JP2006332289A - 偏向器及び偏向器作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 荷電ビームの通過する複数の貫通孔及びアライメントマーク9,18をそれぞれ設けた第一の基板1と第二の基板11を備え、第一の基板1には、電気的接合用の電極バンプ5、及び電気的に絶縁された接合強度補強用の補強バンプ7が設けられ、第二の基板11には、前記荷電ビームの軌道を偏向するための電極対を有する偏向電極14、偏向電極14と電気的に連結された電極パッド15、及び電気的に絶縁された接合強度補強用の補強パッド16が設けられ、両基板を相対向するようにアライメントマーク9,18を用いて整合し、両基板を相互に押し付けて電極バンプ5と電極パッド15及び補強バンプ7と補強パッド16をそれぞれ常温接合した。
【選択図】 図1
Description
に接地電位の信号を印加し、遮断する時には、第一及び第二のブランキング電極に正負の電位の信号を同時に印加する。
さらに、両基板間の接合は、室温において常温接合で行ったものであり、接合による熱的な残留応力は発生しなかった。
一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記露光制御データが入力された露光装置とウエハを用い、リソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ7でこれを出荷する。
上記ステップ4のウエハプロセスは以下のステップを有する。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するCVDステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付け露光する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
Claims (13)
- 荷電ビームが通過する複数の貫通孔及びアライメントマークをそれぞれ設けた第一の基板と第二の基板を備える偏向器において、
前記第一の基板には、電気的接合用の電極バンプ、及び、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強バンプが設けられ、
前記第二の基板には、前記荷電ビームの軌道を偏向するための電極対を有する偏向電極、前記偏向電極と電気的に連結された電極パッド、及び、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強パッドが設けられ、
前記第一の基板と前記第二の基板を相対向するように前記アライメントマークを用いて整合し、前記第一の基板と前記第二の基板を相互に押し付けて前記電極バンプと前記電極パッド及び前記補強バンプと前記補強パッドをそれぞれ常温接合したことを特徴とする偏向器。 - 荷電ビームが通過する複数の貫通孔及びアライメントマークをそれぞれ設けた第一の基板と第二の基板を備える偏向器において、
前記第一の基板には、電気的接合用の電極バンプ、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強バンプ、及び、接合時にストッパーとして作用するストッパーバンプが設けられ、
前記第二の基板には、前記荷電ビームの軌道を偏向するための電極対を有する偏向電極、前記偏向電極と電気的に連結された電極パッド、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強パッド、及び、接合時に前記ストッパーバンプと当接するストッパーパッドが設けられ、
前記第一の基板と第二の基板を相対向するように前記アライメントマークを用いて整合し、前記ストッパーバンプと前記ストッパーパッドが互いに接触し当接するまで前記第一の基板と第二の基板を相互に押し付けて前記電極バンプと前記電極パッド及び前記補強バンプと前記補強パッドを常温接合したことを特徴とする偏向器。 - 前記補強バンプの1個当たりの平面における面積は、前記電極バンプの1個当たりの平面における面積に対して同等以上の大きさであることを特徴とする請求項1または2に記載の偏向器。
- 前記ストッパーバンプの1個当たりの平面における面積は、前記電極バンプ及び前記補強バンプの1個当たりの平面における面積よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載の偏向器。
- 前記ストッパーバンプの高さは、前記電極バンプの高さ及び前記補強バンプの高さより低いことを特徴とする請求項2に記載の偏向器。
- 前記各バンプ、及び前記各パッドは塑性変形能を有する金属材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載の偏向器。
- 前記各バンプ、及び前記各パッドは塑性変形能を有する低融点の金属材料からなることを特徴とする請求項1または2に記載の偏向器。
- 荷電ビームが通過する複数の貫通孔及びアライメントマークをそれぞれ設けた第一の基板と第二の基板を備える偏向器の作製方法において、
前記第一の基板には、電気的接合用の電極バンプ、及び、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強バンプが設けられ、
前記第二の基板には、前記荷電ビームの軌道を偏向するための電極対を有する偏向電極、前記偏向電極と電気的に連結された電極パッド、及び、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強パッドが設けられ、
前記第一の基板と第二の基板を相対向するように前記アライメントマークを用いて整合する整合工程と、前記第一の基板と第二の基板を相互に押し付けて前記電極バンプと前記電極パッド及び前記補強バンプと前記補強パッドをそれぞれ常温接合する工程とを含むことを特徴とする偏向器作製方法。 - 荷電ビームが通過する複数の貫通孔及びアライメントマークをそれぞれ設けた第一の基板と第二の基板を備える偏向器の作製方法において、
前記第一の基板には、電気的接合用の電極バンプ、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強バンプ、及び、接合時にストッパーとして作用するストッパーバンプが設けられ、
前記第二の基板には、前記荷電ビームの軌道を偏向するための電極対を有する偏向電極、前記偏向電極と電気的に連結された電極パッド、電気的に絶縁された接合強度補強用の補強パッド、及び、接合時に前記ストッパーバンプと当接するストッパーパッドが設けられ、
前記第一の基板と第二の基板を相対向するように前記アライメントマークを用いて整合する整合工程と、前記ストッパーバンプと前記ストッパーパッドが互いに接触し当接するまで前記第一の基板と第二の基板を相互に押し付けて前記電極バンプと前記電極パッド及び前記補強バンプと前記補強パッドを常温接合する工程とを含むことを特徴とする偏向器作製方法。 - 前記ストッパーバンプは、前記常温接合前にバンプ潰しによって、予め所定の高さまで高さ調整することを特徴とする請求項9に記載の偏向器作製方法。
- 前記整合工程の前に前記第一の基板と第二の基板表面を清浄化する工程を含み、前記清浄化はイオンあるいは中性粒子による衝撃で行うことを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の偏向器作製方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の偏向器を備えることを特徴とする露光装置。
- 請求項12に記載の露光装置を用いて、露光対象に露光を行う工程と、露光された前記露光対象を現像する工程と、を具備することを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005153087A JP4648087B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005153087A JP4648087B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006332289A true JP2006332289A (ja) | 2006-12-07 |
JP4648087B2 JP4648087B2 (ja) | 2011-03-09 |
Family
ID=37553672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005153087A Expired - Fee Related JP4648087B2 (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | 偏向器の作製方法、荷電粒子線露光装置、および、デバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4648087B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |