JP2006352013A - 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006352013A JP2006352013A JP2005179376A JP2005179376A JP2006352013A JP 2006352013 A JP2006352013 A JP 2006352013A JP 2005179376 A JP2005179376 A JP 2005179376A JP 2005179376 A JP2005179376 A JP 2005179376A JP 2006352013 A JP2006352013 A JP 2006352013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- pad
- solid
- imaging device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
【課題】 ボンディングパッドでの残渣不良を防止することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板11と、基板11に形成された撮像領域1と、撮像領域1の周辺に設けられたボンディングパッド21と、を備え、ボンディングパッド21の表面に、基板11の面方向に対して傾斜する傾斜面21aが形成されている。
【選択図】 図2
【解決手段】 基板11と、基板11に形成された撮像領域1と、撮像領域1の周辺に設けられたボンディングパッド21と、を備え、ボンディングパッド21の表面に、基板11の面方向に対して傾斜する傾斜面21aが形成されている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法に関し、特に、ボンディングパッドを有し、ボンディングパッドが駆動回路にボンディングワイヤによって電気的に接続される固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法に関する。
固体撮像素子として、例えば、下記特許文献1のように、撮像領域に受光センサ部を備え、該撮像領域の周辺領域にボンディングパッドが形成されたオンチップ構成のものが用いられている。
このような固体撮像素子は、半導体基板の撮像領域に電荷蓄積領域及び受光センサが構成されている。また、半導体基板の周辺領域には、周辺表面に選択酸化等によりフィールド絶縁層が形成され、このフィールド絶縁層上にボンディングパッドが形成されている。そして、撮像領域及び周辺領域を含む表面全体に、例えば、プラズマSiON膜、プラズマSiN膜等からなる保護膜や有機膜等からなる平坦化層が形成されている。ワイヤボンディング時には、周辺領域におけるボンディングパッド上の保護膜や平坦化層を選択エッチングで除去して開口を形成し、ボンディングパッドのパッド表面を外部に露呈させる。
ところで、ボンディングパッド上の保護膜や平坦化層をエッチングで除去する際に、保護膜や平坦化層を除去するために使用される薬液がボンディングパッドの表面上に溜まり、残渣となってしまうことがあった。ボンディングパッドに残渣が生じると、プローブ検査のプローブ針やボンディングワイヤをボンディングパッドに対して適正に接触させることができなくなることが問題となっていた。
また、ボンディングパッドに生じた残渣が、該ボンディングパッドを構成する金属材料を腐食させてしまうといったことも問題となっていた。
また、ボンディングパッドに生じた残渣が、該ボンディングパッドを構成する金属材料を腐食させてしまうといったことも問題となっていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、ボンディングパッドでの残渣不良を防止することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、基板と、前記基板に形成された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に設けられたボンディングパッドと、を備え、前記ボンディングパッドの表面に、前記基板の面方向に対して傾斜する傾斜面が形成されていることを特徴とする固体撮像素子によって達成される。
また、本発明の上記目的は、基板上に撮像領域と、前記撮像領域の周辺に設けられたボンディングパッドとを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記ボンディングパッドを形成する際に、該ボンディングパッドにおけるパッド開口から露呈する部位に、前記基板の面方向に対して傾斜する傾斜面を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法によって達成される。
本発明によれば、ボンディングパッドの表面に傾斜面が形成されており、ボンディングパッドのパッド開口時に、保護膜や平坦化層を除去するために供した薬剤が傾斜面の面方向に沿って自重により移動し、パッド上に残留してしまうことを防止することができる。そして、傾斜面によって残渣をパッド上の隅に寄せてしまうように傾斜の向きを規定すれば、開口部から露呈するパッドの表面における中央や全面に残渣が覆い被さった状態を回避することができる。こうして、プローブ検査時にプローブ針をボンディングパッドに対して良好に接触させる場合や、ボンディングワイヤをボンディングパッドに適正に接触させる場合に、残渣に妨害されることなく、プローブ針やボンディングワイヤをボンディングパッドに確実に接触させることができる。
また、パッド開口を形成するための薬剤等の残渣が、ボンディングパッドの表面に残留することを防止でき、このような残渣によって金属材料を腐食させてしまうといったことを防止することができる。
