JP2006352063A - バイナリ、減衰フェーズシフトおよび交番フェーズシフトマスクをエミュレートするマスクレスリソグラフィ用のシステムおよび装置および方法 - Google Patents
バイナリ、減衰フェーズシフトおよび交番フェーズシフトマスクをエミュレートするマスクレスリソグラフィ用のシステムおよび装置および方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】システムであって、当該システムは照明システムと、個別にコントロール可能なエレメントのアレイと、投影系を含み、前記照明システムは放射ビームを供給し、前記個別にコントロール可能なエレメントのアレイは前記ビームをパターニングし、当該個別にコントロール可能なエレメントのアレイ内の各エレメントは可傾部分と非可傾部分を含み、前記投影系は、前記パターニングされたビームをオブジェクトのターゲット部分上に投影する、ことを特徴とするシステム。
【選択図】図4
Description
発明の背景
本発明は、ライトパターニングデバイスおよびその使用する方法に関する。
パターニングデバイスは、光をパターニングするのに使用される。静的パターニングデバイスは、レチクルまたはマスクを含むことができる。動的パターニングデバイスは、個別にコントロール可能なエレメントのアレイを有することができ、このアレイは、アナログ信号またはデジタル信号を受信することによってパターンを作成する。パターニングデバイスの使用例は、リソグラフ装置、マスクレスリソグラフ装置、プロジェクタ、投影表示装置等であるが、これに制限されない。以下では、リソグラフにおけるパターニングデバイスについて論じるが、当業者に明らかであるように、上記の装置に拡大して応用することも可能である。
本発明の実施例ではシステムが提供され、このシステムは、照明システムと、個別にコントロール可能なエレメントのアレイと、投影系を含む。照明システムは放射ビームを供給する。個別にコントロール可能なエレメントのアレイは、可傾部分(tilting portion)と非可傾部分(non-tilting portion)を含む。投影系は、パターニングされたビームをオブジェクトのターゲット部分上に投影する。
概要
このテキストにおいては、マスクレスリソグラフシステム内でのパターニングデバイスの使用に関連して説明されているが、本明細書に記載されているパターニングデバイスは他の用途、例えば、プロジェクタまたはオブジェクトをパターニングする投影系または表示デバイス(例えば投影テレビジョンシステム等内)に適用することができる。従って、マスクレスリソグラフシステムおよび/またはサブストレートの使用は本明細書では、本発明を説明するための単なる例である。
1. ステップモード:個別にコントロール可能なエレメントのアレイ104上のパターン全体が単一露光中(例えばシングル「フラッシュ」)にターゲット部分120に投影される。次にサブストレートテーブル106はx方向および/またはy方向で異なる位置へ移動され、パターン化されたビーム110により異なるターゲット部分120が照射される。
図2は、本発明の実施例による個別にコントロール可能なエレメントのアレイ204の平面図である。個別にコントロール可能なエレメントのアレイ204内の各エレメント242は可傾部分244と非可傾部分246を含む。可傾部分244は、エレメント242の全領域の約60%を占める。これについては以降でより詳細に述べる。デフォルト角度で保持されている場合(例えば静止)、可傾部分の反射性表面は実質的に、非可傾部分の反射性表面に対して平行であり、可傾部分から反射された放射は、非可傾部分から反射された放射と位相外である。「位相外可傾式ミラー(out-of-phase tilting mirror)」というフレーズは、以降ではエレメント242の同義語として使用される。
図7にはグラフが示されている。このグラフでは、従来の可傾式ミラーに対する傾斜角度の領域に亘った反射率が、本発明の実施例に相応する位相外可傾式ミラーと比較されている。グラフ700において曲線762は、従来の平面可傾式ミラーを用いて生成された反射率曲線であり、曲線760は、発明の有利な実施形態において示されている位相外可傾式ミラーを使用して生成された反射率曲線である。
これまで本発明の様々な実施形態について説明してきたが、それらは例示にすぎず、限定を意味するものではない。形態や詳細について本発明の範囲を逸脱することなく種々の変更を行えることは、当業者にとって自明である。したがって本発明の範囲は上述の実施形態によって制限されるものではなく、以下の特許請求の範囲および同等のものによってのみ規定される。
Claims (24)
- システムであって、
当該システムは照明システムと、個別にコントロール可能なエレメントのアレイと、投影系を含み、
前記照明システムは放射ビームを供給し、
前記個別にコントロール可能なエレメントのアレイは前記ビームをパターニングし、
当該個別にコントロール可能なエレメントのアレイ内の各エレメントは可傾部分と非可傾部分を含み、
前記投影系は、前記パターニングされたビームをオブジェクトのターゲット部分上に投影する、
ことを特徴とするシステム。 - 前記システムは、少なくとも1つのマスクレスリソグラフシステム、プロジェクタおよび投影系である、請求項1記載のシステム。
- 前記各非可傾部分は第1の反射性表面を有しており、
当該反射性表面は、内側外面および外側外面によって境界付けされており、
前記各可傾部分は第2の反射性表面を有しており、
当該第2の反射性表面は外面によって境界付けされており、
前記各可傾部分は、前記各非可傾部分に関して配向されており、これによって、各可傾部分の外面は前記各非可傾部分の内側外面を超えて存在し、前記各非可傾部分の外側外面を超えて存在しない、請求項1記載のシステム。 - 前記各非可傾部分の前記第1の反射性表面は、傾斜角度の完全な領域にわたって、前記ターゲット部分で実質的に等しい正および負の最大振幅が生じるように、前記各エレメントの領域の所定のパーセンテージの大きさにされている、請求項3記載のシステム。
