JP2017195336A - Dicing die-bonding film, dicing die-bonding tape, and method of manufacturing semiconductor device - Google Patents

Dicing die-bonding film, dicing die-bonding tape, and method of manufacturing semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2017195336A
JP2017195336A JP2016086297A JP2016086297A JP2017195336A JP 2017195336 A JP2017195336 A JP 2017195336A JP 2016086297 A JP2016086297 A JP 2016086297A JP 2016086297 A JP2016086297 A JP 2016086297A JP 2017195336 A JP2017195336 A JP 2017195336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dicing
die bonding
film
layer
dicing die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016086297A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6721398B2 (en
Inventor
雄一郎 宍戸
Yuichiro Shishido
雄一郎 宍戸
尚英 高本
Hisahide Takamoto
尚英 高本
謙司 大西
Kenji Onishi
謙司 大西
木村　雄大
Takehiro Kimura
雄大 木村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP2016086297A priority Critical patent/JP6721398B2/en
Priority to KR1020170049073A priority patent/KR102342479B1/en
Priority to TW106113234A priority patent/TWI734774B/en
Priority to CN201710265569.4A priority patent/CN107331645A/en
Publication of JP2017195336A publication Critical patent/JP2017195336A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6721398B2 publication Critical patent/JP6721398B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dicing die-bonding film capable of washing away fibrous waste by a cooling liquid for dicing.SOLUTION: There is provided a dicing die-bonding film. The dicing die-bonding film includes a dicing support layer and a die-bonding layer. The dicing support layer has a melting point of 60-100°C. A tensile elastic modulus at an ambient temperature of the dicing support layer is 30-100 N/m.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、ダイシングダイボンディングフィルム、ダイシングダイボンディングテープおよび半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a dicing die bonding film, a dicing die bonding tape, and a method for manufacturing a semiconductor device.

基材層と、基材層上に位置する粘着剤層と、粘着剤層上に位置する接着剤層とを有する、ダイシング用かつダイボンディング用のフィルムがある。基材層と基材層上に位置する接着剤層とを有する、ダイシング用かつダイボンディング用のフィルムもある。   There is a film for dicing and die bonding having a base material layer, a pressure-sensitive adhesive layer positioned on the base material layer, and an adhesive layer positioned on the pressure-sensitive adhesive layer. There is also a film for dicing and die bonding having a base material layer and an adhesive layer located on the base material layer.

これらのフィルムの基材層をダイシングブレードで切り込むと、繊維状クズが出る。   When the base material layer of these films is cut with a dicing blade, fibrous scraps appear.

特開２００５−１７４９６３号公報JP 2005-174963 A 特開２０１２−２０９３６３号公報JP 2012-209363 A 特開２００７−６３３４０号公報JP 2007-63340 A

本発明のある態様は、繊維状クズをダイシングの冷却液で流し去ることが可能なダイシングダイボンディングフィルムおよびダイシングダイボンディングテープを提供することを目的とする。本発明のある態様は、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   An object of some embodiments of the present invention is to provide a dicing die bonding film and a dicing die bonding tape capable of flowing away fibrous scraps with a dicing coolant. An object of one embodiment of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device.

本発明のある態様は、ダイシングダイボンディングフィルムに関する。ダイシングダイボンディングフィルムは、ダイシング支持層とダイボンディング層とを含む。ダイシング支持層の融点は６０℃〜１００℃である。融点が１００℃以下であるので、繊維状クズを冷却液で流し去ることができる。ダイシング支持層とダイシングブレードとの摩擦でダイシング支持層を溶かすことが可能で、ダイシング支持層から繊維状クズを離すことができるのだろう。ダイシング支持層における室温の引張弾性率は３０Ｎ／ｍ２〜１００Ｎ／ｍ２である。引張弾性率が１００Ｎ／ｍ２以下であるので、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルムの剥離や、ダイシング支持層の裂けが生じにくい傾向がある。 An embodiment of the present invention relates to a dicing die bonding film. The dicing die bonding film includes a dicing support layer and a die bonding layer. The melting point of the dicing support layer is 60 ° C to 100 ° C. Since melting | fusing point is 100 degrees C or less, fibrous waste can be poured away with a cooling fluid. The dicing support layer can be melted by friction between the dicing support layer and the dicing blade, and the fibrous waste can be separated from the dicing support layer. The tensile modulus at room temperature in the dicing support layer is 30 N / m 2 to 100 N / m 2 . Since the tensile elastic modulus is 100 N / m 2 or less, peeling of the dicing die bonding film from the dicing ring and tearing of the dicing support layer tend not to occur.

本発明のある態様は、ダイシングダイボンディングテープに関する。ダイシングダイボンディングテープは、セパレータと、セパレータに接したダイシングダイボンディングフィルムとを含む。   One embodiment of the present invention relates to a dicing die bonding tape. The dicing die bonding tape includes a separator and a dicing die bonding film in contact with the separator.

本発明のある態様は、半導体装置の製造方法に関する。半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンディングフィルムに固定された半導体ウエハをダイシングする工程と、半導体ウエハをダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップを被着体に圧着する工程とを含むことができる。   One embodiment of the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device. A method for manufacturing a semiconductor device may include a step of dicing a semiconductor wafer fixed to a dicing die bonding film, and a step of pressing a pre-die bonding chip formed in the step of dicing the semiconductor wafer to an adherend. it can.

ダイシングダイボンディングテープの概略平面図である。It is a schematic plan view of a dicing die bonding tape. ダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a part of dicing die bonding tape. 半導体装置の製造工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the manufacturing process of a semiconductor device. 半導体装置の製造工程の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the manufacturing process of a semiconductor device. 変形例１におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。10 is a schematic cross-sectional view of a part of a dicing die bonding tape in Modification 1. FIG. 変形例２におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a part of dicing die-bonding tape in the modification 2. 変形例３におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a part of dicing die-bonding tape in the modification 3. 変形例４におけるダイシングダイボンディングテープの一部の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a part of dicing die-bonding tape in the modification 4.

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。   The present invention will be described in detail below with reference to embodiments, but the present invention is not limited only to these embodiments.