また、パッド開口を形成するための薬剤等の残渣が、ボンディングパッドの表面に残留することを防止でき、このような残渣によって金属材料を腐食させてしまうといったことを防止することができる。
本発明において、ボンディングパッドが基板上に設けられた複数のパッド層から構成され、複数のパッド層が第1のパッド層と、該第1のパッド層の上に積層された第2のパッド層とを有し、第1のパッド層の端部における段差を覆うように第2のパッド層が形成され、該第2のパッド層の表面の段差に対応する部位が、基板の面方向に対して傾斜していることが好ましい。こうすれば、第1のパッド層と第2のパッド層とをそれぞれの端部の位置をずらした状態で積層することにより、第1のパッド層の段差に応じて、第2のパッド層が段差の高い側から低い側に向って傾斜した状態となるように形成できる。このため、積層させた後で別途に傾斜面を形成する工程を行う必要がなく、パッド層を積層させる工程により傾斜面を構成することができる。
上記複数のパッド層は、転送電極層と、前記転送電極層を覆うように積層されたアルミニウム層とを有している構成とすることができる。こうすれば、撮像領域側で各画素領域から電荷信号を転送するための転送電極層を、周辺領域側にもあわせて形成し、ボンディングパッドを構成するパッド層の下地とする構成とすることで撮像領域を形成する工程と同時に周辺領域のボンディングパッドを形成することができる。
また、上記複数のパッド層は、転送電極層と、転送電極層を覆うように積層されたタングステン層と、タングステン層とを覆うように積層されたアルミニウム層とを有している構成としてもよい。こうすれば、撮像領域を形成する工程と同時に周辺領域のボンディングパッドを形成することができるうえ、タングステン層の段差に応じて、傾斜面の傾斜をより一層大きくすることができる。
転送電極層の端部に傾斜部が形成されていることが好ましい。こうすれば、端部の段差に応じて形成される傾斜面を、端部に形成された傾斜部によって緩やかにすることができる。転送電極層の端部に傾斜部は、例えば、テーパーエッチングによって形成することができる。
タングステン層の端部に傾斜部が形成されていることが好ましい。こうすれば、端部の段差に応じて形成される傾斜面を、端部に形成された傾斜部によって緩やかにすることができる。タングステン層の端部に傾斜部は、例えば、テーパーエッチングによって形成することができる。
本発明によれば、ボンディングパッドでの残渣不良を防止することができる固体撮像素子及びその固体撮像素子の製造方法を提供できる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳しく説明する。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子の概略的な構成の示す図である。本図では、製造段階でウェハを構成する半導体基板11上に形成された固体撮像素子10の形成を示している。
固体撮像素子10は、半導体基板(以下、基板ともいう。)11と、該半導体基板11上に形成された撮像領域1と、該撮像領域1の周辺に位置する周辺領域2と、を備えている。
図1は、本発明にかかる固体撮像素子の概略的な構成の示す図である。本図では、製造段階でウェハを構成する半導体基板11上に形成された固体撮像素子10の形成を示している。
固体撮像素子10は、半導体基板(以下、基板ともいう。)11と、該半導体基板11上に形成された撮像領域1と、該撮像領域1の周辺に位置する周辺領域2と、を備えている。
基板11は、例えば、n型のシリコン半導体基板で、撮像領域1に相当する領域にp型半導体ウェル領域を形成してなる。基板11の撮像領域1には、n型の電荷蓄積領域12が形成される。また、図示しないが、電荷蓄積領域12の上方で、基板11の表面側には、暗電流抑制のためのp型の表面蓄積層がイオン注入で形成されている。
また、電荷蓄積領域12に対応して、図示しないn型の転送チャンネル領域と、p型のチャンネルストップ領域等が、例えば、イオン注入によって形成されている。
基板11上には、図示しない絶縁膜を介して、多結晶シリコンからなる第1の転送電極13と、第2の転送電極14とが設けられている。なお、本実施形態では、第1の転送電極13と、第2の転送電極14との複数の転送電極を備えた構成としたが、単一の転送電極を有する構成としてもよい。
第1の転送電極13及び第2の転送電極14を、層間絶縁膜16の内部に形成されている。層間絶縁膜16には、第1の転送電極13及び第2の転送電極14の上部に遮光膜15が設けられている。ここで、遮光膜15が、電荷蓄積領域12の上部を避けるように形成されており、固体撮像素子10に入射した光が、電荷蓄積領域1まで入り込むように構成されている。固体撮像素子10において、電荷蓄積領域12を含む、該電荷蓄積領域12の上部において遮光膜15同士の間の部位が受光センサ部として機能する。
一方、固体撮像素子10の周辺領域2では、基板11の表面に、例えば、選択酸化等によるフィールド絶縁層が形成され、このフィールド絶縁層上に、ボンディングパッド21が形成されている。また、撮像領域1に形成された層間絶縁膜16が、周辺領域2のボンディングパッド21を含め基板11の表面を覆うように形成される。
撮像領域1の表面全体に保護膜17を形成する。保護膜17は、例えば、プラズマSiON膜、プラズマSiN膜等によって形成することができる。
撮像領域1に保護膜17を形成した後、保護膜17上に有機膜からなる平坦化層18とカラーフィルタ層19を形成する。そして、撮像領域1のカラーフィルタ層19の表面と、周辺領域2の平坦化層18の表面とを覆うようにレンズ材料層20が形成されている。撮像領域1のレンズ材料層20に、例えば、異方性エッチング等でエッチバックしてレンズパターンの形状を転写することで、受光センサ部に対応する位置にオンチップレンズが形成される。
