CN113031081A - 接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备，属于通信技术领域。该接近传感检测电路包括：接近传感器，所述接近传感器包括检测端口；检测支路；检测支路对应连接检测端口，检测支路包括：外部电容和电容调节单元，所述电容调节单元分别连接所述检测端口和所述外部电容；中央处理单元，所述中央处理单元分别连接所述电容调节单元和所述接近传感器。本申请通过在检测支路上增设电容调节单元，使得接近传感器的外部电容值可调，从而能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
Description
技术领域
本申请涉及通信技术领域，具体涉及一种接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备。
背景技术
SAR(Specific Absorption Rate，特殊吸收率)Sensor是专为SAR应用而设计的智能电容式接近传感器。当用户使用安装有SAR Sensor的电子设备过程中，人手接近时，会上报邻近度。其中关于邻近度的关键指标为useful值，useful值是基于校准offset的实时动态范围，offset表征Sar Sensor芯片外部容值的静态工作点。
随着移动通信技术的不断发展，电子设备(如手机)的不断普及。电子设备的产品结构设计与天线匹配的复杂度不断升级，SAR Sensor芯片检测通路的外挂电容的总容值设计常常接近于通路静态工作点上限，从而使得在电子设备套设有保护壳、或者贴有屏幕保护膜或者电子设备表面浸液时，通路静态电容会超过通过静态工作点上限，从而导致SARSensor芯片检测通路检测失效。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种接近传感检测电路、电容校准方法、装置及电子设备，能够解决现有SAR Sensor芯片检测通路存在的检测失效的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
第一方面，本申请实施例提供一种接近传感检测电路，该方法包括：
接近传感器，所述接近传感器包括检测端口；
检测支路，所述检测支路对应连接所述检测端口，所述检测支路包括：外部电容和电容调节单元，所述电容调节单元分别连接所述检测端口和所述外部电容；
中央处理单元，所述中央处理单元分别连接所述电容调节单元和所述接近传感器。
第二方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：如第一方面所述的接近传感检测电路。
第三方面，本申请实施例提供了一种电容校准方法，包括：
在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
第四方面，本申请实施例还提供一种电容校准装置，包括：
检测模块，用于在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
校准模块，用于在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
第五方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第三方面所述的电容校准方法的步骤。
第六方面，本申请实施例还提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第三方面所述的电容校准方法的步骤。
第七方面，本申请实施例提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现如第三方面所述的电容校准方法。
本申请实施例中，通过包括检测端口的接近传感器；检测支路，检测支路对应连接检测端口，检测支路包括外部电容和分别连接检测端口和外部电容的电容调节单元；分别连接电容调节单元和接近传感器的中央处理单元，如此，通过在检测支路上增设电容调节单元，使得接近传感器的外部电容值可调，从而能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
附图说明
图1为本申请实施例提供的接近传感检测电路的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的电容校准方法的流程示意图之一；
图3为本申请实施例的接近传感器的检测支路为多个时，对应的各自校准时刻的时序图；
图4为本申请实施例提供的电容校准方法的流程示意图之二；
图5为本申请实施例提供的电容校准装置的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的电子设备的硬件结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施，且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类，并不限定对象的个数，例如第一对象可以是一个，也可以是多个。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面将结合附图，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的应用启动方法进行详细地说明。
