JP2006323376A - 半導体装置及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】消去用の走査線の電位を上げたら、それに応じて駆動トランジスタのゲート端子の電位も上がるようにする。例えば、走査線と駆動トランジスタのゲート端子とを整流素子を介して接続する。
【選択図】図1
Description
また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続してさせている部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
本実施の形態では、電位伝達手段として整流素子を適用した場合の画素構成と、その画素を有する表示装置について説明する。
本実施の形態では、電位伝達手段として、三端子を有する回路素子を用いた構成について説明する。
本実施の形態では、画素を非点灯(黒表示)にすべきときに、発光素子がわずかに発光してしまうことを防ぐことがより可能な画素構成を示す。つまり、駆動トランジスタにオフ電流が流れても、発光素子へは電流が流れないようにする。
例えば、絶縁物5712としては、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることができる。
次に、上述した画素を有する表示装置について説明する。図5に示す表示装置は、信号線駆動回路501、第1の走査線駆動回路502、第2の走査線駆動回路505、画素部503を有している。信号線駆動回路501から列方向に延びて信号線S1〜Snが配置され、第1の走査線駆動回路502から行方向に延びて第1の走査線G1〜Gmが配置され、第2の走査線駆動回路505から行方向に延びて第2の走査線R1〜Rmが配置されている。そして、信号線S1〜Snと第1の走査線G1〜Gm及び第2の走査線R1〜Rmに対応して、複数の画素504が画素部503にマトリクスに配置されている。つまり、一画素に対して、信号線S1〜Snのいずれか一と、第1の走査線G1〜Gmのいずれか一と、第2の走査線R1〜Rmのいずれか一とが接続されている。なお、画素504に、図1、図3、図4、図9、図10、図11、図12、図13、図16、図17、図18、図19、図20、図21、図22、図34、図40、図41、図42、図43、図44、図45、図46、図47、図50、図51、図53、図54、図55及び図56に示した画素構成を用いることができる。
また、本発明は信号の書き込みを電流によって行い、電流によって駆動する電流入力電流駆動型の画素にも適用することが可能である。そのような画素について図34を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の画素の適用可能な表示装置の他の駆動方法について図48に示すタイミングチャートを用いて説明する。
本実施の形態では、表示装置に用いる表示パネルの構成について図36(a)、(b)を用いて説明する。
本発明は様々な電子機器に適用することができる。具体的には電子機器の表示部に適用することができる。そのような電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる発光装置を備えた装置)などが挙げられる。
本実施例において、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する携帯電話の構成例について図33を用いて説明する。
図31は表示パネル3101と、回路基板3102を組み合わせたELモジュールを示している。表示パネル3101は画素部3103、走査線駆動回路3104及び信号線駆動回路3105を有している。回路基板3102には、例えば、コントロール回路3106や信号分割回路3107などが形成されている。表示パネル3101と回路基板3102は接続配線3108によって接続されている。接続配線にはFPC等を用いることができる。
Claims (6)
- ゲート端子、第1端子及び第2端子をそれぞれ備える第1のトランジスタ、第2のトランジスタ並びに第3のトランジスタと、
電流電圧変換素子と、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、電極とを有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線と接続され、ゲート端子が前記第2の配線と接続され、第2端子が前記第2のトランジスタのゲート端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線と接続され、第2の端子が前記電極と接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第2のトランジスタのゲート端子と接続され、ゲート端子が前記第4の配線と接続され、第2端子が前記電流電圧変換素子を介して前記第4の配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、前記電流電圧変換素子は、抵抗素子、PN接合ダイオード、PIN接合ダイオード、ショットキー型のダイオード、トランジスタ、若しくはダイオード接続トランジスタ又はこれらの組み合わせであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2において、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタはNチャネル型トランジスタであり、前記第2のトランジスタはPチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
- ゲート端子、第1端子及び第2端子をそれぞれ備える第1のトランジスタ、第2のトランジスタ並びに第3のトランジスタと、
電流電圧変換素子と、第1の配線と、第2の配線と、第3の配線と、第4の配線と、発光層が画素電極と対向電極で挟み込まれた発光素子と、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1端子が前記第1の配線と接続され、ゲート端子が前記第2の配線と接続され、第2端子が前記第2のトランジスタのゲート端子と接続され、
前記第2のトランジスタは、第1端子が前記第3の配線と接続され、第2の端子が前記発光素子の画素電極と接続され、
前記第3のトランジスタは、第1端子が前記第2のトランジスタのゲート端子と接続され、ゲート端子が前記第4の配線と接続され、第2端子が前記電流電圧変換素子を介して前記第4の配線と接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項4において、前記電流電圧変換素子は、抵抗素子、PN接合ダイオード、PIN接合ダイオード、ショットキー型のダイオード、トランジスタ、若しくはダイオード接続トランジスタ又はその組み合わせであることを特徴とする表示装置。
- 請求項4又は5において、前記第1のトランジスタ及び前記第3のトランジスタはNチャネル型トランジスタであり、前記第2のトランジスタはPチャネル型トランジスタであることを特徴とする表示装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008139797A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその駆動方法 |
JP2010066331A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
WO2011010486A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
JP2012084851A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101148898B1 (ko) | 2011-08-10 | 2012-05-29 | (주)팔콘시스템 | 차동 화소회로 |
JP2012150511A (ja) * | 2005-04-20 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器 |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2014220259A (ja) * | 2008-07-10 | 2014-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | モジュール |
JP2014241591A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プログラマブルロジックデバイス及び半導体装置 |
JP2016119486A (ja) * | 2010-12-24 | 2016-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20180097770A (ko) * | 2009-10-21 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0916123A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
JP2002014653A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
JP2002072926A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Ind Technol Res Inst | オーガニックledディスプレイの構造 |
JP2002323873A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003150106A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003195813A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2003308030A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2004054188A (ja) * | 2001-09-10 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 単位回路、電子回路、電子装置、電気光学装置、駆動方法および電子機器 |
JP2005507505A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-03-17 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 有機elディスプレイパネルとこれを備えた有機elディスプレイ装置 |
-
2006
- 2006-04-19 JP JP2006115825A patent/JP4999351B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0916123A (ja) * | 1995-07-04 | 1997-01-17 | Tdk Corp | 画像表示装置 |
JP2002014653A (ja) * | 2000-04-26 | 2002-01-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置およびその駆動方法 |
JP2002072926A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-12 | Ind Technol Res Inst | オーガニックledディスプレイの構造 |
JP2002323873A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
JP2003195813A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
JP2004054188A (ja) * | 2001-09-10 | 2004-02-19 | Seiko Epson Corp | 単位回路、電子回路、電子装置、電気光学装置、駆動方法および電子機器 |
