JP2006313332A

JP2006313332A - 電子写真装置、該電子写真装置に使用される電子写真感光体、および該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ

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Publication number: JP2006313332A
Application number: JP2006104094A
Authority: JP
Inventors: Masataka Kawahara; 正隆川原; Masato Tanaka; 正人田中; Junji Fujii; 淳史藤井; Yuka Ishizuka; 由香石塚; Masaki Nonaka; 正樹野中
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2005-04-08
Filing date: 2006-04-05
Publication date: 2006-11-16
Anticipated expiration: 2026-04-05
Also published as: JP4522389B2

Abstract

【課題】短波長（３８０ｎｍ〜５００ｎｍ）の光を像露光光として使用し、該波長における光電変換効率が全体として良好な感光体を使用する電子写真装置の提供。
【解決手段】電子写真装置において、支持体及び支持体上に形成された反射層、電荷発生層及び電荷輸送層から構成された電子写真感光体を使用する。３８０ｎｍ〜５００ｎｍの像露光光に対し、該電荷発生層の吸光度が１．０以下であり、該反射層の全反射率が標準白色板に対して３０％以上であり、かつ前記反射層の正反射率が１５％未満である。
【選択図】図２

Description

本発明は、特定の感光層（電荷発生層および電荷輸送層を含む）および反射層を有する電子写真感光体、ならびに該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ、および画像形成装置に関する。

近年、電子写真装置の出力画像の画質を向上させるため、その高解像度化が加速的に進んでいる。この目的のための装置上の対応は、光学的な面からは比較的容易である。即ち、解像度を上げることは、レーザービームのスポット径を細く絞り、書き込み密度を上げることで達成される。しかしながら、光源として従来使用されている発振波長が６３０〜７８０ｎｍ程度の半導体レーザーでは、光学系の操作でビーム径を細くしてもスポット輪郭の鮮明さが得られ難いことがあることが分かった。その原因はレーザー光の回折限界にあり、スポット径の下限（Ｄ）は、下式で表されるように、レーザー光の発光波長λに正比例する関数であるからである。

＜数１＞
Ｄ＝１．２２λ／ＮＡ
（ここでＮＡはレンズ開口数を表わす。）

電子写真プロセスにおいて、像露光光として従来から一般に用いられている赤色レーザー光は、その発光波長が６３０〜７８０ｎｍ程度と長波長であるため、上式から明らかなように、ビーム径を一定以上の小径に絞ることが困難である。このため、感光体に対する記録密度をある一定以上には高めることができないという問題がある。この問題に対処するためには半導体レーザーの発振波長を短くすることが必要である。

レーザーの発振波長の短波長化には、いくつかの手法が知られている。
一つは、非線形光学材料を利用し、第２高調波発生（ＳＨＧ）を用いてレーザー光の発光波長を２分の１にするものである（例えば、特許文献１〜３参照）。この手法は、一次光源として、既に確立された技術である高出力可能なGaAs系ＬＤやＹＡＧレーザーを使用することができるため、長寿命化や大出力化が可能である。
もう一つは、ワイドギャップ半導体を用いるもので、ＳＨＧを利用するデバイスと比べて、装置の小型化が可能である。ZnSe系半導体を用いたＬＤ（例えば、特許文献４および５参照）や、GaN系半導体を用いたＬＤ（例えば、特許文献６および７参照）が、その発光効率の高さから、以前から多くの研究の対象となっている。

しかし、これらのＬＤは素子構造、結晶成長条件、電極などの最適化が難しく、結晶中の欠陥等により、実用化に必須である室温での長時間発振が困難であった。しかし、基板等の技術革新が進み、１９９７年１０月には日亜化学工業から、GaN系半導体を用いたＬＤで1150時間連続発振可能なこと（50℃条件）が報告され、１９９９年１０月からは販売が開始されている。

積層型の電子写真感光体に対してレーザー光によって潜像形成を行う場合、感光体の電荷発生層の、レーザー光の発光波長における吸光度が小さい場合には、干渉縞が発生しやすくなるという問題点があった。しかし、吸光度を高めるために電荷発生層の膜厚を大きくしすぎると、暗部電位の低下やゴーストを招きやすくなる傾向がある。そこでこの問題に対する解決方法として、支持体と感光層の間にレーザー光のコヒーレンシーを消失させる機能を有する反射層を設けるという提案がなされている（例えば、特許文献８参照）。

特開平９−２７５２４２号公報特開平９−１８９９３０号公報特開平５−３１３０３３号公報特開平７−３２１４０９号公報特開平６−３３４２７２号公報特開平８−８８４４１号公報特開平７−３３５９７５号公報特許第２５０２２８６号明細書