如图1所示，为本申请实施例提供的接近传感检测电路的结构示意图。该接近传感检测电路包括：接近传感器1，接近传感器1包括检测端口；检测支路，检测支路对应连接检测端口，检测支路包括外部电容2和电容调节单元3，电容调节单元3分别连接检测端口和外部电容2；中央处理单元4，中央处理单元4分别连接电容调节单元3和接近传感器1。
需要说明的是，电容调节单元3用于调节检测支路上的外部电容的电容值。这里，通过电容调节单元3对检测支路上的外部电容的电容值的调节，能够降低接近传感器1在用户层面的饱和失效风险。
可选地，接近传感器为SAR Sensor。
可选地，所述接近传感器1可以包括多个所述检测端口，每个所述检测端口UI对应连接一个所述检测支路。
作为一可选的实现方式，所述电容调节单元3包括：第一数字开关5、多个第二数字开关6和多个第一电容7，多个第一电容7并联；其中，多个第一电容7的电容值互不相同，每个第一电容7对应连接一个第二数字开关6；所述第一数字开关5分别连接所述接近传感器1、所述外部电容2和所述中央处理单元4；每个第二数字开关6分别连接所述接近传感器1和所述中央处理单元4。
需要说明的是，第一数字开关5初始状态为闭合状态，多个第二数字开关6的初始状态为断开状态。通过控制数字开关(即第一数字开关5和第二数字开关6)的断开或闭合，能够使不同容值的第一电容7接入到检测支路中，从而实现调整检测支路的外部电容的电容值的目的，进而有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题。
可选地，多个所述第一电容7按照电容值依次递减的顺序排列。
这里，将多个第一电容7按照电容值依次递减的顺序排列，也就是，多个第一电容7按照电容值依次递减的顺序设置于接近传感检测电路中，这样有利于在后续调整检测支路的外部电容的电容值时，方便实现逻辑控制，比如通过对不同电容值的电容器编号，电容器编号越大对应的电容值也越大，如此，通过触发连接第一电容的第二数字开关的断开或闭合，能够通过该第一电容的编号获知到接入到检测支路的第一电容的电容值。
可选地，本申请实施例的接近传感检测电路，还包括：隔离组件，所述隔离组件连接于所述检测端口，所述隔离组件包括：第一电阻8和第一电感9；其中，所述第一电阻8分别连接所述检测端口和所述第一电感9，所述第一电感9连接所述电容调节单元3。
需要说明的是，第一电阻8用于检测支路限流与防静电释放ESD。第一电感9为隔离电感，用于隔离检测支路中的高低频信号。
这里，所述接近传感器1包括多个所述检测端口时，一个所述检测端口连接一个所述隔离组件。
可选地，所述接近传感器1包括：数字处理单元10、电容-电压转换器11和外部校准单元12；其中，外部校准单元12分别连接所述数字处理单元10和所述电容-电压转换器11；所述中央处理单元4分别连接所述数字处理单元10和所述外部校准单元12；所述电容-电压转换器11连接所述检测端口。
这里，数字处理单元10包括滤波器，比如，用于实现模数转换的ADC filter、原始滤波器Raw filter等。即，数字处理单元10用于对接近传感器1的电容值进行滤波处理。
外部校准单元12用于对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测，得到总容值，即offset容值。
电容-电压转换器11用于将外部电容的电容值转换为内部的检测电压，用于供数字处理单元10进行ADC采样。
其中，offset容值的检测满足电荷量守恒，即：
VADC＝(CS－Coff)/Crange×(Vrefp－Vrefn)
其中，VADC为ADC采样电压，CS为外部变化的输入电容，Coff为内部校准电容，Vrefp－Vrefn为内部的供电参考电压，Crange为最大offset容值，即饱和offset容值，即接近传感器静态工作点的最大电容值。
这里，VADC为待求值，CS为变量，其余参数均为已知量。
可选地，所述外部电容2包括：回地点电容13、馈电电容14、调谐电容15和中框分布电容16，所述回地点电容13、所述馈电电容14、所述调谐电容15和所述中框分布电容16并联。
需要说明的是，中央处理单元4用于接收从接近传感器1输出的滤波处理信号和检测到的offset容值，根据以上信息控制电容调节单元3，调整检测支路的外部电容2的电容值的目的，进而有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题。
本申请实施例的接近传感检测电路，通过包括检测端口的接近传感器；检测支路，检测支路对应连接检测端口，检测支路包括外部电容和分别连接检测端口和外部电容的电容调节单元；分别连接电容调节单元和接近传感器的中央处理单元，如此，通过在检测支路上增设电容调节单元，使得接近传感器的外部电容值可调，从而能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括如上述实施例所述的接近传感检测电路。
如图2所示，为本申请实施例提供的电容校准方法的流程示意图。该方法应用于上述实施例的电子设备。该方法可包括：
步骤201，在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
具体的，在所述检测支路的数量为多个的情况下，本步骤可具体包括：
依次对接近传感器对应的各个检测支路在各自的校准时刻的总容值进行检测。
参见图3，在接近传感器的检测支路为多个时，对应的各自校准时刻的时序图。
