JP2006342330A - Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and method for dicing using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing slightly forming filamentous wastes during dicing without deteriorating product quality or causing disadvantages to cost and to provide a method for dicing using the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing. <P>SOLUTION: The pressure-sensitive adhesive sheet 10 for dicing has a pressure-sensitive adhesive layer 12 on at least one surface of a substrate 11. Furthermore, the substrate 11 is provided with a multilayer structure having a layer 11a containing an ethylenic resin having ≤95°C melting point. The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing is characterized in that the thickness of the layer 11a is ≥1/2 of the total thickness of the substrate 11. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ダイシング用粘着シートに関する。さらには当該ダイシング用粘着シートを用いてダイシングを行なう方法、当該ダイシング方法により得られる被切断体小片に関する。   The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing. Further, the present invention relates to a method for dicing using the dicing pressure-sensitive adhesive sheet, and to-be-cut piece obtained by the dicing method.

従来、シリコン、ガリウム、砒素などを材料とする半導体ウェハは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離(ダイシング)され、更にマウントされた後、パッケージングされる。このパッケージングでは、通常、複数個のチップが一度にパッケージングされ、更にこの半導体パッケージをダイシング、ピックアップして個々の半導体チップにする。半導体パッケージは、粘着シートに貼り付け固定された状態で、ダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程の各工程が施される。粘着シートとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤が1〜200μm程度が塗布されてなるものが一般的に用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor wafer made of silicon, gallium, arsenic, or the like is manufactured in a large diameter state, cut and separated (diced) into element pieces, further mounted, and then packaged. In this packaging, usually, a plurality of chips are packaged at a time, and this semiconductor package is further diced and picked up into individual semiconductor chips. The semiconductor package is subjected to a dicing process, a cleaning process, an expanding process, and a pick-up process in a state where the semiconductor package is adhered and fixed to the adhesive sheet. As the pressure-sensitive adhesive sheet, a sheet obtained by applying about 1 to 200 μm of an acrylic pressure-sensitive adhesive on a substrate made of a plastic film is generally used.

半導体パッケージのダイシング工程は、通常、回転しながら移動する丸刃を用いて行なわれる。その際、丸刃の切り込みは、半導体パッケージを保持するダイシング用粘着シートの基材内部に到達する様に行われる。このとき粘着シートの基材内部まで切込みが行なわれると、基材であるプラスチックフィルム自身が糸状となった切断屑が発生する。この糸状屑がパッケージ(被切断体)側面などに付着すると、付着した糸状屑は、そのまま後工程においてされて実装されてしまう。その結果、糸状屑が電子回路の品質を著しく低下させる原因になるという問題があった。   The dicing process of a semiconductor package is usually performed using a round blade that moves while rotating. At that time, the cutting of the round blade is performed so as to reach the inside of the base material of the adhesive sheet for dicing that holds the semiconductor package. At this time, when cutting is performed to the inside of the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet, cutting waste is generated in which the plastic film itself as the base material becomes a thread. When this thread-like waste adheres to the side surface of the package (object to be cut), the attached thread-like waste is mounted in a subsequent process as it is. As a result, there has been a problem that the filamentous waste causes the quality of the electronic circuit to be significantly reduced.

糸状屑の発生メカニズムは、次の通りである。即ち、特開2001−72947号公報(特許文献1)にもある通り、ダイシングブレードが被切断体を切断する際の摩擦で熱せられ、それが基材フィルムに切込むことにより基材フィルムを構成する樹脂が溶融する。溶融した樹脂は、ダイシングブレードの回転により巻き上げられた後、切削冷却水で冷却固化し糸状屑となる。従来行なわれていたシリコンウェハのダイシングにおいては、例えば特開平11−43656号公報(特許文献2)及び特開2003−7654号公報(特許文献3)等にあるようなポリプロピレンを主たる構成成分とする基材フィルムが糸状屑発生の抑制に有効であった。これはポリプロピレンの融点が高く、熱せられたダイシングブレードによって溶融することが少ない為であったと推定される。   The generation mechanism of filamentous waste is as follows. That is, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-72947 (Patent Document 1), the dicing blade is heated by friction when cutting the object to be cut, and the base film is configured by cutting into the base film. The resin to be melted. The melted resin is wound up by the rotation of the dicing blade, and then cooled and solidified with cutting cooling water to become thread-like waste. In conventional silicon wafer dicing, for example, polypropylene as described in JP-A-11-43656 (Patent Document 2) and JP-A-2003-7654 (Patent Document 3) is used as a main constituent. The base film was effective in suppressing the generation of filamentous waste. It is presumed that this was because polypropylene had a high melting point and was hardly melted by a heated dicing blade.

また、この様な糸状屑の問題を解決する手段として、前記先行技術の他に、例えば下記特開平5−156214号公報(特許文献4)及び特開平5−211234号公報(特許文献5)等に開示されている方法も挙げられる。   Further, as means for solving such a problem of filamentous waste, in addition to the above-described prior art, for example, the following JP-A-5-156214 (Patent Document 4) and JP-A-5-21234 (Patent Document 5) etc. Also disclosed is the method disclosed in.

しかし、特許文献2、4及び5に開示されている先行技術では、シリコンウェハのダイシング時に於ける糸状屑発生の問題は解決できたとしても、半導体パッケージのダイシングについてはこれを解消できない。   However, the prior arts disclosed in Patent Documents 2, 4 and 5 cannot solve the problem of the dicing of the semiconductor package even if the problem of the generation of the thread-like waste during the dicing of the silicon wafer can be solved.

即ち、特開平11−43656号公報(特許文献2)では、粘着シートの基材フィルムとして無延伸ポリプロピレンフィルムを用いることが提案されている。この方法は、シリコンウェハのダイシングについては糸状屑の発生を抑えることはできるが、本願発明者らの検討の結果、半導体パッケージのダイシングについては、その効果が十分でないことを確認した。また、エキスパンド性が無い等、作業性に於いても問題があった。   That is, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-43656 (Patent Document 2), it is proposed to use an unstretched polypropylene film as a base film of an adhesive sheet. Although this method can suppress the generation of thread-like debris for dicing silicon wafers, as a result of studies by the inventors of the present application, it has been confirmed that the effect is not sufficient for dicing semiconductor packages. There was also a problem in workability such as lack of expandability.

特開平5−156214号公報(特許文献4)では、基材としてエチレン−メタクリレート共重合体を用いた粘着シートが提案されている。しかしこの粘着シートは、シリコンダイシングでは多少糸状屑の発生を抑制するものの、半導体ウェハの製造における要求レベルを満たしうるものではない。また、半導体パッケージダイシングにおいては全くと言えるほどその効果が無い。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-156214 (Patent Document 4) proposes an adhesive sheet using an ethylene-methacrylate copolymer as a base material. However, this pressure-sensitive adhesive sheet, although somewhat suppressing the generation of thread waste in silicon dicing, does not satisfy the required level in the production of semiconductor wafers. In addition, the semiconductor package dicing is not so effective.

特開平5−211234号公報(特許文献5)では、基材フィルムに1〜80MRadの電子線又はγ線等の放射線を照射した架橋フィルムを用いた粘着シートが提案されている。この粘着シートは、基材フィルムの厚みが80〜100μm程度である場合には、シリコンウェハのダイシングに於いてある程度糸状屑の発生を抑制するという効果が認められる。しかし、基材フィルムの厚みが120μm以上、特に150〜300μmの場合、半導体パッケージをダイシングすると糸状屑が発生する。これは、基材フィルムの最表面はある程度架橋されるが、基材フィルム内部については放射線によって十分に架橋されていないことに起因する。   Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-21234 (Patent Document 5) proposes an adhesive sheet using a crosslinked film in which a base film is irradiated with radiation such as an electron beam of 1 to 80 MRad or γ-ray. In the pressure-sensitive adhesive sheet, when the thickness of the base film is about 80 to 100 μm, an effect of suppressing the generation of filamentous waste to some extent in the dicing of the silicon wafer is recognized. However, when the thickness of the base film is 120 μm or more, particularly 150 to 300 μm, thread waste is generated when the semiconductor package is diced. This is because the outermost surface of the substrate film is crosslinked to some extent, but the inside of the substrate film is not sufficiently crosslinked by radiation.

特開2001−72947号公報JP 2001-72947 A 特開平11−43656号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-43656 特開2003−7654号公報JP 2003-7654 A 特開平5−156214号公報JP-A-5-156214 特開平5−211234号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-21234

本発明は上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであり、製品品位の低下やコスト的な不利益が無く、しかもダイシング時の糸状屑の発生の少ないダイシング用粘着シートを提供することを目的とする。さらには、当該ダイシング用粘着シートを用いたダイシング方法を提供することを目的とする。   The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, and provides a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing that is free from degradation of product quality and cost disadvantages and that is less likely to generate thread waste during dicing. The purpose is to do. Furthermore, it aims at providing the dicing method using the said adhesive sheet for dicing.

本発明者は、前記課題を解決すべくダイシング用粘着シートを構成する基材フィルムについて鋭意検討した。その結果、エチレン系樹脂を含み、かつ融点95℃以下の層を備えた多層構造の基材フィルムを採用することにより、ダイシングの際に糸状屑の発生を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。   This inventor earnestly examined about the base film which comprises the adhesive sheet for dicing in order to solve the said subject. As a result, it has been found that by using a base film having a multilayer structure including an ethylene-based resin and having a layer having a melting point of 95 ° C. or less, the generation of filamentous waste during dicing can be reduced, and the present invention is completed. It came to.

即ち、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、前記層の厚さが、基材の総厚みの1/2以上であることを特徴とする。   That is, in order to solve the above problems, the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base material, and the base material has a melting point of 95 ° C. or lower. It is a multilayer structure which has a layer containing these ethylene-type resin, The thickness of the said layer is 1/2 or more of the total thickness of a base material, It is characterized by the above-mentioned.

融点の高い樹脂(例えば、ポリプロピレン等)等を主成分とする基材を備えたダイシング用粘着シートを用いる場合でも、例えば半導体パッケージをダイシングするときに、ダイシングブレードと被切断体との間に生じる摩擦熱がその融点よりも高くなる場合がある。半導体パッケージは、シリコンウェハ等と比較して厚みが大きく、ダイシングブレードも厚みの大きいものを使用するので、ダイシングブレードと半導体パッケージとの間の摩擦が大きくなるからである。   Even when a dicing adhesive sheet having a base material mainly composed of a resin having a high melting point (for example, polypropylene) is used, for example, when a semiconductor package is diced, it is generated between the dicing blade and the object to be cut. The frictional heat may be higher than its melting point. This is because a semiconductor package is thicker than a silicon wafer or the like and a dicing blade having a large thickness is used, so that friction between the dicing blade and the semiconductor package is increased.

本発明に係るダイシング用粘着シートであると、基材として融点95℃以下のエチレン系樹脂を含む層を有する多層構造のものを用いて、該基材の溶融時の溶融粘度を十分に下げるようにする。これにより、前記層がダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、溶融張力により糸状に伸びる状態が起こらず、液体のような飛散を可能にすることで、糸状屑の発生を顕著に抑制することができる。   The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the present invention uses a multilayer structure having a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or lower as the base material, so that the melt viscosity at the time of melting of the base material is sufficiently lowered To. As a result, even when the layer is wound up by the rotation of the dicing blade, a state where the layer does not extend into a filament shape due to melt tension does not occur, and the occurrence of filamentous waste can be remarkably suppressed by enabling scattering like a liquid. it can.

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を有することを特徴とする。   In order to solve the above problems, the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to the present invention is a pressure-sensitive adhesive sheet for dicing having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base material, and the base material has a melting point of 95 ° C. or lower. And a layer having a cross-linked structure on a side in contact with the pressure-sensitive adhesive layer.

