JP2006339013A - 静電容量式近接センサ - Google Patents

静電容量式近接センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2006339013A
JP2006339013A JP2005161754A JP2005161754A JP2006339013A JP 2006339013 A JP2006339013 A JP 2006339013A JP 2005161754 A JP2005161754 A JP 2005161754A JP 2005161754 A JP2005161754 A JP 2005161754A JP 2006339013 A JP2006339013 A JP 2006339013A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor unit
capacitance
sensor
circuit
charging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005161754A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Tokura
武 戸倉
Nobumasa Misaki
信正 見崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujikura Ltd
Original Assignee
Fujikura Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujikura Ltd filed Critical Fujikura Ltd
Priority to JP2005161754A priority Critical patent/JP2006339013A/ja
Publication of JP2006339013A publication Critical patent/JP2006339013A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Abstract


【課題】 静電容量が大きいときの被検知物体の近接を短時間で検知する。
【解決手段】 センサ部10の静電容量Cが所定の値より小さいときは放電状態からセンサ部10に充電を開始する標準動作を行い、センサ部10の静電容量が所定の値より大きいときはプリチャージ回路21によってプリチャージされた電荷をセンサ部10に供給してセンサ部10での充電開始電圧を一気に上げた後、センサ部10に充電を開始する補正動作を行う。このようにセンサ部10の静電容量に応じてCPU26が複数のSWを駆動して標準動作及び補正動作を切り替える。
【選択図】 図1

Description

本発明は、物体の近接を静電容量の変化で検出する静電容量式近接センサに関する。
従来より、被検知物体の近接を検知するために、特許文献1に示すような静電容量式近接センサが知られている。この静電容量式近接センサは、被検知物体が近接すると、検知電極の対接地容量が変化する。この検知電極の接地容量の変化を、発振回路の発振周波数の変化に変換する。この発振回路の発振周波数を測定し、直線化すると共に、比較回路で所定のしきい値と比較して物体の近接の有無を判別することができる。
特開平07−029467号公報、段落0006〜0008、図1
しかしながら、従来技術では、検知する静電容量が大きくなると、CRの時定数も大きくなるので、所定の電圧に到達するまでの時間が長くなる。特に測定精度を上げるためには、1回の測定を高速化して測定結果の平均回数を増加させる必要があり、1回の測定の長時間化は不利となる。また、このことはダイナミックレンジを大きくとれないという問題も生じさせる。
本発明は、このような点に鑑みなされたもので、高速な測定が可能でダイナミックレンジの拡大も図ることができる静電容量式近接センサを提供することを目的とする。
本発明は、被検出物体が近接することにより静電容量が変化するセンサ部と、 前記センサ部が充電開始してから充電電圧が所定のしきい値に達するまでの充電時間に対応した検知信号を出力する検知回路とを備えた静電容量式近接センサにおいて、前記検知回路は、前記センサ部の充電に先立って初期電荷をプリチャージするプリチャージ回路を備え、前記センサ部の静電容量が所定の値よりも小さいときは前記センサ部の充電を放電状態から開始して前記充電時間に対応した検知信号を出力する標準動作を実行し、前記センサ部の静電容量が所定の値よりも大きいときは前記センサ部の充電開始に先立って前記プリチャージ回路にプリチャージされた初期電荷を前記センサ部に供給して前記センサ部の充電を前記しきい値よりも低い初期電圧から開始して前記充電時間に対応した検知信号を出力する補正動作で実行するものであることを特徴とする。
