JP2006512423A5

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Publication number: JP2006512423A5
Application number: JP2004519567A
Authority: JP
Filing date: 2003-05-28
Publication date: 2006-07-13
Anticipated expiration: 2023-05-28

Description

【０００３】
高データ記憶密度化に関する材料の有効性に影響する重要な性質の一つは、基板材料のピット及び溝の間隔である。データはこうしたピット及び溝に記憶されるので、情報の損失を防ぐにはディスクの平坦性が必要とされる。ディスクによる過度の吸湿はディスク又はディスクを形成するフィルムのゆがみを生じ、信頼性の低下を招くことが知られている。こうしたゆがみ（以下、寸法安定性という。）の結果、レーザービームによるデータの記憶又は読取りが不正確になる。ディスクの大半が概してポリマー材料からなるので、ディスクの平坦性はポリマー材料の吸水性の低さに依存する。例えば、慣用ＢＰＡポリカーボネートから製造したフィルムは周囲の湿気を吸収するため反りを呈することが多い。寸法安定性は、特に周囲に存在する湿気の量と吸湿速度の関数である。上述のような最新フォーマットの光学ディスクに適した材料は、最適な寸法安定性だけでなく、コンパクトディスクのような慣用光学ディスクの製造条件と対比して最適な複製及びサイクル時間も示すべきである。また、射出成形で高品質のディスクを製造するため、ポリマーは容易に加工できるもの、つまり良好な流動性を示すべきである。従って、こうした最新データ記憶フォーマットに有用な適当な基板としての新材料を開発するニーズが存在し続けている。高密度記憶フォーマットに適した材料は、既にＢＰＡホモポリカーボネートが有している他の望ましい特性を損なうことなく、複製及びサイクル時間に加えて寸法安定性という重大な要件に十分に対処できるものであるべきである。
【特許文献】米国特許第４２１７４３８号明細書
【特許文献】米国特許第５４８０９５９号明細書
【特許文献】米国特許第６２０４３１３号明細書
【特許文献】米国特許出願公開第２００２／００３５２３４号明細書

Claims

次式の１種以上のビスフェノール由来の構造単位

（式中、各Ａ¹は独立に二価置換又は非置換芳香族基である。）と、
次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物由来の構造単位

（式中、Ａ²は二価置換及び非置換芳香族基から選択される。）と、
次式の１種以上のジカルボン酸ジエステル由来の構造単位

（式中、ＹはＣ₁〜Ｃ₄₀線状又は枝分れ二価炭化水素基であり、Ｒ’はＣ₇〜Ｃ₁₂アリール又はアルカリール基である。）と、
式（ＺＯ）₂Ｃ＝Ｏの１種以上の炭酸ジエステル由来の構造単位（式中、各Ｚは独立に非置換若しくは置換アルキル基又は非置換若しくは置換アリール基である。）と
を含んでなるポリエステルカーボネート。
前記ビスフェノールが、以下の式のビスフェノール及びこれらのビスフェノールを１種以上含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載のポリエステルカーボネート。
前記芳香族ジヒドロキシ化合物が次式の１種以上の化合物からなる、請求項１記載のポリエステルカーボネート。

式中、Ｇ¹は芳香族基であり、Ｅはアルキレン、アルキリデン、脂環式基、含イオウ結合、含リン結合、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基又は含ケイ素結合であり、Ｒ¹は水素又は一価炭化水素基であり、Ｙ¹は水素、一価炭化水素基、アルケニル、アリル、ハロゲン、臭素、塩素、ニトロからなる群から選択され、「ｍ」は零からＧ¹上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｐ」は零からＥ上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｔ」は１以上の整数を表し、「ｓ」は０又は１であり、「ｕ」は０を含めた整数を表す。
前記芳香族ジヒドロキシ化合物が、４，４’−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン）ジフェノール、４，４’−ビス（３，５−ジメチル）ジフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−３−メトキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５，３’，５’−テトラクロロ−４，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、２，４’−ジヒドロキシフェニルスルホン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、Ｃ_1-3アルキル置換レゾルシノール、３−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，３−トリメチルインダン−５−オール、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン−５−オール、２，２，２’，２’−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ［１Ｈ−インデン］−６，６’−ジオール及びこれらの芳香族ジヒドロキシ化合物を１種以上含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載のポリエステルカーボネート。
前記ジカルボン酸ジエステルのＹが式（ＣＨ₂）_nの線状アルキリデン基であり、ｎが２〜１８の範囲内の値を有する、請求項１記載のポリエステルカーボネート。
前記炭酸ジエステルが、ジアリールカーボネート、ジアルキルカーボネート、混成アリール−アルキルカーボネート、ジフェニルカーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，５−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、（ｏ−カルボメトキシフェニル）カーボネート、（ｏ−カルボエトキシフェニル）カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート及びこれらの炭酸ジエステルを１種以上含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載のポリエステルカーボネート。
ポリカーボネートが１００℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１記載のポリエステルカーボネート。
次式の１種以上のビスフェノール由来の構造単位と、

レゾルシノール、ビスフェノールＡ、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン及びこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー由来の構造単位と、
次式の１種以上のジカルボン酸ジエステル由来の構造単位

（式中、Ｙは式（ＣＨ₂）_nの線状二価炭化水素基であり、ｎは４〜１８の範囲内の値を有し、Ｒ’はフェニルである。）と、
ジフェニルカーボネート由来の構造単位と
を含んでなるポリエステルカーボネートであって、
１００℃以上のガラス転移温度、５０００以上の重量平均分子量、及び相対湿度１００％の空気に温度２３℃で３時間暴露した後の初期長さに対する伸び率によって測定して０．０５％未満の寸法安定性を有するポリエステルカーボネート。
ポリエステルカーボネートを製造するための溶融エステル交換重合法であって、当該方法が、
触媒と反応体組成物を一緒にして反応混合物を形成し、
反応混合物を反応性条件下で一定時間混合してポリエステルカーボネート生成物を生成させることを含んでなり、
上記反応体組成物が、
式（ＺＯ）₂Ｃ＝Ｏの炭酸ジエステル（式中、各Ｚは独立に非置換若しくは置換アルキル基又は非置換若しくは置換アリール基である。）と、
次式の１種以上のビスフェノール

（式中、各Ａ¹は独立に置換又は非置換二価芳香族基である。）と、
以下の群から選択される１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー

（式中、Ａ²は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と、
以下の群から選択される１種以上のジカルボン酸ジエステル

（式中、ＹはＣ₁〜Ｃ₄₀線状又は枝分れ二価炭化水素基であり、Ｒ’はＣ₇〜Ｃ₁₂アリール又はアルカリール基である。）と
を含む、方法。
溶融エステル交換重合法でポリエステルカーボネートを製造する方法であって、
水酸化ナトリウム又は水酸化テトラメチルアンモニウムの１種以上を含む触媒と反応体組成物を一緒にして反応混合物を形成し、反応混合物を反応性条件下で一定時間混合してポリエステルカーボネート生成物を生成させることを含んでなり、
前記反応体組成物が、
ジフェニルカーボネート、
次式の１種以上のビスフェノール

レゾルシノール、ビスフェノールＡ、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン及びこれらの混合物からなる群から選択される１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー、並びに
次式の群から選択される１種以上のジカルボン酸ジエステル

（式中、Ｙは式（ＣＨ₂）_nの線状二価炭化水素基であり、ｎは４〜１８の範囲内の値を有し、Ｒ’はフェニルである。）
を含む方法。