JP2006324892A - 誘電体導波路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 低損失なLSM01モードを伝送モードとし、不要な平行平板導波路モードを伝搬不能とする非放射性誘電体導波路を得る。
【解決手段】 第1の導体平板1と、前記第1の導体平板1の上面に接して配置された誘電体ストリップ3と、前記誘電体ストリップ3の上面に接して配置された第2の導体平板2とを、前記第1の導体平板1と前記第2の導体平板2との間隔を自由空間波長の1/4以下として設け、前記第2の導体平板2にほぼ周期的に使用周波数においてカットオフ共振状態となり、その表面を電気的に磁気壁と等価な状態とする円形開口穴5を設け、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を構成した。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1の導体平板1と、前記第1の導体平板1の上面に接して配置された誘電体ストリップ3と、前記誘電体ストリップ3の上面に接して配置された第2の導体平板2とを、前記第1の導体平板1と前記第2の導体平板2との間隔を自由空間波長の1/4以下として設け、前記第2の導体平板2にほぼ周期的に使用周波数においてカットオフ共振状態となり、その表面を電気的に磁気壁と等価な状態とする円形開口穴5を設け、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を構成した。
【選択図】 図1
Description
この発明は、主としてマイクロ波帯およびミリ波帯で用いられる誘電体導波路に関するものである。
図11は、例えば、特開昭58−215804号公報に示された非放射性誘電体線路を示す概略図であり、2枚の導電体平板61および導電体平板62の間に誘電体ストリップ63が設けられた構成である。
このような従来の非放射性誘電体線路は、2枚の導電体平板61、62の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にして曲り部分などの不連続部分における放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。
このような従来の非放射性誘電体線路は、2枚の導電体平板61、62の間隔を電磁波の伝搬波長の半波長以下にして曲り部分などの不連続部分における放射波を抑制して、伝送損失を低減させている。
従来の非放射性誘電体線路では、その電磁界を図12に示すように、遮断周波数を持たない平行平板導波路モードが存在するため、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造により平行平板導波路モードが発生および伝搬し、伝送損失の主要な原因となっていた。そのため、本誘電体線路を用いた回路は高精度な加工技術を必要とし、製作コストを下げる障害となっていた。
また、従来の非放射性誘電体線路では、導波路の不連続部における上下非対称構造によっても平行平板導波路モードが発生および伝搬し、伝送損失の主要な原因となっていた。そのため、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路はその構造が大きく制約され、複雑となっていた。
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、低損失なLSM01モードを伝送モードとし、平行平板導波路モードを伝搬不能とする非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。
また、線路構造が小形な非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。更に、多層構造を可能とした非放射性誘電体線路を得ることを目的とする。
この発明に係る誘電体導波路においては、誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第1の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面に密着させて配置した第2の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第2の導体平板にほぼ周期的に配置したものである。
この発明は、第2の導体平板に使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴をほぼ周期的に配置したので、その表面を電気的に磁気壁と等価な状態とし、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする。このため、伝送損失を低減でき、構造の対称性の制限が緩和されて設計の自由度を拡張でき、または、従来に比べ容積が半減されて小型化できる。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図1はこの発明の実施の形態1における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図において、誘電体導波路は、2枚の導体平板1および2を平行配置し、これら導体平板1および2の間に、断面が矩形であり、導体平板1および2に密着させて挿入された誘電体ストリップ3を備えている。また、導体平板1および2の間の誘電体ストリップ3以外の空間は、誘電体ストリップ3より誘電率が小さい空気層4で埋められている。更に、導体平板2には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴5が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴5の直径Dが使用周波数fの自由空間波長λに対してD=1.841×λ/π(πは円周率)の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴5がカットオフ共振状態となり、導体平板2の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となる。即ち、導体平板2の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、2枚の導体平板1および2の間では平行平板導波路モード(TM0モード)の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、2枚の導体平板1および2の間隔を自由空間波長λの1/4以下とすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
以上のように、実施の形態1の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、導体平板2の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となるため、この発明の誘電体導波路では厚さを半分にでき、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減でき、小形化することができる。
実施の形態2.