本発明によれば、センサ部の静電容量が所定の値より小さいときは放電状態からセンサ部に充電を開始する標準動作を行い、センサ部の静電容量が所定の値より大きいときはプリチャージされた電荷をセンサ部に供給してセンサ部での充電開始電圧を一気に上げた後、センサ部に充電を開始する補正動作を行う。このようにセンサ部の静電容量に応じて標準動作及び補正動作を切り替えることで、常に被検知物体の近接を素早く検出測定することができる。また、1回の測定を高速化することで、測定結果の平均回数を増加させることが可能となり、測定精度を向上させることができる。更には、ダイナミックレンジの拡大も図ることができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る静電容量式近接センサの回路構成を示す回路図である。
この静電容量式近接センサは、センサ部10と検知回路20とを備えている。 センサ部10は、例えば被検出物を検知可能な検知エリア内に配置され、図示しないフレキシブルプリント回路(FPC)、リジットプリント回路(RPC)等により構成されたもので、絶縁体からなる絶縁基板と、この絶縁基板上にパターン形成された銅、銅合金又はアルミニウムなどからなる検知電極とを備えている。或いは、図示しないPET,PEN,ガラス等の透明絶縁基板上に形成された透明導電膜(透明電極)からなる検知電極を備えている。図中の静電容量Cは、人体等の被検知物体を介した検知電極と接地との間の静電容量である。
検知回路20は、後述する補正動作時においてセンサ部10の初期電圧を与えるため電荷を蓄積するプリチャージ回路21と、入力端に接続されたセンサ部10の静電容量Cの大きさによってデューティー比が変化するパルス信号PSを出力するタイマー回路22と、このタイマー回路22にセット用の一定周期のトリガ信号TGを出力するトリガ信号発生回路23と、タイマー回路22から出力されるパルス信号PSを平滑化して検知信号Voutとして出力するローパスフィルタ(以下、「LPF」と呼ぶ。)24と、このLPF24の出力をA/D変換するA/D変換コンバータ25と、タイマー回路22からのパルス信号PS及びA/Dコンバータ25からの出力データを入力して、各部のスイッチ制御信号SW1〜SW5を出力するCPU26とを備えて構成されている。
プリチャージ回路21は、タイマー回路22の入力端と接地との間に接続されたプリチャージ用のコンデンサCaと、このコンデンサCaの正極端子とプリチャージ電圧供給端子Vaとの間、コンデンサCaの正極端子とタイマー回路22の入力端との間、及びコンデンサCaの正極端子及び負極端子の間にそれぞれ挿入されたスイッチSW2、SW3及びSW4とを備えて構成されている。
タイマー回路22は、一方に入力する入力電圧Vinが他方に入力するしきい値Vth1より大きいとき、RSフリップフロップ回路(以下、「RS−FF」とする)223のリセット端子Rに信号を出力するコンパレータ221と、一方に入力するトリガ信号TGと他方に入力するしきい値Vth2を比較して、トリガ信号TGに同期した信号をRS−FF223のセット端子Sに出力するコンパレータ222と、各コンパレータ221,222からの入力信号によって出力信号であるパルス信号PSを生成し出力するRS−FF223及びバッファ224とを備えて構成されている。しきい値Vth1としきい値Vth2は、電圧Vddを3つの直列に接続した抵抗R1〜R3によって分割することにより決定され、しきい値Vth1はしきい値Vth2よりも大きい。また、このタイマー回路22の入力端と電源電圧Vddとの間には、充電用の抵抗R4とスイッチSW1の直列回路が挿入され、入力端と接地との間には、放電用のスイッチSW5が挿入されている。そして、CPU26は、これらスイッチSW1〜SW5のオンオフ制御を行う。
次に、このように構成された本実施形態に係るセンサの動作について説明する。
図2は、CPU26の動作モード切り替え処理を示すフローチャートである。
検知回路20は、測定される静電容量Cが大きいほど、検知信号Voutのレベルが高くなる。検知信号Voutが第1の値以下である場合には通常の標準動作モードであるが、この標準動作モードで検知信号Voutが第1の値を上回ったら(S1)、補正動作モードに移行し(S2)、補正動作モードで検知信号Voutが第2の値を下回ったら(S3)、標準モードに移行する(S4)。以下同様の動作を繰り返す。なお、ここで第1の値は、標準動作時の検知信号Voutのフルレンジの80〜90%、第2の値は、補正動作時の検知信号Voutのフルレンジの10〜20%程度に設定すると、ダイナミックレンジを目一杯拡大することができる。