実施形態１
図１に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１は、セパレータ１１とダイシングダイボンディングフィルム１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、……、１２ｍ（以下、「ダイシングダイボンディングフィルム１２」と総称する。）とを含む。ダイシングダイボンディングテープ１はロール状をなすことができる。セパレータ１１はテープ状をなす。セパレータ１１は、たとえばはく離処理されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどである。ダイシングダイボンディングフィルム１２はセパレータ１１上に位置している。ダイシングダイボンディングフィルム１２ａとダイシングダイボンディングフィルム１２ｂのあいだの距離、ダイシングダイボンディングフィルム１２ｂとダイシングダイボンディングフィルム１２ｃのあいだの距離、……ダイシングダイボンディングフィルム１２ｌとダイシングダイボンディングフィルム１２ｍのあいだの距離は一定である。ダイシングダイボンディングフィルム１２は円盤状をなす。 Embodiment 1
As shown in FIG. 1, a dicing die bonding tape 1 includes a separator 11 and dicing die bonding films 12a, 12b, 12c,..., 12m (hereinafter collectively referred to as “dicing die bonding film 12”). The dicing die bonding tape 1 can have a roll shape. The separator 11 has a tape shape. The separator 11 is, for example, a peeled polyethylene terephthalate (PET) film. The dicing die bonding film 12 is located on the separator 11. The distance between the dicing die bonding film 12a and the dicing die bonding film 12b, the distance between the dicing die bonding film 12b and the dicing die bonding film 12c, ... The distance between the dicing die bonding film 12l and the dicing die bonding film 12m It is constant. The dicing die bonding film 12 has a disk shape.

図２に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ウエハ固定部１２Ａとダイシングリング固定部１２Ｂとを含むことができる。ダイシングリング固定部１２Ｂは、ウエハ固定部１２Ａの周辺に位置する。   As shown in FIG. 2, the dicing die bonding film 12 may include a wafer fixing part 12A and a dicing ring fixing part 12B. The dicing ring fixing part 12B is located around the wafer fixing part 12A.

ダイシングダイボンディングフィルム１２はダイシング支持層１２２を含む。ダイシング支持層１２２は円盤状をなす。ダイシング支持層１２２の厚みは、たとえば５０μｍ〜１５０μｍである。ダイシング支持層１２２の両面は、ダイボンディング層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシング支持層１２２の第１主面は、下塗剤が塗布されていることが可能である。   The dicing die bonding film 12 includes a dicing support layer 122. The dicing support layer 122 has a disk shape. The thickness of the dicing support layer 122 is, for example, 50 μm to 150 μm. Both surfaces of the dicing support layer 122 are defined by a first main surface that is in contact with the die bonding layer 121 and a second main surface that faces the first main surface. The first main surface of the dicing support layer 122 can be coated with a primer.

ダイシング支持層１２２の融点は１００℃以下、好ましくは９５℃以下である。融点が１００℃以下であるので、ダイシングで出た繊維状クズを冷却液で流し去ることができる。ダイシング支持層１２２とダイシングブレードとの摩擦でダイシング支持層１２２を溶かすことが可能で、ダイシング支持層１２２から繊維状クズを離すことができるのだろう。ダイシング支持層１２２の融点の下限は、たとえば６０℃、７０℃、８０℃である。ダイシング支持層１２２の融点は次に述べる方法で測定できる。ダイシング支持層１２２から１０ｍｍｇの試料を切り出し、示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ： ＤＳＣ）をおこない、ＤＳＣカーブにおける融解のピーク温度を読み取る。複数のピークが存在する場合は、最初に出現する融解ピークのピーク温度を読み取る。   The melting point of the dicing support layer 122 is 100 ° C. or lower, preferably 95 ° C. or lower. Since melting | fusing point is 100 degrees C or less, the fibrous waste which came out by dicing can be poured away with a cooling fluid. The dicing support layer 122 can be melted by friction between the dicing support layer 122 and the dicing blade, and the fibrous waste can be separated from the dicing support layer 122. The lower limit of the melting point of the dicing support layer 122 is, for example, 60 ° C., 70 ° C., and 80 ° C. The melting point of the dicing support layer 122 can be measured by the following method. A 10-mm sample is cut out from the dicing support layer 122, and differential scanning is performed using a differential scanning calorimeter (DSC 6220 manufactured by SII NanoTechnology Co., Ltd.) at a sample temperature of 10 mm, a heating rate of 5 ° C./min, and from 30 ° C. to 200 ° C. Calorimetry (differential scanning calorimetry: DSC) is performed and the melting peak temperature in the DSC curve is read. When there are multiple peaks, the peak temperature of the melting peak that appears first is read.

ダイシング支持層１２２における室温の引張弾性率は、１００Ｎ／ｍ２以下、好ましくは９０Ｎ／ｍ２以下、より好ましくは８０Ｎ／ｍ２以下である。引張弾性率が１００Ｎ／ｍ２以下であるので、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルム１２の剥離や、ダイシング支持層１２２の裂けが生じにくい傾向がある。ダイシング支持層１２２における室温の引張弾性率の下限は、たとえば３０Ｎ／ｍ２である。ダイシング支持層１２２の引張弾性率は実施例に記載の方法で測定できる。 The tensile modulus at room temperature in the dicing support layer 122 is 100 N / m 2 or less, preferably 90 N / m 2 or less, more preferably 80 N / m 2 or less. Since the tensile elastic modulus is 100 N / m 2 or less, peeling of the dicing die bonding film 12 from the dicing ring and tearing of the dicing support layer 122 tend not to occur. The lower limit of the room temperature tensile elastic modulus in the dicing support layer 122 is, for example, 30 N / m 2 . The tensile elastic modulus of the dicing support layer 122 can be measured by the method described in the examples.

ダイシング支持層１２２は、たとえばプラスチックフィルムであり、好ましくはエチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、「ＥＶＡ」という）フィルムである。一般的に、ＥＶＡフィルムの融点は、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルムなどの融点と比べて低い。すなわち、ダイシング支持層１２２は、ＥＶＡを含むことが好ましい。   The dicing support layer 122 is a plastic film, for example, and is preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer (hereinafter referred to as “EVA”) film. In general, the melting point of an EVA film is lower than the melting point of a polyethylene terephthalate film, a polypropylene film, or the like. That is, it is preferable that the dicing support layer 122 includes EVA.

ダイシングダイボンディングフィルム１２はダイボンディング層１２１を含む。ダイボンディング層１２１は、セパレータ１１とダイシング支持層１２２との間に位置する。ダイボンディング層１２１は円盤状をなす。ダイボンディング層１２１の厚みは、たとえば２μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上である。ダイボンディング層１２１の厚みは、たとえば２００μｍ以下、好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。ダイボンディング層１２１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイボンディング層１２１の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイボンディング層１２１の第２主面はダイシング支持層１２２と接している。   The dicing die bonding film 12 includes a die bonding layer 121. The die bonding layer 121 is located between the separator 11 and the dicing support layer 122. The die bonding layer 121 has a disk shape. The thickness of the die bonding layer 121 is, for example, 2 μm or more, preferably 10 μm or more. The thickness of the die bonding layer 121 is, for example, 200 μm or less, preferably 150 μm or less, and more preferably 100 μm or less. Both surfaces of the die bonding layer 121 are defined by a first main surface and a second main surface facing the first main surface. The first main surface of the die bonding layer 121 is in contact with the separator 11. The second main surface of the die bonding layer 121 is in contact with the dicing support layer 122.

