JP2006350957A - 制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】簡単な回路構成で記憶装置上のデータを失わせることなく、記憶装置のセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができる制御装置を提供する。
【解決手段】記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行うSDRAM12と、メインコントロールユニット(MCU)10との間に、論理積回路20を設け、MCU10の省電力モードから非省電力モードへの移行時には、RESET_IC18から出力されたMCU10を初期化させるためのLowレベルのMCU_Reset信号と、MCU_CKE信号とを論理積した論理積信号(CKE信号)を出力することによって、LowレベルのMCU_Reset信号が出力されている期間は、MCU_CKE信号の出力レベルに拘わらずSDRAM12のセルフリフレッシュ状態を維持する。
【選択図】 図1
【解決手段】記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行うSDRAM12と、メインコントロールユニット(MCU)10との間に、論理積回路20を設け、MCU10の省電力モードから非省電力モードへの移行時には、RESET_IC18から出力されたMCU10を初期化させるためのLowレベルのMCU_Reset信号と、MCU_CKE信号とを論理積した論理積信号(CKE信号)を出力することによって、LowレベルのMCU_Reset信号が出力されている期間は、MCU_CKE信号の出力レベルに拘わらずSDRAM12のセルフリフレッシュ状態を維持する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行う記憶装置を制御する制御装置に関する。
複写機やプリンター等の高生産性や高機能化に伴い、該複写機やプリンター等の動作を制御するシステムコントローラ(以下、コントローラ)の性能も益々向上している。このため、コントローラの動作周波数が上がり、消費電力も増大している。
従って、近年のシステムには、動作に支障がないクロックを停止したり、動作していないペリフェラル(周辺機器)の機能を停止したりする等の省エネモードが設けられているものが多い。
また、さらに高性能なシステムでは、コントローラを省エネモードにして、システムメモリなどの周辺デバイスの電源をオフする省エネ方法も広く行われている。しかしながらこの方法では、揮発性メモリであるシステムメモリの電源をオフするとシステムメモリ上のデータが全て消失してしまうため、省エネモードから非省エネモードへの復帰時に、システムで使用するプログラムデータをシステムメモリに再ダウンロードしなくてはならず、システムとして正常に動作できるまで時間がかかる、という問題がある。特に、高性能かつ高機能なシステムの場合は、使用するプログラムデータが膨大なため、再ダウンロードに時間がかかり、システムとして正常に動作できるまでには膨大な時間を要する。また、このようにコントローラの電源はオン状態を維持したまま周辺装置の電源をオフするような省エネ方法では、コントローラが高性能である場合、コントローラ自身の消費電力が大きいため、期待する省エネ効果が得られない場合がある。
システムメモリにセルフリフレッシュ機能(メモリ単体で自動的にリフレッシュ動作を行う機能)を有するSDRAM(シンクロナスDRAM)を使用するシステムの場合には、上記方法とは逆に、システムメモリをセルフリフレッシュ状態にしてシステムメモリ内のデータを保持させながらコントローラの電源をオフする方法を採用することができる。
このような方法を採用した場合、省エネモードから非省エネモードに復帰する際には、コントローラの内部レジスタやメモリインタフェース部等の初期化が終了した後にシステムメモリのセルフリフレッシュ状態を解除するのが理想的である。これは、コントローラが、初期化後でないとシステムメモリをリフレッシュさせるリフレッシュコマンドを出力できないためである。
ところが実際には、コントローラの電源が立ち上がってから安定するまでコントローラ内部の動作が不安定となるため、コントローラのメモリインターフェース部の動作が不定となり、場合によってはシステムメモリのセルフリフレッシュ状態が意図せずして解除されてしまう、という問題が発生する。セルフリフレッシュ状態が解除された後は、コントローラ側からシステムメモリに対して規定時間内にリフレッシュコマンドを出力してリフレッシュ動作を行わせる必要があるが、前述のように、リフレッシュコマンドは初期化が終了した後でないと出力することができないため、初期化が終了しないうちに上記規定時間が経過してしまうと、システムメモリ上のデータが消失してしまう、という問題が発生する。