(1)測定される静電容量Cが小さい場合(標準動作モード)
検知回路20のSW1はON,SW2〜4はOFF,SW5はRS−FF3のパルス信号PSがHのときOFFで、LのときONにする。検知物体が近接していないときは、コンデンサ容量Cはゼロもしくはわずかであるため、パルス信号PSの立ち上がりで、電圧Vinは急激に立ち上がり、直ちにしきい値Vth1を超えるので、コンパレータ221の出力が立ち上がる。これによりRS−FF223からのパルス信号が立ち下がるので、SW5はがパルス信号PSがONになり静電容量Cの電荷をディスチャージする。したがって、この場合、パルス信号PSのデューティー比は極めて小さくなる。
次に、被検知物体が検知電極に近接していくと、静電容量Cが増加する。この場合、図3のようにパルス信号PSが立ち上がってSW5がOFFになり、静電容量Cに電荷がチャージし始めてから入力電圧Vinがしきい値Vth1に達するまでの時間が増加する。したがって、被検知物体が検知電極に近接する程、図中点線で示すように、パルス信号PSのデューティー比は増加する。これにより、検知信号Voutのレベルは増加する。
(2)測定される静電容量Cが大きい場合(補正動作モード)
静電容量Cが更に大きくなると、図4のように静電容量Cに電荷をチャージするのに時間がかかり、電圧Vinが上昇する速度が更に遅くなる。そのため、Vinがしきい値Vth1に達する前に次のトリガ信号TGが到来し、直後にVinがしきい値Vth1に達すると、パルス信号PSのデューティー比はほぼ50%になってしまう。これにより、被検知物体が近接していても、近接を検知することができなくなる。本実施形態では、このように静電容量Cが大きい場合は、CPU26で検知する検知信号Voutをモニタリングし、静電容量Cが所定の値を超えた場合、以下の補正動作を行う。
図5は、補正動作モード時の各部の波形図である。
(a)まず、SW1〜3,5をOFFにし、SWのみ4をONにする。これにより、コンデンサCaの両端が接地されるので、Caはディスチャージされる。
(b)次に、SW4をOFFにしてSW2をONにする。これにより、コンデンサCaとプリチャージ電源Vaとが接続されるので、コンデンサCaは、Vaまでプリチャージされる。
(c)続いて、RS−FF223の出力であるパルス信号PSがHになるまで待って、SW2をOFFにし、SW3をONにする。この結果、静電容量CとコンデンサCaとが並列に接続されることになるので、コンデンサCaにプリチャージされた電荷の一部が静電容量Cに供給されて入力電圧Vinが初期電圧Vo立ち上がる。この初期電圧Voは、しきい値Vth1を超えない電圧に設定されている。
(d)次に、SW3がOFFになると共にSW1がONになる。これにより、静電容量Cには、電源Vddが接続されることになるので、静電容量Cが初期電圧Voから充電を開始する。
(e)静電容量Cの充電電圧、すなわち入力電圧Vinがしきい値Vth1に達すると、コンパレータ223の出力が立ち上がり、RS−FF223のQ出力をリセットするので、パルス信号PSは立ち下がる。この結果、SW1がOFFになり、SW5がONになるので、静電容量Cはディスチャージされ、入力電圧Vinは0Vとなる。
以下、(a)〜(e)の動作を繰り返す。
ここで、コンデンサCaにプリチャージされる電荷Qaは、以下の式によって表せる。
(数1)Qa=CaVa
この電荷Qaの一部が静電容量Cに供給されることによって入力電圧Vinとして与えられる初期電圧をVoとすると、初期電圧Voは、以下の式で表すことができる。
(数2)Vo=CaVa/(Ca+Co)
ここで、Coは、初期電荷供給時のセンサ部10の静電容量である。この初期電圧から静電容量Cに充電されるときの入力電圧Vinは、静電容量Cと、これに直列に接続された抵抗R4の時定数で決定される速度で増加し、以下のような式で表すことができる。
(数3)Vin=Vdd[1−exp{−(t+To)/CR4}]
ここで、Toは、静電容量Cに電荷0の状態から充電して電圧Voに達するまでの時間である。また、Voは、上式においてt=0のときのVinであるから、数2は数4によっても表すことができる。
(数4)Vo=CaVa/(Ca+Co)=Vdd{1−exp(−To/Co
R4)}
更に、入力電圧Vinがしきい値Vth1に達するまでの時間をTth1とすると、Vth1は以下の式で表すことができる。
(数5)Vth1=Vdd[1−exp{−(Tth1+To)/CR4}]
ここで、Tth1は、RS−FF223からのパルス信号PSのデューティー比から求められることができる。したがって、プリチャージ用コンデンサ容量Ca、プリチャージ電圧Va、等が既知であれば、必要なパラメータは予め測定するなどにより、実際の静電容量を算出することができる。