前記基材が、融点95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を備える場合でも、ダイシングブレードの回転によって巻き上げられたときに、その層の溶融時の溶融粘度が十分に下がらず、溶融張力により糸状に伸びて、いわゆるヒゲが発生することがある。これは、ダイシング刃が被切断体を切断し終えると、被切断体が無くなったことによって、ダイシング刃の温度が低下することに起因する。この様なヒゲは被切断体と直接接するものではないが、ダイシング中に千切れた場合、切削水で流される等して被切断体に付着することがある。しかし、前記構成の様に、ダイシング刃により切断されてしまう部分に架橋構造を有する層を位置させることで、前記の様なヒゲの発生を抑制することができる。また、ダイシング刃の切り込み深さが大きい場合であっても、架橋構造を有する層の下には融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層が設けられていることから、糸状屑の発生も抑制できる。   Even when the base material includes a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or lower, when wound up by the rotation of a dicing blade, the melt viscosity at the time of melting of the layer is not sufficiently lowered, and the melt tension The so-called beard may be generated by extending into a thread shape. This is because when the dicing blade finishes cutting the object to be cut, the temperature of the dicing blade decreases due to the fact that the object to be cut is lost. Such whiskers are not in direct contact with the object to be cut, but when they are broken during dicing, they may adhere to the object to be cut, such as being washed with cutting water. However, as described above, by placing a layer having a cross-linked structure in a portion that is cut by a dicing blade, the generation of the beard as described above can be suppressed. In addition, even when the cutting depth of the dicing blade is large, a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or lower is provided under the layer having a cross-linked structure. Can also be suppressed.

前記の各構成に於いて、前記エチレン系樹脂の190℃に於けるメルトフローレートは、1.5g/10min以上であることが好ましい。   In each of the above structures, the melt flow rate at 190 ° C. of the ethylene-based resin is preferably 1.5 g / 10 min or more.

前記エチレン系樹脂の190℃に於けるメルトフローレートが1.5g/10min以上であると、溶融時の流動性を大きくすることができる。その結果、溶融張力を一層低減し、前記の層を構成する樹脂が糸状に伸びるのを更に抑制できる。   When the melt flow rate at 190 ° C. of the ethylene-based resin is 1.5 g / 10 min or more, the fluidity at the time of melting can be increased. As a result, the melt tension can be further reduced, and the resin constituting the layer can be further suppressed from extending into a thread shape.

前記の各構成に於いて、前記基材の総厚みは100μm以上であることが好ましい。   In each of the above structures, the total thickness of the base material is preferably 100 μm or more.

前記構成は、粘着シートに十分な厚みを持たせるべく基材の層厚みを100μm以上にするものである。これにより、半導体パッケージのダイシングの際にダイシングブレードを粘着シートに十分に切り込むことができる。その結果、半導体パッケージに対する切断品位の向上が可能な粘着シートを提供できる。   The said structure makes the layer thickness of a base material 100 micrometers or more in order to give sufficient thickness to an adhesive sheet. Thereby, the dicing blade can be sufficiently cut into the adhesive sheet when dicing the semiconductor package. As a result, an adhesive sheet capable of improving the cutting quality with respect to the semiconductor package can be provided.

前記の各構成に於いて、前記粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を含み構成されたものであることが好ましい。   In each of the above configurations, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably configured to include a radiation curable pressure-sensitive adhesive.

放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層を用いれば、放射線を照射することにより粘着力を低下させることが出来、半導体パッケージ等を切断分離した後に、半導体パッケージ等の剥離を容易に行なうことができる。   By using a pressure-sensitive adhesive layer formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, the adhesive strength can be reduced by irradiating with radiation, and the semiconductor package and the like can be easily separated after being cut and separated. Can do.

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング方法は、ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、前記基材は、融点95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、前記層の厚さが、基材の総厚みの1/2以上のものを使用することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the dicing method according to the present invention is a dicing method in which the object to be cut, to which the dicing adhesive sheet is bonded, is diced by cutting into the base material of the dicing adhesive sheet. The dicing pressure-sensitive adhesive sheet has a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base material, and the base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene resin having a melting point of 95 ° C. or lower. A layer having a thickness of 1/2 or more of the total thickness of the substrate is used.

前記方法であると、ダイシング時に於けるダイシングブレードの摩擦熱により基材に於ける粘着剤層側の層が溶融し、該層を構成する樹脂がダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、該層を構成する樹脂の融点が95℃以下であり溶融粘度が十分に小さい為、溶融張力により樹脂が糸状に伸びるのを低減する。即ち、液体のように飛散するので糸状屑の発生を顕著に抑制できる。その結果、例えば糸状屑が被切断体に付着したまま実装されることにより、被切断体の品質が著しく低下するのを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。   In the above method, even if the layer on the adhesive layer side of the base material is melted by the frictional heat of the dicing blade during dicing, and the resin constituting the layer is wound up by the rotation of the dicing blade, the layer Since the melting point of the resin constituting the resin is 95 ° C. or less and the melt viscosity is sufficiently small, it is possible to reduce the elongation of the resin into a thread shape due to the melt tension. That is, since it scatters like a liquid, generation | occurrence | production of filamentous waste can be suppressed notably. As a result, for example, by mounting the thread-like scraps while adhering to the object to be cut, it is possible to suppress the quality of the object to be cut from being significantly lowered and to improve the yield.

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係るダイシング方法は、ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the dicing method according to the present invention is a dicing method in which the object to be cut, to which the dicing adhesive sheet is bonded, is diced by cutting into the base material of the dicing adhesive sheet. The dicing pressure-sensitive adhesive sheet has a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the base material, and the base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene resin having a melting point of 95 ° C. or lower. And the thing provided with the layer which has a crosslinked structure in the side which touches the said adhesive layer is used, It is characterized by the above-mentioned.

前記方法であると、ダイシング用粘着シートとして、基材が粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用するので、ダイシング刃が被切断体を切断し終えたときに、被切断体が無くなったことによって、ダイシング刃の温度が低下した場合にも、いわゆるヒゲが発生するのを抑制することができる。加えて、ダイシング刃の切り込み深さが大きい場合であっても、架橋構造を有する層の下には融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層が設けられていることから、糸状屑の発生も抑制できる。その結果、ダイシング中に千切れたヒゲや、糸状屑が被切断体に付着したまま実装されることにより、被切断体の品質が著しく低下するのを抑制し、歩留まりの向上を図ることができる。   When using the method, as the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, since the substrate is provided with a layer having a crosslinked structure on the side in contact with the pressure-sensitive adhesive layer, when the dicing blade has finished cutting the object to be cut, Even when the temperature of the dicing blade is reduced due to the absence of the object to be cut, it is possible to suppress the occurrence of so-called whiskers. In addition, even when the cutting depth of the dicing blade is large, a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or lower is provided under the layer having a crosslinked structure. Occurrence can also be suppressed. As a result, it is possible to improve the yield by suppressing the quality of the object to be cut significantly by mounting the whiskers and thread scraps while being attached to the object to be cut while dicing. .

前記各方法に於いては、前記ダイシングを行った後、切断後の被切断体小片をダイシング用粘着シートからピックアップする工程を含むことができる。   Each of the above methods can include a step of picking up a cut piece after cutting from the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing after performing the dicing.

これにより、ダイシング工程からピックアップ工程までを同一の粘着シートで行なうことが可能となり、生産効率の向上が図れる。   Thereby, it becomes possible to perform from a dicing process to a pick-up process with the same adhesive sheet, and improvement of production efficiency can be aimed at.

また、前記各方法に於いては、前記ダイシングに於いて使用するダイシングブレードに、メタルをボンド材とするダイヤモンドブレードを用いることが好ましい。   In each of the above methods, it is preferable to use a diamond blade having a metal as a bonding material for the dicing blade used in the dicing.

前記の方法によれば、ボンド材としてメタルを使用すると、ダイシング時に於ける切断の発熱を大きくできる。これにより、融点が95℃以下の層を構成する樹脂の溶融粘度が下がり、糸状屑生成を一層抑制できる。   According to the above method, if metal is used as the bonding material, the heat generated by cutting during dicing can be increased. Thereby, the melt viscosity of resin which comprises a layer whose melting | fusing point is 95 degrees C or less falls, and it can further suppress a filamentous waste production | generation.

また、前記被切断体が半導体パッケージである場合に、本発明に係るダイシング方法が最も効果を奏する。   Further, when the object to be cut is a semiconductor package, the dicing method according to the present invention is most effective.

前記の方法であると、糸状屑の発生を低減するので、半導体装置の品質を劣化することなく歩留まりの向上が図れる。   With the above method, since the generation of thread waste is reduced, the yield can be improved without degrading the quality of the semiconductor device.

また、前記の課題を解決する為に、本発明に係る被切断体小片は、前記に記載のダイシング方法に於いて、前記被切断体をダイシングすることにより得られたものである。   Moreover, in order to solve the said subject, the to-be-cut | disconnected body piece which concerns on this invention is obtained by dicing the said to-be-cut | disconnected object in the dicing method as described above.

前記に記載のダイシング方法により製造された被切断体小片は糸状屑の付着がなく、優れた品質を有する。   The to-be-cut body piece manufactured by the dicing method described above has no quality of thread-like waste and has excellent quality.

本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明によれば、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を粘着剤層側に設けることにより、ダイシング時に発生する基材の糸状屑の発生を低減し、歩留まりを向上させることができる。
The present invention has the following effects by the means described above.
That is, according to the present invention, by providing a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or less on the pressure-sensitive adhesive layer side, generation of filamentous waste of the base material generated during dicing is reduced and yield is improved. be able to.

(ダイシング用粘着シート)
本発明の実施の形態に係るダイシング用粘着シートについて、図を参照しながら以下に説明する。但し、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にする為に拡大または縮小等して図示した部分がある。図1(a)は、本実施の形態に係るダイシング用粘着シート(以下、粘着シートと言う)の概略を示す断面模式図である。
(Adhesive sheet for dicing)
The dicing adhesive sheet according to the embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, parts that are not necessary for the description are omitted, and some parts are illustrated by being enlarged or reduced for easy explanation. FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing an outline of a dicing pressure-sensitive adhesive sheet (hereinafter referred to as a pressure-sensitive adhesive sheet) according to the present embodiment.

図1(a)に示すように、粘着シート10は、基材フィルム11の片面に粘着剤層12及びセパレータ13が順次積層された構成である。   As shown in FIG. 1A, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 has a configuration in which a pressure-sensitive adhesive layer 12 and a separator 13 are sequentially laminated on one side of a base film 11.

前記基材フィルム(基材)11は、粘着剤層12等の支持母体となるものであり、少なくとも内層11aと外層11bとから構成される多層フィルムである。内層11aは、粘着剤層12に対向する様に設けられている。   The base film (base material) 11 serves as a support base for the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the like, and is a multilayer film composed of at least an inner layer 11a and an outer layer 11b. The inner layer 11 a is provided so as to face the pressure-sensitive adhesive layer 12.