そこで、このような問題を解決する技術として、コントローラのI/Oポートから初期化終了信号を出力し、該初期化終了信号と別途コントローラから出力されたクロックイネーブル信号に基づいてSDRAMをセルフリフレッシュ状態またはセルフリフレッシュ解除状態にするクロックイネーブル信号を生成するデータ処理回路が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特許3463242号公報
しかしながら、I/Oポートを備えていないコントローラの場合には、コントローラ外部にコントローラの初期化終了を検出して初期化終了信号を出力するための回路が別途必要となり、コストアップにつながってしまう。また、I/Oポートを備えたコントローラであっても、I/Oポートから出力される初期化終了信号自体がコントローラのソフトウェア的な機能により出力されるものであるから、電源オン時のコントローラ内部の不安定期間においてセルフリフレッシュ状態が意図せずして解除されてしまうという問題を確実に解消することはできない。
本発明は上述した問題を解決するためになされたものであり、簡単な回路構成でシステムメモリ上のデータを失わせることなく、システムメモリのセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができる制御装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の制御装置は、記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行う記憶装置を制御する制御装置であって、非省電力モードにあるときは前記記憶装置のリフレッシュ動作を制御すると共に、前記記憶装置をセルフリフレッシュ状態及びセルフリフレッシュ解除状態のいずれかの状態にするために出力レベルを切替えて第1の信号を出力するコントローラと、前記コントローラの省電力モードから非省電力モードへの移行時に、前記コントローラを初期化させる第2の信号を出力する出力手段と、前記第2の信号が出力されている期間は、前記第1の信号の出力レベルに拘わらず前記記憶装置のセルフリフレッシュ状態を維持する制御手段と、を含んで構成されている。
このような構成により、省電力モードから非省電力モードへの移行時の電源の立ち上がり期間の不安定な期間に第1の信号が不定レベルとなっても、第2の信号が出力されている期間は記憶装置がセルフリフレッシュ状態が解除されることはない。従って、記憶装置のセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができる。
また、第2の信号は、コントローラとは別の出力手段から出力されるため、第2の信号が不安定になることはなく、セルフリフレッシュ状態の維持を簡単な構成で行うことができる。
なお、出力手段は、前記第2の信号を前記コントローラの初期化に要する期間出力することができる。
これにより、コントローラの初期化が終了するまで、記憶装置のセルフリフレッシュ状態を確実に維持することができる。
なお、制御手段を、前記コントローラから出力される前記第1の信号と前記出力手段から出力される前記第2の信号とを論理積した論理積信号を前記記憶装置に出力する論理回路により構成することができる。
これにより、より簡単な構成でセルフリフレッシュ状態の解除のタイミングを制御することができる。
以上説明したように、本発明の制御装置によれば、簡単な回路構成で記憶装置上のデータを失わせることなく、記憶装置のセルフリフレッシュ状態の解除を好適なタイミングで行うことができることができる、という優れた効果を奏する。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施の形態におけるメモリ制御システムの構成図である。
メインコントロールユニット(MCU)10及びシステムメモリであるSDRAM12は、メモリバスを介して接続され、アドレス、コマンド、データが送受信される。
MCU10には、MCU_CKE信号出力端子が備えられ、該端子からSDRAM12をセルフリフレッシュ状態またはセルフリフレッシュ解除状態にするためのMCU_CKE信号が出力される。更にまた、MCU10には、MCU_Reset信号入力端子が備えられ、該端子には後述の省エネコントローラ14のRESET_IC18から出力されたMCU_Reset信号が入力される。MCU10にMCU_Reset信号が入力されると、MCU10で内部レジスタやメモリインタフェース部等の初期化が開始される。
MCU10には、Sleep電源Vsleepが供給されるが、省エネモード時には該Sleep電源Vsleepはオフされる。
SDRAM12には、CKE信号入力端子が備えられ、該端子には後述する論理積回路20から出力された論理積信号であるCKE信号が入力される。CKE信号がLowレベルのときには、SDRAM12はセルフリフレッシュ状態となり、CKE信号がHighレベルのときには、SDRAM12はセルフリフレッシュ解除状態となる。また、SDRAM12には、MCU10の省エネ/非省エネモードに関わりなく常に電源Vccが供給される。
