JP2006510205A - 半導体セルの接触不良(contactdefect)を減らす方法とシステム - Google Patents
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Abstract
Description
一般に、ソースがゲートスタックの一端側に位置する一方、ドレインがゲートスタックの他端側に位置する。
フィールド絶縁領域は、一般的にゲートスタックに対して垂直に広がっており、これらの絶縁領域は一般的に異なるデバイスを電気的に分離するのに使用される。このフィールド絶縁領域は、一般的に酸化物からなる。
一般的に、HDP、TEOS、またはBPTEOSからなる層間絶縁膜を使用してこれらのゲートスタック、ソース、およびドレインを絶縁する。
一般的にSiNまたはSiONであるエッチング停止層は、この層間絶縁膜の下に位置する。
層間絶縁膜上には反射防止(以下「ARC」という。)層が提供される。
ARC層は一般的に、SiNまたはSiONからなる。このARC層上にはフォトレジストマスクが提供される。
フォトレジストマスクは、コンタクトホールを形成するためにエッチングされることになっている層間絶縁膜の領域の上の開口部(アパーチャ)を含んでいる。
典型的には、下にあるCoSi層を露出するためのコンタクトホールを形成すべく、ARC層、層間絶縁膜、およびエッチング停止層の一部を1回のエッチングで除去する。その後、フォトレジストマスクを除去する。
典型的には、アッシング処理を使用してこのフォトレジストマスクを除去する。
また、コンタクトホール内のポリマのような層間絶縁膜のエッチングの残留物を除去すべく、一般的にウェットクリーニングを実行する。
コンタクトホールを充てんすべく、W(タングステン)プラグのような導電層をたい積する。
その後、一般的に化学的機械的研磨(「CMP」)プロセスを使用して導電層を研磨することができる。
これによりコンタクトホールの外側の導電層の部分が除去され、滑らかな表面となる。
例えば、ARC層、層間絶縁膜、およびエッチング停止層のエッチングは、一般的にコンタクトホール内にポリマ残留物を残す。
このポリマを除去すべく、コンタクトホールの形成から発生するポリマを除去するのにウェットクリーニングが使用される。
さらに、一般的にこのレジストを除去するのにアッシングが使用される。
例えば半導体デバイスのさらなる取り扱いにより生じるパーティクルのように、これらの多様で複雑なアッシングおよびウェットクリーニングプロセスにより、一般的に欠陥が生じてしまうこととなる。
さらに、この層のWプラグCMPプロセスは、通常絶縁材料の上面にあるARC層を傷つけてしまい(scratch)、これによりスクラッチのような重大な欠陥が形成される。
これらのスクラッチは、本当のパーティクル欠陥とスクラッチとを区別し難いものにしてしまう。
半導体デバイスは、基板、エッチング停止層、このエッチング停止層上にある層間絶縁膜、層間絶縁膜上にある反射防止(ARC)層、およびエッチング停止層より下にある少なくとも1つの構造を含んでいる。少なくとも1つのアパーチャを有しているとともに、このARC層上にあるレジストマスクを提供する。
少なくとも1つのアパーチャは、ARC層の露出した部分上方にある。
この方法およびシステムは、少なくとも1つのコンタクトホールの一部を提供するために、エッチング停止層を貫通してエッチングすることなく、ARC層の露出した部分より下のARC層および層間絶縁膜の露出した部分をエッチングすることを含む。
この方法とシステムはさらに、原位置でレジストマスクを除去し、少なくとも1つのコンタクトホールを原位置(in situ)に提供すべく、少なくとも1つのコンタクトホールの一部において露出したエッチング停止層の一部を除去し、この少なくとも1つのコンタクトホールを導電材料で充てんすることを含む。
半導体デバイスは、基板、エッチング停止層、このエッチング停止層上にある層間絶縁膜、層間絶縁膜上にある反射防止(ARC)層、およびエッチング停止層より下にある少なくとも1つの構造を含んでいる。少なくとも1つのアパーチャを有しているとともに、このARC層上にあるレジストマスクを提供する。
少なくとも1つのアパーチャがARC層の露出した部分の上方に存在する。
この方法およびシステムは、少なくとも1つのコンタクトホールの一部を提供するために、エッチング停止層を貫通してエッチングすることなく、ARC層の露出した部分より下のARC層および層間絶縁膜の露出した部分をエッチングすることを含む。
この方法およびシステムはさらに、原位置でレジストマスクを除去し、少なくとも1つのコンタクトホールを原位置に提供すべく、少なくとも1つのコンタクトホールの一部において露出したエッチング停止層の一部を除去し、この少なくとも1つのコンタクトホールを導電材料で充てんすることを含む。
しかしながら、当業者は、本発明が他の構成要素および(または)異なる構成要素を有する半導体デバイスと一致していることを容易に認識するであろう。
好ましくはマスクが半導体デバイス上に提供された後に、この方法100を開始する。
この半導体デバイスは、エッチング停止層、エッチング停止層上の層間絶縁膜層、および層間絶縁膜上の反射防止膜(ARC)層を含んでいる。ARC層およびエッチング停止層は、SiNおよび(または)SiONを含んでいてもよい。
層間絶縁膜にはHDP、TEOS、またはBPTEOSが好適である。半導体デバイスはまた、エッチング停止層の下の1つ以上の構造を有する。
例えば、この半導体は、ゲートスタックや、エッチング停止層の下のソースおよびドレインのような接合部を有していてもよい。さらに、ソースおよび(または)ドレイン接合部のような構造は、その接触抵抗を減少するために、CoSiのようなサリサイド層を有していてもよい。