ダイボンディング層１２１は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂としては、たとえばアクリル樹脂を挙げることができる。   The die bonding layer 121 includes a resin component. Examples of the resin component include a thermoplastic resin and a thermosetting resin. An example of the thermoplastic resin is an acrylic resin.

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）などが挙げられる。前記アルキル基としては、たとえばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid ester having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. And a polymer (acrylic copolymer). Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and dodecyl group.

また、重合体（アクリル共重合体）を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、たとえばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   In addition, the other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid Or a carboxyl group-containing monomer such as crotonic acid, an acid anhydride monomer such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth ) 4-hydroxybutyl acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4 -Hydroxymethyl cycle Hexyl) -hydroxyl group-containing monomers such as methyl acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate Alternatively, a sulfonic acid group-containing monomer such as (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid or the like, or a phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate may be used.

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が１０万以上のものが好ましく、３０万〜３００万のものがより好ましく、５０万〜２００万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性および耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。   Among the acrylic resins, those having a weight average molecular weight of 100,000 or more are preferable, those having 300,000 to 3,000,000 are more preferable, and those having 500,000 to 2,000,000 are more preferable. It is because it is excellent in adhesiveness and heat resistance in this numerical range. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene.

アクリル樹脂は、官能基を含むことが好ましい。官能基は、たとえばヒドロキシル基、カルボキシ基、ニトリル基などである。ヒドロキシル基、カルボキシ基が好ましい。   The acrylic resin preferably contains a functional group. The functional group is, for example, a hydroxyl group, a carboxy group, a nitrile group or the like. A hydroxyl group and a carboxy group are preferred.

樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上である。１０重量％以上であると、可撓性が良好である。樹脂成分１００重量％中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは７０重量％以下である。   The content of the thermoplastic resin in 100% by weight of the resin component is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more. When it is 10% by weight or more, flexibility is good. The content of the thermoplastic resin in 100% by weight of the resin component is preferably 80% by weight or less, more preferably 70% by weight or less.

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを挙げることができる。   Examples of the thermosetting resin include an epoxy resin and a phenol resin.

エポキシ樹脂としては特に限定されず、たとえばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type Bifunctional epoxy resins such as ortho-cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., and epoxy resins such as hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, or glycidylamine type are used. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１００ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは１２０ｇ／ｅｑ．以上である。エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１０００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、ＪＩＳ Ｋ ７２３６−２００９に規定された方法で測定できる。 The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 100 g / eq. Or more, more preferably 120 g / eq. That's it. The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 1000 g / eq. Or less, more preferably 500 g / eq. It is as follows.
In addition, the epoxy equivalent of an epoxy resin can be measured by the method prescribed | regulated to JISK7236-2009.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、たとえば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. For example, a novolak type phenol resin such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, or a resol type phenol resin. And polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは１５０ｇ／ｅｑ．以上、より好ましくは２００ｇ／ｅｑ．以上である。フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは５００ｇ／ｅｑ．以下、より好ましくは３００ｇ／ｅｑ．以下である。   The hydroxyl equivalent of the phenol resin is preferably 150 g / eq. Or more, more preferably 200 g / eq. That's it. The hydroxyl equivalent of the phenol resin is preferably 500 g / eq. Or less, more preferably 300 g / eq. It is as follows.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、たとえば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably blended so that the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of this range, the sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured product are likely to deteriorate.

樹脂成分１００重量％中のエポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは２０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上である。エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。   The total content of the epoxy resin and the phenol resin in 100% by weight of the resin component is preferably 20% by weight or more, more preferably 30% by weight or more. The total content of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less.

ダイボンディング層１２１は無機充填剤を含むことができる。無機充填剤としては、たとえば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田、カーボンなどが挙げられる。なかでも、シリカ、アルミナ、銀などが好ましく、シリカがより好ましい。無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．００１μｍ〜１μｍである。フィラーの平均粒径は、次の方法で測定できる。ダイボンディング層１２１をるつぼに入れ、大気雰囲気下、７００℃で２時間強熱して灰化させ、得られた灰分を純水中に分散させて１０分間超音波処理し、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製、「ＬＳ １３ ３２０」；湿式法）を用いて平均粒径を求める。   The die bonding layer 121 may include an inorganic filler. Examples of inorganic fillers include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin, zinc, palladium , Solder, carbon and the like. Of these, silica, alumina, silver and the like are preferable, and silica is more preferable. The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.001 μm to 1 μm. The average particle diameter of the filler can be measured by the following method. The die bonding layer 121 is put in a crucible and ignited by igniting at 700 ° C. for 2 hours in an air atmosphere. The obtained ash is dispersed in pure water and subjected to ultrasonic treatment for 10 minutes, and laser diffraction scattering particle size distribution. An average particle diameter is calculated | required using a measuring apparatus (The Beckman Coulter company make, "LS13320"; wet method).

ダイボンディング層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、さらに好ましくは３０重量％以上である。ダイボンディング層１２１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。   The content of the inorganic filler in the die bonding layer 121 is preferably 10% by weight or more, more preferably 20% by weight or more, and further preferably 30% by weight or more. The content of the inorganic filler in the die bonding layer 121 is preferably 70% by weight or less, more preferably 60% by weight or less, and still more preferably 50% by weight or less.

ダイボンディング層１２１は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、たとえば、シランカップリング剤、硬化促進剤、架橋剤などを適宜含有してよい。   In addition to the above components, the die bonding layer 121 may appropriately contain a compounding agent generally used in film production, for example, a silane coupling agent, a curing accelerator, a crosslinking agent, and the like.

ダイシングダイボンディングテープ１は、半導体装置を製造するために使用できる。   The dicing die bonding tape 1 can be used for manufacturing a semiconductor device.

図３に示すように、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除き、ダイシングリング９１と加熱テーブル９２で温められた半導体ウエハ４とをロール９３でダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する。たとえば４０℃以上、好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上、さらに好ましくは５５℃以上で半導体ウエハ４を固定する。たとえば８０℃以下、好ましくは７０℃以下で半導体ウエハ４を固定する。圧力は、たとえば１×１０５Ｐａ〜１×１０７Ｐａである。ロール速度は、たとえば１０ｍｍ／ｓｅｃである。半導体ウエハ４としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどを挙げることができる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどを挙げることができる。 As shown in FIG. 3, the separator 11 is removed from the dicing die bonding tape 1, and the dicing ring 91 and the semiconductor wafer 4 heated by the heating table 92 are fixed to the dicing die bonding film 12 with a roll 93. For example, the semiconductor wafer 4 is fixed at 40 ° C. or higher, preferably 45 ° C. or higher, more preferably 50 ° C. or higher, and further preferably 55 ° C. or higher. For example, the semiconductor wafer 4 is fixed at 80 ° C. or lower, preferably 70 ° C. or lower. The pressure is, for example, 1 × 10 5 Pa to 1 × 10 7 Pa. The roll speed is, for example, 10 mm / sec. Examples of the semiconductor wafer 4 include a silicon wafer, a silicon carbide wafer, and a compound semiconductor wafer. Examples of compound semiconductor wafers include gallium nitride wafers.