次に、ボンディング工程時に、ボンディングワイヤを接続するため、ボンディングパッド21上にパッド開口22を形成する。パッド開口22を形成する手法としては、一例として、周辺領域2における平坦化層18及びレンズ材料層20において、ボンディングパッド21を露出させる位置に対応する部分をアセトンなどの薬剤を使用して剥離することで、平坦化層18及びレンズ材料層20を除去してパッド開口22を形成し、パッド開口22からボンディングパッド21を露呈させた状態とする。そして、固体撮像素子10を装着する撮像素子パッケージ容器側の電極部と電気的に接続するボンディングワイヤの一端をパッド開口22から露呈したボンディングパッド21の表面に接続する。
次に、本発明にかかる固体撮像素子のボンディングパッドの形態を説明する。図2は、ボンディングパッドの形態を模式的に示す図である。
ボンディングパッド21は、基板11上に複数のパッド層が積層された構成であり、すなわち、第1の転送電極13を構成するポリシリコン層31と、第2の転送電極を構成するポリシリコン層32と、遮光膜15を構成するタングステン層33と、最上層に位置するアルミニウム層34とが積層された構成である。
ここで、ポリシリコン層31の端部がパッド開口22内に位置し、ポリシリコン層31の端部の段差を覆うようにポリシリコン層32が形成されている。また、ポリシリコン層32の端部がパッド開口22内に位置し、このポリシリコン層32の端部の段差を覆うようにタングステン層33が形成されている。さらに、タングステン層33の端部がパッド開口22内に位置し、タングステン層33の端部の段差を覆うようにアルミニウム層34が形成されている。
ポリシリコン層32の表面において、その下層のポリシリコン層31の端部の段差に対応する部位に、該段差の高低差に応じて基板11の面方向に対して傾斜する傾斜部32aが形成される。また、タングステン層33の表面において、その下層のポリシリコン層32の端部の段差と該ポリシリコン層32傾斜部32aに対応する部位とに、基板11からの高低差に応じて該基板11の面方向に対して傾斜する傾斜部33aが形成される。さらに、最上層であるアルミニウム層34の表面において、その下層のタングステン層33の端部の段差と該タングステン層33の傾斜部33aに対応する部位とに、基板11からの高低差に応じて該基板11の面方向に対して傾斜する傾斜部34aが形成される。こうして、最上層であるアルミニウム層34の表面に傾斜部34aを形成することによって、ボンディングパッド21の表面に基板11の面方向に対して傾斜する傾斜面21aを形成することができる。
本発明によれば、ボンディングパッド21の表面に傾斜面21aが形成されており、ボンディングパッド21のパッド開口22の形成時に、保護膜17及び平坦化層18を除去するために供した薬剤が傾斜面21aの傾斜する方向に沿って自重により移動し、パッド21上に残留してしまうことを防止することができる。そして、傾斜面21aによって残渣をパッド上の隅に寄せてしまうように傾斜の向きを規定すれば、パッド開口22から露呈するパッドの表面における中央や全面に残渣が覆い被さった状態を回避することができる。こうして、プローブ検査時のプローブ針やボンディングワイヤWをボンディングパッド21に接触させる場合に、残渣に妨害されることなく、ボンディングパッド21の表面に確実に接触させることができる。
また、パッド開口22を形成するための薬剤等の残渣が、ボンディングパッド21の表面に残留することを防止でき、このような残渣によって金属材料を腐食させてしまうといったことを防止することができる。
また、パッド開口22を形成するための薬剤等の残渣が、ボンディングパッド21の表面に残留することを防止でき、このような残渣によって金属材料を腐食させてしまうといったことを防止することができる。
また、本実施形態のように、ボンディングパッドが複数のパッド層から構成されている場合に、複数のパッド層が第1のパッド層(例えば、ポリシリコン層32)と、該第1のパッド層の上に積層された第2のパッド層(例えば、タングステン層33)とを有し、第1のパッド層の端部における段差を覆うように第2のパッドそうが形成され、第2のパッド層に表面の、段差に対応する部位が、基板11の面方向に対して傾斜している構成であることが好ましい。こうすれば、第1のパッド層と第2のパッド層とをそれぞれの端部の位置をずらした状態で積層することにより、第1のパッド層の段差に応じて、第2のパッド層が段差の高い側から低い側に向って傾斜した状態となるように形成できる。このため、ボンディングパッド21を構成する工程でパッド層31〜34を積層させた後で、別途に最上層の表面に傾斜面21aを形成する工程を行う必要がなく、パッド層31〜34を積層させる工程とあわせて傾斜面21aを構成することができる。
また、上記実施形態のように、ボンディングパッド21が、転送電極13,14を構成するポリシリコン層(転送電極層)31,32と、前記転送電極層31,32を覆うように積層されたアルミニウム層34とを有している構成とすることができる。こうすれば、撮像領域1側で各画素領域から電荷信号を転送するための転送電極層を、周辺領域2側にもあわせて形成し、ボンディングパッド21を構成するパッド層31〜34の下地の一部とする構成とすることで撮像領域1を形成する工程と同時に周辺領域2のボンディングパッド21を形成することができる。
