JP2006313493A - 電源回路 - Google Patents

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Abstract

【課題】 電源電圧変動分の低減を図ることができると共に、回路の小型化、コストの低廉化を図ることができる電源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】 直流電源11と負荷13の間にコレクタ−エミッタ路が接続され、そのベースがツェナーダイオード16を介してアースに接地されたトランジスタ15を備え、直流電源11の一端とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に電源電圧変動除去手段を設け、この電源電圧変動除去手段は、直流電源11の一端とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に直列接続された抵抗器17、18と、この抵抗器17、18の接続点とアースの間に接続されたコンデンサ19とを有し、抵抗器18の抵抗値およびツェナーダイオード16の動作抵抗20の合計値と抵抗器17の抵抗値を同じ値に設定したものである。
【選択図】 図1

Description

この発明は、オーディオ回路等に用いて好適な電源回路に関し、特に、電源電圧除去比(SVRR:Supply Voltage Rejection Ratio)を改善することができる電源回路に関するものである。
従来、例えばオーディオ回路等に用いられる電源回路として種々の電源回路が提案されているが、図5もその一例である。
図5において、直流電源1に接続された入力端子2と、負荷3に接続された出力端子4の間にトランジスタ5が設けられ、トランジスタ5のコレクタは入力端子2に接続され、トランジスタ5のエミッタは出力端子4に接続され、トランジスタ5のベースはツェナーダイオード6を介して接地される。また、入力端子2とトランジスタ5のベースおよびツェナーダイオード6の接続点の間に抵抗器7が接続され、ツェナーダイオード6と並列にコンデンサ8が接続される。
この従来回路では、直流電源1側より電源回路の出力よりも高い電圧が電源回路へ印加され、その高い電圧が抵抗器7を通してトランジスタ5のベースとツェナーダイオード6の接続点に伝わり、ツェナーダイオード6のツェナー電圧VDZからトランジスタ5のベース−エミッタ間電圧VBEを指し引いた電圧が出力端子4の負荷3側に出力される。
また、電源電圧変動分Vn(直流電源1に重畳された交流成分)は、図6に示すように、ツェナーダイオード6の動作抵抗(交流抵抗)9と抵抗器7で分圧され、ツェナーダイオード6の動作抵抗9と抵抗器7の値をそれぞれRz,Rとすると、電源電圧変動分VnがRz/(Rz+R)*Vnに低減される。この電源電圧変動分Vnの低減の割合を示す指数を電源電圧除去比といい、20*log10{(Rz+R)/Rz}で表すことができる。つまり、この電源電圧除去比は、電源電圧を除くすべての供給電圧を一定に保ちつつ、電源電圧を変化させたときの、電源電圧の変化と出力電圧の変化との比をいう。ここで、ツェナーダイオード6の動作抵抗9の値Rzが小さいほど、かつ抵抗器7の値Rが大きいほど電源電圧除去比がよくなる(例えば、特許文献1参照)。
特開2000−10645号公報
ところで、上述したような従来の電源回路の場合は、通常ツェナーダイオード6の動作抵抗9の値Rzを小さくするためには、ツェナーダイオード6に電流を多く流すために抵抗器7の値Rを小さくする必要があるが、抵抗器7の値Rを小さくすると電源電圧除去比が悪くなるため、抵抗器7の値Rを無闇に小さく出来ないという相反する面がある。そこで、高い周波数で交流抵抗が小さくなるコンデンサ8をツェナーダイオード6に並列に接続して、その動作抵抗9の値Rzとコンデンサ8の容量Cの合成インピーダンスRz'=Rz/(1+jωCRz)を小さくすることで電源電圧除去比を改善しようとする手法が用いられる。
この合成インピーダンスRz'を小さくするためには時定数CRzを大きくすればよいが、上述のようにツェナーダイオード6の動作抵抗9の値Rzは小さい方がよいため、結局コンデンサ8の容量の値Cを大きくすればよいことがわかる。この式に実際に数値を当てはめて計算すると、大容量のコンデンサ8が必要になることが分かるが、大容量のコンデンサ8を使うとコストアップの要因になるとともに、近年の製品筐体の小型化に伴い、大容量のコンデンサ等の寸法が大きな部品が使えなくなってきた。そのため、現実には充分な容量のコンデンサが使えず、ツェナーダイオード6に並列に接続したコンデンサ8は電源電圧変動分Vnの低減として十分機能していないという課題があった。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、電源電圧変動分の低減を図ることができると共に、回路の小型化、コストの低廉化を図ることができる電源回路を得ることを目的とする。
この発明に係る電源回路は、直流電源と負荷の間に主電極路が接続され、その制御電極が定電圧素子を介してアースに接地された半導体素子と、直流電源の一端と半導体素子の制御電極および定電圧素子の接続点の間に電源電圧変動除去手段とを備えたものである。