しかし、これまで市販されてきた積層型感光体の反射層の反射効率は、必ずしも全可視光領域において均一ではない。特に、GaN系半導体レーザー等の短波長の光を露光光として用いた場合には、露光光の反射層における吸収が大きくなり、感光体全体としての光電変換効率が低下してしまうという問題点があった。

本発明者は、上述の問題点を解決するために鋭意検討を重ねた結果、支持体上に少なくとも反射層、電荷発生層、電荷輸送層を有する電子写真感光体であって、３８０ｎｍ〜５００ｎｍの波長における該電荷発生層の吸光度が１．０以下であり、該波長における反射層の全反射率が標準白色板に対して３０％以上であり、かつ該波長における反射層の正反射率が１５％未満であることを特徴とする電子写真感光体を有する電子写真画像装置が、像露光光を短波長（３８０ｎｍ〜５００ｎｍ）の光（例えば半導体レーザー光）とした場合に、干渉縞およびゴーストのない画像を形成しうることを見出した。

従って、本発明は下記の特徴を有する電子写真装置を提供することを目的とする。
（１）電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を少なくとも有する電子写真装置において、
該像露光手段として、発光波長が３８０〜５００ｎｍの半導体レーザーを用い、
該電子写真感光体として、支持体上に少なくとも、該発光波長における全反射率が標準白色板に対して３０％以上であり、かつ該発光波長における正反射率が１５％未満である反射層、該発光波長における吸光度が１．０以下である電荷発生層、及び電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真装置。
（２）前記反射層が、イエローインデックスが１５以下であるバインダー樹脂を含有することを特徴とする上記（１）に記載の電子写真装置。
（３）前記バインダー樹脂が有機ケイ素系高分子であることを特徴とする上記（２）に記載の電子写真装置。
（４）前記バインダー樹脂が、下記一般式（１）で表されるフェノール化合物の硬化物であることを特徴とする上記（２）に記載の電子写真装置。

（一般式（１）中、Ｒ_１１、Ｒ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、Ｘ_１１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基またはメチル基を示すが、Ｘ_１１〜Ｘ_１４のうち少なくとも１つはヒドロキシメチル基である。）
（５）前記電荷発生層がヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする上記（１）に記載の電子写真装置。
（６）前記電荷発生層が下記一般式（２）で示されるアゾ化合物を含有することを特徴とする（１）に記載の電子写真装置。

（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｙはケトン基、または下記一般式（３）または下記一般式（４）で示される基を示す。）

（７）前記電荷輸送層の露光手段発光波長に対する吸光度が０．０５以下であることを特徴とする上記（１）に記載の電子写真装置。
（８）前記電荷発生層の露光手段発光波長に対する吸光度が０．３０以下であることを特徴とする上記（１）に記載の電子写真装置。

また、本発明は、支持体上に少なくとも、反射層、電荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該反射層が下記一般式（１）で表されるフェノール化合物の硬化物を含有することを特徴とする電子写真感光体を提供することを目的とする。

（一般式（１）中、Ｒ_１１、Ｒ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、Ｘ_１１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基またはメチル基を示すが、Ｘ_１１〜Ｘ_１４のうち少なくとも１つはヒドロキシメチル基である。）

さらに、本発明は、上記の電子写真感光体、および帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジを提供することを目的とする。

本発明によれば、短波長（３８０ｎｍ〜５００ｎｍ）の光を像露光光として用いる電子写真装置において、支持体上に特定の反射層及び感光層（電荷発生層及び電荷輸送層）を有する電子写真感光体を使用することによって、全体としての光電変換効率に優れかつ干渉縞およびゴーストのない画像を形成することが出来る電子写真装置を提供することが出来る。

以下本発明について詳細に説明する。
＜本発明の電子写真感光体＞
本発明の電子写真感光体は、支持体、反射層、感光層（電荷発生層及び電荷輸送層を含む）を有する。好ましくは支持体上に、反射層、電荷発生層、電荷輸送層がこの順序に積層されている。すなわち、支持体と感光層の間に反射層が設けられていることが好ましい。さらに本発明の電子写真感光体は任意の層を有していてもよく、特に反射層と感光層（好ましくは電荷発生層）との間に中間層を有することが好ましく、またさらに表面保護層などを有していてもよい。本発明における電子写真感光体の好ましい構成の概略が図２に示される。