前記内層11aは、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含む層である。但し、該エチレン系樹脂の融点は40℃以上であることが好ましく、70℃以上であることがより好ましい。融点が低すぎると、内層11aの製膜や、室温での保管が困難となる場合があるからである。エチレン系樹脂としては特に限定されるものではなく、例えばエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、エチレンとα−オレフィンとの共重合体等が挙げられる。なお、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体とは、エチレン−アクリル酸共重合体及び/又はエチレン−メタクリル酸共重合体をいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   The inner layer 11a is a layer containing an ethylene resin having a melting point of 95 ° C. or lower. However, the melting point of the ethylene-based resin is preferably 40 ° C. or higher, and more preferably 70 ° C. or higher. This is because if the melting point is too low, film formation of the inner layer 11a and storage at room temperature may be difficult. The ethylene resin is not particularly limited. For example, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, ionomer resin, polyurethane resin , A polybutadiene resin, a copolymer of ethylene and α-olefin, and the like. In addition, an ethylene- (meth) acrylic acid copolymer means an ethylene-acrylic acid copolymer and / or an ethylene-methacrylic acid copolymer, and (meth) in the present invention has the same meaning.

内層11aに含まれる他の構成材料としては特に限定されるものではなく、例えば低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、SEBS、SEPS等が例示できる。   Other constituent materials included in the inner layer 11a are not particularly limited, and examples thereof include low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, SEBS, and SEPS.

前記外層11bとしては特に限定されるものではなく、例えば、低密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−αオレフィン共重合体等が例示できる。   The outer layer 11b is not particularly limited, and examples thereof include low density polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, polypropylene, polyester, polyvinyl chloride, ethylene-vinyl acetate copolymer, and ethylene- (meth) acrylic acid. Examples thereof include a copolymer, an ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer, an ionomer resin, and an ethylene-α olefin copolymer.

前記エチレン系樹脂の含有率としては、好ましくは40%wt以上、更に好ましくは50wt%以上、特に好ましくは60wt%以上である。エチレン系樹脂の含有率を前記範囲内とすることにより、内層11aの溶融時の溶融粘度を十分に下げるようにする。その結果、内層11aがダイシングブレードの回転によって巻き上げられても、溶融張力により糸状に伸びるのを防止する。   The content of the ethylene resin is preferably 40% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and particularly preferably 60% by weight or more. By setting the content of the ethylene-based resin within the above range, the melt viscosity when the inner layer 11a is melted is sufficiently lowered. As a result, even if the inner layer 11a is wound up by the rotation of the dicing blade, the inner layer 11a is prevented from being elongated by melt tension.

前記エチレン系樹脂は、190℃におけるメルトフローレートが1.5g/10min以上であることが好ましく、2g/10min以上であることがより好ましい。メルトフローレートを1.5g/10min以上とすることにより、内層11aの溶融時に於ける流動性を高くすることができる。但し、メルトフローレートの上限値は、フィルムの製膜性を考慮すると、12g/10min以下である。   The ethylene resin preferably has a melt flow rate at 190 ° C. of 1.5 g / 10 min or more, and more preferably 2 g / 10 min or more. By setting the melt flow rate to 1.5 g / 10 min or more, the fluidity when the inner layer 11a is melted can be increased. However, the upper limit of the melt flow rate is 12 g / 10 min or less in consideration of the film formability of the film.

前記基材フィルム11の厚さは、通常100〜500μmの範囲内であることが好ましい。しかし、ダイシングの際のダイシングブレードを粘着シート10に十分に切り込ませるには、粘着シート10に十分な厚みを付与すべく、120μm以上であることがより好ましい。被切断体にダイシングが不十分な部分ができるのを防止して、切断品位を高いレベルで維持する為である。   It is preferable that the thickness of the base film 11 is usually in the range of 100 to 500 μm. However, in order to sufficiently cut the dicing blade in the pressure-sensitive adhesive sheet 10 at the time of dicing, the thickness is more preferably 120 μm or more in order to give the pressure-sensitive adhesive sheet 10 a sufficient thickness. This is to prevent the portion to be cut from being insufficiently diced and maintain the cutting quality at a high level.

ここで、内層11aの厚さは、基材フィルム11の総厚みの1/2以上であることが好ましい。基材フィルム11の厚さを考慮すると、より詳細には50μm以上、250μm未満の範囲内とするのが好ましい。また、基材フィルム11における内層11aは、半導体パッケージのダイシング時にダイシングブレードが到達する位置に設ける必要がある。よってかかる観点からは、内層11aは粘着剤層12に接し、かつその厚みが80μm以上あることが好ましい。   Here, it is preferable that the thickness of the inner layer 11 a is ½ or more of the total thickness of the base film 11. In consideration of the thickness of the base film 11, it is preferable that the thickness is in the range of 50 μm or more and less than 250 μm in more detail. Moreover, the inner layer 11a in the base film 11 needs to be provided at a position where the dicing blade reaches when the semiconductor package is diced. Therefore, from this viewpoint, the inner layer 11a is preferably in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 12 and has a thickness of 80 μm or more.

基材フィルム11は、無延伸のものを用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。また、その表面には、必要に応じてマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋処理(化学架橋(シラン結合))などの慣用の物理的または化学的処理を施すことができる。   The base film 11 may be non-stretched or may be uniaxially or biaxially stretched as necessary. Further, the surface can be subjected to conventional physical or chemical treatment such as mat treatment, corona discharge treatment, primer treatment, and crosslinking treatment (chemical crosslinking (silane bonding)) as necessary.

粘着剤層12を構成する粘着剤としては、一般的に使用されている感圧性の粘着剤を使用できる。具体的には、例えばアクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ポリビニルエーテル等の各種粘着剤が挙げられる。なかでも、被切断体としての半導体ウェハや半導体パッケージに対する接着性、剥離後の半導体ウェハ等の超純水やアルコール等の有機溶剤による洗浄性などの点から、(メタ)アクリル系ポリマーをベースポリマーとする(メタ)アクリル系粘着剤が好ましい。   As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 12, a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive generally used can be used. Specific examples include various pressure-sensitive adhesives such as acrylic pressure-sensitive adhesives, rubber-based pressure-sensitive adhesives, silicone-based pressure-sensitive adhesives, and polyvinyl ethers. In particular, (meth) acrylic polymers are used as base polymers in terms of adhesion to semiconductor wafers and semiconductor packages as objects to be cut, and cleanability of semiconductor wafers after peeling with organic solvents such as ultrapure water and alcohol. A (meth) acrylic pressure-sensitive adhesive is preferred.

前記(メタ)アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、イソノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどの炭素数1〜30のアルキル基、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど)、(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど)、(メタ)アクリル酸ヒドロキシアルキルエステル(例えば、ヒドロキシエチルエステル、ヒドロキシブチルエステル、ヒドロキシヘキシルエステル等)、(メタ)アクリル酸グリシジルエステル、(メタ)アクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、(メタ)アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸N−ヒドロキシメチルアミド、(メタ)アクリル酸アルキルアミノアルキルエステル(例えば、ジメチルアミノエチルメタクリレート、t−ブチルアミノエチルメタクリレート等)、酢酸ビニル、スチレンの1種又は2種以上を単量体成分として用いた(メタ)アクリル系ポリマーなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, Pentyl ester, isopentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, isononyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester , Hexadecyl ester, octadecyl ester, eicosyl ester, etc., and an alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, particularly a linear or branched alkyl group having 4 to 18 carbon atoms. Tellurium), (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, cyclopentyl ester, cyclohexyl ester, etc.), (meth) acrylic acid hydroxyalkyl esters (for example, hydroxyethyl ester, hydroxybutyl ester, hydroxyhexyl ester, etc.), (meta ) Glycidyl acrylate, (meth) acrylic acid, itaconic acid, maleic anhydride, (meth) acrylic acid amide, (meth) acrylic acid N-hydroxymethylamide, (meth) acrylic acid alkylaminoalkyl esters (eg, dimethyl) (Aminoethyl methacrylate, t-butylaminoethyl methacrylate, etc.), vinyl acetate, and (meth) acrylic polymers using one or more of styrene as monomer components.

前記(メタ)アクリル系ポリマーは凝集力、接着性などの改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の30重量%以下が好ましく、さらに好ましくは15重量%以下である。   The (meth) acrylic polymer is a unit corresponding to another monomer component copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, adhesiveness and the like. May be included. Examples of such monomer components include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; The Sulfonic acid groups such as lensulfonic acid, allylsulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropanesulfonic acid, (meth) acrylamidepropanesulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalenesulfonic acid Containing monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 30% by weight or less, more preferably 15% by weight or less, based on the total monomer components.

さらに、前記(メタ)アクリル系ポリマーは、これを架橋させるため、多官能性モノマーなども必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。ベースポリマーを架橋させることにより、粘着剤層の自己保持性が向上するので粘着シートの大きな変形を防止でき、粘着シート10の平板状態を維持しやすくなる。   Furthermore, in order to crosslink the (meth) acrylic polymer, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. By crosslinking the base polymer, the self-holding property of the pressure-sensitive adhesive layer is improved, so that a large deformation of the pressure-sensitive adhesive sheet can be prevented and the flat state of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be easily maintained.

多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。   Examples of multifunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, and pentaerythritol di (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, etc. Can be mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

前記(メタ)アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は二種以上のモノマー混合物を重合することにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合、光重合等の何れの方式で行うこともできる。特に、紫外線や電子線などの放射線を照射して重合する場合には、ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーにモノマー成分と光重合開始剤とを配合して得られる液状組成物をキャストして光重合させることにより(メタ)アクリル系ポリマーを合成することが好ましい。   The (meth) acrylic polymer can be obtained by polymerizing a single monomer or a mixture of two or more monomers. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization, and photopolymerization. In particular, when polymerizing by irradiating radiation such as ultraviolet rays or electron beams, photopolymerization is performed by casting a liquid composition obtained by mixing a monomer component and a photopolymerization initiator in a urethane (meth) acrylate oligomer. It is preferable to synthesize a (meth) acrylic polymer.

前記ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーは、数平均分子量が500〜10万程度、好ましくは1000〜3万のものであり、かつエステル・ジオールを主骨格とする2官能化合物である。また、モノマー成分としては、モルホリン(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、メトキシ化シクロデカトリエン(メタ)アクリレート等が挙げられる。ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーとモノマー成分との混合比は、オリゴマー:モノマー成分=95〜5:5〜95(重量%)であることが好ましく、さらに好ましくは50〜70:50〜30(重量%)である。ウレタン(メタ)アクリレート系オリゴマーの含有量が多いと液状組成物の粘度が高くなって重合が困難となる傾向にある。   The urethane (meth) acrylate oligomer is a bifunctional compound having a number average molecular weight of about 500 to 100,000, preferably 1000 to 30,000, and having an ester diol as a main skeleton. Examples of the monomer component include morpholine (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, and methoxylated cyclodecatriene (meth) acrylate. The mixing ratio of the urethane (meth) acrylate oligomer and the monomer component is preferably oligomer: monomer component = 95-5: 5-95 (% by weight), more preferably 50-70: 50-30 (weight). %). When the content of the urethane (meth) acrylate oligomer is large, the viscosity of the liquid composition tends to be high and polymerization tends to be difficult.

粘着剤層12は被切断体等の汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、(メタ)アクリル系ポリマーの数平均分子量は、20万〜300万程度が好ましく、さらに好ましくは25万〜150万程度である。   The pressure-sensitive adhesive layer 12 preferably has a low content of a low molecular weight substance from the viewpoint of preventing contamination of the object to be cut. From this point, the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer is preferably about 200,000 to 3,000,000, more preferably about 250,000 to 1,500,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーである(メタ)アクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、メラミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミン、カルボキシル基含有ポリマーなどのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー100重量部に対して、1〜5重量部程度配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により前記成分の他に従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。   Moreover, in order to increase the number average molecular weight of the (meth) acrylic polymer as a base polymer, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive. Specific means for the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, a melamine resin, a urea resin, an epoxy resin, a polyamine, a carboxyl group-containing polymer, and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked, and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to mix about 1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, you may use additives, such as conventionally well-known various tackifiers and anti-aging agent other than the said component as needed, for an adhesive.