需要说明的是，不同检测支路的校准时刻在时间上不重叠。
本步骤中，可选地，所述预设校准条件包括以下中的至少一者：
检测到电子设备重启；
检测到外部充电设备的接入或移除；
检测到所述接近传感器的电容值达到饱和值。
这里，所述接近传感器的电容值达到饱和值指的是所述接近传感器的电容值达到最大值。
需要说明的是，在满足预设校准条件的情况下，系统进入依次对单个检测支路的检测。
步骤202，在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
本步骤中，总容值即offset容值超出接近传感器静态工作点的最大电容值，也就是说对应的检测支路的offset容值异常饱和，为了降低接近传感器在用户层面的饱和失效风险(即接近传感器检测不到用户人手是在靠近电子设备的天线还是在远离电子设备的天线)，系统进入失效保护模式，即控制检测支路的电容调节单元，调整检测支路的外部电容的电容值。
需要说明的是，若总容值小于第一预设电容阈值，则对当前检测支路的下一个检测支路在其校准时刻的总容值进行检测(前提是接近传感器对应的检测支路的数量为多个时)。
本申请实施例的电容校准方法，通过在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值，如此，通过调整检测支路的外部电容的电容值，能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
作为一可选地实现方式，本申请实施例的步骤202中控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，包括：
控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并在对应的校准时刻检测所述检测支路的总容值；
在所述总容值大于或者等于第二预设电容阈值的情况下，通过所述电容调节单元的第二数字开关，依次切换接入所述检测支路的第一电容，直至所述检测支路的总容值为所述第一电容值，所述第二预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最小电容值。
需要说明的是，接入检测支路的第一电容的电容值由大到小依次切换。举例以说明，在总容值大于或者等于第二预设电容阈值的情况下，控制与对应最大电容值的第一电容连接的第二数字开关闭合，之后，对检测支路在其校准时刻的总容值进行检测，判断该总容值是否为第一电容值；若是，则对当前检测支路的下一个检测支路在其对应的校准时刻的总容值进行检测；若否，则控制与对应电容值次大的第一电容连接的第二数字开关闭合，并控制对应最大电容值的第一电容连接的第二数字开关断开，之后，对检测支路在其校准时刻的总容值进行检测，判断该总容值是否为第一电容值；依次类推，直至检测支路的总容值为第一电容值为止。
作为一可选的实现方式，控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并在对应的校准时刻检测所述检测支路的总容值之后，本申请实施例的方法还包括：
在所述总容值小于所述第二预设电容阈值的情况下，将所述检测支路与其对应的检测端口断开。
需要说明的是，在总容值小于第二预设电容阈值的情况下，说明该检测支路的外部电容失效或短路，需要关闭该检测支路，即将所述检测支路与其对应的检测端口断开。
由于检测支路的offset容值调整后，外部电容的容值发生了相应地改变，相应地，会影响接近传感器的电容值的硬件检测灵敏度，因此，接近传感器的电容值(即useful值)的模拟增益需要跟随offset容值的变化进行动态调整，为了实现useful的模拟增益动态调整，作为一可选的实现方式，在总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值之后，本申请实施例的方法还包括：
获取所述检测支路的外部电容的电容值；
具体的，根据所述第一电容值，得到外部电容的电容值。
这里，根据公式
得到外部电容的电容值，其中，C0表示外部电容的电容值，C表示第一电容值，Cm表示接入检测支路的第一电容的电容值。
需要说明的是，Cm为使检测支路的总容值满足接近传感器校准工作条件的第一电容中的最小容值。C即为offset容值的检测满足电荷量守恒中的Coff。
根据所述外部电容的电容值，得到所述接近传感器的电容值的灵敏度衰减比；
具体的，设定正常模式下，接近传感器的电容值变化值满足以下范围，接近传感器的电容值记为Cuseful(正常模式)＝△C。
接近传感器的电容值的灵敏度衰减比满足如下公式：
根据公式
得到所述接近传感器的电容值的灵敏度衰减比。
其中，△C表示正常模式下，接近传感器的电容值；C0表示外部电容的电容值，Cm表示接入检测支路的第一电容的电容值。
根据所述灵敏度衰减比，调整所述接近传感器的电容值的模拟增益。
这里，具体的，根据公式Cuseful＝η×Cuseful(正常模式)，得到所述接近传感器的电容值的模拟增益。其中，Cuseful表示接近传感器的电容值的模拟增益。
下面就一示例具体说明本申请实施例的方法的实施过程。参见图4，具体的步骤如下：
S401，开始；
S402，通道系统初始化配置；
S403，进入端口k对应的检测支路检测；
S404，Sar Sensor校准是否成功；
若是，则执行步骤S405，否则执行步骤S406；