図2はこの発明の実施の形態2における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図2はこの発明の実施の形態2における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
上記発明の実施の形態1では、導体平板2に同じ直径を有する複数個の円形開口穴5が周期的な間隔で配置されている誘電体導波路を示したが、図2に示すように、導体平板2に同形の複数個の矩形開口穴6が周期的な間隔で配置され、かつ、矩形開口穴6の長辺の長さLが使用周波数fの自由空間波長λに対してL=2×λの式をほぼ満たすように設定されていても同様な効果が得られる。
実施の形態3.
図3はこの発明の実施の形態3における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図3はこの発明の実施の形態3における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
上記発明の実施の形態1では、導体平板2に同じ直径を有する複数個の円形開口穴5が周期的な間隔で配置されている誘電体導波路を示したが、図3に示すように、導体平板2に同形の複数個のH字形開口穴7が周期的な間隔で配置され、かつ、使用周波数においてH字形開口穴7の狭隘部により形成される容量性成分と拡幅部周囲の導体縁部により形成される誘導性成分が共振状態となるようにH字形開口寸法が設定されていても同様な効果が得られる。
実施の形態4.
図4はこの発明の実施の形態4における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図4はこの発明の実施の形態4における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図において、誘電体導波路は、2枚の誘電体平板8および9を並行配置し、これら誘電体平板8および9の間に、断面が矩形であり、誘電体平板8および9に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板8および9より誘電率が大きい誘電体ストリップ3を備えている。また、誘電体平板8、9および誘電体ストリップ3の下面および上面には金属薄板10および11が装着されている。更に、金属薄板11には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴12が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴12の直径Dが使用周波数fの自由空間波長λに対してD=1.841×λ/π(πは円周率)の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴12がカットオフ共振状態となり、金属薄板11の表面が電気的に磁気壁と等価の状態となる。即ち、金属平板11の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、誘電体平板8、9および誘電体ストリップ3の中では平行平板導波路モード(TM0モード)の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、2枚の誘電体平板8および9の高さhを自由空間波長λと誘電体平板8および9の誘電率εに対しh<λ/4/√εとすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
以上のように、実施の形態4の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。また、誘電体ストリップ3と誘電体平板8および9とを樹脂射出整形により製作し、かつ、誘電体ストリップ3と誘電体平板8および9の上面および下面をメッキ処理することにより金属薄板10および11を製作することができるため、低価格で量産性に優れた誘電体導波路を実現することができる。
実施の形態5.
図5はこの発明の実施の形態5における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図5はこの発明の実施の形態5における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図において、誘電体導波路は、上面中央に溝を有する導体平板13と導体平板14を平行配置し、これら導体平板13および14の間に、断面が凸形であり、導体平板13の溝にその凸形断面の狭隘部側を密着させ、かつ、導体平板14との間に間隙を設けて挿入された誘電体ストリップ15を備えている。また、導体平板13および14の間の誘電体ストリップ15以外の空間は、誘電体ストリップ15より誘電率が小さい空気層16で埋められている。更に、導体平板14には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴17が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴17の直径Dが使用周波数fの自由空間波長λに対してD=1.841×λ/π(πは円周率)の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴17がカットオフ共振状態となり、導体平板14の表面が電気的に磁気壁と等価な状態となる。即ち、導体平板14の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、2枚の導体平板13および14の間では平行平板導波路モード(TM0モード)の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、溝部を除く導体平板13と導体平板14の間隔を自由空間波長λの1/4以下とすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
以上のように、実施の形態5の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、誘電体ストリップ15の断面径を適切に設計すれば、不要モードであるLSE01モードの遮断周波数を基本伝送モードであるLSM01モードの遮断周波数より高く設定することが可能であり、LSM01モードを完全な単一伝送モードとすることができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造あるいは左右非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。
実施の形態6.