図４に示すように、積層体２は、ダイシングダイボンディングフィルム１２と、ウエハ固定部１２Ａに固定された半導体ウエハ４と、ダイシングリング固定部１２Ｂに固定されたダイシングリング９１とを含む。   As shown in FIG. 4, the laminate 2 includes a dicing die bonding film 12, a semiconductor wafer 4 fixed to the wafer fixing part 12A, and a dicing ring 91 fixed to the dicing ring fixing part 12B.

図５に示すように、半導体ウエハ４に冷却液を吹きかけながら半導体ウエハ４をダイシングブレードで切断する。ダイシングブレードは基材層１２２に達する。ダイボンディング前チップ５は、半導体チップ４１と、半導体チップ４１上に位置するダイシング後ダイボンディング層１２１とを含む。半導体チップ４１は電極パッドを有する。   As shown in FIG. 5, the semiconductor wafer 4 is cut with a dicing blade while spraying the coolant on the semiconductor wafer 4. The dicing blade reaches the base material layer 122. The pre-die bonding chip 5 includes a semiconductor chip 41 and a post-dicing die bonding layer 121 located on the semiconductor chip 41. The semiconductor chip 41 has electrode pads.

ダイボンディング前チップ５をニードルで突き上げ、ダイボンディング前チップ５をピックアップする。   The chip 5 before die bonding is pushed up with a needle, and the chip 5 before die bonding is picked up.

図６に示すように、ダイボンディング前チップ５を被着体６に圧着する。たとえば８０℃以上、好ましくは９０℃以上で圧着をおこなう。たとえば１５０℃以下、好ましくは１３０℃以下で圧着をおこなう。被着体６は、たとえばリードフレーム、インターポーザ、ＴＡＢフィルム、半導体チップなどである。被着体６は端子部を有する。   As shown in FIG. 6, the chip 5 before die bonding is pressure-bonded to the adherend 6. For example, the pressure bonding is performed at 80 ° C. or higher, preferably 90 ° C. or higher. For example, the pressure bonding is performed at 150 ° C. or lower, preferably 130 ° C. or lower. The adherend 6 is, for example, a lead frame, an interposer, a TAB film, or a semiconductor chip. The adherend 6 has a terminal portion.

半導体チップ４１付きかつダイシング後ダイボンディング層１２１付きの被着体６を加圧雰囲気下で加熱することによりダイシング後ダイボンディング層１２１を硬化させる。加圧雰囲気は、たとえば０．５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−２ＭＰａ）以上、好ましくは１ｋｇ／ｃｍ２（９．８×１０−２ＭＰａ）以上、より好ましくは５ｋｇ／ｃｍ２（４．９×１０−１ＭＰａ）以上である。たとえば１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１７０℃以上で加熱をおこなう。上限は、たとえば２６０℃、２００℃、１８０℃などである。 The post-dicing die bonding layer 121 is cured by heating the adherend 6 with the semiconductor chip 41 and the post-dicing die bonding layer 121 in a pressurized atmosphere. The pressurized atmosphere is, for example, 0.5 kg / cm 2 (4.9 × 10 −2 MPa) or more, preferably 1 kg / cm 2 (9.8 × 10 −2 MPa) or more, more preferably 5 kg / cm 2 ( 4.9 × 10 −1 MPa) or more. For example, heating is performed at 120 ° C. or higher, preferably 150 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher. An upper limit is 260 degreeC, 200 degreeC, 180 degreeC etc., for example.

図７に示すように、半導体チップ４１の電極パッドと被着体６の端子部とをボンディングワイヤー７で電気的に接続し、封止樹脂８で半導体チップ４１を封止する。   As shown in FIG. 7, the electrode pad of the semiconductor chip 41 and the terminal portion of the adherend 6 are electrically connected by the bonding wire 7, and the semiconductor chip 41 is sealed with the sealing resin 8.

以上の方法により得られた半導体装置は、半導体チップ４１と被着体６とダイシング後ダイボンディング層１２１とを含む。ダイシング後ダイボンディング層１２１は、半導体チップ４１と被着体６とを接続している。半導体装置は、半導体チップ４１を覆う封止樹脂８をさらに含む。   The semiconductor device obtained by the above method includes the semiconductor chip 41, the adherend 6, and the post-dicing die bonding layer 121. The post-dicing die bonding layer 121 connects the semiconductor chip 41 and the adherend 6. The semiconductor device further includes a sealing resin 8 that covers the semiconductor chip 41.

以上のとおり、半導体装置の製造方法は、ダイシングダイボンディングテープ１からセパレータ１１を除く工程を含むことができる。製造方法は、ダイシングリング９１と半導体ウエハ４とをダイシングダイボンディングフィルム１２に固定する工程を含むことができる。製造方法は、ダイシングダイボンディングフィルム１２に固定された半導体ウエハ４をダイシングする工程を含むことができる。製造方法は、半導体ウエハ４をダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップ５を被着体６に圧着する工程を含むことができる。   As described above, the method for manufacturing a semiconductor device can include a step of removing the separator 11 from the dicing die bonding tape 1. The manufacturing method can include a step of fixing the dicing ring 91 and the semiconductor wafer 4 to the dicing die bonding film 12. The manufacturing method can include a step of dicing the semiconductor wafer 4 fixed to the dicing die bonding film 12. The manufacturing method can include a step of pressure-bonding the pre-die bonding chip 5 formed in the step of dicing the semiconductor wafer 4 to the adherend 6.

変形例１
図８に示すように、ダイボンディング層１２１は、第１層１２１１と第２層１２１２とを含む。第１層１２１１は円盤状をなす。第１層１２１１の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第１層１２１１の第１主面はセパレータ１１と接している。第１層１２１１の第２主面は第２層１２１２と接している。第２層１２１２は円盤状をなす。第２層１２１２の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。第２層１２１２の第１主面は第１層１２１１と接している。第２層１２１２の第２主面は基材層１２２と接している。 Modification 1
As shown in FIG. 8, the die bonding layer 121 includes a first layer 1211 and a second layer 1212. The first layer 1211 has a disk shape. Both surfaces of the first layer 1211 are defined by a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface. The first main surface of the first layer 1211 is in contact with the separator 11. The second main surface of the first layer 1211 is in contact with the second layer 1212. The second layer 1212 has a disk shape. Both surfaces of the second layer 1212 are defined by a first main surface and a second main surface facing the first main surface. The first main surface of the second layer 1212 is in contact with the first layer 1211. The second main surface of the second layer 1212 is in contact with the base material layer 122.