なお、複数のパッド層31〜34のうち、いずれかの層を形成しないで省略することができ、例えば、遮光膜15を構成するタングステン層33を省略してもよい。しかし、複数のパッド層が、ポリシリコン層(転送電極層)31,32と、転送電極層を覆うように積層されたタングステン層33と、タングステン層33とを覆うように積層されたアルミニウム層34とを有している構成としてもよい。こうすれば、撮像領域1を形成する工程と同時に周辺領域2のボンディングパッド21を形成することができるうえ、タングステン層33の段差に応じて、傾斜面21aの傾斜をより一層大きくすることができる。
ここで、本実施形態のボンディングパッド21のパッド開口22の開口幅(図2の左右方向の寸法)が約100μmであり、ボンディングパッド21全体の厚みが約1.5μmである。また、ポリシリコン層31,32の層の厚みがそれぞれ約0.3μmであり、タングステン層33の層の厚みが約0.2μmであり、アルミニウム層の層の厚みが約0.5μmである。さらに、ボンディングワイヤWとボンディングパッド21との接触領域における傾斜方向の寸法が約50μmである。
図3は、本発明にかかる固体撮像素子の別の形態を示す図である。
本実施形態の固体撮像素子のボンディングパッド30において、基板11上に、ポリシリコン層41,42と、タングステン層43と、アルミニウム層44とが順に積層されている構成で、上記実施形態のものと共通する。しかし、ポリシリコン層41,42の端部がテーパーエッチングによって面取りされて傾斜部41a,42aが形成されている点で上記実施形態とは相違する。なお、タングステン層43の端部43aにも同様にテーパーエッチングを施することで傾斜部53aが形成されていてもよい。
本実施形態の固体撮像素子のボンディングパッド30において、基板11上に、ポリシリコン層41,42と、タングステン層43と、アルミニウム層44とが順に積層されている構成で、上記実施形態のものと共通する。しかし、ポリシリコン層41,42の端部がテーパーエッチングによって面取りされて傾斜部41a,42aが形成されている点で上記実施形態とは相違する。なお、タングステン層43の端部43aにも同様にテーパーエッチングを施することで傾斜部53aが形成されていてもよい。
本実施形態の構成によれば、最上層アルミニウム層44の表面の傾斜面44a、すなわち、ボンディングパッド30の表面の傾斜面30aが、下層のポリシリコン層41,42及びタングステン層43の各端部における段差による高低差による影響だけでなく、各端部の傾斜部41a,42a,53aの高低差による影響も受けることで、より一層緩やかな傾斜となる。
1 撮像領域
2 周辺領域
10 固体撮像素子
11 半導体基板(基板)
21,30 ボンディングパッド
21a,30a 傾斜面
W ボンディングワイヤ
2 周辺領域
10 固体撮像素子
11 半導体基板(基板)
21,30 ボンディングパッド
21a,30a 傾斜面
W ボンディングワイヤ
Claims (12)
- 基板と、
前記基板に形成された撮像領域と、
前記撮像領域の周辺に設けられたボンディングパッドと、を備え、
前記ボンディングパッドの表面に、前記基板の面方向に対して傾斜する傾斜面が形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記ボンディングパッドが前記基板上に設けられた複数のパッド層から構成され、前記複数のパッド層が第1のパッド層と、該第1のパッド層の上に積層された第2のパッド層とを有し、前記第1のパッド層の端部における段差を覆うように前記第2のパッド層が形成され、該第2のパッド層の表面の前記段差に対応する部位が、前記基板の面方向に対して傾斜していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のパッド層が、転送電極層と、前記転送電極層を覆うように積層されたアルミニウム層とを有していることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記複数のパッド層が、転送電極層と、前記転送電極層を覆うように積層されたタングステン層と、前記タングステン層とを覆うように積層されたアルミニウム層とを有していることを特徴とする請求項2に記載の固体撮像素子。
- 前記転送電極層の前記端部に傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の固体撮像素子。
- 前記タングステン層の前記端部に傾斜部が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像素子。
- 基板上に撮像領域と、前記撮像領域の周辺に設けられたボンディングパッドとを有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記ボンディングパッドを形成する際に、該ボンディングパッドにおけるパッド開口から露呈する部位に、前記基板の面方向に対して傾斜する傾斜面を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 前記ボンディングパッドを、前記基板上に設けられた複数のパッド層を積層させることで形成する際に、前記複数のパッド層が第1のパッド層と、該第1のパッド層の上に積層された第2のパッド層とを有し、前記第1のパッド層の端部における段差を覆うように前記第2のパッド層が形成し、該第2のパッド層の表面の前記段差に対応する部位を、前記基板の面方向に対して傾斜させることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記複数のパッド層を、転送電極層と、前記転送電極層を覆うように積層されたアルミニウム層とで構成することを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記複数のパッド層を、転送電極層と、前記転送電極層を覆うように積層されたタングステン層と、前記タングステン層とを覆うように積層されたアルミニウム層とで構成することを特徴とする請求項8に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記転送電極層の前記端部にテーパーエッチングにより傾斜部を形成することを特徴とする請求項9又は10に記載の固体撮像素子の製造方法。