図6はこの発明の実施の形態6における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図6はこの発明の実施の形態6における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図において、誘電体導波路は、中央部に凹部を有する誘電体平板18を配置し、この誘電体平板18の凹部に、断面が凸形であり、その凸形断面の拡幅部側を密着させて挿入された誘電体平板18より誘電率が大きい誘電体ストリップ19を備えている。また、誘電体平板18および誘電体ストリップ19の下面および上面には金属薄板20および21が装着されている。更に、金属薄板21には、同じ直径を有する複数個の円形開口穴22が周期的な間隔で配置されている。ここで、円形開口穴22の直径Dが使用周波数fの自由空間波長λに対してD=1.841×λ/π(πは円周率)の式をほぼ満たすように設定されており、使用周波数において円形開口穴22がカットオフ共振状態となり、金属薄板21の表面が電気的に磁気壁と等価の状態となる。即ち、金属薄板21の表面に対し垂直な電界成分はその表面付近で強く分布することが出来ず、水平な電界成分のみその表面付近で分布する。これは、誘電体平板18および誘電体ストリップ19の中では平行平板導波路モード(TM0モード)の発生および伝播が抑制され、かつ、低損失なLSM01モードは誘電体ストリップに沿って伝搬可能となることを意味する。また、2枚の誘電体平板18の高さhを自由空間波長λと誘電体平板18の誘電率εに対しh<λ/4/√εとすることによりLSM01モードの放射を抑制し、伝送損失を低減させている。
以上のように、実施の形態6の誘電体導波路では、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とするようにしているので、加工誤差に起因する導波路の上下非対称構造部において発生および伝播する平行平板導波路モードによる伝送特性の劣化を軽減することができる。また、誘電体ストリップ15の断面径を適切に設計すれば、不要モードであるLSE01モードの遮断周波数を基本伝送モードであるLSM01モードの遮断周波数より高く設定することが可能であり、LSM01モードを完全な単一伝送モードとすることができる。また、本誘電体線路を用いた分岐回路、変換器、曲り部等の種々の回路ではその構造は上下非対称構造あるいは左右非対称構造でも優れた伝送特性を実現できるため、設計自由度を拡張することができる。更に、従来の非放射性誘電体線路と比べてその容積を半減し、小形化することができる。また、誘電体ストリップ19と誘電体平板18とを樹脂射出整形により製作し、かつ、誘電体平板18の上面および誘電体ストリップ19の凸側表面と誘電体平板18の下面をメッキ処理することにより金属薄板20および21を製作することができるため、低価格で量産性に優れた誘電体導波路を実現することができる。
実施の形態7.
図7はこの発明の実施の形態7における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図7はこの発明の実施の形態7における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
上記発明の実施の形態1では、同じ直径を有する複数個の円形開口穴5が周期的な間隔で配置されている導体平板2が導体平板1に対し平行配置されている誘電体導波路を示したが、図7に示すように、下面に同一直径の複数の金属パッチ23がほぼ周期的に配置され、かつ、上面に導体薄板24が装着されている誘電体基板25を誘電体ストリップ3の上面に配置し、かつ、金属パッチ23と導体薄板24が誘電体基板25内に設けられたスルーホール36により導通され、かつ、使用周波数において金属パッチ23が共振状態となるように金属パッチ23の寸法および誘電体基板25厚み寸法tおよび誘電体基板の誘電率が設定されていても、実施の形態1と同様な効果が得られる。
実施の形態8.
図8はこの発明の実施の形態8における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
図8はこの発明の実施の形態8における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。
上記発明の実施の形態4では、誘電体平板8、9および誘電体ストリップ3の上面に同じ直径を有する複数個の円形開口穴12が周期的な間隔で配置されている金属薄板11が装着されている誘電体導波路を示したが、図に示すように、下面に同一直径の複数の金属パッチ23がほぼ周期的に配置され、かつ、上面に導体薄板24が装着されている誘電体基板25を誘電体ストリップ3の上面に配置し、かつ、金属パッチ23と導体薄板24が誘電体基板25内に設けられたスルーホール36により導通され、かつ、使用周波数において金属パッチ23が共振状態となるように金属パッチ23の寸法および誘電体基板25厚み寸法tおよび誘電体基板の誘電率が設定されていても、実施の形態4と同様な効果が得られる。
実施の形態9.