第１層１２１１は、粘着性を有することが好ましい。第２層１２１２を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。第２層１２１２の組成・物性は、第１層１２１１の組成・物性と異なることができる。第２層１２１２の組成・物性の好適な例は、実施例１のダイボンディング層１２１の例を準用する。   The first layer 1211 preferably has adhesiveness. Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the second layer 1212 include known pressure-sensitive adhesives such as acrylic, rubber-based, vinyl alkyl ether-based, silicone-based, polyester-based, polyamide-based, urethane-based, and styrene-diene block copolymer systems. Can be used alone or in combination of two or more. Acrylic adhesive is preferred. The composition and physical properties of the second layer 1212 can be different from the composition and physical properties of the first layer 1211. As a suitable example of the composition and physical properties of the second layer 1212, the example of the die bonding layer 121 of Example 1 is applied mutatis mutandis.

変形例２
図９に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ダイシングリング固定粘着剤部１２３を含む。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、ダイボンディング層１２１の周辺に位置する。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、ダイボンディング層１２１と接していない。ダイシングリング固定粘着剤部１２３は、たとえばドーナツ板状をなす。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイシングリング固定粘着剤部１２３の第２主面は、ダイシング支持層１２２と接している。 Modification 2
As shown in FIG. 9, the dicing die bonding film 12 includes a dicing ring fixing adhesive part 123. The dicing ring fixing adhesive part 123 is located around the die bonding layer 121. The dicing ring fixing adhesive part 123 is not in contact with the die bonding layer 121. The dicing ring fixing adhesive part 123 has a donut plate shape, for example. Both surfaces of the dicing ring fixing adhesive part 123 are defined by a first main surface and a second main surface facing the first main surface. The first main surface of the dicing ring fixing adhesive portion 123 is in contact with the separator 11. The second main surface of the dicing ring fixing adhesive part 123 is in contact with the dicing support layer 122.

ダイシングリング固定粘着剤部１２３を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。   Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the dicing ring fixing pressure-sensitive adhesive portion 123 include acrylics, rubbers, vinyl alkyl ethers, silicones, polyesters, polyamides, urethanes, styrene-diene block copolymer systems, and the like. These pressure-sensitive adhesives can be used alone or in combination of two or more. Acrylic adhesive is preferred.

変形例３
図１０に示すように、ダイシングダイボンディングフィルム１２は、ダイシングリング固定粘着剤部１２４を含む。ダイシングリング固定粘着剤部１２４は、セパレータ１１とダイボンディング層１２１との間に位置する。ダイシングリング固定粘着剤部１２４は、たとえばドーナツ板状をなす。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の両面は、第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の第１主面はセパレータ１１と接している。ダイシングリング固定粘着剤部１２４の第２主面は、ダイボンディング層１２１と接している。 Modification 3
As shown in FIG. 10, the dicing die bonding film 12 includes a dicing ring fixing adhesive part 124. The dicing ring fixing adhesive part 124 is located between the separator 11 and the die bonding layer 121. The dicing ring fixing adhesive portion 124 has, for example, a donut plate shape. Both surfaces of the dicing ring fixing adhesive part 124 are defined by a first main surface and a second main surface facing the first main surface. The first main surface of the dicing ring fixing adhesive portion 124 is in contact with the separator 11. The second main surface of the dicing ring fixing adhesive portion 124 is in contact with the die bonding layer 121.

ダイシングリング固定粘着剤部１２４を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。   Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the dicing ring fixing pressure-sensitive adhesive portion 124 include acrylic, rubber-based, vinyl alkyl ether-based, silicone-based, polyester-based, polyamide-based, urethane-based, and styrene-diene block copolymer systems. These pressure-sensitive adhesives can be used alone or in combination of two or more. Acrylic adhesive is preferred.

変形例４
図１１に示すように、ダイシング支持層１２２は、基材層１２２１と粘着剤層１２２２とを含む。基材層１２２１は円盤状をなす。基材層１２２１の両面は、粘着剤層１２２２と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。粘着剤層１２２２は円盤状をなす。粘着剤層１２２２の両面は、ダイボンディング層１２１と接した第１主面と第１主面に対向した第２主面とで定義される。粘着剤層１２２２の第２主面は基材層１２２１と接している。 Modification 4
As shown in FIG. 11, the dicing support layer 122 includes a base material layer 1221 and an adhesive layer 1222. The base material layer 1221 has a disk shape. Both surfaces of the base material layer 1221 are defined by a first main surface in contact with the pressure-sensitive adhesive layer 1222 and a second main surface facing the first main surface. The pressure-sensitive adhesive layer 1222 has a disk shape. Both surfaces of the adhesive layer 1222 are defined by a first main surface in contact with the die bonding layer 121 and a second main surface facing the first main surface. The second main surface of the pressure-sensitive adhesive layer 1222 is in contact with the base material layer 1221.

基材層１２２１は、たとえばプラスチックフィルムであり、好ましくはＥＶＡフィルムである。すなわち、基材層１２２１は、ＥＶＡを含むことが好ましい。   The base material layer 1221 is, for example, a plastic film, preferably an EVA film. That is, it is preferable that the base material layer 1221 contains EVA.

粘着剤層１２２２を構成する粘着剤には、たとえば、アクリル系、ゴム系、ビニルアルキルエーテル系、シリコーン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ウレタン系、スチレン−ジエンブロック共重合体系などの公知の粘着剤を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。アクリル系粘着剤が好ましい。   Examples of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 1222 include known pressure-sensitive adhesives such as acrylic, rubber-based, vinyl alkyl ether-based, silicone-based, polyester-based, polyamide-based, urethane-based, and styrene-diene block copolymer systems. Can be used alone or in combination of two or more. Acrylic adhesive is preferred.

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded.

接着剤層の作製
アクリルポリマー４８重量部（ナガセケムテックス社製のＳＧ−７０Ｌ）と、エポキシ樹脂６重量部（東都化成社製のＫＩ−３０００）と、フェノール樹脂６重量部（明和化成社製のＭＥＨ７８５１−ＳＳ）と、シリカフィラー４０重量部(アドマテックス社製のＳＥ−２０５０−ＭＣＶ（平均一次粒径０．５μｍ）)とをメチルエチルケトンに溶解することにより、固形分２０ｗｔ％のワニスを作製した。ワニスをセパレータ（シリコーン処理されたＰＥＴフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥し、厚み２０μｍの接着剤層を得た。 Preparation of Adhesive Layer 48 parts by weight of acrylic polymer (SG-70L manufactured by Nagase ChemteX Corporation), 6 parts by weight of epoxy resin (KI-3000 manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.), and 6 parts by weight of phenol resin (manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.) MEH7851-SS) and 40 parts by weight of silica filler (Ad-20X SE-2050-MCV (average primary particle size 0.5 μm)) are dissolved in methyl ethyl ketone to produce a varnish with a solid content of 20 wt%. did. The varnish was applied to a separator (silicone-treated PET film) and dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain an adhesive layer having a thickness of 20 μm.