レジストマスクは、好ましくはARC層上に位置する。このレジストマスクには、コンタクトが配置されることになっている半導体デバイスの領域上に位置するアパーチャがパターン化される。
ステップ102で実行したエッチングは、層間絶縁膜の下のエッチング停止層を貫通してエッチングしない。
好ましい実施形態の1つにおいては、ステップ102のエッチングに使用されるケミストリは、C4F8、C4F6、C5F8、C2F6を含んでいる。これらは絶縁材料をエッチングし、下にある窒化膜(エッチング停止層)上でエッチングを停止する高い選択性を備えている。
レジストマスクは原位置で除去されるため、このレジストマスクは制御環境下(好ましくは、低圧下の真空チャンバの中で、制御されたガスがこのチャンバ中に導かれるような真空チャンバ中)で除去される。
したがって、レジストマスクは、チャンバを開けることなく、エッチングを実行したチャンバと同じチャンバ内で除去される。
代替的に、エッチングケミカルを単にO2ベースのプロセスに変更する。したがって、エッチングするべき複数のフィルムをエッチングできるようにケミカルを変更することによって、多数のエッチングプロセスを1つのチャンバを使用して実行する。
ステップ104で使用するエッチングケミカルは、O2ベースのものが好適である。実施形態のいくつかにおいては、N2/H2またはH2、N2のような少量の成膜ガスが加えられてもよい。
一般に使用される圧力の範囲は、使用する設備によって変化する。例えば、この圧力は30mTから1ないし10Tの間までの範囲で変化し得る。
このように、コンタクトホールが形成され、コンタクトが形成されるべき1つ以上の構造が露出する。
ある実施形態の1つにおいては、ソースおよび(または)ドレイン接合部中のCoSi層がステップ106において露出する。
ARC層およびエッチング停止層が原位置で除去されるため、このARC層およびエッチング停止層は制御環境下(好ましくは、低圧下の真空チャンバの中で、制御されたガスがこのチャンバ中に導かれるような真空チャンバ中)で除去される。
同様に、好ましい実施形態の1つにおいては、ARCおよびエッチング停止層を、ステップ104においてレジストを除去するのと同じチャンバ内で除去する。代替的に、エッチングケミストリを変える。
ARCおよびエッチング停止層の双方には、窒化物タイプの材料が好適である。例えばARCおよびエッチング停止層は、Si3N4、SiONのいずれか、またはこれらの組み合わせとすることができる。ARC層はまた、SiRN(シリコンリッチ窒化物)とすることができる。
したがって、エッチングケミストリは、好ましくはCHF3、CF4、CH2F2またはCH3Fを含む。その圧力範囲は、使用する設備によって異なるが、例えば20mTから500mTとすることができる。
さらに、Wプラグを研磨すべく、CMPステップを実行してもよい(ステップ110)。このCMPプロセスは、層間絶縁膜中にスクラッチが形成されないように、かつ/またはスクラッチを減らすように制御されるべきである。
レジストマスクを除去するのに一般的に使用される従来のレジスト・アッシングを回避することができる。さらに、原位置でレジストマスクを除去するプロセスはより清潔であり、ウェット・クリーニングを実行しなくてもよい。
したがって、コンタクトホールを形成する際に生じる欠陥を減らすか、なくすことができる。
さらに、ARC層が原位置で除去されるので、コンタクトホールを充てんする材料をプレーナ化するのに使用されるCMPが簡素化される。ARC層は除去されるので、このCMP中におけるARC層のスクラッチングは問題とならない。
図3Aないし図3Dは、方法150を使用した製造中の、本発明による半導体デバイス200の一実施形態を示す。
好ましくはエッチング停止層、エッチング停止層上の層間絶縁膜層、および層間絶縁膜上の反射防止膜(ARC)層が提供された後に、方法150を開始する。
ARC層およびエッチング停止層は、SiNおよび(または)SiONを含んでいてもよい。層間絶縁膜にはHDP、TEOSまたはBPTEOSが好適である。半導体デバイスはまた、エッチング停止層の下に1つ以上の構造を有している。
例えば、この半導体は、ゲートスタックや、エッチング停止層の下のソースおよびドレインのような接合部を有していてもよい。さらに、ソースおよび(または)ドレイン接合部のような構造は、その接触抵抗を減少するために、CoSiのようなサリサイド層を有していてもよい。
図3Aは、基板201上に形成されるゲートスタック210、220および230を含んだ半導体デバイス200を示す。
スペーサ212および214、222および224、232および234は、それぞれゲートスタック210、220および230の端部にある。
CoSi層204および206は、図示しない接合部上のゲートスタック210とゲートスタック220の間、ゲートスタック220とゲートスタック230の間に形成される。
エッチング停止層240は、ゲートスタック210、220および230上、およびCoSi層202および204上に形成される。
半導体デバイス200はまた、層間絶縁膜250およびARC層260を含んでいる。また、アパーチャ272および274を有するレジストマスク270が示される。このアパーチャ272および274は、CoSi層204および206の上にある。
このように半導体デバイス200においては、CoSi層202および204より下にある構造に対するコンタクトが形成されることになっている。
図3Bは、ステップ152を実行した後の半導体デバイス200を示す図である。