また、本発明における電子写真感光体は像露光されるが、その露光光の波長は３８０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。該露光光は、３８０ｎｍ〜５００ｎｍの発光波長を有する半導体レーザー光あることがさらに好ましい。３８０ｎｍ〜５００ｎｍという短波長の発光波長を有する半導体レーザー光を用いることにより、本発明の電子写真感光体の特徴が顕著に発揮され得る。短波長のレーザーで像露光しても、反射層における該像露光光の吸収を抑制することができ、感光体全体としての光電変換効率を上げることができるという、本発明の効果が効果的に発揮され得るからである。

本発明の電子写真感光体の支持体（例えば図２における21）は、導電性を有する支持体（導電性支持体）であることが好ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレスなどの金属製の支持体を用いることができる。該支持体が非導電性の支持体である場合には、電子写真感光体の反射層からアースを取る構成とする必要がある。

前記支持体をアルミニウム、またはアルミニウム合金製とする場合は、ＥＤ管もしくはＥＩ管、またはこれらを切削、電解複合研磨（電解作用を有する電極と電解質溶液による電解および研磨作用を有する砥石による研磨）、もしくは湿式または乾式ホーニング処理したものを用いることができる。また、真空蒸着によって形成されたアルミニウム、アルミニウム合金、酸化インジウム−酸化スズ合金などの層を有する、上記金属製支持体または樹脂製支持体（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、フェノール樹脂、ポリプロピレン、ポリスチレン樹脂など）を用いることもできる。また、カーボンブラック、酸化スズ粒子、酸化チタン粒子、銀粒子などの導電性粒子を含浸した樹脂や紙からなる支持体や、導電性バインダー樹脂を有するプラスチックなどからなる支持体を用いることもできる。該支持体の形状は、円筒状、円柱状などのドラム形状、シート状、ベルト状などのいずれでもよい。

前記支持体の表面粗さは、十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）で０．１〜５μｍであることが好ましい。本願明細書において、ＲｚｊｉｓはＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４）に準じて測定される値を意味する。

前記のように本発明の電子写真感光体は、好ましくは支持体と感光層の間に反射層（例えば図２における22）が設けられている。
該反射層は、バインダー樹脂、およびバインダー樹脂に分散させられた、バインダー樹脂と屈折率の異なる分散粒子を含む。さらに該反射層は他の任意の成分を含んでいてもよく、例えば表面粗し付与材、レベリング剤などを含みうる。

前記反射層に含まれる分散粒子は導電性粒子であることが好ましい。前記反射層は導電性を有する必要があり、前記分散粒子を導電性粒子とすることにより反射層を導電性にすることが可能となる。導電性粒子としては、具体的には、アンチモンを含有する酸化錫で被覆された酸化チタン粒子や、酸素を欠損させることにより低抵抗化された酸化錫で被覆された酸化チタン粒子が好適に利用される。

前記分散粒子（好ましくは導電性粒子）の平均粒径は０．１〜２μｍであることが好ましい。該平均粒径は液相沈降法に従って測定された粒径である。具体的には、反射層用塗布液をそれに用いた溶剤で希釈して、（株）堀場製作所製の超遠心式自動粒度分布測定装置（ＣＡＰＡ７００）を用いて平均粒径を測定する。

前記反射層における前記分散粒子（好ましくは導電性粒子）の量は、バインダー樹脂に対して、１〜１０倍質量であることが好ましく、２.５〜６倍質量であることがさらに好ましい。

本発明の電子写真感光体の反射層に用いられるバインダー樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド酸、ポリビニールアセタール、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂あるいはポリエステルなどが好ましい。これらの樹脂は、支持体に対する接着性が良好であると共に、本発明の感光体の反射層に使用するフィラーの分散性を向上させることができ、かつ成膜後の耐溶剤性が良好である。これらの樹脂を単独で用いても、二種以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の感光体の反射層に用いられるバインダー樹脂としては、イエローインデックスが１５以下（さらには１０以下）である樹脂がより好ましい。本発明の電子写真感光体に照射される像露光である、３８０ｎｍ〜５００ｎｍの発光波長を有する半導体レーザー光に対する反射層の全反射率を向上させることができるからである。イエローインデックスは、ＪＩＳ−Ｚ８７２２の方法に準じて、例えば日本電色工業（株）製ＳＺ−Σ９０、コニカミノルタ（株）製ＣＭ３６３０にて測定することができる。

またイエローインデックスが表示されない分光測色機であっても、標準光源Ｃ（北窓昼光）による、ＣＩＥ−ＸＹＺ表色値を求めることができる測定機（たとえばGretag-Macbeth Holding AG製のSpectroLino）を用いてＡＳＴＭＤ１９２５に定義された下記式よりイエローインデックス（ＹＩ）の算出が可能である。
＜式１＞
ＹＩ＝[100(1.28X-1.06Z)]／Ｙ