この発明によれば、電源電圧変動除去手段の一部を構成するコンデンサの容量の値を変えずに、電源電圧除去比が数倍以上高まり電源電圧変動分の低減を図ることができる。一方、電源電圧除去比を据え置くならば、コンデンサの容量を数分の1にすることが可能となり、回路構成の小型化、コストの低廉化が図れるという効果がある。
以下、この発明の実施の一形態を、図1〜図4を参照して説明する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1による電源回路の構成を示す回路図、図2はその交流に対する等価回路を示す図である。
図1において、直流電源11に接続された入力端子12と、負荷13に接続された出力端子14の間に半導体素子としてのトランジスタ15が設けられ、トランジスタ15のコレクタは入力端子12に接続され、トランジスタ15のエミッタは出力端子14に接続され、トランジスタ15のベースは定電圧素子としてのツェナーダイオード16を介して接地される。つまり、半導体素子としてのトランジスタ15は、直流電源11と負荷13の間にそのコレクタ−エミッタ路(主電極路)が接続され、そのベース(制御電極)が定電圧素子であるツェナーダイオード16を介してアースに接地されている。
また、入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に複数の抵抗器即ち抵抗器17と抵抗器18が直列接続され、これら抵抗器17および抵抗器18の接続点とアースの間にコンデンサ19が接続される。なお、直流電源11の一端とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に直列接続された抵抗器17および18と、これら抵抗器17および18の接続点とアースの間に接続されたコンデンサ19は、実質的に電源電圧変動除去手段を構成し、ここでは、後述されるように、抵抗器18の抵抗値およびツェナーダイオード16の動作抵抗の合計値と抵抗器17の抵抗値を同じ値に設定している。
この電源回路の入力端子12には、電源電圧変動分Vnを含む直流電源11が接続されているが、直流に関してはツェナーダイオード16に流す電流IDは、抵抗器17の値をR1、抵抗器18の値をR2、直流電源11の電圧をV、ツェナーダイオード16のツェナー電圧をVDZとすると、(V−VDZ)/(R1+R2)で決まり、ツェナーダイオード16に流す電流IDが適当な値になるように、抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2の合計値R1+R2を設定することで定電圧のツェナー電圧VDZが得られて、負荷13へ供給される電圧は、ツェナーダイオード16のツェナー電圧VDZからトランジスタ15のベース−エミッタ間電圧VBEを指し引いた電圧VDZ−VBEになる。
図2は、電源電圧変動分Vnに関して図1の交流に対する等価回路を示すものである。ここで、トランジスタ15内部のベース抵抗、エミッタ抵抗は小さいため無視し、ツェナーダイオード16の動作抵抗20の値をRz、コンデンサ19の容量をC1、ω=2πf(f:周波数)とすると、出力端子14側に得られる出力電圧Voは、下記の式(1)のように表され、また、その伝達特性Vo/Vnは、下記の式(2)のように表される。
Figure 2006313493
ところで、上記式(2)は、典型的な高域遮断特性を示しており、周波数が高くなると電源電圧変動分Vnが小さくなる、すなわち電源電圧変動分Vnが減衰することを示している。その高域遮断周波数はC1、R1、R2、RZで決まり、遮断周波数が低いほど電源電圧変動分Vnが減衰する割合、すなわち電源電圧除去比が大きいことがわかる。
そこで、上記式(2)の高域遮断周波数を求める。式(2)の高域遮断周波数は絶対値が1/√2になる時なので、定常状態ではツェナーダイオード16の動作抵抗20の値RZが一定値と考えて次のようになる。
Figure 2006313493
つまり、R1と(R2+RZ)の並列抵抗とC1の積で決まる時定数になる。
ここで、最も高域遮断周波数fcが低くなる条件を考えると、分母が最大となるときである。すなわち、R1+R2およびRZが一定という条件で分母が最大になるのは、
Figure 2006313493
であり、この式(4)を満たすように抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を選定すれば、R1とR2+RZの並列抵抗が最も大きくなり、高域遮断周波数fcが最も低くなる。
上記式(3)に式(4)を代入すると、
Figure 2006313493
となる。
従来の回路との比較を行なうため、図5の従来の回路の高域遮断周波数を考えると、上記式(3)でR2=0と置けばよい。よって式(3)は次のようになる。
Figure 2006313493
電源電圧除去比を比較するため、上記式(3)'の高域遮断周波数fcminと、上記式(5)の一般的な回路の高域遮断周波数fc’の比を求めると、
Figure 2006313493
となる。
ここで、通常の使用状態では、R1≧10RZであるので、仮にR1=10RZとすると、fcmin≒1/5fc’となる。つまり、高域遮断周波数fcminが図5の従来の回路の約1/5になり、電源電圧変動を低減する能力が約5倍になることがわかる。逆にいえば、性能を据え置くならば、コンデンサ19の容量C1の値が1/5で済むことになり、部品形状が小さくなり回路の小型化を図れる。