図9はこの発明の実施の形態9における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態9は2層構造の誘電体導波路であり、図9では2つの層間の構成を示すために、2つの層を分離して示す構成説明図としている。
図9はこの発明の実施の形態9における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態9は2層構造の誘電体導波路であり、図9では2つの層間の構成を示すために、2つの層を分離して示す構成説明図としている。
上記発明の実施の形態4では、2枚の誘電体平板8および9を並行配置し、誘電体ストリップ3を誘電体平板8および9に密着させて挿入し、誘電体平板8、9および誘電体ストリップ3の下面および上面には金属薄板10および11を装着し、金属薄板11には同じ直径を有する複数個の円形開口穴12を周期的な間隔で配置した誘電体導波路を示したが、図に示すように、更に、金属薄板11の上面に2枚の誘電体平板26および27を並行配置し、これら誘電体平板26および27の間に、かつ、金属薄板11の上面に接して、断面が矩形であり、誘電体平板26および27に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板26および27より誘電率が大きい誘電体ストリップ28を備え、誘電体平板26、27および誘電体ストリップ28の上面には金属薄板29を装着し、金属薄板11に誘電体ストリップ3と28とを電磁結合させる結合孔30を設ければ、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を基本伝送線路とし、かつ、優れた層間伝送(結合)特性を有する2層構造の誘電体導波路集積回路を実現することができる。
実施の形態10.
図10はこの発明の実施の形態10における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態10は3層構造の誘電体導波路であり、図10では3つの層間の構成を示すために、3つの層を分離して示す構成説明図としている。
図10はこの発明の実施の形態10における誘電体導波路を斜視図で示す構成説明図である。この実施の形態10は3層構造の誘電体導波路であり、図10では3つの層間の構成を示すために、3つの層を分離して示す構成説明図としている。
上記発明の実施の形態9では、2枚の誘電体平板8および9を並行配置し、誘電体ストリップ3を誘電体平板8および9に密着させて挿入し、誘電体平板8、9および誘電体ストリップ3の下面および上面には金属薄板10および11を装着し、金属薄板11には同じ直径を有する複数個の円形開口穴12を周期的な間隔で配置し、同じく金属薄板11に結合孔30を配置し、金属薄板11の上面には2枚の誘電体平板26および27を並行配置し、誘電体ストリップ28を誘電体平板26および27に密着させて挿入し、誘電体平板26、27および誘電体ストリップ28の上面には金属薄板29を装着した誘電体導波路を示したが、図に示すように、更に、金属薄板29の上面に2枚の誘電体平板31および32を並行配置し、これら誘電体平板31および32の間に、かつ、金属薄板29の上面に接して、断面が矩形であり、誘電体平板31および32に密着させて挿入され、かつ、誘電体平板31および32より誘電率が大きい誘電体ストリップ33を備え、誘電体平板31、32および誘電体ストリップ33の上面には同じ直径を有する複数個の円形開口穴37を周期的な間隔で配置し金属薄板34を装着し、金属薄板29に誘電体ストリップ28と33とを電磁結合させる結合孔35を設ければ、平行平板導波路モードの発生および伝播を抑制し、非放射性を有するLSM01モードを伝送モードとして伝搬可能とする誘電体導波路を基本伝送線路とし、かつ、優れた層間伝送(結合)特性を有する3層構造の誘電体導波路集積回路を実現することができる。
なお、以上の実施の形態では、それぞれ一つの構成例を示して説明したが、これに限らず、誘電体導波路の構成要素である、導体平板、金属薄板、金属パッチを設けた誘電体基板の置き換え、誘電体ストリップの断面形状、開口穴の形状、結合孔の形状の変更、空気層のまま、あるいは誘電体ストリップより誘電率の小さい誘電体の充填、などの構成変更が可能なことは言うまでもなく、このような構成変更後も構成例と同様の効果が得られるものである。
1、2、13、14 導体平板、3、15、19、28、33 誘電体ストリップ、4、16 空気層、5、12、17、22、37 円形開口穴、6 矩形開口穴、7 H字形開口穴、8、9、18、26、27、31、32 誘電体平板、10、11、20、21、29、34 金属薄板、23 金属パッチ、24 導体薄板、25 誘電体基板、30、35 結合孔、36 スルーホール。
Claims (20)
- 誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第1の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面に密着させて配置した第2の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第2の導体平板にほぼ周期的に配置したことを特徴とする誘電体導波路。