这里，Sar Sensor校准是否成功具体为：Sar Sensor在当前检测支路对应的校准时刻检测到的该检测支路的总容值Offset是否超过接近传感器静态工作点的最大电容值，若是则校准失败，否则，则校准成功。
S405，useful轮询检测，完成后赋值k＝k+1；
S406，上报校准异常至AP；
S407，断开该检测支路上的KEY1；
这里，KEY1可理解为本申请实施例中的第一数字开关。
S408，再次启用Sar Sensor自校准；
S409，Offset<下限阈值；
若是，则执行步骤S413，否则执行步骤S410；
S410，n＝n+1，闭合KEY2(n)；
这里，闭合KEY2(n)可理解为本申请实施例中的第二数字开关。
S411，启用Sar Sensor校准；
S412，Sar Sensor校准是否成功；
若是，执行步骤S415，否则，执行步骤S410；
S413，判定电容前级失效或短路；
S414，关闭该检测支路；
S415，完成offset校准；
S416，获取调整后Offset＝C；
S417，获取检测支路的外部容值；
S418，获取灵敏度衰减比η；
S419，调整useful的模拟增益；
S420，k＝k+1；
这里，指的是执行下一个检测支路的检测。
S421，是否需要退出；
若是，则执行步骤S422，否则，执行步骤403；
S422，退出系统。
本申请实施例的电容校准方法，通过在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值，如此，通过调整检测支路的外部电容的电容值，能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
需要说明的是，本申请实施例提供的电容校准方法，执行主体可以为电容校准装置，或者该电容校准装置中的用于执行电容校准方法的控制模块。本申请实施例中以电容校准装置执行电容校准方法为例，说明本申请实施例提供的电容校准装置。
如图5所示，为本申请实施例提供的电容校准装置的结构示意图。该电容校准装置500可以包括：
检测模块501，用于在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
校准模块502，用于在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
可选地，所述检测模块501包括：
检测单元，用于在所述检测支路的数量为多个的情况下，依次对接近传感器对应的各个检测支路在各自的校准时刻的总容值进行检测。
可选地，所述预设校准条件包括以下中的至少一者：
检测到电子设备重启；
检测到外部充电设备的接入或移除；
检测到所述接近传感器的电容值达到饱和值。
可选地，所述校准模块502包括：
第一控制单元，用于控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并在对应的校准时刻检测所述检测支路的总容值；
校准控制单元，用于在所述总容值大于或者等于第二预设电容阈值的情况下，通过所述电容调节单元的第二数字开关，依次切换接入所述检测支路的第一电容，直至所述检测支路的总容值为所述第一电容值，所述第二预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最小电容值。
可选地，所述电容校准装置500还包括：
控制模块，用于在所述总容值小于所述第二预设电容阈值的情况下，将所述检测支路与其对应的检测端口断开。
可选地，所述电容校准装置500还包括：
获取模块，用于获取所述检测支路的外部电容的电容值；
第一处理模块，用于根据所述外部电容的电容值，得到所述接近传感器的电容值的灵敏度衰减比；
第二处理模块，用于根据所述灵敏度衰减比，调整所述接近传感器的电容值的模拟增益。
本申请实施例的电容校准装置，通过在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值，如此，通过调整检测支路的外部电容的电容值，能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
本申请实施例中的电容校准装置可以是装置，也可以是终端中的部件、集成电路、或芯片。该装置可以是移动电子设备，也可以为非移动电子设备。示例性的，移动电子设备可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载电子设备、可穿戴设备、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、上网本或者个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)等，非移动电子设备可以为网络附属存储器(Network AttachedStorage，NAS)、个人计算机(personal computer，PC)、电视机(television，TV)、柜员机或者自助机等，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例中的电容校准装置可以为具有操作系统的装置。该操作系统可以为安卓(Android)操作系统，可以为ios操作系统，还可以为其他可能的操作系统，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例提供的电容校准装置能够实现图2的方法实施例实现的各个过程，为避免重复，这里不再赘述。