このように、静電容量Cが所定の値より小さいときは通常制御をし、静電容量Cが所定の値より大きいときは補正制御を行うことで、常に応答速度を早くすることができる。入力電圧Vinは、補正動作を行うことにより図5のように上昇し、素早くしきい値Vth1に達することができるため、被検知物体の近接測定の高速化が可能となる。
更に、この近接測定を複数回行い、測定結果を平均化する場合においては、単位時間当たりの測定回数を多くすることができるため、測定精度を上げることが可能である。
次に、標準モードから補正動作モードへの切り替えタイミングについて説明する。
補正動作を開始するときの静電容量Cである補正開始容量Coは、RS−FF223から出力されるパルス信号PSのデューティーが80〜90%程度になるときの値が適当であるが、実際に測定する系による実験により調整が必要である。また、補正初期電圧Voは、しきい値Vth1の85〜95%程度が適当であるが、実際に測定を行う系によって実験により調整が必要である。補正初期電圧Voが、Vth1より10%程度低いのは、補正動作モードでの測定レンジをある程度確保するためである。Vth1が低すぎると、ダイナミックレンジ拡大の効果があまり得られない。
図6は、初期静電容量Co及び初期電圧Voの決定方法を示すフローチャートである。なお、初期静電容量Co及び初期電圧Voの設定は、CPU26の内部処理で行うこともできる。
はじめに、トリガ信号TGの周波数を設定し(S11)、周波数が測定に対して十分高ければ(S12)、初期静電容量Coを初期設定し(S13)、更に補正動作を開始する初期電圧Voを初期設定する(S14)。ここで、ダイナミックレンジが十分であるとき初期静電容量Co及び初期電圧Voは初期設定値に設定される。また、ダイナミックレンジが十分でないとき(S15)は、ダイナミックレンジを十分確保できるまで初期電圧Voを増加させる(S16)。また、初期電圧Voがしきい値Vth1より大きい状態や静電容量Cが初期静電容量Coより小さい状態をCPU26が判断できないとき(S17)は、初期静電容量Coを増加させる(S18)。このときデューティー比が100%未満であったときはそのときの値を初期静電容量Coに設定し、デューティー比が100%以上であったときは(S19)、トリガ周波数を下げて(S20)再度初期静電容量Co及び初期電圧Voを設定する。
なお、Voを制御可能とするためには、(1)Caを可変とする、(2)Vaを可変とする、(3)プリチャージ回数を可変とする、等の方法が考えられる。
図7は、Caを可変とする本発明の他の実施形態を示す回路図である。
この実施形態に係る静電容量式センサは、プリチャージ回路21′に複数のコンデンサCa〜Caを並列接続すると共に、これらコンデンサCa〜Caとそれぞれ直列にスイッチSW6〜SW6を接続し、CPU26によってスイッチSW6〜SW6を切り替えることにより、プリチャージ用コンデンサCaの容量を切り替えるようにしたものである。
図8は、Voを可変とする本発明の更に他の実施形態を示す回路図である。
この実施形態に係る静電容量式センサは、CPU26に接続されたD/Aコンバータ27を備え、CPU26で設定されたVaをD/A変換器27でアナログのプリチャージ電圧Vaに変換してプリチャージ回路21に供給するようにしたものである。
また、プリチャージ回数を可変とするには、図5において、SW4→SW2→SW3が順次ON→OFFとなる静電容量Cへのチャージポンプルーチンを指定回数だけ繰り返すことにより、初期電圧Voを指定された電圧まで徐々に上昇させていくことができる。
本実施形態においては、コンデンサCaへの充放電とコンデンサCaから静電容量Cへの電荷の供給は、抵抗を介さないため、十分に高速である。このため、上述したチャージポンプ動作が可能になる。
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、タイマー回路22からのパルス信号PSをLPF24で平均化して検知信号Voutとして出力したが、タイマー回路22からのパルス信号PSをそのままCPU26に導入して、CPU26がパルス信号PSのパルス幅を計数することにより、パルス信号PSのデューティー比を検出し、検知信号を出力する構成としても良い。
本発明の実施形態に係る静電容量式近接センサの回路構成図である。 動作モード切り替え処理を示すフローチャートである。 同静電容量式近接センサの動作波形図である。 同静電容量式近接センサの動作波形図である。 同静電容量式近接センサの動作波形図である。 初期静電容量Co及び初期電圧Voの決定方法を示すフローチャートである。 他の実施形態における静電容量式近接センサの回路構成図である。 他の実施形態における静電容量式近接センサの回路構成図である。