- 誘電体ストリップの一方の面に密着させて配置した第1の導体平板と前記誘電体ストリップの他方の面との間に間隙を設けて配置した第2の導体平板とで、前記誘電体ストリップを挟んで構成した誘電体導波路であって、使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴を前記第2の導体平板にほぼ周期的に配置したことを特徴とする誘電体導波路。
- 前記第1の導体平板と前記第2の導体平板の間の空間に、前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体を前記誘電体ストリップの周囲に密着させて充填したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の誘電体導波路。
- 請求項3記載の誘電体導波路において、前記第1の導体平板と前記第2の導体平板の双方またはその一方に代えて、金属薄板を備えたことを特徴とする誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状が円形であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状が矩形であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴の形状がH字形であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘電体導波路において、前記第2の導体平板又は前記第2の導体平板に代えた金属薄板に代えて、前記誘電体ストリップに対向する一方の面に使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチがほぼ周期的に設けられ、他方の面に金属薄板が設けられ、前記金属パッチと前記金属薄板がスルーホールにより導通された誘電体基板を備えたことを特徴とする誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状が円形であることを特徴とする請求項8記載の誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状が矩形であることを特徴とする請求項8記載の誘電体導波路。
- 前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の金属パッチの形状がH字形であることを特徴とする請求項8記載の誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップの断面形状が矩形であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップの断面形状が凸形で、その凸部側を前記第1の導体平板側または前記第1の導体平板に代えて設けられた金属薄板側に配置したことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップと前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体とを樹脂射出成形により一体で形成したことを特徴とする請求項3〜13のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘電体導波路の二つを、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴がほぼ周期的に配置された面同士を対向させ、前記対向させた面同士を共通化して互いに共有させると共に前記共通化した面に前記互いの誘電体ストリップを電磁的に結合する結合孔を設け、2層に積層したことを特徴とする誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップの断面形状が凸形で、その凸部側を前記第1の導体平板側または前記第1の導体平板に代えて設けられた金属薄板側に配置したことを特徴とする請求項15記載の誘電体導波路。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の誘電体導波路の三つを、その中の一つの誘電体導波路に対し、他の二つの誘電体導波路の一方は、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記使用周波数でカットオフ共振状態になる複数個の開口穴がほぼ周期的に配置された面同士を対向させ、他の二つの誘電体導波路の他方は、互いの誘電体ストリップを対向させ、かつ、前記面と反対側の面同士を対向させ、前記対向させた面同士をそれぞれ共通化して互いに共有させると共に前記共通化した面それぞれに前記互いの誘電体ストリップを電磁的に結合する結合孔を設け、3層に積層したことを特徴とする誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップの断面形状が矩形であることを特徴とする請求項15又は請求項17記載の誘電体導波路。
- 前記結合孔の形状が矩形であることを特徴とする請求項15〜18のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
- 前記誘電体ストリップと前記誘電体ストリップより低い誘電率の誘電体とを樹脂射出成形により一体で形成したことを特徴とする請求項15〜19のいずれか1項に記載の誘電体導波路。
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