また、前記粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤を使用できる。放射線硬化型粘着剤は炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、紫外線照射によって粘着力が低下する紫外線硬化型粘着剤が望ましい。かかる粘着剤層12によれば、バックグラインド(研削)工程後またはダイシング工程後に紫外線照射によって、粘着シート10の剥離を容易に行うことができる。   Moreover, a radiation curable pressure sensitive adhesive can be used as the pressure sensitive adhesive. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation-curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation is desirable. According to the pressure-sensitive adhesive layer 12, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 can be easily peeled off by ultraviolet irradiation after the back grinding (grinding) step or the dicing step.

紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、前記(メタ)アクリル酸エステルの単独重合又は共重合性コモノマーとの共重合体(アクリル系ポリマー)と紫外線硬化成分(前記アクリルポリマーの側鎖に炭素−炭素二重結合を付加させたものでもよい)と、光重合開始剤と、必要に応じて、架橋剤、粘着付与剤、充填剤、老化防止剤、着色剤等の慣用の添加剤とにより構成できる。   Examples of the ultraviolet curable adhesive include, for example, a copolymer (acrylic polymer) of a homopolymer of the (meth) acrylic acid ester or a copolymerizable comonomer and an ultraviolet curable component (carbon-carbon in the side chain of the acrylic polymer). A double bond may be added), a photopolymerization initiator, and, if necessary, conventional additives such as a crosslinking agent, a tackifier, a filler, an anti-aging agent, and a coloring agent. .

前記紫外線硬化性の成分としては、分子中に炭素−炭素二重結合を有し、ラジカル重合により硬化可能なモノマー、オリゴマー、またはポリマーであればよい。具体的には、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−へキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート等の(メタ)アクリル酸と多価アルコールとのエステル;エステルアクリレートオリゴマー;2−プロペニルジ−3−ブテニルシアヌレート、2−ヒドロキシエチルビス(2−アクリロキシエチル)イソシアヌレート、トリス(2−メタクリロキシエチル)イソシアヌレートなどのイソシアヌレート又はイソシアヌレート化合物などが挙げられる。なお、アクリル系ポリマーとして、ポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を有する紫外線硬化型ポリマーを使用する場合においては、特に上記紫外線硬化成分を加える必要はない。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤を構成する(メタ)アクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、例えば20〜200重量部、好ましくは50〜150重量部程度である。   The ultraviolet curable component may be any monomer, oligomer, or polymer that has a carbon-carbon double bond in the molecule and can be cured by radical polymerization. Specifically, for example, urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate , Dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol Esters of (meth) acrylic acid and polyhydric alcohols such as di (meth) acrylate and dipentaerythritol hexa (meth) acrylate; ester acrylate oligomers; 2-propenyl di-3 Butenyl cyanurate, 2-hydroxyethyl bis (2-acryloxyethyl) isocyanurate, tris (2-methacryloxyethyl) isocyanurate or isocyanurate compounds such as isocyanurate. In addition, when using the ultraviolet curable polymer which has a carbon-carbon double bond in a polymer side chain as an acrylic polymer, it is not necessary to add the said ultraviolet curable component in particular. The compounding amount of the ultraviolet curable monomer component or oligomer component is, for example, 20 to 200 parts by weight, preferably 50 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer such as (meth) acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive. Degree.

また、放射線硬化性の粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、或いは多くを含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤中を移動することがない。これにより、安定した層構造の粘着剤層12を形成することができる。   In addition to the additive-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive described above, the radiation-curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond as a base polymer in the polymer side chain, main chain, or main chain terminal. Intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesives that use materials are listed. The intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive does not need to contain an oligomer component or the like which is a low molecular component, or does not contain much, so that the oligomer component or the like does not move in the pressure-sensitive adhesive over time. Thereby, the adhesive layer 12 having a stable layer structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、(メタ)アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。(メタ)アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示した(メタ)アクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, a polymer having a (meth) acrylic polymer as a basic skeleton is preferable. Examples of the basic skeleton of the (meth) acrylic polymer include the (meth) acrylic polymers exemplified above.

前記(メタ)アクリル系ポリマーに於けるポリマー側鎖に炭素−炭素二重結合を導入すると、分子設計が容易となる。炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できる。例えば、予め(メタ)アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法が挙げられる。   Introducing a carbon-carbon double bond to the polymer side chain in the (meth) acrylic polymer facilitates molecular design. The method for introducing the carbon-carbon double bond is not particularly limited, and various methods can be adopted. For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with a (meth) acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation of the carbon-carbon double bond. Examples of the method include a condensation or addition reaction while maintaining the curability.

これらの官能基の組合せ例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さの観点から、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有する(メタ)アクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基は(メタ)アクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、(メタ)アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、(メタ)アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや、2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、またはジエチレングルコールモノビニルエーテルなどのエーテル系化合物を共重合したものが挙げられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable from the viewpoint of easy reaction tracking. Moreover, if it is a combination which produces | generates the said (meth) acrylic-type polymer which has the said carbon-carbon double bond by the combination of these functional groups, a functional group will be any side of a (meth) acrylic-type polymer and the said compound However, in the preferable combination, it is preferable that the (meth) acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Examples of the (meth) acrylic polymer include those obtained by copolymerization of the above-exemplified hydroxy group-containing monomers and ether compounds such as 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, or diethylene glycol monovinyl ether. It is done.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤としては、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特に(メタ)アクリル系ポリマー)を単独で使用することができる。また、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等の配合量は、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部以下であり、好ましくは10重量部以下である。   As the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly, (meth) acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone. Further, the radiation-curable monomer component or oligomer component can be blended to such an extent that the characteristics are not deteriorated. The amount of the radiation-curable oligomer component or the like is usually 30 parts by weight or less, preferably 10 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the base polymer.

前記重合開始剤としては、その重合反応の引き金となり得る適当な波長の紫外線を照射することにより開裂しラジカルを生成する物質であれば良い。具体的には、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ペンゾインイソブチルエーテル等のペンゾインアルキルエーテル類;ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等の芳香族ケトン類;ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール類;ポリビニルベンゾフェノン;クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントンなどのチオキサントン類などが挙げられる。重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成する(メタ)アクリル系ポリマー等のベースポリマー100重量部に対して、0.1〜20重量部程度であり、好ましくは1〜10重量部である。   The polymerization initiator may be any substance that can be cleaved to generate radicals by irradiation with ultraviolet rays having an appropriate wavelength that can trigger the polymerization reaction. Specifically, for example, benzoin alkyl ethers such as benzoin methyl ether, benzoin isopropyl ether and benzoin isobutyl ether; aromatic ketones such as benzyl, benzoin, benzophenone and α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; benzyldimethyl Aromatic ketals such as ketals; polyvinyl benzophenones; thioxanthones such as chlorothioxanthone, dodecyl thioxanthone, dimethyl thioxanthone, and diethyl thioxanthone. The compounding quantity of a polymerization initiator is about 0.1-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as (meth) acrylic-type polymer which comprises an adhesive, Preferably it is 1-10 weight part. .

一方、前記加熱剥離型粘着剤としては、前記一般的な感圧性粘着剤に熱膨張性微粒子が配合された熱発泡型粘着剤が挙げられる。物品の接着目的を達成したのち熱膨張性微粒子を含有する感圧接着剤を加熱することで粘着剤層12が発泡もしくは膨張して粘着剤層12表面が凹凸に変化し、被着体との接着面積の減少により接着力低減し、物品を容易に分離できるようにしたものであり、電子物品やその材料等の加工時における固定や、搬送等の物流など、多種多様な目的で用いられている。   On the other hand, examples of the heat-peelable pressure-sensitive adhesive include a heat-foaming pressure-sensitive adhesive in which thermally expandable fine particles are blended with the general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive. After achieving the purpose of bonding the article, the pressure-sensitive adhesive containing the thermally expandable fine particles is heated, whereby the pressure-sensitive adhesive layer 12 is foamed or expanded to change the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 into irregularities. The adhesive area is reduced by reducing the adhesion area, and the articles can be easily separated, and they are used for various purposes such as fixing electronic goods and their materials during processing, logistics for transportation, etc. Yes.

熱膨張性微粒子については特に限定はなく、剥離開始温度が低いものと剥離開始温度が高いものの異なる剥離開始温度を持つ組み合わせになるように種々の無機系や有機系の熱膨張性微小球を選択使用することができる。この2種類の熱膨張性微小球の剥離開始温度差は、熱膨張性微小球の感温特性等の処理精度に応じて適宜に決定されるが、一般には20〜70℃、好ましくは30〜50℃の温度差とされる。   There is no particular limitation on the thermally expandable fine particles, and various inorganic and organic thermally expandable microspheres are selected so that they have a combination of different peeling start temperatures, although those with a low peel start temperature and a high peel start temperature. Can be used. The difference in peeling start temperature between the two types of thermally expandable microspheres is appropriately determined according to the processing accuracy such as the temperature-sensitive characteristics of the thermally expandable microspheres, but is generally 20 to 70 ° C., preferably 30 to 30 ° C. The temperature difference is 50 ° C.

熱発泡型粘着剤は、熱による熱膨張性微粒子の発泡により接着面積が減少して剥離が容易になるものであり、熱膨張性微粒子の平均粒子径は1〜25μm程度のものが好ましい。より好ましくは5〜15μmであり、特に10μm程度のものが好ましい。   The heat-expandable pressure-sensitive adhesive has a reduced adhesive area due to foaming of the heat-expandable fine particles by heat and can be easily peeled off. The heat-expandable fine particles preferably have an average particle diameter of about 1 to 25 μm. More preferably, it is 5-15 micrometers, and the thing of about 10 micrometers is especially preferable.

熱膨張性微粒子としては、加熱下に膨張する素材を特に制限なく使用できるが、熱膨張性物質をマイクロカプセル化してなる膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点から好ましく用いられる。例えば、イソブタン、プロパン、ペンタンなどの加熱により容易にガス化して膨張する物質を、弾性を有する殻内に内包させた微小球であればよい。前記穀は、通常、熱可塑性物質、熱溶融性物質、熱膨張により破裂する物質などで形成される。前記殻を形成する物質としては、例えば、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスルホンなどが挙げられる。熱膨張性マイクロカプセルは、前記粘着剤との分散混合性に優れているなどの利点も有する。熱膨張性マイクロカプセルの市販品としては、例えばマイクロスフェアー(商品名:松本油脂社製)などが挙げられる。尚、必要に応じて熱膨張助剤を添加してもよい。   As the heat-expandable fine particles, a material that expands under heating can be used without particular limitation. However, expandable fine particles obtained by microencapsulating a heat-expandable substance are preferably used from the viewpoint of easy mixing operation. For example, it may be a microsphere in which a substance that easily expands by gasification by heating, such as isobutane, propane, or pentane, is encapsulated in an elastic shell. The grain is usually formed of a thermoplastic material, a hot-melt material, a material that bursts due to thermal expansion, or the like. Examples of the substance forming the shell include vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, polymethyl methacrylate, polyacrylonitrile, polyvinylidene chloride, and polysulfone. Thermally expansible microcapsules also have advantages such as excellent dispersibility with the pressure-sensitive adhesive. Examples of commercially available thermal expandable microcapsules include microspheres (trade name: manufactured by Matsumoto Yushi Co., Ltd.). In addition, you may add a thermal expansion auxiliary agent as needed.