可选地，如图6所示，本申请实施例还提供一种电子设备600，包括处理器601，存储器602，存储在存储器602上并可在所述处理器601上运行的程序或指令，该程序或指令被处理器601执行时实现上述电容校准方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
需要说明的是，本申请实施例中的电子设备包括上述所述的移动电子设备和非移动电子设备。
图7为实现本申请各个实施例的一种电子设备的硬件结构示意图。
该电子设备700包括但不限于：射频单元701、网络模块702、音频输出单元703、输入单元704、传感器705、显示单元706、用户输入单元707、接口单元708、存储器709、处理器710、以及电源711等部件。
本领域技术人员可以理解，电子设备700还可以包括给各个部件供电的电源(比如电池)，电源可以通过电源管理系统与处理器710逻辑相连，从而通过电源管理系统实现管理充电、放电、以及功耗管理等功能。图7中示出的电子设备结构并不构成对电子设备的限定，电子设备可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置，在此不再赘述。
其中，处理器710，用于在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
本申请实施例中，通过调整检测支路的外部电容的电容值，能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
可选地，在所述检测支路的数量为多个的情况下；所述处理器710，还用于：
依次对接近传感器对应的各个检测支路在各自的校准时刻的总容值进行检测。
可选地，所述预设校准条件包括以下中的至少一者：
检测到电子设备重启；
检测到外部充电设备的接入或移除；
检测到所述接近传感器的电容值达到饱和值。
可选地，处理器710，还用于：
控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并在对应的校准时刻检测所述检测支路的总容值；
在所述总容值大于或者等于第二预设电容阈值的情况下，通过所述电容调节单元的第二数字开关，依次切换接入所述检测支路的第一电容，直至所述检测支路的总容值为所述第一电容值，所述第二预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最小电容值。
可选地，处理器710，还用于：
在所述总容值小于所述第二预设电容阈值的情况下，将所述检测支路与其对应的检测端口断开。
可选地，处理器710，还用于：
获取所述检测支路的外部电容的电容值；
根据所述外部电容的电容值，得到所述接近传感器的电容值的灵敏度衰减比；
根据所述灵敏度衰减比，调整所述接近传感器的电容值的模拟增益。
本申请实施例中，通过调整检测支路的外部电容的电容值，能够有效地规避用户使用过程中接近传感器检测通路检测失效的问题，使得接近传感器的工作范围更加灵活。
应理解的是，本申请实施例中，输入单元704可以包括图形处理器(GraphicsProcessing Unit，GPU)7041和麦克风7042，图形处理器7041对在视频捕获模式或图像捕获模式中由图像捕获装置(如摄像头)获得的静态图片或视频的图像数据进行处理。显示单元706可包括显示面板7061，可以采用液晶显示器、有机发光二极管等形式来配置显示面板7061。用户输入单元707包括触控面板7071以及其他输入设备7072。触控面板7071，也称为触摸屏。触控面板7071可包括触摸检测装置和触摸控制器两个部分。其他输入设备7072可以包括但不限于物理键盘、功能键(比如音量控制按键、开关按键等)、轨迹球、鼠标、操作杆，在此不再赘述。存储器709可用于存储软件程序以及各种数据，包括但不限于应用程序和操作系统。处理器710可集成应用处理器和调制解调处理器，其中，应用处理器主要处理操作系统、用户界面和应用程序等，调制解调处理器主要处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调处理器也可以不集成到处理器710中。
本申请实施例还提供一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储有程序或指令，该程序或指令被处理器执行时实现上述电容校准方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
其中，所述处理器为上述实施例中所述的电子设备中的处理器。所述可读存储介质，包括计算机可读存储介质，如计算机只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)、磁碟或者光盘等。
本申请实施例另提供了一种芯片，所述芯片包括处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行程序或指令，实现上述电容校准方法实施例的各个过程，且能达到相同的技术效果，为避免重复，这里不再赘述。