粘着剤層の作製
アクリルポリマー（ナガセケムテックス社製のＳＧ−７０８−６）をメチルエチルケトンに溶解することにより、固形分２０ｗｔ％のワニスを作製した。ワニスをセパレータ（シリコーン処理されたＰＥＴフィルム）に塗布し、１３０℃で２分間乾燥し、厚み３０μｍの粘着剤層を得た。 Preparation of pressure-sensitive adhesive layer A varnish having a solid content of 20 wt% was prepared by dissolving an acrylic polymer (SG-708-6, manufactured by Nagase ChemteX Corporation) in methyl ethyl ketone. The varnish was applied to a separator (silicone-treated PET film) and dried at 130 ° C. for 2 minutes to obtain a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 30 μm.

実施例１におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃでＥＶＡフィルム１（厚み１００μｍ）に接着剤層を積層することにより、実施例１のダイシングダイボンディングフィルムを得た。実施例１のダイシングダイボンディングフィルムは、ＥＶＡフィルム１とＥＶＡフィルム１上に位置する接着剤層とを有する。 Preparation of Dicing Die Bonding Film in Example 1 A dicing die bonding film of Example 1 was obtained by laminating an adhesive layer on the EVA film 1 (thickness: 100 μm) at 60 ° C. and 10 mm / sec. The dicing die bonding film of Example 1 has an EVA film 1 and an adhesive layer positioned on the EVA film 1.

実施例２におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにＥＶＡフィルム２（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で実施例２のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Example 2 A dicing die bonding film of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that EVA film 2 (thickness 100 μm) was used instead of EVA film 1.

実施例３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにＥＶＡフィルム３（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で実施例３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Example 3 A dicing die bonding film of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that EVA film 3 (thickness: 100 μm) was used instead of EVA film 1.

実施例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃで接着剤層に粘着剤層を積層し、６０℃、１０ｍｍ／ｓｅｃで粘着剤層にＥＶＡフィルム３を積層することにより、実施例４のダイシングダイボンディングフィルムを得た。実施例４のダイシングダイボンディングフィルムは、ＥＶＡフィルム３と粘着剤層とから構成される粘着フィルムを有する。実施例４のダイシングダイボンディングフィルムは接着剤層をさらに有する。接着剤層とＥＶＡフィルム３との間に粘着剤層が位置する。 Production of Dicing Die Bonding Film in Example 4 By laminating the pressure-sensitive adhesive layer on the adhesive layer at 60 ° C. and 10 mm / sec, and laminating the EVA film 3 on the pressure-sensitive adhesive layer at 60 ° C. and 10 mm / sec. No. 4 dicing die bonding film was obtained. The dicing die bonding film of Example 4 has an adhesive film composed of the EVA film 3 and an adhesive layer. The dicing die bonding film of Example 4 further has an adhesive layer. A pressure-sensitive adhesive layer is located between the adhesive layer and the EVA film 3.

比較例１におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにアイオノマーフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例１のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Preparation of Dicing Die Bonding Film in Comparative Example 1 A dicing die bonding film of Comparative Example 1 was obtained in the same manner as in Example 1 except that an ionomer film (thickness: 100 μm) was used instead of the EVA film 1.

比較例２におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリプロピレン系フィルム１（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例２のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Comparative Example 2 A dicing die bonding film of Comparative Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that polypropylene film 1 (thickness: 100 μm) was used instead of EVA film 1.

比較例３におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリプロピレン系フィルム２（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例３のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Comparative Example 3 A dicing die bonding film of Comparative Example 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polypropylene film 2 (thickness: 100 μm) was used instead of the EVA film 1.

比較例４におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例４のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Comparative Example 4 A dicing die bonding film of Comparative Example 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene terephthalate film (thickness: 100 μm) was used instead of the EVA film 1.

比較例５におけるダイシングダイボンディングフィルムの作製
ＥＶＡフィルム１の代わりにポリエチレンフィルム（厚み１００μｍ）を用いた以外は、実施例１と同じ方法で比較例５のダイシングダイボンディングフィルムを得た。 Production of Dicing Die Bonding Film in Comparative Example 5 A dicing die bonding film of Comparative Example 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene film (thickness: 100 μm) was used instead of the EVA film 1.

定義
ＥＶＡフィルム１〜３、アイオノマーフィルム、ポリプロピレン系フィルム１〜２、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルムを「基材フィルム」と総称する。 Definitions EVA films 1 to 3, ionomer films, polypropylene films 1 to 2, polyethylene terephthalate films, and polyethylene films are collectively referred to as “base film”.

基材フィルムにおける融点の測定 実施例１〜３・比較例１〜５
基材フィルムから１０ｍｍｇの試料を切り出した。示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定をおこなった。ＤＳＣカーブにおける融解のピーク温度を読み取った。結果を表１に示す。 Measurement of melting point of base film Examples 1-3 and Comparative Examples 1-5
A 10 mm sample was cut from the base film. Using a differential scanning calorimeter (DSC 6220 manufactured by SII Nano Technology), differential scanning calorimetry was performed at 10 mmg of sample, a temperature rising rate of 5 ° C./min, and from 30 ° C. to 200 ° C. The melting peak temperature in the DSC curve was read. The results are shown in Table 1.

粘着フィルムにおける融点の測定 実施例４
粘着フィルムから１０ｍｍｇの試料を切り出した。示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製のＤＳＣ６２２０）を用いて、試料１０ｍｍｇ、昇温速度５℃／分、３０℃から２００℃までで示差走査熱量測定をおこなった。ＤＳＣカーブには複数のピークが存在したため、最初に出現した融解ピークのピーク温度を読み取った。結果を表１に示す。 Measurement of melting point in adhesive film Example 4
A 10 mmg sample was cut out from the adhesive film. Using a differential scanning calorimeter (DSC 6220 manufactured by SII Nano Technology), differential scanning calorimetry was performed at 10 mmg of sample, a temperature rising rate of 5 ° C./min, and from 30 ° C. to 200 ° C. Since there were a plurality of peaks in the DSC curve, the peak temperature of the melting peak that appeared first was read. The results are shown in Table 1.

基材フィルムの引張試験 実施例１〜３・比較例１〜５
基材フィルムから、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの試料を切り出した。引張試験機(島津製作所社製のオートグラフ)を用いて、室温２３℃、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、チャック間距離１００ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験をおこなった。応力―ひずみ曲線における引張荷重１Ｎ時の点と２Ｎ時の点とを結ぶ直線の傾きを引張弾性率とした。引張弾性率を表１に示す。破断時の伸び率も表１に示す。 Tensile test of base film Examples 1-3 and Comparative Examples 1-5
A sample having a width of 25 mm and a length of 150 mm was cut out from the base film. Using a tensile tester (Autograph manufactured by Shimadzu Corporation), a tensile test was performed at room temperature of 23 ° C., width of 25 mm, length of 150 mm, distance between chucks of 100 mm, and tensile speed of 300 mm / min. In the stress-strain curve, the slope of the straight line connecting the point at the time of a tensile load of 1N and the point at the time of 2N was taken as the tensile elastic modulus. Table 1 shows the tensile modulus. Table 1 also shows the elongation at break.

