに出力するための出力ドライバと、
を備える、請求項55に記載のメモリコントローラ。 - 前記メモリコントローラが、外部信号ラインに結合するためのインタフェースを備え、前記第1の信号ラインが前記出力ドライバと前記インタフェースとの間に結合される、請求項56に記載のメモリコントローラ。
- 前記シリアル化回路が、複数の記憶素子を有するシフトレジスタを備え、前記シフトレジスタが、負荷信号遷移に対する前記複数の応答内の前記並列構成ビットの組を受信して、シフト信号のそれぞれの遷移に応答して前記並列構成ビットの組の各ビットを前記出力ドライバに出力するように適合される、請求項56に記載のメモリコントローラ。
- 前記インタフェースが、前記第1の書き込みデータ値と同時に第2の書き込みデータ値を受信するように適合され、また前記シリアル化ドライバ回路が、前記リクエストインタフェースから1組の並列の構成ビットとして前記第2の書き込みデータ値を受信して、シリアル構成ビットストリームとして前記第2の書き込みデータ値を第2の信号ラインを介して前記記憶サブシステムに出力するようにさらに適合される、請求項55に記載のメモリコントローラ。
- 前記シリアル化ドライバ回路が、前記第1および第2の書き込みデータ値を前記第1および第2の信号ラインに同時にそれぞれ出力するようにさらに適合される、請求項59に記載のメモリコントローラ。
- 前記シリアル化ドライバ回路が、前記第1の信号ラインを介して前記第1の書き込みデータ値を出力するための第1の出力ドライバ回路と、前記第2の信号ラインを介して前記第2の書き込みデータ値を出力するための第2の出力ドライバ回路とを備え、また前記第1の出力ドライバ回路および前記第2の出力ドライバ回路が、伝送クロック信号の遷移に応答して、前記第1および第2の書き込みデータ値を出力するようにそれぞれ適合される、請求項60に記載のメモリコントローラ。
- 前記リクエストインタフェースが、前記第1の書き込みデータ値が前記記憶サブシステムの記憶から除外されるべきであるかどうかを示すマスク値を受信するように適合され、また前記マスク値が、前記第1の書き込みデータ値が前記記憶サブシステムの記憶から除外されるべきことを示す場合に、前記メモリコントローラが前記第1の書き込みデータ値の代わりにキー値を用いるためのマスク論理回路をさらに備える、請求項55に記載のメモリコントローラ。
- 前記マスク値が、第1の状態または第2の状態を有するビットであり、前記第1の状態が、前記第1の書き込みデータ値が前記記憶サブシステムの記憶から除外されるべきであることを示す、請求項62に記載のメモリコントローラ。
- 前記第1の書き込みデータ値が、8構成ビットを有する1バイトである、請求項62に記載のメモリコントローラ。
- 前記キー値を前記記憶サブシステムに出力するためのリクエストインタフェースをさらに備える、請求項62に記載のメモリコントローラ。
- メモリ装置であって、
複数の記憶素子と、前記記憶素子のそれぞれのコラムに結合されたビットラインとを有する記憶アレイと、
第1の書き込みデータ値を構成するシリアルビットストリームの少なくとも8ビットを第1の信号ラインから受信するための受信機と、
前記シリアルビットストリームを前記受信機から受信するように結合され、かつ前記シリアルビットストリームを1組の並列ビットに変換するように適合された非シリアル化回路と、
前記ビットラインに結合され、かつ前記並列ビットの組を前記非シリアル化回路から受信するように結合された書き込みドライバ回路であって、前記書き込みドライバ回路が、前記並列ビットの組の各ビットを前記ビットラインのそれぞれの1つに出力して、前記記憶アレイ内の前記第1の書き込みデータ値の記憶をイネーブルにするように適合される書き込みドライバ回路と、
を備えるメモリ装置。 - 前記書き込みドライバ回路が、前記並列ビットの組を前記ビットラインに同時に出力するようにさらに適合される、請求項66に記載のメモリ装置。
- 前記非シリアル化回路がシフトレジスタを備える、請求項66に記載のメモリ装置。
- 前記並列ビットの組をキー値と比較して、前記並列ビットの組が前記キー値にマッチする場合に第1の状態を有し、前記並列ビットの組が前記キー値にマッチしない場合に第2の状態を有する書き込みイネーブル信号を発生するための書き込みイネーブル回路をさらに備える、請求項66に記載のメモリ装置。
- 前記書き込みドライバ回路が、前記書き込みイネーブル回路から前記書き込みイネーブル信号を受信するように結合されたイネーブル入力部を有し、また前記書き込みイネーブル信号が前記第2の状態にある場合、前記書き込みドライバ回路が前記並列ビットの組を前記ビットラインに出力するようにさらに適合される、請求項69に記載のメモリ装置。
- 前記キー値を受信するためのリクエストインタフェースをさらに備える、請求項69に記載のメモリ装置。
- 前記書き込みイネーブル信号回路が、選択信号に応答して複数の所定値から前記キー値を選択するように適合される、請求項69に記載のメモリ装置。
- 前記選択信号を受信するためのリクエストインタフェースをさらに備える、請求項72に記載のメモリ装置。
- 前記複数の所定値を記憶するための複数の記憶回路をさらに備える、請求項72に記載のメモリ装置。
- メモリシステムであって、
ホストから複数の書き込みデータ値を受信して、それぞれのシリアルビットストリームとして前記書き込みデータ値を出力するためのメモリコントローラと、
前記メモリコントローラから前記シリアルビットストリームの少なくとも1つを受信するように各々が結合され、かつ前記シリアルビットストリームの少なくとも1つを記憶用の1組の並列ビットに変換するように適合された複数のメモリ装置と、
を備えるメモリシステム。 - 前記メモリコントローラと前記複数のメモリ装置との間に結合された複数の信号ラインをさらに備え、また前記メモリコントローラが、前記複数の信号ラインのそれぞれの1つを介して前記書き込みデータ値の各々をシリアルビットストリームとして出力するように適合される、請求項75に記載のメモリシステム。
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