符号の説明
10…センサ部、20…検知回路、21,21’…プリチャージ回路、22…タイマー回路、23…トリガ発生回路、24…LPF、25…A/Dコンバータ、26…CPU、27…D/Aコンバータ、221,222…コンパレータ、223…RSフリップフロップ回路、224…トリガ発生回路。

Claims (8)

  1. 被検出物体が近接することにより静電容量が変化するセンサ部と、
    前記センサ部が充電開始してから充電電圧が所定のしきい値に達するまでの充電時間に対応した検知信号を出力する検知回路とを備えた静電容量式近接センサにおいて、
    前記検知回路は、
    前記センサ部の充電に先立って初期電荷をプリチャージするプリチャージ回路を備え、
    前記センサ部の静電容量が所定の値よりも小さいときは前記センサ部の充電を放電状態から開始して前記充電時間に対応した検知信号を出力する標準動作を実行し、
    前記センサ部の静電容量が所定の値よりも大きいときは前記センサ部の充電開始に先立って前記プリチャージ回路にプリチャージされた初期電荷を前記センサ部に供給して前記センサ部の充電を前記しきい値よりも低い初期電圧から開始して前記充電時間に対応した検知信号を出力する補正動作で実行するものである
    ことを特徴とする静電容量式近接センサ。
  2. 前記検知回路は、標準動作で検知信号が第1の値を超えたら補正動作に移行し、補正動作で検知信号が前記第1の値よりも低い第2の値を下回ったら標準動作に移行するものである
    ことを特徴とする請求項1記載の静電容量式近接センサ。
  3. 前記検知回路は、
    一定周期のトリガ信号を出力するトリガ信号発生回路と、
    前記トリガ信号に同期して前記センサ部の充電時間に応じたデューティー比のパルス信号を出力するタイマー回路と、
    前記パルス信号を平均化して前記検知信号として出力するローパスフィルタと、
    前記パルス信号に基づいて前記センサ部及びプリチャージ部の充電放電タイミングを制御する制御回路と
    を備えたものであることを特徴とする請求項1又は2記載の静電容量式近接センサ。
  4. 前記検知回路は、前記プリチャージのための印加電圧を調整することにより、前記センサ部に供給する電荷量を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の静電容量式近接センサ。
  5. 前記プリチャージ回路は、複数のコンデンサを設置し、
    前記検知回路は、前記複数のコンデンサの接続をスイッチにより切り替えることによって前記センサ部に供給する電荷量を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の静電容量式近接センサ。
  6. 前記検知回路は、前記プリチャージ回路によるプリチャージ及び前記センサ部への電荷供給を複数回行い、その回数を調整することで前記センサ部に供給する電荷量を制御することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の静電容量式近接センサ。
  7. 前記検知回路は、予め入力された前記トリガ信号の周波数の情報から、前記補正動作に移行する前記センサ部の静電容量と前記初期電圧を決定するものであることを特徴とする請求項3記載の静電容量式近接センサ。
  8. 前記検知回路は、前記入力されたトリガ信号の周波数から決定された前記センサ部の静電容量及び前記初期電圧において前記パルス信号のデューティー比が100%を超えると判断した場合には、前記トリガ信号の設定周波数を低下させるように制御するものであることを特徴とする請求項7記載の静電容量式近接センサ。
JP2005161754A 2005-06-01 2005-06-01 静電容量式近接センサ Pending JP2006339013A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005161754A JP2006339013A (ja) 2005-06-01 2005-06-01 静電容量式近接センサ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005161754A JP2006339013A (ja) 2005-06-01 2005-06-01 静電容量式近接センサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006339013A true JP2006339013A (ja) 2006-12-14

Family