前記粘着剤に対する熱膨張性微粒子(熱膨張性マイクロカプセル)の配合量は、前記粘着剤層12の種類に応じて、その粘着力を低下できる量を適宜に決定することができる。一般には、熱膨張性微粒子を含む粘着剤層12の厚みを加熱膨張直後の厚みの60%以上、好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上を維持できる配合量が好ましい。またベースポリマー100重量部に対して、1〜100重量部程度、好ましくは5〜40重量部、より好ましくは10〜20重量部である。   The blending amount of the thermally expandable fine particles (thermally expandable microcapsules) with respect to the pressure-sensitive adhesive can be appropriately determined according to the type of the pressure-sensitive adhesive layer 12 so that the adhesive strength can be reduced. In general, the amount of the pressure-sensitive adhesive layer 12 containing thermally expandable fine particles is preferably 60% or more, preferably 70% or more, more preferably 80% or more of the thickness immediately after thermal expansion. Moreover, it is about 1-100 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, Preferably it is 5-40 weight part, More preferably, it is 10-20 weight part.

粘着剤層12の厚みは、接着固定性と剥離性を両立する観点から、1μm〜100μmが好ましく、5μm〜50μm程度がより好ましい。また、粘着剤層12の接着力は、支持ウェハから最終的に容易に剥離できる範囲内のものであれば良く、特に限定はされない。例えば、半導体ウェハに対する180度ピール接着力の値が、1から30N/10mmの範囲内であることが好ましく、5から20N/10mmの範囲内であることがより好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is preferably 1 μm to 100 μm, more preferably about 5 μm to 50 μm, from the viewpoint of achieving both adhesive fixability and peelability. The adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited as long as it is within a range that can be finally easily peeled off from the support wafer. For example, the 180 degree peel adhesion value to the semiconductor wafer is preferably in the range of 1 to 30 N / 10 mm, and more preferably in the range of 5 to 20 N / 10 mm.

セパレータ13は、ラベル加工のため、又は粘着剤層12の表面を平滑にする目的の為に必要に応じて設けられる。セパレータ13の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムなどが挙げられる。セパレータ13の表面には粘着剤層12からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シート10が環境紫外線によって反応してしまわぬように、紫外線防止処理が施されていても良い。セパレータ13の厚みは、通常10〜200μm、好ましくは25〜100μm程度である。   The separator 13 is provided as needed for label processing or for the purpose of smoothing the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12. Examples of the constituent material for the separator 13 include synthetic resin films such as paper, polyethylene, polypropylene, and polyethylene terephthalate. In order to improve the peelability from the pressure-sensitive adhesive layer 12, the surface of the separator 13 may be subjected to a peeling treatment such as a silicone treatment, a long-chain alkyl treatment, or a fluorine treatment as necessary. Further, if necessary, an ultraviolet ray prevention treatment may be performed so that the adhesive sheet 10 does not react with environmental ultraviolet rays. The thickness of the separator 13 is usually about 10 to 200 μm, preferably about 25 to 100 μm.

尚、粘着剤層12が紫外線等の放射線硬化型粘着剤からなる場合には、ダイシングの前又は後に粘着剤層12に放射線を照射する為、基材フィルム11は十分な放射線透過性を有している必要がある。   When the pressure-sensitive adhesive layer 12 is made of a radiation curable pressure-sensitive adhesive such as ultraviolet rays, the base film 11 has sufficient radiation transparency because the pressure-sensitive adhesive layer 12 is irradiated before or after dicing. Need to be.

内層11aは、通常の基材等と比較して軟質の層である。この為、粘着シート10の製造後、該粘着シート10を一旦ロール状に巻き取るなどした場合に、ブロッキング(基材フィルム11の背面(外層11b)と粘着剤層12との融着)を引き起こすことがある。よって、ブロッキングを防止する目的で、外層11bの外側にブロッキングの発生を抑制する層を数〜数十μm設けても良い。当該ブロッキングの発生を抑制する層としては特に限定されるものではなく、例えば、エンボス処理が施された層等が例示できる。また、前記と同様の目的又はエキスパンド性向上の目的で、基材フィルム11の粘着剤層12が設けられている側とは反対側に他の層を設けても良い。   The inner layer 11a is a soft layer as compared with a normal base material or the like. For this reason, when the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is once wound into a roll after the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is manufactured, blocking (fusion of the back surface of the base film 11 (outer layer 11b) and the pressure-sensitive adhesive layer 12) is caused. Sometimes. Therefore, for the purpose of preventing blocking, a layer for suppressing the occurrence of blocking may be provided on the outer side of the outer layer 11b. The layer that suppresses the occurrence of blocking is not particularly limited, and examples thereof include a layer subjected to an embossing process. Moreover, you may provide another layer on the opposite side to the side in which the adhesive layer 12 of the base film 11 is provided for the objective similar to the above, or the objective of an expandability improvement.

次に、本発明の他の実施の形態に係る粘着シートについて説明する。図1(b)は、前記粘着シートの概略を示す断面模式図である。図1(b)に示す粘着シート10’は、粘着シート10と比較して、基材フィルム11に替えて架橋構造を有する層(以下、架橋層という)11cを備えた基材フィルム11’を用いた点が異なる。   Next, an adhesive sheet according to another embodiment of the present invention will be described. FIG.1 (b) is a cross-sectional schematic diagram which shows the outline of the said adhesive sheet. The adhesive sheet 10 ′ shown in FIG. 1 (b) has a base film 11 ′ provided with a layer 11c having a cross-linked structure (hereinafter referred to as a cross-linked layer) in place of the base film 11 as compared with the adhesive sheet 10. The point used is different.

前記架橋層11cとしては、例えば架橋構造を有するポリオレフィン系フィルムが例示できる。ポリオレフィン系フィルムの構成材料としては特に限定されず、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−メチル(メタ)アクリル酸エステル、エチレン−エチル(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリブテン、エチレン−アイオノマー共重合体等が例示できる。 これらの構成材料は1種単独で用いてもよく、また2種以上を併用してもよい。さらに、架橋層11cは単層に限定されず、複数層からなるものであってもよい。   Examples of the crosslinked layer 11c include a polyolefin film having a crosslinked structure. The material constituting the polyolefin film is not particularly limited. For example, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene-methyl (meth) acrylic acid. Examples include esters, ethylene-ethyl (meth) acrylic acid copolymers, ethylene / vinyl alcohol copolymers, polybutenes, ethylene-ionomer copolymers, and the like. These constituent materials may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Furthermore, the crosslinked layer 11c is not limited to a single layer, and may be composed of a plurality of layers.

架橋層11cの厚みはダイシングの際の切り込み深さを考慮して設定され、20μm以上、150μm以下であることが好ましい。更に、厚さ方向に於ける架橋密度の変化を考慮すると20μm以上、100μm以下であることがより好ましく、20μm以上、40μm未満が特に好ましい。   The thickness of the cross-linked layer 11c is set in consideration of the cutting depth at the time of dicing, and is preferably 20 μm or more and 150 μm or less. Furthermore, when considering the change in crosslink density in the thickness direction, it is more preferably 20 μm or more and 100 μm or less, particularly preferably 20 μm or more and less than 40 μm.

架橋層11cの形成方法としては、前記構成材料からなるポリオレフィン系フィルムに予め電子線またはγ線を照射して架橋させ、このフィルムをドライラミネート等で内層11a上に貼り合わせる方法や、ポリオレフィン系フィルムと他のフィルムとを共押し出し法により製膜し、更に電子線等を照射して該ポリオレフィン系フィルムを架橋させ架橋層11cとする方法が挙げられる。これらの方法により形成される架橋層11cは、照射面から厚さ方向に離れていくに従い、架橋密度が漸次低下する架橋構造を有する。   As a method of forming the crosslinked layer 11c, a polyolefin film made of the above-mentioned constituent material is preliminarily irradiated with an electron beam or γ-ray to be crosslinked, and this film is laminated on the inner layer 11a by dry lamination or the like. And other films can be formed by a co-extrusion method, and further irradiated with an electron beam or the like to crosslink the polyolefin film to form a crosslinked layer 11c. The crosslinked layer 11c formed by these methods has a crosslinked structure in which the crosslinking density gradually decreases as the distance from the irradiated surface increases in the thickness direction.

架橋層11cの架橋密度は、電子線またはγ線照射量を適宜変更することにより制御可能である。電子線またはγ線照射量は、通常10〜250Mradの範囲であり、好ましくは20〜200Mradであり、特に好ましくは30〜150Mradである。また、架橋層11cがポリエチレンからなる場合には、電子線またはγ線照射量は30〜150Mrad程度であることが好ましい。さらに、架橋層11cがエチレン共重合体からなる場合には、電子線またはγ線照射量は20〜100Mrad程度であることが好ましい。   The crosslinking density of the crosslinked layer 11c can be controlled by appropriately changing the electron beam or γ-ray irradiation amount. The electron beam or γ-ray irradiation amount is usually in the range of 10 to 250 Mrad, preferably 20 to 200 Mrad, and particularly preferably 30 to 150 Mrad. Moreover, when the crosslinked layer 11c consists of polyethylene, it is preferable that an electron beam or a gamma ray irradiation amount is about 30-150 Mrad. Furthermore, when the crosslinked layer 11c is made of an ethylene copolymer, the electron beam or γ-ray irradiation amount is preferably about 20 to 100 Mrad.

なお、ここで電子線とは、自由電子束すなわち陰極線を指す。電子線の照射は、具体的には、電子線加速器(高エネルギー、低エネルギー、さらにはスキャニング等の何れのタイプも含む)を用いて、その発生電子線下を所定の条件で、ポリオレフィン系フィルムを通過させることにより行なう。   Here, the electron beam refers to a free electron flux, that is, a cathode beam. Specifically, the electron beam irradiation is performed using an electron beam accelerator (including any type such as high energy, low energy, and scanning) under a predetermined condition under the generated electron beam under a polyolefin film. This is done by passing.

またγ線とは、通常定義されているように、放射性元素の崩壊の際に放出される電磁波の一種を指す。γ線の照射は、具体的には、Co60を線源として有する照射室にポリオレフィン系フィルムを設置し、所定量のγ線を照射して行なう。この場合、ポリオレフィン系フィルムはロール状のままで処理できるため、作業性が良好である。 In addition, γ-ray refers to a kind of electromagnetic wave that is emitted when radioactive elements decay, as is usually defined. Specifically, the irradiation of γ rays is performed by placing a polyolefin film in an irradiation chamber having Co 60 as a radiation source and irradiating a predetermined amount of γ rays. In this case, since the polyolefin film can be processed in a roll shape, the workability is good.

この様な照射量でポリオレフィン系フィルムに電子線またはγ線を照射すると、ダイシングの際の糸状屑の発生を低減させることができる。また、基材フィルム11’の弾性、強度等の機械的特性を損なうこともなく、粘着シート10’のエキスパンディングを支障なく行なうことができる。一方、電子線またはγ線照射量が1Mrad未満であると、電子線またはγ線照射による効果が不充分であり、ダイシングの際に未照射の場合と同様に多量の糸状屑が発生することがある。また、電子線またはγ線照射量が80Mradを超えると、基材フィルム11’の弾性、強度等の機械的特性が損なわれ、エキスパンディング時に基材フィルム11’が破断することがあり、また、照射後の基材フィルム11’を劣化させる場合がある。   When the polyolefin film is irradiated with an electron beam or γ-ray with such an irradiation amount, generation of filamentous waste during dicing can be reduced. Further, the expansion of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 ′ can be performed without hindering the mechanical properties such as elasticity and strength of the base film 11 ′. On the other hand, if the amount of electron beam or γ-ray irradiation is less than 1 Mrad, the effect of electron beam or γ-ray irradiation is insufficient, and a large amount of filamentous waste is generated during dicing as in the case of non-irradiation. is there. Moreover, when the electron beam or γ-ray irradiation dose exceeds 80 Mrad, mechanical properties such as elasticity and strength of the base film 11 ′ may be impaired, and the base film 11 ′ may be broken at the time of expanding. The base film 11 ′ after irradiation may be deteriorated.