JP2005507505A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-03-17 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 有機elディスプレイパネルとこれを備えた有機elディスプレイ装置 |
JP2003150106A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
JP2003308030A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-10-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
Cited By (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012150511A (ja) * | 2005-04-20 | 2012-08-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器 |
US9570017B2 (en) | 2006-12-05 | 2017-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
JP2008139797A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその駆動方法 |
US9355602B2 (en) | 2006-12-05 | 2016-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
US8766906B2 (en) | 2006-12-05 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
US11908976B2 (en) | 2008-07-10 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
US11557697B2 (en) | 2008-07-10 | 2023-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light emitting device comprising a polyimide resin |
JP2014220259A (ja) * | 2008-07-10 | 2014-11-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | モジュール |
US10205062B2 (en) | 2008-07-10 | 2019-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device that is highly reliable, thin and is not damaged by external local pressure and electronic device |
US10079330B2 (en) | 2008-07-10 | 2018-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device having an embedded pixel electrode |
US11101407B2 (en) | 2008-07-10 | 2021-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device sealed in a fibrous body to improve manufacturability and electronic device including the light emitting device |
JP2010066331A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Fujifilm Corp | 表示装置 |
US11955537B2 (en) | 2009-03-05 | 2024-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8810488B2 (en) | 2009-07-23 | 2014-08-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving the same |
WO2011010486A1 (ja) * | 2009-07-23 | 2011-01-27 | シャープ株式会社 | 表示装置および表示装置の駆動方法 |
KR20200113037A (ko) * | 2009-10-21 | 2020-10-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
KR102162746B1 (ko) | 2009-10-21 | 2020-10-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
KR102023128B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2019-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
US10957714B2 (en) | 2009-10-21 | 2021-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
KR20190107198A (ko) * | 2009-10-21 | 2019-09-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
KR20180097770A (ko) * | 2009-10-21 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
KR102223581B1 (ko) | 2009-10-21 | 2021-03-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 아날로그 회로 및 반도체 장치 |
US10319744B2 (en) | 2009-10-21 | 2019-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Analog circuit and semiconductor device |
JP2022137287A (ja) * | 2010-01-29 | 2022-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP7111879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2022-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101948707B1 (ko) | 2010-01-29 | 2019-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
JP2022016531A (ja) * | 2010-01-29 | 2022-01-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019135780A (ja) * | 2010-01-29 | 2019-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶装置 |
KR101893904B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2018-08-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
KR20170129287A (ko) * | 2010-01-29 | 2017-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
KR101800850B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2017-11-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 기억 장치 |
JP7407879B2 (ja) | 2010-01-29 | 2024-01-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2013258411A (ja) * | 2010-01-29 | 2013-12-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2021002680A (ja) * | 2010-01-29 | 2021-01-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US10453846B2 (en) | 2010-09-13 | 2019-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2012084851A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2016119486A (ja) * | 2010-12-24 | 2016-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102081529B1 (ko) | 2010-12-24 | 2020-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 회로 및 그 구동 방법, 및 기억 장치, 레지스터 회로, 표시 장치 및 전자 기기 |
KR20190017836A (ko) * | 2010-12-24 | 2019-02-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 회로 및 그 구동 방법, 및 기억 장치, 레지스터 회로, 표시 장치 및 전자 기기 |
US9735179B2 (en) | 2010-12-24 | 2017-08-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor circuit, method for driving the same, storage device, register circuit, display device, and electronic device |
JP2017130690A (ja) * | 2010-12-24 | 2017-07-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101148898B1 (ko) | 2011-08-10 | 2012-05-29 | (주)팔콘시스템 | 차동 화소회로 |
KR20210042892A (ko) * | 2013-05-17 | 2021-04-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
KR102290833B1 (ko) | 2013-05-17 | 2021-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치 |
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JP2019092205A (ja) * | 2013-05-17 | 2019-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018117360A (ja) * | 2013-05-17 | 2018-07-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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