コンタクトホール280および282の一部は、アパーチャ272および274の下に形成される。しかしながら、エッチング停止層240の少なくとも一部は、コンタクトホール280および282の底部において残る。
レジストマスク270は原位置で除去されるため、このレジストマスク270は制御環境下(好ましくは、低圧の下の真空チャンバ中で、制御されたガスがこのチャンバ中に導かれるような真空チャンバ中)で除去される。
図3Cは、レジストマスク270を除去した後の半導体デバイス200を示す。 レジストマスク270が除去され、コンタクトホール280および282が原位置でクリーニングされるので、コンタクトホール280’および282’中のポリマは実質的に除去される。
したがって、コンタクトホール280’および282’の表面は実質的に清潔である。
図3Dは、コンタクトホール280”および282”の底部におけるエッチング停止層240を除去した後に半導体デバイス200を示す。
このようにして、コンタクトホール280”および282”が形成されるとともに、これに対してコンタクトが形成されることになっているCoSi層202および204が露出する。
ARC層260およびエッチング停止層240の一部が原位置で除去されるため、このARC層260およびエッチング停止層240の一部は制御環境下(好ましくは、低圧下の真空チャンバの中で、制御されたガスがこのチャンバ中に導かれるような真空チャンバ中)で除去される。
コンタクトホール280”および282”を導電材料で充てんするとともに、このコンタクト材料をプレーナ化する(ステップ160)。
その結果、半導体デバイス200の構造となる電気的コンタクトができる。
図3Eは、例えばCMPプロセスにおいてコンタクトホール280”および282”を充てんするとともに余分な導電材料を除去することによって完成する、コンタクト290および292が形成された後の半導体デバイス200を示す図である。
レジストマスク270を除去するのに一般的に使用される従来のレジスト・アッシングを回避することができる。さらに、原位置でレジストマスク270を除去するプロセスはより清潔であり、ウェット・クリーニングを実行しなくてもよい。
したがって、コンタクトホール280”および282”の形成の際の欠陥を減らすかなくすことができる。
さらに、ARC層260は原位置で除去されるので、コンタクトホール280”および282”を充てんする材料をプレーナ化するのに使用されるCMPは簡素化される。ARC層260が除去されるので、CMP中におけるARC層260のスクラッチングは問題にならない。
このポリマを除去すべく、コンタクトホールの形成から発生するポリマを除去するのにウェットクリーニングが使用される。
さらに、一般的にこのレジストを除去するのにアッシングが使用される。
典型的には、これらの多様で複雑なアッシングおよびウェットクリーニングプロセスが、半導体デバイスのさらなる取り扱いによるパーティクルの存在のような欠陥に帰着することとなる。
さらに、この層のWプラグCMPプロセスは、通常絶縁材料の上面のARC層をスクラッチし、これによりスクラッチの形成による重大な欠陥が形成される。
これらのスクラッチは、本当のパーティクル欠陥とスクラッチとの見分けを困難なものにする。
このように、欠陥の少ないコンタクトを有する半導体デバイスを提供するシステムと方法が必要とされている。本発明はこのような必要性に向けられる。
Claims (10)
- 基板(201)と、エッチング停止層(240)と、このエッチング停止層(240)上の層間絶縁膜(250)と、この層間絶縁膜(250)上の反射防止(ARC)層(260)と、前記エッチング停止層(240)より下の少なくとも1つの構造と、前記ARC層(260)の露出した部分上方にある少なくとも1つのアパーチャを有するレジストマスクと、を含む半導体デバイス中に少なくとも1つのコンタクトを提供する方法であって、
(a)少なくとも1つのコンタクトホールの一部を提供すべく、前記エッチング停止層(240)を貫通してエッチングすることなく、前記ARC層(260)の露出した部分と、前記ARC層(260)の前記露出した部分の下にある前記層間絶縁膜(250)をエッチングするステップ(102)と、
(b)原位置で前記レジストマスクを除去するステップ(104)と、
(c)前記少なくとも1つのコンタクトホールを原位置に提供すべく、前記少なくとも1つのコンタクトホールの一部において露出した前記エッチング停止層(240)の一部を除去するステップと、
(d)前記少なくとも1つのコンタクトホールを導電材料(108)で充てんするステップと、を含む方法。 - (b)前記レジストマスクを除去するステップ(104)は、
(b1)前記コンタクトホールの前記一部を原位置でクリーニングするステップをさらに含む、請求項1記載の方法。 - 前記エッチング停止層(240)は、SiNおよび(または)SiONを含む、請求項1記載の方法。
- 前記ARC層(260)は、SiNおよび(または)SiONまたはSiRN(シリコンリッチ窒化物)を含む、請求項1記載の方法。
- (e)前記層間絶縁膜の表面をスクラッチすることなく導電材料をプレーナ化するステップをさらに含む、請求項1記載の方法。
- (e)前記少なくとも1つのコンタクトホールを充てんする前に、原位置で前記ARC層の一部を除去するステップをさらに含む、請求項1記載の方法。
- 基板(201)と、エッチング停止層(240)と、このエッチング停止層(240)上の層間絶縁膜(250)と、この層間絶縁膜(250)上の反射防止(ARC)層(260)と、前記エッチング停止層(240)より下の少なくとも1つの構造と、を含む半導体デバイスであって、