メモリ制御システムには更に、省エネコントローラ14が設けられている。省エネコントローラ14には、電源のオンオフや、ユーザによるスイッチ等の押下等(省エネ解除要求)をモニタしてSLP_CONT信号を出力するモニタ回路16と、モニタ回路16から出力されたSLP_CONT信号を入力し、MCU_Reset信号を出力するRECET_IC18とが備えられている。
SLP_CONT信号は、省エネモードからの復帰を知らせる信号である。また、MCU_Reset信号は、MCU10に省エネモード復帰時に初期化を行わせる信号であり、前述のMCU10のMCU_Reset信号入力端子及び後述する論理積回路20の入力端子に入力される。RECET_IC18は、省エネモードから非省エネモードへの復帰時におけるMCU10の初期化に要する期間として予め定められた期間はLowレベルのMCU_Reset信号を出力し、それ以外の期間はHighレベルのMCU_Reset信号を出力する。省エネコントローラ14には、省エネ/非省エネモードに関わりなく常に電源Vccが供給される。
MCU10とSDRAM12との間には、論理積回路20が設けられている。論理積回路20の2つの入力端子には、MCU10から出力されたMCU_CKE信号と、RECET_IC18から出力されたMCU_Reset信号とがそれぞれ入力される。各入力端子に接続された入力ラインの各々には、一端が接地されたプルダウン抵抗22が設けられている。これにより、入力ラインにHighレベルの信号が出力されない限り、論理積回路20の入力端子にはLowレベルの信号が入力される。論理積回路20は、各入力端子からMCU_CKE信号とMCU_Reset信号とを論理積する。そして、該論理積した論理積信号としてのCKE信号をSDRAM12に出力する。なお、論理積回路20にも常に電源Vccが供給される。
図2は、省エネモード移行時の処理手順を示したシーケンス図である。
まず、省エネモード要求があると、MCU10は、MCU_CKE信号をHighレベルからLowレベルに切替えて出力する(ステップ100)。また、RESET_IC18からは引き続きHighレベルのMCU_Reset信号が出力される(ステップ102)。論理積回路20には、HighレベルのMCU_Reset信号とLowレベルのMCU_CKE信号が入力され、論理積回路20は、これら信号を論理積した論理積信号であるLowレベルのCKE信号をSDRAM12に出力する(ステップ104)。これにより、SDRAM12は、セルフリフレッシュ状態に移行する(ステップ106)。
一方、MCU10からLowレベルのMCU_CKE信号が出力された後は、省エネコントローラ14が、MCU10のSleep電源VSleepをオフする(ステップ108)。これにより、MCU10は省エネ状態に移行する(ステップ110)。なお、Sleep電源VSleepのオフはMCU10自体が行うようにしてもよい。
図3は、省エネモードから非省エネモードへの復帰時の処理手順を示したシーケンス図である。
まず、モニタ回路16がユーザのスイッチ等の押下等(省エネモード解除要求)を検知したときには、省エネモードから復帰するため、図4(A)及び(B)に示すように、モニタ回路16からRESET_IC18に対して省エネモードからの復帰を知らせるLowレベルのSleep_Cont信号が出力されると共に、Sleep電源Vsleepがオンされる(ステップ200)。RESET_IC18はLowレベルのSleep_Cont信号が入力されると、図4(C)に示すように、LowレベルのMCU_Reset信号を出力する(ステップ202)。
MCU10は、RESET_IC18からLowレベルのMCU_Reset信号が入力されると、内部レジスタ等の初期化を開始する(ステップ204)。更に、メモリインタフェースの初期化を行い(ステップ206)、その後、MCU_CKE信号をHighレベルに切替えて出力する(ステップ208)。
一方、RESET_IC18は、MCU10の初期化に要する期間として予め定められた期間が経過した後は、図4(C)に示すように、Highレベルに切替えてMCU_Reset信号を出力する(ステップ210)。このとき、論理積回路20には、HighレベルのMCU_Reset信号とHighレベルのMCU_CKE信号が入力されるため、論理積回路20は、これら信号を論理積した論理積信号であるHighレベルのCKE信号をSDRAM12に出力する(ステップ212)。これにより、SDRAM12は、セルフリフレッシュ状態を解除する(ステップ214)。
その後、MCU10は、通常動作状態に入り、SDRAM12に対してリフレッシュコマンドを定期的に出力する(ステップ216)。
図4(A)に示すように、SLeep電源Vsleepの立ち上がり期間は、MCU10の動作が不安定になるため、図4(D)に示すように、MCU10から出力されるMCU_CKE信号が不定レベルとなるが、図4(C)に示すように、電源立ち上がりの不安定期間を含み、MCU10の初期化処理が終了するまではMCU_Reset信号がLowレベルに維持されるので、MCU_CKE信号の出力レベルに拘わらず論理積回路20からはLowレベルのCKE信号が出力され続ける。従って、この期間は確実にSDRAM12に12のセルフリフレッシュ状態を維持することができ、これによりセルフリフレッシュ解除を好適なタイミングで行うことができる。