应理解，本申请实施例提到的芯片还可以称为系统级芯片、系统芯片、芯片系统或片上系统芯片等。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外，需要指出的是，本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能，还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能，例如，可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法，并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外，参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述的方法。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。
Claims (15)
1.一种接近传感检测电路，其特征在于，包括：
接近传感器，所述接近传感器包括检测端口；
检测支路，所述检测支路对应连接所述检测端口，所述检测支路包括：外部电容和电容调节单元，所述电容调节单元分别连接所述检测端口和所述外部电容；
中央处理单元，所述中央处理单元分别连接所述电容调节单元和所述接近传感器。
2.根据权利要求1所述的接近传感检测电路，其特征在于，所述接近传感器包括多个所述检测端口，每个所述检测端口对应连接一个所述检测支路。
3.根据权利要求1所述的接近传感检测电路，其特征在于，所述电容调节单元包括：第一数字开关、多个第二数字开关和多个第一电容，多个所述第一电容并联；
其中，多个所述第一电容的电容值互不相同，每个第一电容对应连接一个第二数字开关；
所述第一数字开关分别连接所述接近传感器、所述外部电容和所述中央处理单元；
每个第二数字开关分别连接所述接近传感器和所述中央处理单元。
4.根据权利要求3所述的接近传感检测电路，其特征在于，多个所述第一电容按照电容值依次递减的顺序排列。
5.根据权利要求1所述的接近传感检测电路，其特征在于，还包括：隔离组件，所述隔离组件连接于所述检测端口，所述隔离组件包括：第一电阻和第一电感；
其中，所述第一电阻分别连接所述检测端口和所述第一电感，所述第一电感连接所述电容调节单元。
6.根据权利要求1所述的接近传感检测电路，其特征在于，所述接近传感器包括：数字处理单元、电容-电压转换器和外部校准单元；
其中，外部校准单元分别连接所述数字处理单元和所述电容-电压转换器；
所述中央处理单元分别连接所述数字处理单元和所述外部校准单元；
所述电容-电压转换器连接所述检测端口。
7.根据权利要求1所述的接近传感检测电路，其特征在于，所述外部电容包括：回地点电容、馈电电容、调谐电容和中框分布电容，所述回地点电容、所述馈电电容、所述调谐电容和所述中框分布电容并联。
8.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1至7任一项所述的接近传感检测电路。
9.一种电容校准方法，应用于如权利要求8所述的电子设备，其特征在于，包括：
在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述检测支路的数量为多个的情况下；
对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测，包括：
依次对接近传感器对应的各个检测支路在各自的校准时刻的总容值进行检测。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述预设校准条件包括以下中的至少一者：
检测到电子设备重启；
检测到外部充电设备的接入或移除；
检测到所述接近传感器的电容值达到饱和值。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，包括
控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并在对应的校准时刻检测所述检测支路的总容值；
在所述总容值大于或者等于第二预设电容阈值的情况下，通过所述电容调节单元的第二数字开关，依次切换接入所述检测支路的第一电容，直至所述检测支路的总容值为所述第一电容值，所述第二预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最小电容值。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，控制所述电容调节单元的第一数字开关断开，并检测所述检测支路的总容值之后，所述方法还包括：
在所述总容值小于所述第二预设电容阈值的情况下，将所述检测支路与其对应的检测端口断开。
14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值之后，所述方法还包括：
获取所述检测支路的外部电容的电容值；
根据所述外部电容的电容值，得到所述接近传感器的电容值的灵敏度衰减比；
根据所述灵敏度衰减比，调整所述接近传感器的电容值的模拟增益。
15.一种电容校准装置，其特征在于，包括：
检测模块，用于在满足预设校准条件的情况下，对接近传感器对应的检测支路在其校准时刻的总容值进行检测；
校准模块，用于在所述总容值大于第一预设电容阈值的情况下，控制所述检测支路的电容调节单元，将所述总容值调整至第一电容值，所述第一电容值为满足接近传感器校准工作条件对应的电容范围内的任意值，所述第一预设电容阈值为所述接近传感器静态工作点的最大电容值。
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