その中に少なくとも1つのアパーチャを有するレジストマスクを提供することによって複数のコンタクトが提供されており、
前記少なくとも1つのアパーチャは前記ARC層(260)の露出した部分上方にあり、
少なくとも1つのコンタクトホールの一部を提供すべく、前記エッチング停止層(240)を貫通してエッチングすることなく、前記ARC層(260)の露出した部分と、前記ARC層(260)の前記露出した部分の下にある前記層間絶縁膜(250)をエッチングするステップと、
原位置で前記レジストマスクを除去するステップと、
前記少なくとも1つのコンタクトホールを原位置に提供すべく、前記少なくとも1つのコンタクトホールの一部において露出した前記エッチング停止層(240)の一部を除去するステップと、
前記少なくとも1つのコンタクトホールを導電材料(108)で充てんするステップと、を含む、方法。 - 前記エッチング停止層(240)は、SiNおよび(または)SiONまたはSiRN(シリコンリッチ窒化物)を含む、請求項7記載の半導体デバイス。
- 前記ARC層(260)は、SiNおよび(または)SiONを含む、請求項7記載の半導体デバイス。
- 前記導電層は、残っている前記ARC層(260)の一部をスクラッチすることなくプレーナ化される、請求項7記載の半導体デバイス。
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---|---|---|---|---|
US20070202688A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Pei-Yu Chou | Method for forming contact opening |
JP5405012B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及び記憶媒体 |
US9153483B2 (en) | 2013-10-30 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of semiconductor integrated circuit fabrication |
US10276528B2 (en) * | 2017-07-18 | 2019-04-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semicondcutor device and manufacturing method thereof |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002525840A (ja) * | 1998-09-08 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 特に銅デュアルダマシーンに有用な原位置統合酸化物エッチングプロセス |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6143648A (en) | 1997-02-18 | 2000-11-07 | Motorola, Inc. | Method for forming an integrated circuit |
JP3309783B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2002-07-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6235640B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-05-22 | Lam Research Corporation | Techniques for forming contact holes through to a silicon layer of a substrate |
US6376389B1 (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for eliminating anti-reflective coating in semiconductors |
US6358842B1 (en) | 2000-08-07 | 2002-03-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to form damascene interconnects with sidewall passivation to protect organic dielectrics |
US6620732B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-09-16 | Newport Fab, Llc | Method for controlling critical dimension in a polycrystalline silicon emitter and related structure |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002525840A (ja) * | 1998-09-08 | 2002-08-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 特に銅デュアルダマシーンに有用な原位置統合酸化物エッチングプロセス |
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