また、SDRAM12上のデータが消失することがないため、省エネモードからの復帰時にSDRAM12へプログラムデータ等を再ダウンロードせずにすむ。従って、省エネモードから通常モードへのスピーディな復帰が可能なシステムが実現できる。
さらにまた、CKE信号の制御をMCU10が有するメモリインターフェースと簡単な外部回路で実現できるため、コストを低く抑えることができる。
10 メインコントロールユニット(MCU)
12 SDRAM
14 省エネコントローラ
16 モニタ回路
18 RESET_IC
20 論理積回路
12 SDRAM
14 省エネコントローラ
16 モニタ回路
18 RESET_IC
20 論理積回路
Claims (3)
- 記憶保持にリフレッシュ動作が必要であり且つセルフリフレッシュ状態にあるときに単体で自動的にリフレッシュ動作を行う記憶装置を制御する制御装置であって、
非省電力モードにあるときは前記記憶装置のリフレッシュ動作を制御すると共に、前記記憶装置をセルフリフレッシュ状態及びセルフリフレッシュ解除状態のいずれかの状態にするために出力レベルを切替えて第1の信号を出力するコントローラと、
前記コントローラの省電力モードから非省電力モードへの移行時に、前記コントローラを初期化させる第2の信号を出力する出力手段と、
前記第2の信号が出力されている期間は、前記第1の信号の出力レベルに拘わらず前記記憶装置のセルフリフレッシュ状態を維持する制御手段と、
を含む制御装置。 - 前記出力手段は、前記第2の信号を前記コントローラの初期化に要する期間出力する請求項1記載の制御装置。
- 前記制御手段を、前記コントローラから出力される前記第1の信号と前記出力手段から出力される前記第2の信号とを論理積した論理積信号を前記記憶装置に出力する論理回路により構成した請求項1または請求項2記載の制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005179771A JP2006350957A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005179771A JP2006350957A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 制御装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006350957A true JP2006350957A (ja) | 2006-12-28 |
Family
ID=37646677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005179771A Pending JP2006350957A (ja) | 2005-06-20 | 2005-06-20 | 制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2006350957A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009282721A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Nec Electronics Corp | メモリコントローラ、メモリコントロールシステム及びメモリ遅延量制御方法 |
CN102279822A (zh) * | 2011-08-10 | 2011-12-14 | 深圳国微技术有限公司 | 智能卡数据捕获和播发器及其工作方法 |
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2005
- 2005-06-20 JP JP2005179771A patent/JP2006350957A/ja active Pending
Cited By (3)
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US8359490B2 (en) | 2008-05-21 | 2013-01-22 | Renesas Electronics Corporation | Memory controller, system including the controller, and memory delay amount control method |
CN102279822A (zh) * | 2011-08-10 | 2011-12-14 | 深圳国微技术有限公司 | 智能卡数据捕获和播发器及其工作方法 |
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