粘着フィルムの引張試験 実施例４
粘着フィルムから、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍの試料を切り出した。引張試験機(島津製作所社製のオートグラフ)を用いて、室温２３℃、幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍ、チャック間距離１００ｍｍ、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎで引張試験をおこなった。応力―ひずみ曲線における引張荷重１Ｎ時の点と２Ｎ時の点とを結ぶ直線の傾きを引張弾性率とした。引張弾性率を表１に示す。破断時の伸び率も表１に示す。 Tensile test of adhesive film Example 4
A sample having a width of 25 mm and a length of 150 mm was cut out from the adhesive film. Using a tensile tester (Autograph manufactured by Shimadzu Corporation), a tensile test was performed at room temperature of 23 ° C., width of 25 mm, length of 150 mm, distance between chucks of 100 mm, and tensile speed of 300 mm / min. In the stress-strain curve, the slope of the straight line connecting the point at the time of a tensile load of 1N and the point at the time of 2N was taken as the tensile elastic modulus. Table 1 shows the tensile modulus. Table 1 also shows the elongation at break.

繊維状クズの評価 実施例１〜４・比較例１〜５
ダイシングダイボンディングフィルムに、ダイシングリングと６０℃のミラーウエハ（厚み１００μｍ）とを固定した。ダイシング装置(ディスコ社製のＤＦＤ６３６１)を用い、シングルカットモード、ブレードタイプＺ１:ＮＢＣ-ＺＨ ２０３Ｏ-ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、スピンドル５０Ｋｒｐｍ、ブレード高さ７０μｍ（基材フィルムを深さ３０μｍ切り込む設定）、ダイシング速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、水量１Ｌ／ｍｉｎで、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップを形成した。チップを突き上げ、１０個のチップを取り外し、基材フィルムのダイシングラインを観察した。長さ２ｍｍ以上の繊維状クズがあったときは×と判定した。長さ２ｍｍ以上の繊維状クズがなかったときは○と判定した。結果を表１に示す。 Evaluation of fibrous scraps Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5
A dicing ring and a 60 ° C. mirror wafer (thickness: 100 μm) were fixed to the dicing die bonding film. Using a dicing machine (DFD 6361 made by Disco), single cut mode, blade type Z1: NBC-ZH 203O-SE 27HCDD, spindle 50Krpm, blade height 70μm (setting to cut substrate film 30μm in depth), dicing speed 30mm A 10 mm × 10 mm chip was formed at a rate of 1 sec / min. The chip was pushed up, 10 chips were removed, and the dicing line of the base film was observed. When there was a fibrous scrap having a length of 2 mm or more, it was determined as x. When there was no fibrous scrap having a length of 2 mm or more, it was judged as “good”. The results are shown in Table 1.

エキスパンドの評価 実施例１〜４・比較例１〜５
ダイシングダイボンディングフィルムに、ダイシングリングと６０℃のミラーウエハ（厚み１００μｍ）とを固定した。ダイシング装置(ディスコ社製のＤＦＤ６３６１)を用い、シングルカットモード、ブレードタイプＺ１:ＮＢＣ-ＺＨ ２０３Ｏ-ＳＥ ２７ＨＣＤＤ、スピンドル５０Ｋｒｐｍ、ブレード高さ７０μｍ、ダイシング速度３０ｍｍ／ｓｅｃ、水量１Ｌ／ｍｉｎで、１０ｍｍ×１０ｍｍのチップを形成した。ダイボンド装置(新川社製のＳＰＡ-３００)を用い、１０ｍｍエキスパンドで１０分間保持した。エキスパンド終了後、ダイシングリングからのダイシングダイボンディングフィルムの剥離、基材フィルム裂けのどちらかが生じたとき、または強度が高すぎてエキスパンド不可だったときは×と判定した。×以外のときは、○と判定した。結果を表１に示す。 Evaluation of Expanding Examples 1-4 and Comparative Examples 1-5
A dicing ring and a 60 ° C. mirror wafer (thickness: 100 μm) were fixed to the dicing die bonding film. Using a dicing device (DFD 6361 made by Disco), single cut mode, blade type Z1: NBC-ZH 203O-SE 27HCDD, spindle 50Krpm, blade height 70μm, dicing speed 30mm / sec, water volume 1L / min, 10mm × A 10 mm chip was formed. Using a die bond apparatus (SPA-300 manufactured by Shinkawa Co., Ltd.), it was held for 10 minutes with a 10 mm expander. After the completion of expansion, when either peeling of the dicing die bonding film from the dicing ring or tearing of the base material film occurred, or when the expansion was impossible due to the strength being too high, it was determined as x. When it was other than ×, it was judged as “good”. The results are shown in Table 1.

Figure 2017195336
Figure 2017195336

Claims (4)

ダイシング支持層と、
ダイボンディング層とを含み、
前記ダイシング支持層の融点が６０℃〜１００℃であり、
前記ダイシング支持層における室温の引張弾性率が３０Ｎ／ｍ２〜１００Ｎ／ｍ２である、
ダイシングダイボンディングフィルム。 A dicing support layer;
Including a die bonding layer,
The dicing support layer has a melting point of 60 ° C to 100 ° C,
The tensile modulus at room temperature in the dicing support layer is 30 N / m 2 to 100 N / m 2 .
Dicing die bonding film. 前記ダイシング支持層はエチレン−酢酸ビニル共重合体を含む、請求項１に記載のダイシングダイボンディングフィルム。   The dicing die bonding film according to claim 1, wherein the dicing support layer includes an ethylene-vinyl acetate copolymer. セパレータと、
前記セパレータに接した、請求項１または２に記載のダイシングダイボンディングフィルムと
を含む、ダイシングダイボンディングテープ。 A separator;
A dicing die bonding tape comprising the dicing die bonding film according to claim 1, which is in contact with the separator. 請求項１または２に記載のダイシングダイボンディングフィルムに固定された半導体ウエハをダイシングする工程と、
前記半導体ウエハをダイシングする工程で形成されたダイボンディング前チップを被着体に圧着する工程と
を含む、半導体装置の製造方法。

A step of dicing the semiconductor wafer fixed to the dicing die bonding film according to claim 1 or 2;
And a step of pressure-bonding a chip before die bonding formed in the step of dicing the semiconductor wafer to an adherend.