このようにして、本実施の形態では、直流電源の一端即ち入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に直列接続の抵抗器17、18を設け、この抵抗器17、18の接続点とアースの間にコンデンサ19を接続し、抵抗器18の値R2およびツェナーダイオード16の動作抵抗20の値RZの合計値と、抵抗器17の値R1を同じ値に設定することで、コンデンサ19の容量の値C1を変えずに、電源電圧除去比が数倍以上高まり、電源電圧除去比を据え置くならば、コンデンサ19の容量を数分の1にすることが可能となる。また、追加した抵抗器17または18によるコストアップは殆ど問題にならず、コンデンサ19と比較すると小型部品であるため、回路全体としては小型化およびコストダウンが可能となる。
実施の形態2.
上記実施の形態1では、直流電源の一端即ち入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に直列接続の抵抗器17、18を設け、この抵抗器17、18の接続点とアースの間にコンデンサ19を接続し、抵抗器18の値R2およびツェナーダイオード16の動作抵抗20の値RZの合計値と、抵抗器17の値R1を同じ値に設定する場合について説明したが、本実施の形態では、この設定条件を、ツェナーダイオード16の動作抵抗20とは無関係に、抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を同一とするものである。即ち、本実施の形態では、電源電圧変動除去手段の一部を構成する抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を同一の値に設定している。
従って、本実施の形態も回路構成としては、実質的に上記実施の形態1の図1および図2と同様のものを用いてよく、また、上記実施の形態1における出力端子14側に得られる出力電圧Voに関する式(1)から高域遮断周波数fcに関する式(3)までの説明は、上記実施の形態1と同様であるので、その説明を省略する。
さて、ここで、最も高域遮断周波数fcが低くなる条件を考えると、分母が最大となる時であるが、ツェナーダイオード16が通常の使用状態では、ツェナーダイオード16の動作抵抗20の値RZと抵抗器18の値R2の関係は、RZ≪R2(10倍以上)であるため、下記の式(7)のように近似され簡略化することができる。
Figure 2006313493
この場合高域遮断周波数fcが最小になる条件は、R1+R2が一定の条件では、R1=R2に設定した時であり、その時の高域遮断周波数fcは
Figure 2006313493
になり、結局C1とR1/2の積で決まることがわかる。
電源電圧除去比を比較するため、上記式(7)'の高域遮断周波数fcminと、上記式(5)の一般的な回路のfc’の比を求めると、
Figure 2006313493
となる。
ここで通常の使用状態では、R1≧10RZであるので、仮にR1=10RZとすると、fcmin=1/5×fc’となる。つまり、高域遮断周波数fcminが図5の従来の回路の1/5になり、電源電圧変動を低減する能力が5倍になることがわかる。逆にいえば、性能を据え置くならばコンデンサ19の容量の値C1を1/5で済むことになり、部品形状が小さくなり回路の小型化を図れる。また、定数の設定時に抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を、R1=R2としても、上記実施の形態1の結果とほぼ同様の効果があることから、煩雑な計算を行なうことなく容易に実施できて高い効果を得ることができる。
このようにして、本実施の形態では、直流電源の一端即ち入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に直列接続の抵抗器17、18を設け、この抵抗器17、18の接続点とアースの間にコンデンサ19を接続し、抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を同じ値に設定することで、上記実施の形態1とほぼ同様の効果が得られると共に、さらに、本実施の形態では、抵抗器17の値R1と抵抗器18の値R2を同じ値に設定することで、高域遮断周波数fcminを算出する際に上記実施の形態1の如き複雑な演算が不要となり、設計の簡素化を図ることができる。
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3による電源回路の構成を示す回路図である。なお、図3において、図1と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
本実施の形態では、ツェナーダイオード16と並列に所定の容量C2を有するコンデンサ21を接続し、このコンデンサ21によりツェナーダイオード16に発生するダイオード固有の雑音を吸収するようにする。その他の構成は、図1の場合と同様である。
このようにして、本実施の形態でも、抵抗器17,18とコンデンサ19側で電源電圧変動分の低減に対処することで、実質的に上記実施の形態1および2と同様の効果が得られると共に、さらに、本実施の形態では、ツェナーダイオード16と並列にコンデンサ21を接続してツェナーダイオード16に発生するダイオード固有の雑音を吸収することで、電源回路の出力電圧の低雑音化を図ることができる。
実施の形態4.