- 前記各可傾部分は、各可傾部分と各非可傾部分によって共有されている中央軸を中心にして傾斜する、請求項3記載のシステム。
- 前記各可傾部分は、傾斜角度の完全な範囲を通じて傾斜可能であり、傾斜角度の完全な範囲に亘って前記ターゲット部分で実質的に等しい正および負の最大振幅を生成する、請求項1記載のシステム。
- 各可傾部分は、傾斜角度の正の領域と傾斜角度の負の領域を通じて傾斜し、
ゼロ傾斜角度では、前記非可傾部分の第1の反射性表面が前記可傾部分の第2の反射性表面に実質的に平行である、請求項1記載のシステム。 - 前記ゼロ傾斜角度では、前記非可傾部分から反射された放射は、前記可傾部分から反射された放射と位相外である、請求項7記載のシステム。
- 前記各可傾部分は各傾斜角度で傾斜され、前記個別にコントロール可能なエレメントのアレイは、バイナリレチクル、減衰フェーズシフトレチクルおよび交番フェーズシフトレチクルの少なくとも1つをエミュレートする、請求項1記載のシステム。
- 前記オブジェクトは、サブストレートおよび表示装置のうちの少なくとも1つである、請求項1記載のシステム。
- 前記サブストレートは、ガラス材料、ポリマー材料および半導体材料のうちの少なくとも1つである、請求項10記載のシステム。
- パターニングデバイスであって、
第1の反射性部分のアレイと、第2の反射性部分のアレイと、コントローラのアレイを含んでおり、
前記各第1の反射性部分は第1の領域を有しており、
前記各第2の反射性部分は第2の領域を有しており、ここで当該各第2の反射性部分は傾斜角度の所定の範囲にわたって、前記第1の反射性部分と前記第2の反射性部分それぞれによって共有されている軸を中心にして傾斜し、
前記コントローラのアレイは、前記第2の反射性部分のそれぞれ1つ、および前記第2の反射性部分のサブセットと結合されており、前記各コントローラは前記第2の反射性部分のそれぞれ1つ、および前記第2の反射性部分のサブセットの傾斜角度をコントロールする、
ことを特徴とするパターニングデバイス。 - 前記第1の反射性部分の各第1の領域は、内側外面および外側外面によって境界付けされており、
前記第2の反射性部分の各第2の領域は、外面によって境界付けされており、
前記各第2の反射性部分は、前記各第1の反射性部分に関して配向されており、前記各第2の反射性部分の外面は、前記各第1の反射性部分の内側外面を超えて延在しており、前記各第1の反射性部分の外側外面を超えて延在しない、
ことを特徴とする、請求項12記載のパターニングデバイス。 - 前記各第2の反射性部分の領域と、前記各第1の反射性部分の領域との比は、傾斜角度の完全な範囲にわたった反射光の実質的に等しい正および負の最大振幅を生じさせる、請求項12記載のパターニングデバイス。
- 各第2の反射部分は、傾斜角度の正の領域と傾斜角度の負の領域を通じて傾斜し、
ゼロ傾斜角度では、前記各第2の反射性部分の第2の反射性表面が、前記各第1の反射性部分の第1の反射性表面に実質的に平行である、請求項12記載のパターニングデバイス。 - 前記各第1および第2の反射性部分によって共有されている軸は中央の長手軸であり、当該長手軸は実質的に、各第1の反射性部分の反射性表面に対して平行である、請求項12記載のパターニングデバイス。
- 前記各第1および第2の反射性部分によって共有されている軸は、第1の反射性部分のアレイを支持するサブストレートに対して実質的に平行である、請求項13記載のパターニングデバイス。
- 各第2の反射性部分の各傾斜角度がデフォルト値に等しい場合、前記各第1の反射性部分の第1の反射性表面は、前記各第2の反射性部分の第2の反射性表面に実質的に平行である、請求項12記載のパターニングデバイス。
- 前記第1の反射性部分はサブストレート上に取り付けられており、
前記第2の反射性部分は、前記サブストレート上方で支持されており、
前記第2の反射性部分が、前記サブストレートに実質的に平行である場合、前記第1の反射性部分の第1の反射性表面から前記第2の反射性部分の第2の反射性表面まで測定される高さは約λ/4であり、λは照明システムの放射のビームの波長である、請求項12記載のパターニングデバイス。 - 前記第1の反射性部分はサブストレート上に取り付けられており、
前記第2の反射性部分は、前記サブストレート上方で支持されており、
前記第1の反射性部分の第1の反射性表面は、前記第2の反射性部分の第2の反射性表面の上方にあり、
前記第2の反射性部分が、前記サブストレートに実質的に平行である場合、前記第1の反射性部分の第1の反射性表面から前記第2の反射性部分の第2の反射性表面まで測定される高さは約λ/4であり、λは照明システムの放射のビームの波長である、請求項12記載のパターニングデバイス。 - 前記各第2の反射性部分は所定の各傾斜角度で傾斜され、前記パターニングデバイスは、バイナリレチクル、減衰フェーズシフトレチクルおよび交番フェーズシフトレチクルの少なくとも1つをエミュレートする、請求項12記載のパターニングデバイス。
- 方法であって、
個別にコントロール可能なエレメントのアレイを用いて放射ビームをパターニングするステップを有しており、前記アレイ内の各個別のエレメントは、傾斜する第1の反射性領域と第2の反射性領域を有しており;
前記パターニングされたビームを、オブジェクトのターゲット部分上に投影するステップを有しており、ここで各エレメントは、傾斜角度の完全な範囲にわたって反射光の実質的に等しい正および負の最大振幅を生じさせる、
ことを特徴とする方法。 - 個別にコントロール可能なエレメントのアレイを用いて、バイナリレチクル、減衰フェーズシフトレチクルおよび交番フェーズシフトレチクルのうちの少なくとも1つをエミュレートすることを含む、請求項22記載の方法。