本願におけるバインダー樹脂のイエローインデックスは、参照用透明支持体（例えば膜厚１２５μｍのＰＥＴフィルム・スライドガラス等）上に被測定樹脂を膜厚１０μｍに塗工し、これを標準白色版上に載せて上記方法に従ってＹＩ値を計測し、参照値（参照用透明支持体のみを同様の方法で計測して得られたＹＩ値）を減算することにより求めることが出来る。

前記イエローインデックスが１５以下である樹脂のなかでも、有機ケイ素系高分子、または下記一般式（１）で表されるフェノール化合物の硬化物である樹脂が好適に利用される。これらの樹脂は酸化劣化による色味変動が少ないため、該樹脂をバインダー樹脂とする反射層を有する感光体を長期にわたって使用しても、反射層の全反射率の低下が少ない。

Ｒ_１１，Ｒ_１２が示すアルキル基またはフェニル基上の置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基等のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基等のアリール基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリブロモメチル基等のハロメチル基が挙げられる。
好ましいＲ_１１，Ｒ_１２として、具体的には水素原子、メチル基およびトリフルオロメチル基、トリブロモメチル基等のハロメチル基等が挙げられる。

本発明において用いられる一般式（１）の化合物の例を下記表1に示すが、一般式（１）の化合物がこれらに限定されることはない。

前記一般式（１）で表されるフェノール化合物の硬化物とは、該フェノール化合物が、官能基（ヒドロキシル基、ヒドロキシメチル基を含む）での縮合反応、付加反応などの反応により３次元的に高分子のネットワークが形成された化合物をいう。例えば、有機溶媒に分散させた該フェノール化合物を、加熱処理して乾燥させることにより熱硬化させて得られる化合物である。

また、前記反射層のバインダー樹脂である有機ケイ素系高分子としては、例えばオルガノポリシロキサン、ポリシルアルキレンシロキサン、ポリシルアリーレンシロキサン等のポリシロキサンの加水分解縮合物が挙げられる。前記ポリシロキサンにおいて、ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基の数と、ケイ素原子の数の比は、０．５〜１．５であることが好ましい。ケイ素原子に結合した一価の炭化水素基の数と、ケイ素原子の数の比をこのような数値範囲内とすることによって、前記加水分解縮合物の組成がガラスの組成に近くなることによる膜形成の困難化や、前記加水分解物のゴム的性質が強くなり過ぎることによる硬度の低下を抑えることができる。

前記オルガノポリシロキサンとしては、一般式（５）で示される構造単位を有するものが好ましい。

（Ｒ^２１は直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、Ｒ^２２は水素原子またはアルキル基を示し、ｒ及びｓはモル比を示す。）

前記一般式（５）において、Ｒ^２１はケイ素原子に結合した一価の炭化水素基であり、炭素数が１〜１８であることが好ましい。Ｒ^２１である直鎖もしくは分岐のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ドデシル基、オクタデシル基等が挙げられ、アルケニル基としては例えばビニル基、アリル基等が挙げられ、アリール基としては例えばフェニル基、トリル基等が挙げられる。更にＲ^２１は、例えばトリフルオロプロピル基、ヘプタフルオロペンチル基、ノナフルオロヘキシル基等で代表されるフロロ炭化水素基、クロロメチル基、クロロエチル基等のクロロ炭化水素基等、直鎖あるいは分岐の飽和炭化水素基ハロゲン置換体であってもよい。

Ｒ^２１は必ずしも単一の種類である必要はなく、樹脂特性の改良、溶媒に対する溶解性の改良等に応じて適宜選択される。メチル基とフェニル基が混在する系ではメチル基単独であるよりも、一般に有機化合物との親和性が向上することは周知の事実である。また、フルオロ炭化水素基を導入すると、オルガノポリシロキサンでも一般高分子の場合と同様にフッ素原子の効果により表面張力が減少し、そのため、オルガノポリシロキサンの特性（はつ水・はつ油性等）が変化する。本発明においても、より低い表面張力が求められる場合には、適宜、フルオロ炭化水素基と結合したケイ素単位を共重合して導入したオルガノポリシロキサンを用いることができる。
ｒはモル比を示し、平均０．５〜１．５であることが好ましい。