ID=37559396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005161754A Pending JP2006339013A (ja) 2005-06-01 2005-06-01 静電容量式近接センサ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006339013A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008185545A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Asmo Co Ltd 異物検出センサ
CN102185604A (zh) * 2011-03-01 2011-09-14 苏州聚元微电子有限公司 用于电容触摸的差分检测电路
CN113031081A (zh) * 2021-03-10 2021-06-25 维沃移动通信有限公司 接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008185545A (ja) * 2007-01-31 2008-08-14 Asmo Co Ltd 異物検出センサ
US7714595B2 (en) 2007-01-31 2010-05-11 Asmo Co., Ltd. Foreign object detection sensor
JP4532511B2 (ja) * 2007-01-31 2010-08-25 アスモ株式会社 異物検出センサ
CN102185604A (zh) * 2011-03-01 2011-09-14 苏州聚元微电子有限公司 用于电容触摸的差分检测电路
CN113031081A (zh) * 2021-03-10 2021-06-25 维沃移动通信有限公司 接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7782068B2 (en) Circuit for capacitance measurement and method therefor
US8125232B2 (en) Capacitive sensing device and method
US9702914B2 (en) Capacitance measurement device and electronic device thereof
US8456434B2 (en) Touch sensor and operating method thereof
TWI621984B (zh) 電容値量測電路及電容値量測方法
JP5011541B2 (ja) 位置指示器
WO2018085972A1 (zh) 电容检测电路及其控制方法
US20090095542A1 (en) Touch sensor and operating method thereof
US8917101B2 (en) Touch detection method and related touch control device
US9671252B2 (en) Apparatus of detecting capacitance
US8384689B2 (en) Switched-capacitor tracking apparatus of touch panel and operating method thereof
US9236876B2 (en) Double-integration type A/D converter
EP1435563A2 (en) Input apparatus having electrostatic sensor
JP2006339013A (ja) 静電容量式近接センサ
WO2018036303A1 (zh) 控制电容模块的充放电的方法和装置、显示装置
JP2010054229A (ja) 静電容量測定装置
JP2008046080A (ja) 静電容量センサ
CN111650441B (zh) 一种电容检测电路、电容检测方法及电子设备
JP2009521689A (ja) 複数機能センサ回路
US11281314B2 (en) Methods and apparatus for variable capacitance detection
JP2010071963A (ja) 電流測定装置
JPH0946194A (ja) 波形整形装置
TW201032474A (en) Signal correcting apparatus and the method therefor
KR100695905B1 (ko) 다채널 정전용량변화 검출장치 및 그 방법
JP2003337146A (ja) 過電流検出遅延回路