- 前記投影ステップは、前記パターニングされたビームを、サブストレート、半導体サブストレート、ガラスサブストレート、ポリマーサブストレートおよび表示装置のうちの少なくとも1つのターゲット部分上に投影するステップを含む、請求項22記載の方法。
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---|---|---|---|---|
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001168003A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 露光装置 |
JP2002503351A (ja) * | 1992-04-28 | 2002-01-29 | リーランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ | 光ビームの変調 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2004520618A (ja) * | 2001-02-05 | 2004-07-08 | マイクロニック・レーザー・システムズ・エイビー | 可動マイクロ素子におけるヒステリシス又は履歴効果を減少させるための方法と装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
US5296891A (en) * | 1990-05-02 | 1994-03-22 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Illumination device |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
US5835256A (en) * | 1995-06-19 | 1998-11-10 | Reflectivity, Inc. | Reflective spatial light modulator with encapsulated micro-mechanical elements |
US6133986A (en) * | 1996-02-28 | 2000-10-17 | Johnson; Kenneth C. | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
DE69711929T2 (de) | 1997-01-29 | 2002-09-05 | Micronic Laser Systems Ab Taeb | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
SE9800665D0 (sv) * | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6271957B1 (en) * | 1998-05-29 | 2001-08-07 | Affymetrix, Inc. | Methods involving direct write optical lithography |
US6178284B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-01-23 | Lucent Technologies, Inc. | Variable single-mode attenuators by spatial interference |
KR100827874B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
JP3466148B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2003-11-10 | 富士通株式会社 | ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
KR100545297B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
KR100480620B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
US6989920B2 (en) * | 2003-05-29 | 2006-01-24 | Asml Holding N.V. | System and method for dose control in a lithographic system |
EP1482373A1 (en) * | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
2004
- 2004-12-22 US US11/018,483 patent/US7274502B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002503351A (ja) * | 1992-04-28 | 2002-01-29 | リーランド・スタンフォード・ジュニア・ユニバーシティ | 光ビームの変調 |
JP2001168003A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Olympus Optical Co Ltd | 露光装置 |
JP2004520618A (ja) * | 2001-02-05 | 2004-07-08 | マイクロニック・レーザー・システムズ・エイビー | 可動マイクロ素子におけるヒステリシス又は履歴効果を減少させるための方法と装置 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
Also Published As
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