(粘着シートの製造方法)
次に、本実施の形態に係る粘着シートの製造方法について説明する。以下の説明では、粘着シート10を用いた場合を例にしている。
(Method for producing adhesive sheet)
Next, the manufacturing method of the adhesive sheet which concerns on this Embodiment is demonstrated. In the following description, the case where the adhesive sheet 10 is used is taken as an example.

基材フィルム11は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Tダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。   The base film 11 can be formed by a conventionally known film forming method. Examples of the film forming method include a calendar film forming method, a casting method in an organic solvent, an inflation extrusion method in a closed system, a T-die extrusion method, a co-extrusion method, and a dry lamination method.

次に、基材フィルム11の内層11a上に粘着剤を含む組成物を塗布し、乾燥させて(必要に応じて加熱架橋させて)粘着剤層12を形成する。内層11a上にさらに他の層がある場合は、当該他の層の上に粘着剤層12を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布は直接基材上に行っても良いし、表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布後、基材に転写しても良い。続いて、粘着剤層12の表面にセパレータ13を貼り合せて、本実施の形態に係る粘着シート10を得ることができる。   Next, a composition containing an adhesive is applied on the inner layer 11a of the base film 11 and dried (heat-crosslinked if necessary) to form the adhesive layer 12. When there is another layer on the inner layer 11a, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed on the other layer. Examples of the coating method include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, application | coating may be performed directly on a base material, and you may transfer to a base material, after apply | coating to the release paper etc. which performed the peeling process on the surface. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to this embodiment can be obtained by pasting the separator 13 on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12.

(ダイシング方法)
次に、本発明に係るダイシング方法について、被切断体が半導体パッケージである場合を例にして説明する。
(Dicing method)
Next, the dicing method according to the present invention will be described taking as an example the case where the object to be cut is a semiconductor package.

本実施の形態に係るダイシング方法は、図2(a)〜2(e)に示すように、リードフレーム14に粘着シート10を貼り合わせる工程と、半導体チップ15の搭載工程と、ボンディングワイヤー16によるワイヤーボンディングの工程と、封止樹脂17により封止する工程と、封止された構造物としての半導体パッケージ21をダイシングする工程とを少なくとも含むものである。   As shown in FIGS. 2A to 2E, the dicing method according to the present embodiment includes a step of bonding the adhesive sheet 10 to the lead frame 14, a step of mounting the semiconductor chip 15, and a bonding wire 16. It includes at least a step of wire bonding, a step of sealing with a sealing resin 17, and a step of dicing the semiconductor package 21 as a sealed structure.

リードフレーム14に粘着シート10を貼り付ける工程は、先ず粘着シート10からセパレータ13を剥離し、リードフレーム14と粘着シート10の位置合わせをして行う。貼り合わせは、従来公知の方法により行うことができる。   The step of attaching the adhesive sheet 10 to the lead frame 14 is performed by first separating the separator 13 from the adhesive sheet 10 and aligning the lead frame 14 and the adhesive sheet 10. Bonding can be performed by a conventionally known method.

半導体チップ15の搭載は、図2(a)及び2(b)に示すように、アウターパッド側(図の下側)に粘着シート10を貼り合わせた金属製のリードフレーム14のダイパッド14c上に半導体チップ15をボンディングする工程である。   As shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor chip 15 is mounted on the die pad 14c of the metal lead frame 14 in which the adhesive sheet 10 is bonded to the outer pad side (the lower side of the figure). This is a step of bonding the semiconductor chip 15.

リードフレーム14とは、例えば銅などの金属を素材としてQFNの端子パターンが刻まれたものであり、その電気接点部分には、銀、ニッケル、パラジウム、金などの素材で被覆(めっき)されている場合もある。リードフレーム14の厚みは、100〜300μmが一般的である。なお、部分的にエッチングなどで薄く加工されている部分は、この限りではない。   The lead frame 14 is formed by engraving a terminal pattern of QFN using, for example, a metal such as copper, and the electrical contact portion is coated (plated) with a material such as silver, nickel, palladium, or gold. There may be. The thickness of the lead frame 14 is generally 100 to 300 μm. Note that this does not apply to portions that are partially thinned by etching or the like.

リードフレーム14は、後の切断工程にて切り分けやすいよう、個々のQFNが整然と配置された配置パターンであることが好ましい。例えばリードフレーム14上に縦横のマトリックス状に配列された配置パターン等は、マトリックスQFNあるいはMAP−QFNなどと呼ばれ、最も好ましいリードフレーム形状の一態様である。とくに近年では、生産性の観点から1枚のリードフレーム中に配列されるパッケージ数を多くするため、これらの個々のパッケージが細密化されるばかりでなく、一つの封止部分で多数のパッケージを封止できるよう、これらの配列数も大きく拡大してきている。   The lead frame 14 preferably has an arrangement pattern in which individual QFNs are arranged in an orderly manner so that the lead frame 14 can be easily separated in a subsequent cutting step. For example, an arrangement pattern or the like arranged in a vertical and horizontal matrix on the lead frame 14 is called a matrix QFN or MAP-QFN, and is one aspect of the most preferable lead frame shape. In particular, in recent years, in order to increase the number of packages arranged in one lead frame from the viewpoint of productivity, not only these individual packages are miniaturized, but a large number of packages can be formed by one sealing portion. The number of these arrays has been greatly expanded so that sealing can be performed.

図2(a)に示すように、リードフレーム14のパッケージパターン領域には、隣接した複数の開口14aに端子部14bを複数配列した、QFNの基板デザインが整然と配列されている。一般的なQFNの場合、各々の基板デザインは、開口14aの周囲に配列された、アウターリード面を下側に有する端子部14bと、開口14aの中央に配置されるダイパッド14cと、ダイパッド14cを開口14aの四隅に支持させるダイバー11dとで構成される。   As shown in FIG. 2A, in the package pattern region of the lead frame 14, a QFN substrate design in which a plurality of terminal portions 14b are arranged in a plurality of adjacent openings 14a is arranged in an orderly manner. In the case of a general QFN, each substrate design includes a terminal portion 14b having an outer lead surface on the lower side, a die pad 14c disposed at the center of the opening 14a, and a die pad 14c arranged around the opening 14a. The diver 11d is supported at the four corners of the opening 14a.

粘着シート10は、少なくともパッケージパターン領域より外側に貼着され、樹脂封止される樹脂封止領域の外側の全周を含む領域に貼着するのが好ましい。リードフレーム14は通常、樹脂封止時の位置決めを行うための、ガイドピン用孔を端辺近傍に有しており、それを塞がない領域に貼着するのが好ましい。また、樹脂封止領域はリードフレーム14の長手方向に複数配置されるため、それらの複数領域を渡るように連続して粘着シート10を貼着するのが好ましい。   The pressure-sensitive adhesive sheet 10 is preferably attached at least to the outside of the package pattern region and attached to a region including the entire circumference outside the resin-encapsulated region to be resin-sealed. Usually, the lead frame 14 has a guide pin hole for positioning at the time of resin sealing in the vicinity of the end side, and it is preferable that the lead frame 14 is adhered to a region where it is not blocked. Further, since a plurality of resin sealing regions are arranged in the longitudinal direction of the lead frame 14, it is preferable that the adhesive sheet 10 is continuously attached so as to cross the plurality of regions.

上記のようなリードフレーム14上に、半導体チップ15、すなわち半導体集積回路部分であるシリコンウェハ・チップが搭載される。リードフレーム14上にはこの半導体チップ15を固定するためダイパッド14cと呼ばれる固定エリアが設けられている。ダイパッド14cへのボンディング(固定)は、導電性ペースト19を用いて行う。但し、本発明は、当該方法に限定されるものではなく、接着テープや接着剤などを用いた各種の方法を採用することもできる。導電性ペースト19や熱硬化性の接着剤等を用いてダイボンドする場合、一般的に150〜200℃程度の温度で30分〜90分程度加熱キュアする。   On the lead frame 14 as described above, a semiconductor chip 15, that is, a silicon wafer chip as a semiconductor integrated circuit portion is mounted. A fixing area called a die pad 14c is provided on the lead frame 14 to fix the semiconductor chip 15. Bonding (fixing) to the die pad 14 c is performed using the conductive paste 19. However, the present invention is not limited to this method, and various methods using an adhesive tape or an adhesive can also be employed. When die bonding is performed using the conductive paste 19, a thermosetting adhesive, or the like, generally heat curing is performed at a temperature of about 150 to 200 ° C. for about 30 to 90 minutes.

前記ワイヤーボンディングの工程は、図2(c)に示す様に、リードフレーム14の端子部14b(インナーリード)の先端と半導体チップ15上の電極パッド15aとをボンディングワイヤー16で電気的に接続する工程である。ボンディングワイヤー16としては、例えば金線またはアルミニウム線などが用いられる。本工程は、一般的には120〜250℃に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギ−の併用により結線される。その際、リードフレーム14に貼着した粘着シート10面を真空吸引することで、ヒートブロックに確実に固定することができる。   In the wire bonding step, as shown in FIG. 2C, the tip of the terminal portion 14 b (inner lead) of the lead frame 14 and the electrode pad 15 a on the semiconductor chip 15 are electrically connected by the bonding wire 16. It is a process. For example, a gold wire or an aluminum wire is used as the bonding wire 16. In this step, generally, the wire is connected by a combination of vibration energy by ultrasonic waves and pressure bonding energy by applying pressure while being heated to 120 to 250 ° C. At that time, the surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 adhered to the lead frame 14 can be securely fixed to the heat block by vacuum suction.

前記封止の工程は、図2(d)に示すように、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する工程である。本工程は、リードフレーム14に搭載された半導体チップ15やボンディングワイヤー16を保護するために行われ、とくにエポキシ系の樹脂をはじめとした封止樹脂17を用いて金型中で成型されるのが代表的である。その際、複数のキャビティを有する上金型と下金型からなる金型を用いて、複数の封止樹脂17にて同時に封止工程が行われるのが一般的である。具体的には、例えば樹脂封止時の加熱温度は170〜180℃であり、この温度で数分間キュアされた後、更にポストモールドキュアが数時間行われる。なお、粘着シート10はポストモールドキュアの前に剥離するのが好ましい。   The sealing step is a step of sealing one side of the semiconductor chip side with a sealing resin 17 as shown in FIG. This process is performed to protect the semiconductor chip 15 and the bonding wire 16 mounted on the lead frame 14, and is molded in a mold using a sealing resin 17 including an epoxy resin. Is representative. At that time, it is general that a sealing process is performed simultaneously with a plurality of sealing resins 17 using a mold composed of an upper mold and a lower mold having a plurality of cavities. Specifically, for example, the heating temperature at the time of resin sealing is 170 to 180 ° C. After curing at this temperature for several minutes, post mold curing is further performed for several hours. In addition, it is preferable to peel the adhesive sheet 10 before post mold curing.