- 前記タングステン層の前記端部にテーパーエッチングにより傾斜部を形成することを特徴とする請求項10に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005179376A JP2006352013A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005179376A JP2006352013A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006352013A true JP2006352013A (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=37647505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005179376A Pending JP2006352013A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006352013A (ja) |
-
2005
- 2005-06-20 JP JP2005179376A patent/JP2006352013A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11798847B2 (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having a dummy section | |
US11177310B2 (en) | Solid-state image pickup device | |
TWI408790B (zh) | 具有貫穿電極之半導體裝置及其製造方法 | |
US9324744B2 (en) | Solid-state image sensor having a trench and method of manufacturing the same | |
JP2006093367A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US20160035769A1 (en) | Imaging apparatus and imaging system | |
CN107634074B (zh) | 防止划片损伤的cmos图像传感器结构及其制作方法 | |
TWI633640B (zh) | Semiconductor element, method of manufacturing semiconductor element, and electronic device | |
JP2010267681A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4180512B2 (ja) | 薄化前に接触孔が開けられるカラー画像センサの製造方法 | |
JP2008047667A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法並びに固体撮像素子用半導体ウェハ | |
JP4466213B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2010157712A (ja) | イメージセンサ及びその製造方法 | |
JP4147187B2 (ja) | 透過性基板上のカラー画像センサの製造方法 | |
JP2006202865A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
JP4792799B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
US20240055459A1 (en) | Semiconductor device and fabrication method therefor | |
JP2006352013A (ja) | 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法 | |
JP5077310B2 (ja) | 裏面照射型固体撮像装置および裏面照射型固体撮像装置の製造方法 | |
JP4609983B2 (ja) | 電極パッドを備える素子 | |
JP2005311208A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 | |
JP5950531B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハ | |
JP2007012903A (ja) | 半導体素子及び半導体素子の製造方法 | |
TW202235924A (zh) | 像素感測器 | |
JP2010109155A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061127 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071126 |