JP2006332522A - 磁気記憶素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この強磁性トンネル接合素子7は、順次積層された固着層20、トンネル絶縁層21および記録層22を含み、記録層22の磁化容易軸方向の長さが磁化困難軸方向の長さよりも短い。したがって、素子の微細化に伴う反転磁界の増大を抑制することができる。
【選択図】 図6
Description
S.Tehrani et al.,"High density submicron magnetoresistive random access memory (invited)", Journal of Applied Physics, vol.85, No.8, 15 April 1999, pp.5822-5827 ISSCC 2001 Dig of Tech. Papers, p.122 E.Y.Chen et al.,"Submicron spin valve magnetoresitive random access memory cell", Journal of Applied Physics, vol.81, No.8, 15 April 1997, pp.3992-3994
Claims (5)
- 交差する2本の書込線の間に配置され、前記2本の書込線に流される電流の方向に応じて磁化方向が変化する記録層を備えた磁気記憶素子において、
前記記録層の磁化容易軸方向の長さが磁化困難軸方向の長さよりも短いことを特徴とする、磁気記憶素子。 - 前記記録層の磁化方向は、無磁界において略短辺方向であることを特徴とする、請求項1に記載の磁気記憶素子。
- 前記記録層は、Co元素もしくはFe元素を主成分とする磁性層を含むことを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の磁気記憶素子。
- 前記記録層は、順次積層された第1の強磁性層と非磁性層と第2の強磁性層とを含み、前記第1および第2の強磁性層は反平行結合していることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の磁気記憶素子。
- 前記記録層の磁気異方性は、前記記録層の形成時および熱処理時に磁界を印加することにより付与されていることを特徴とする、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の磁気記憶素子。
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