前記ダイシングの工程は、半導体パッケージ21をフルカットして個別の半導体装置に分割する工程である。ダイシングは、例えばダイシングブレードなどを用いて、封止樹脂の切断部から基材フィルム11に於ける内層11aに達する程度にまでカットをする。このとき、ダイシングブレードには半導体パッケージとの摩擦により摩擦熱が生じる。これによりダイシングブレードは、内層11aの融点を上回る温度にまで熱せられる。その結果、内層11aは溶融するが、その融点は通常の基材の材料と比較して低い。この為、ダイシングブレードにより巻き上げられた内層11aを構成する樹脂は、切削冷却水で冷却されて糸状屑に成長することなく、液体のように飛散する。その結果、従来行われていた糸状屑を検査除去するための工程が不要となり、或いは工程作業の軽減が図れる。   The dicing process is a process in which the semiconductor package 21 is fully cut and divided into individual semiconductor devices. In the dicing, for example, a dicing blade or the like is used to cut from the cut portion of the sealing resin to reach the inner layer 11a in the base film 11. At this time, frictional heat is generated in the dicing blade due to friction with the semiconductor package. Thereby, the dicing blade is heated to a temperature exceeding the melting point of the inner layer 11a. As a result, the inner layer 11a melts, but its melting point is lower than that of a normal base material. For this reason, the resin constituting the inner layer 11a wound up by the dicing blade is cooled by the cutting cooling water and is scattered like a liquid without growing into filamentous waste. As a result, a conventional process for inspecting and removing filamentous waste is not required, or process work can be reduced.

ダイシングの条件としては、被切断体に応じて適宜設定される。但し、ダイシングブレードは、粘着剤層12表面から深さ70μm以上の深さの位置にまで切り込ませる必要がある。基材フィルム11に於ける内層11aは当該位置に設けられているからである。尚、切削冷却水の温度は、通常10から30℃の範囲内となっている。   The dicing conditions are appropriately set according to the object to be cut. However, the dicing blade needs to be cut from the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 to a position having a depth of 70 μm or more. This is because the inner layer 11a in the base film 11 is provided at this position. Note that the temperature of the cutting cooling water is usually in the range of 10 to 30 ° C.

ここで、前記ダイシングブレードとしては、図3(a)および(b)に示すように、ニッケル合金などのメタルを用いたボンド材33と、該ボンド材33にサンドペーパー状に分散して各々保持された複数のダイヤモンド粒子32(2〜6μm)とを有するダイヤモンドブレード31を使用するのが好ましい。ダイヤモンドブレード31を用いてダイシングを行うと、ボンド材33がメタルからなるので特に切断による摩擦熱が大きくなる。その結果、内層11aの溶融粘度を一層低下させることができ、糸状屑生成の抑制に効果的だからである。   Here, as the dicing blade, as shown in FIGS. 3A and 3B, a bond material 33 using a metal such as a nickel alloy, and dispersed and held in the form of sandpaper on the bond material 33. It is preferable to use a diamond blade 31 having a plurality of formed diamond particles 32 (2 to 6 μm). When dicing is performed using the diamond blade 31, since the bonding material 33 is made of metal, the frictional heat due to cutting becomes particularly large. As a result, the melt viscosity of the inner layer 11a can be further reduced, which is effective in suppressing the formation of filamentous waste.

尚、本発明に於いては、ダイシングを行った後、被切断体小片としての半導体素子をダイシング用粘着シート10からピックアップする工程を含んでもよい。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体素子を粘着シート10側(下方側)からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体素子をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。   In addition, in this invention, after dicing, the process of picking up the semiconductor element as a to-be-cut body piece from the adhesive sheet 10 for dicing may be included. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, a method of pushing up individual semiconductor elements from the pressure-sensitive adhesive sheet 10 side (lower side) with a needle and picking up the pushed-up semiconductor elements with a pickup device can be used.

尚、本実施の形態に於いては、被切断体として半導体パッケージ21を例にして説明したが、本発明はこれに限定されない。当該被切断体としては、半導体パッケージ21の他に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、ガラス等が例示できる。また、これらの被切断体を用いる場合、粘着シート10との貼り合わせは、従来公知の方法により行うことができる。   In the present embodiment, the semiconductor package 21 has been described as an example of the object to be cut, but the present invention is not limited to this. Examples of the object to be cut include a silicon wafer, a compound semiconductor wafer, and glass in addition to the semiconductor package 21. Moreover, when using these to-be-cut bodies, bonding with the adhesive sheet 10 can be performed by a conventionally well-known method.

以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、単なる説明例に過ぎない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail by way of example. However, the materials, blending amounts, and the like described in the examples are not intended to limit the scope of the present invention only to them, but are merely illustrative examples, unless otherwise specified.

(実施例1)
先ず、アクリル酸ブチル95重量部及びアクリル酸5重量部を酢酸エチル中で常法により共重合させた。得られたアクリル系共重合体(数平均分子量80万)を含有する溶液に、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート(商品名「カヤラッドDPHA」、日本化薬株式会社製)70重量部、ラジカル重合開始剤(商品名「イルガキュア651」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ製)3重量部、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」、日本ポリウレタン製)5重量部を加えて、アクリル系紫外線硬化型粘着剤溶液を調整した。この溶液を、ポリエステルセパレー夕(セパレータ)のシリコーン処理面に塗布し、800℃で10分間加熱し加熱架橋させた。これにより、厚さ20μmの紫外線硬化型粘着剤層(粘着剤層)を形成した。
Example 1
First, 95 parts by weight of butyl acrylate and 5 parts by weight of acrylic acid were copolymerized in a conventional manner in ethyl acetate. To a solution containing the obtained acrylic copolymer (number average molecular weight 800,000), 70 parts by weight of dipentaerythritol hexaacrylate (trade name “Kayarad DPHA”, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), radical polymerization initiator ( Add 3 parts by weight of the trade name “Irgacure 651”, manufactured by Ciba Specialty Chemicals, and 5 parts by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”, manufactured by Nippon Polyurethane) to prepare an acrylic UV-curable adhesive solution. It was adjusted. This solution was applied to a silicone-treated surface of a polyester separator (separator) and heated at 800 ° C. for 10 minutes for heat crosslinking. As a result, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer (pressure-sensitive adhesive layer) having a thickness of 20 μm was formed.

次に、基材フィルム(基材)を作製した。即ち、エチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)樹脂(融点84℃、メルトフローレート2.5g/10min)と低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点110℃、メルトフローレート2.3g/10min)とをTダイ共押出し法により、EVA層(内層)/LDPE層(外層)=120μm/30μmとなるように製膜した。更に、EVA層側にコロナ処理を施した。尚、メルトフローレートは、JIS K7210により測定した。また測定条件としては、試験温度190℃、荷重21.18Nとした。   Next, a base film (base material) was produced. That is, ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin (melting point 84 ° C., melt flow rate 2.5 g / 10 min) and low density polyethylene (LDPE) resin (melting point 110 ° C., melt flow rate 2.3 g / 10 min) Was formed by T-die coextrusion method so that EVA layer (inner layer) / LDPE layer (outer layer) = 120 μm / 30 μm. Further, corona treatment was performed on the EVA layer side. The melt flow rate was measured according to JIS K7210. The measurement conditions were a test temperature of 190 ° C. and a load of 21.18 N.

続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、基材フィルムのコロナ処理面とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例1に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。   Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the polyester separator and the corona-treated surface of the base film were bonded to each other so as to face each other. In this way, an ultraviolet curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 1 was produced.

(実施例2)
先ず、前記実施例1と同様にして、ポリエステルセパレータ上に紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次に、エチレン−アクリル酸エチル共重合体(EEA)樹脂(融点92℃、メルトフローレート5g/10min)と低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点110℃、メルトフローレート3.5g/10min)とをTダイ共押出し法により、EEA層(内層)/LDPE層(外層)=150μm/50μmとなるように製膜した。さらに、EEA層側にコロナ処理を施して基材フィルムを作製した。続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、基材フィルムのコロナ処理面とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例2に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。
(Example 2)
First, in the same manner as in Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on a polyester separator. Next, ethylene-ethyl acrylate copolymer (EEA) resin (melting point 92 ° C., melt flow rate 5 g / 10 min) and low density polyethylene (LDPE) resin (melting point 110 ° C., melt flow rate 3.5 g / 10 min) Was formed by T-die coextrusion method so that EEA layer (inner layer) / LDPE layer (outer layer) = 150 μm / 50 μm. Furthermore, the EEA layer side was subjected to corona treatment to produce a base film. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the polyester separator and the corona-treated surface of the base film were bonded to each other so as to face each other. Thus, an ultraviolet curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 2 was produced.

(実施例3)
前記実施例1と同様にして、ポリエステルセパレータ上に紫外線硬化型粘着剤層を形成した。次に、低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点110℃、メルトフローレート2g/10min)とエチレン−酢酸ビニル共重合体(EVA)樹脂(融点84℃、メルトフローレート2.5g/10min)とをTダイ共押出し法により、LDPE層/EVA層(内層)/LDPE層(外層)=70μm/100μm/30μmとなるように製膜した。更に、厚さ70μmのLDPE層に電子線を照射して架橋させ、基材フィルムを作製した。照射条件は、照射量100Mradとした。続いて、ポリエステルセパレータ上に設けられた粘着剤層と、厚さ70μmのLDPE層とが対向する様にして両者を貼り合せた。これにより、本実施例3に係る紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを作製した。
(Example 3)
In the same manner as in Example 1, an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer was formed on the polyester separator. Next, low density polyethylene (LDPE) resin (melting point 110 ° C., melt flow rate 2 g / 10 min) and ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA) resin (melting point 84 ° C., melt flow rate 2.5 g / 10 min). The film was formed by the T-die coextrusion method so that LDPE layer / EVA layer (inner layer) / LDPE layer (outer layer) = 70 μm / 100 μm / 30 μm. Further, the LDPE layer having a thickness of 70 μm was irradiated with an electron beam to be crosslinked to prepare a base film. The irradiation condition was an irradiation amount of 100 Mrad. Subsequently, the pressure-sensitive adhesive layer provided on the polyester separator and the LDPE layer having a thickness of 70 μm were bonded to each other so as to face each other. As a result, an ultraviolet curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet according to Example 3 was produced.

(比較例1)
基材フィルムとして、低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点110℃、メルトフローレート2g/10min)を用いてTダイ押出し法により厚さ150μmのものを製膜し、かつその片方の面にコロナ処理を施したものを使用した以外は、前記実施例1と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
(Comparative Example 1)
As a base film, a low-density polyethylene (LDPE) resin (melting point 110 ° C., melt flow rate 2 g / 10 min) is used to form a film having a thickness of 150 μm by a T-die extrusion method, and one side thereof is corona-treated. A UV-curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the above-described one was used.

(比較例2)
基材フィルムとして、EVA樹脂(融点103℃、メルトフローレート2g/10min)をTダイ押出し法により片面にマット処理を施しながら、厚さ200μmとなるように製膜し、マット処理の反対面にコロナ処理を施したものを用いた以外は、前記実施例1と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
(Comparative Example 2)
As a base film, an EVA resin (melting point: 103 ° C., melt flow rate: 2 g / 10 min) was formed to a thickness of 200 μm while performing a mat treatment on one side by a T-die extrusion method. An ultraviolet curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the one subjected to the corona treatment was used.

(比較例3)
基材フィルムとして、低密度ポリエチレン(LDPE)樹脂(融点110℃、メルトフローレート2g/10min)をTダイ押出し法により、厚さ200μmとなるように製膜し、一方の面に電子線を照射した。照射条件は、照射量100Mradとした。この様にして得られた基材フィルムを用いた以外は、前記実施例1と同様にして紫外線硬化型半導体パッケージダイシング用粘着シートを得た。
(Comparative Example 3)
A low-density polyethylene (LDPE) resin (melting point: 110 ° C., melt flow rate: 2 g / 10 min) is formed as a base film to a thickness of 200 μm by T-die extrusion, and one surface is irradiated with an electron beam did. The irradiation condition was an irradiation amount of 100 Mrad. An ultraviolet curable semiconductor package dicing pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the base film thus obtained was used.