JP2016086297A 2016-04-22 2016-04-22 Dicing die bonding film, dicing die bonding tape, and method for manufacturing semiconductor device Active JP6721398B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016086297A JP6721398B2 (en) 2016-04-22 2016-04-22 Dicing die bonding film, dicing die bonding tape, and method for manufacturing semiconductor device
KR1020170049073A KR102342479B1 (en) 2016-04-22 2017-04-17 Dicing die-bonding film, dicing die-bonding tape and method for manufacturing semiconductor device
TW106113234A TWI734774B (en) 2016-04-22 2017-04-20 Die bonding dicing film, die bonding dicing tape and manufacturing method of semiconductor device
CN201710265569.4A CN107331645A (en) 2016-04-22 2017-04-21 The manufacture method of dicing/die bonding film, dicing/die bonding ribbon and semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016086297A JP6721398B2 (en) 2016-04-22 2016-04-22 Dicing die bonding film, dicing die bonding tape, and method for manufacturing semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017195336A true JP2017195336A (en) 2017-10-26
JP6721398B2 JP6721398B2 (en) 2020-07-15

Family

ID=60155613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016086297A Active JP6721398B2 (en) 2016-04-22 2016-04-22 Dicing die bonding film, dicing die bonding tape, and method for manufacturing semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6721398B2 (en)
KR (1) KR102342479B1 (en)
CN (1) CN107331645A (en)
TW (1) TWI734774B (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006342330A (en) * 2005-05-12 2006-12-21 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and method for dicing using the same
JP2007027474A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Denki Kagaku Kogyo Kk Base material film for wafer full-cut dicing tape, and wafer full-cut dicing tape using the film
JP2007031535A (en) * 2005-07-26 2007-02-08 Denki Kagaku Kogyo Kk Pressure-sensitive adhesive sheet and manufacturing process of electronic component
WO2010131616A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 電気化学工業株式会社 Adhesive agent, adhesive sheet, and process for production of electronic component
WO2016052444A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 リンテック株式会社 Base for sheets for semiconductor wafer processing, sheet for semiconductor wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device
JP2017108090A (en) * 2015-12-08 2017-06-15 リンテック株式会社 Dicing sheet and method for producing dicing sheet

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000038556A (en) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp Semiconductor wafer-retaining protective hot-melt sheet and method for application thereof
JP4477346B2 (en) 2003-12-05 2010-06-09 古河電気工業株式会社 Adhesive tape for semiconductor dicing
JP5140910B2 (en) 2005-08-30 2013-02-13 住友ベークライト株式会社 Film base and adhesive tape for semiconductor wafer processing
KR101488047B1 (en) * 2007-07-19 2015-01-30 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 Dicing/die bonding tape and method for manufacturing semiconductor chip
JP4717051B2 (en) * 2007-11-08 2011-07-06 日東電工株式会社 Dicing die bond film
JP4801127B2 (en) * 2008-09-01 2011-10-26 日東電工株式会社 Manufacturing method of dicing die-bonding film
KR101083959B1 (en) * 2010-02-01 2011-11-16 닛토덴코 가부시키가이샤 Film for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device
JP4976532B2 (en) * 2010-09-06 2012-07-18 日東電工株式会社 Film for semiconductor devices
JP2012209363A (en) 2011-03-29 2012-10-25 Sumitomo Bakelite Co Ltd Dicing film
CN103013365A (en) * 2011-09-23 2013-04-03 古河电气工业株式会社 Belt for wafer processing
CN103930505B (en) * 2011-11-10 2017-08-25 旭化成株式会社 Adhesive tape and veil
JP6542504B2 (en) * 2013-02-20 2019-07-10 日東電工株式会社 Film adhesive, dicing tape with film adhesive, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006342330A (en) * 2005-05-12 2006-12-21 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive sheet for dicing and method for dicing using the same
JP2007027474A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Denki Kagaku Kogyo Kk Base material film for wafer full-cut dicing tape, and wafer full-cut dicing tape using the film
JP2007031535A (en) * 2005-07-26 2007-02-08 Denki Kagaku Kogyo Kk Pressure-sensitive adhesive sheet and manufacturing process of electronic component
WO2010131616A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 電気化学工業株式会社 Adhesive agent, adhesive sheet, and process for production of electronic component
WO2016052444A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 リンテック株式会社 Base for sheets for semiconductor wafer processing, sheet for semiconductor wafer processing, and method for manufacturing semiconductor device
JP2017108090A (en) * 2015-12-08 2017-06-15 リンテック株式会社 Dicing sheet and method for producing dicing sheet

Also Published As

Publication number Publication date
KR102342479B1 (en) 2021-12-24
TWI734774B (en) 2021-08-01
CN107331645A (en) 2017-11-07
KR20170121065A (en) 2017-11-01
JP6721398B2 (en) 2020-07-15
TW201805385A (en) 2018-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6033734B2 (en) Film adhesive, dicing tape integrated film adhesive, and method for manufacturing semiconductor device
KR20110101102A (en) Dicing die-bonding film
JP2011181684A (en) Die bond film, dicing die bond film, and semiconductor device
JP5390209B2 (en) Thermosetting die bond film
JP2009049400A (en) Thermoset die bond film
JP6431343B2 (en) Adhesive sheet, adhesive sheet with dicing sheet, laminated sheet, and method for manufacturing semiconductor device
JP6670156B2 (en) Circuit member connection sheet and method of manufacturing semiconductor device
JP6549902B2 (en) Dicing die bond film, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP5696205B2 (en) Die bond film, dicing die bond film and semiconductor device
JP6321910B2 (en) Sealing sheet, method for manufacturing semiconductor device, and substrate with sealing sheet
TW201446923A (en) Underfill adhesive film, underfill adhesive film with integrated backgrinding tape, underfill adhesive film with integrated dicing tape, and semiconductor device
JP5499772B2 (en) Adhesive member for semiconductor, adhesive composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor, laminate and method for producing semiconductor device
JP5976716B2 (en) Thermosetting die bond film
KR102625368B1 (en) Sheet for manufacturing three-dimensional integrated laminate circuit and method for manufacturing three-dimensional integrated laminate circuit
TWI701800B (en) Plate for manufacturing three-dimensional volume layer circuit and manufacturing method of three-dimensional volume layer circuit
JP6721398B2 (en) Dicing die bonding film, dicing die bonding tape, and method for manufacturing semiconductor device
JPWO2017110202A1 (en) Semiconductor processing tape
WO2015046082A1 (en) Method for producing semiconductor device
JP6174293B1 (en) Sheet for manufacturing three-dimensional integrated multilayer circuit and method for manufacturing three-dimensional integrated multilayer circuit
JP6174292B1 (en) Sheet for manufacturing three-dimensional integrated multilayer circuit and method for manufacturing three-dimensional integrated multilayer circuit
JP6259665B2 (en) Film adhesive and dicing tape with film adhesive
JP2018074062A (en) Dicing die bonding tape and method for manufacturing semiconductor device
JP2017098316A (en) Dicing tape integrated adhesive sheet
JP4954568B2 (en) Dicing die-bonding film and method for manufacturing semiconductor device using the same
JP2015065322A (en) Semiconductor device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190402

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20191219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200618

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6721398

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250