図4は、この発明の実施の形態4による電源回路の構成を示す回路図である。なお、図4において、図1と対応する部分には同一符号を付し、その詳細説明を省略する。
本実施の形態では、入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に設けられる抵抗器とコンデンサの数を増やした場合の一例である。即ち、入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に、複数の抵抗器例えば抵抗器22、23および24を直列接続し、抵抗器22および23の接続点を、コンデンサ25を介して接地し、抵抗器23および24の接続点を、コンデンサ26を介して接地する。その他の構成は、図1の場合と同様である。
このようにして、本実施の形態でも、上記実施の形態1および2と同様の効果が得られると共に、さらに、本実施の形態では、入力端子12とトランジスタ15のベースおよびツェナーダイオード16の接続点の間に設けられる抵抗器とコンデンサの段数を増やすことで、さらに、電源電圧変動分の低減即ち電源電圧除去比を向上させることができ、また、抵抗器22〜24の抵抗値と、コンデンサ25の容量値の選択によりある特定の帯域の雑音を抑制するのにも対処できる。また、本実施の形態でも、上記実施の形態3と同様に、ツェナーダイオード16と並列にコンデンサ21を接続してツェナーダイオード16に発生するダイオード固有の雑音を吸収して電源回路の出力電圧の低雑音化を図ることができることは勿論である。
なお、上記各実施の形態において、半導体素子としてトランジスタ、定電圧素子としてツェナーダイオードの場合について説明したが、それぞれこれに限定されることなく同じ機能を有するその他の素子にも同様に適用でき、同様の効果を奏する。
この発明の実施の形態1および2による電源回路の構成を示す回路図である。 この発明の実施の形態1および2による電源回路の交流に対する等価回路を示す図である。 この発明の実施の形態3による電源回路の構成を示す回路図である。 この発明の実施の形態4による電源回路の構成を示す回路図である。 従来の電源回路の構成を示す回路図である。 従来の電源回路の交流に対する等価回路を示す図である。
符号の説明
11 直流電源、12 入力端子、13 負荷、14 出力端子、15 トランジスタ、16 ツェナーダイオード、17,18,22,23,24 抵抗器、19,21,25,26 コンデンサ、20 ツェナーダイオードの動作抵抗。

Claims (5)

  1. 直流電源と負荷の間に主電極路が接続され、その制御電極が定電圧素子を介してアースに接地された半導体素子と、上記直流電源の一端と上記半導体素子の制御電極および上記定電圧素子の接続点の間に電源電圧変動除去手段とを備えた電源回路。
  2. 電源電圧変動除去手段は、直流電源の一端と半導体素子の制御電極および定電圧素子の接続点との間に直列接続された複数の抵抗器と、該複数の抵抗器の接続点とアースの間に接続されたコンデンサとを有することを特徴とする請求項1記載の電源回路。
  3. 複数の抵抗器の一方の抵抗値および定電圧素子の動作抵抗の合計値と、上記複数の抵抗器の他方の抵抗値を同じ値に設定したことを特徴とする請求項2記載の電源回路。
  4. 複数の抵抗器の各抵抗値を同じ値に設定したことを特徴とする請求項2記載の電源回路。
  5. 定電圧素子と並列にコンデンサを接続したことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電源回路。
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