(評価試験)
各実施例及び比較例で作製した各ダイシング用粘着シートを下記の方法により評価した。即ち、ダイシング用粘着シートに厚さ1.0mmで10cm×10cmのエポキシ基板をマウントし、以下の条件でダイシングを行なった。
(Evaluation test)
Each dicing pressure-sensitive adhesive sheet produced in each example and comparative example was evaluated by the following method. That is, a 10 cm × 10 cm epoxy substrate having a thickness of 1.0 mm was mounted on a dicing adhesive sheet, and dicing was performed under the following conditions.

ダイシング条件
ダイサー:DISCO製DFD−651
ダイシングブレード:DISCO製BIA801DC320N50M51
ダイシングブレード回転数:45,000rpm
ダイシング速度:50mm/sec
ダイシング深さ:粘着シート表面から100μm
ダイシングサイズ:5×5mm
カットモード:ダウンカット
Dicing condition Dicer: DFD-651 made by DISCO
Dicing blade: BIA801DC320N50M51 made by DISCO
Dicing blade rotation speed: 45,000 rpm
Dicing speed: 50mm / sec
Dicing depth: 100 μm from the adhesive sheet surface
Dicing size: 5 × 5mm
Cut mode: Down cut

ダイシングによる切断後の切断ラインを光学顕微鏡(100倍)で観察し、エポキシ基板上と、粘着シート上のエポキシ基板がない部分との糸状屑の個数をそれぞれカウントした。結果を下記表1に示す。表1から分かるように、各実施例1〜3に係る粘着シートは糸状屑の発生が少なく、10×10cmサイズの基板を5×5mmでダイシングしたときの糸状屑の発生が30個以下と実用可能なレベルにあった。一方、比較例1及び2に係る粘着シートは、糸状屑の発生が極端に多く、実用可能なレベルではなかった。   The cutting line after cutting by dicing was observed with an optical microscope (100 times), and the number of filaments on the epoxy substrate and the portion without the epoxy substrate on the adhesive sheet was counted. The results are shown in Table 1 below. As can be seen from Table 1, the pressure-sensitive adhesive sheet according to each of Examples 1 to 3 has little generation of thread-like waste, and practically less than 30 occurrences of thread-like waste when a 10 × 10 cm size substrate is diced at 5 × 5 mm. Was at a possible level. On the other hand, the pressure-sensitive adhesive sheets according to Comparative Examples 1 and 2 produced extremely large amounts of filamentous waste, and were not at a practical level.

Figure 2006342330
Figure 2006342330

本発明に係るダイシング用粘着シートの概略を示す断面模式図であって、同図(a)は基材フィルムが内層と外層からなる場合を表し、同図(b)は基材フィルムが移行防止層を有する場合を表す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a cross-sectional schematic diagram which shows the outline of the adhesive sheet for dicing which concerns on this invention, Comprising: The same figure (a) represents the case where a base film consists of an inner layer and an outer layer, The same figure (b) is a base film, and a migration prevention This represents the case with layers. 本発明の実施の一形態に係るダイシング用粘着シートの概略を示す断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram which shows the outline of the adhesive sheet for dicing which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の実施の一形態に係るダイシングブレードを説明するため模式図であって、同図(a)はダイシングブレードを示し、同図(b)はダイシングブレードの要部を示す。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a schematic diagram for demonstrating the dicing blade which concerns on one Embodiment of this invention, Comprising: The figure (a) shows a dicing blade and the figure (b) shows the principal part of a dicing blade.

符号の説明Explanation of symbols

10、10’ ダイシング用粘着シート
11、11’ 基材フィルム
11a 内層
11b 外層
11c 架橋層
12 粘着剤層
13 セパレータ
14 リードフレーム
14a 開口
14b 端子部
14c ダイパッド
14d ダイバー
15 半導体チップ
15a 電極パッド
16 ボンディングワイヤー
17 封止樹脂
19 導電性ペースト
21 半導体パッケージ
31 ダイヤモンドブレード
32 ダイヤモンド粒子
33 ボンド材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10, 10 'Dicing adhesive sheet 11, 11' Base film 11a Inner layer 11b Outer layer 11c Crosslinking layer 12 Adhesive layer 13 Separator 14 Lead frame 14a Opening 14b Terminal part 14c Die pad 14d Diver 15 Semiconductor chip 15a Electrode pad 16 Bonding wire 17 Sealing resin 19 Conductive paste 21 Semiconductor package 31 Diamond blade 32 Diamond particle 33 Bond material

Claims (11)

基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、
前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、
前記層の厚さが、基材の総厚みの1/2以上であることを特徴とするダイシング用粘着シート。
A pressure-sensitive adhesive sheet for dicing having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of a substrate,
The base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or less,
A pressure-sensitive adhesive sheet for dicing, wherein the thickness of the layer is ½ or more of the total thickness of the substrate.
基材の少なくとも片面に粘着剤層を有するダイシング用粘着シートであって、
前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えることを特徴とするダイシング用粘着シート。
A pressure-sensitive adhesive sheet for dicing having a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of a substrate,
The base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or less, and has a layer having a cross-linked structure on the side in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Sheet.
前記エチレン系樹脂の190℃に於けるメルトフローレートは、1.5g/10min以上であることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイシング用粘着シート。   The pressure-sensitive adhesive sheet for dicing according to claim 1 or 2, wherein a melt flow rate at 190 ° C of the ethylene-based resin is 1.5 g / 10 min or more. 前記基材の総厚みは100μm以上であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のダイシング用粘着シート。   The total thickness of the said base material is 100 micrometers or more, The adhesive sheet for dicing of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤を含み構成されたものであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のダイシング用粘着シート。   The pressure-sensitive adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the pressure-sensitive adhesive layer comprises a radiation-curable pressure-sensitive adhesive. ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、
前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、
前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、
前記層の厚さが、基材の総厚みの1/2以上のものを使用することを特徴とするダイシング方法。
A dicing method for dicing the workpiece to which the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing is bonded to the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing,
The dicing pressure-sensitive adhesive sheet has a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the substrate,
The base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or less,
A dicing method characterized in that a layer having a thickness of 1/2 or more of the total thickness of the substrate is used.
ダイシング用粘着シートが貼り合わされた被切断体を、該ダイシング用粘着シートの基材まで切り込みを行なうことによりダイシングするダイシング方法であって、
前記ダイシング用粘着シートは、基材の少なくとも片面に粘着剤層を有しており、
前記基材は、融点が95℃以下のエチレン系樹脂を含有する層を有する多層構造であり、かつ、前記粘着剤層と接する側に架橋構造を有する層を備えたものを使用することを特徴とするダイシング方法。
A dicing method for dicing the workpiece to which the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing is bonded to the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet for dicing,
The dicing pressure-sensitive adhesive sheet has a pressure-sensitive adhesive layer on at least one side of the substrate,
The base material has a multilayer structure having a layer containing an ethylene-based resin having a melting point of 95 ° C. or lower, and a base material having a cross-linked structure on the side in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Dicing method.
前記ダイシングを行った後、切断後の被切断体小片をダイシング用粘着シートからピックアップする工程を含むことを特徴とする請求項6または7に記載のダイシング方法。   The dicing method according to claim 6, further comprising a step of picking up a cut piece after cutting from the dicing pressure-sensitive adhesive sheet after performing the dicing. 前記ダイシングに於いて使用するダイシングブレードに、メタルをボンド材とするダイヤモンドブレードを用いることを特徴とする請求項6〜8の何れか1項に記載のダイシング方法。   The dicing method according to any one of claims 6 to 8, wherein a diamond blade using a metal as a bonding material is used as a dicing blade used in the dicing. 前記被切断体は、半導体パッケージであることを特徴とする請求項6〜9の何れか1項に記載のダイシング方法。   The dicing method according to claim 6, wherein the object to be cut is a semiconductor package. 請求項6〜10の何れか1項に記載のダイシング方法に於いて、前記被切断体をダイシングすることにより得られた被切断体小片。
The dicing method according to any one of claims 6 to 10, wherein a cut piece obtained by dicing the cut object.
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009206278A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Gunze Ltd Substrate film for back grinding and forming method thereof
JP2009290001A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Achilles Corp Substrate film for semiconductor producing tape
KR20110041422A (en) 2009-10-15 2011-04-21 아키레스 가부시키가이샤 Base film of tape for process of semiconductor production
JP2012530376A (en) * 2009-06-15 2012-11-29 エルジー・ケム・リミテッド Wafer processing sheet
JP5517615B2 (en) * 2007-06-22 2014-06-11 電気化学工業株式会社 Semiconductor wafer grinding method and resin composition and protective sheet used therefor
JP2014187244A (en) * 2013-03-25 2014-10-02 Lintec Corp Substrate film for dicing sheet, dicing sheet, method of producing substrate film for dicing sheet, and method of manufacturing chip-like member
JP2017195336A (en) * 2016-04-22 2017-10-26 日東電工株式会社 Dicing die-bonding film, dicing die-bonding tape, and method of manufacturing semiconductor device
CN107464780A (en) * 2017-08-01 2017-12-12 四川科尔威光电科技有限公司 A kind of cutting method for optimizing sidewall metallization substrate metal burr
JP2018093058A (en) * 2016-12-02 2018-06-14 タキロンシーアイ株式会社 Dicing tape, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor device
WO2023007947A1 (en) * 2021-07-26 2023-02-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 Mold release film and method for manufacturing semiconductor package

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05156214A (en) * 1991-12-05 1993-06-22 Lintec Corp Tacky adhesive sheet for pasting wafer and wafer dicing method
JP2003257894A (en) * 2002-02-27 2003-09-12 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing
JP2004303999A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Lonseal Corp Adhesive tape for wafer dicing

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05156214A (en) * 1991-12-05 1993-06-22 Lintec Corp Tacky adhesive sheet for pasting wafer and wafer dicing method
JP2003257894A (en) * 2002-02-27 2003-09-12 Nitto Denko Corp Adhesive sheet for dicing
JP2004303999A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Lonseal Corp Adhesive tape for wafer dicing

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5517615B2 (en) * 2007-06-22 2014-06-11 電気化学工業株式会社 Semiconductor wafer grinding method and resin composition and protective sheet used therefor
JP2009206278A (en) * 2008-02-27 2009-09-10 Gunze Ltd Substrate film for back grinding and forming method thereof
JP2009290001A (en) * 2008-05-29 2009-12-10 Achilles Corp Substrate film for semiconductor producing tape
JP2012530376A (en) * 2009-06-15 2012-11-29 エルジー・ケム・リミテッド Wafer processing sheet
US9165815B2 (en) 2009-06-15 2015-10-20 Lg Chem, Ltd. Wafer processing sheet
KR20110041422A (en) 2009-10-15 2011-04-21 아키레스 가부시키가이샤 Base film of tape for process of semiconductor production
JP2014187244A (en) * 2013-03-25 2014-10-02 Lintec Corp Substrate film for dicing sheet, dicing sheet, method of producing substrate film for dicing sheet, and method of manufacturing chip-like member
JP2017195336A (en) * 2016-04-22 2017-10-26 日東電工株式会社 Dicing die-bonding film, dicing die-bonding tape, and method of manufacturing semiconductor device
JP2018093058A (en) * 2016-12-02 2018-06-14 タキロンシーアイ株式会社 Dicing tape, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor device
CN107464780A (en) * 2017-08-01 2017-12-12 四川科尔威光电科技有限公司 A kind of cutting method for optimizing sidewall metallization substrate metal burr
WO2023007947A1 (en) * 2021-07-26 2023-02-02 昭和電工マテリアルズ株式会社 Mold release film and method for manufacturing semiconductor package

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