前記一般式（５）においてケイ素原子に結合したＯＲ^２２基は、水酸基または加水分解縮合可能な基である。Ｒ^２２は水素、及びメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル基から選択される。ＯＲ^２２基におけるＲ^２２は水素からアルキル基の炭素数が多くなるにつれて反応性が低下する特性を示し、使用される反応系に応じて適宜選択される。加水分解縮合可能な基の比率はｓによって示されるが、０．０１以上であることが好ましい。硬化させた樹脂の硬度は、架橋密度を調整することにより調整することができることは周知であり、本発明に係る有機ケイ素系高分子においても、前述の硬化されるポリシロキサンのケイ素原子に結合した加水分解縮合可能な基の数を制御することにより、樹脂（有機ケイ素高分子であるバインダー樹脂）の硬度の調整が可能となる。ただし、該加水分解縮合可能な基が多過ぎると、該基が反応することなく残存し、使用環境中において加水分解されるために表面特性等に悪影響を与える可能性がある。
従って、好ましいｓの値は０．０１〜１．５である。

前記ポリシロキサンの加水分解・縮合物であるところの有機ケイ素系高分子を得る際に、架橋剤を加えて、これを介して架橋させることもできる。該架橋剤として一般式（６）で示されるシラン化合物を用いることにより、硬化性組成物を硬化して得られる表面保護層の硬度や強度等の物性の制御が容易になる。

（Ｒ^３１は直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、アルケニル基またはアリール基を示し、Ｙは加水分解性基を示し、ａはモル比を示す。）

一般式（６）において、Ｒ^３１は炭素数が１〜１８であることが好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、ビニル基、アリル基、フェニル基、トリル基等が挙げられる。Ｙで示される加水分解性基としては、水素原子、メトキシ基、エトキシ基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルアミノ基、アセトキシ基、プロペノキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。

架橋剤としての一般式（６）で示されるシラン化合物の具体例としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、これらのアルコキシ基をアセトキシ基、メチルエチルケトオキシム基、ジエチルアミノ基、またはイソプロペノキシ基で置換えたシラン等が挙げられる。架橋剤はエチルポリシリケートのようなオリゴマー状のものでもよい。

上記ポリシロキサンの加水分解、及び縮合には、必ずしも触媒は必要ではないが、通常の有機ポリシロキサンの硬化に用いられる触媒の使用を妨げるものではなく、硬化に要する時間、硬化温度等を考慮してジブチル錫ジアセテート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫オクトエート等のアルキル錫有機酸塩等またはノルマルブチルチタネート等の有機チタン酸エステルから適宜選択される。

本発明で使用できるポリシロキサンの製造方法としては、特公昭２６−２６９６号公報、特公昭２８−６２９７号公報に記載されている方法を始めとして、ＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＳｉｌｉｃｏｎｅｓ，Ｃｈａｐｔｅｒ５，ｐ．１９１〜（ＷａｌｔｅｒＮｏ１１，ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ，Ｉｎｃ．１９６８）に記載されているオルガノポリシロキサン合成方法がある。例えば、ケイ素原子に対する一価の有機基の置換数ｒが平均０．５〜１．５であるオルガノアルコキシシラン、オルガノハロゲノシランを有機溶媒中に溶解し、酸あるいは塩基の存在下で加水分解、縮合することによって重合し、その後溶媒を除去することによって合成される。本発明で使用するポリシロキサンはトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、シクロヘキサノン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素、及びクロロホルム、クロロベンゼン等の含ハロゲン炭化水素、エタノール、ブタノール等のアルコールなどの溶媒中に溶解させて使用される。

前記反射層は、正反射率の低減のために、必要に応じて、さらに乱反射材を含んでもよい。乱反射材としては例えば、シリコーン樹脂粒子、金属酸化物粒子などが挙げられる。乱反射材の粒子の粒径は０．１〜５μｍであることが好ましい。また、乱反射材の含有量は、反射層全体に対して５〜９０質量％であることが好ましい。

本発明の感光体の反射層は、前記導電性粒子、バインダー樹脂またはバインダー樹脂原料であるモノマー（例えば一般式（１）で表されるフェノール化合物）、表面粗し付与材、及び場合によってはレベリング剤などを有機溶剤（例えばメトキシプロパノール）に分散させた分散液を、支持体上にコーティングし、乾燥および熱硬化させることにより、支持体上に形成されることができる。ここでコーティングの方法としては浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法を使用することができる。

本発明の反射層の、３８０ｎｍ〜５００ｎｍの波長における全反射率は、標準白色板に対して３０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがさらに好ましい。該全反射率は、目安として１００％以下であることが好ましい。粒子分散型の反射層において、全反射率を高めるためには応分の膜厚が必要である。具体的には、前記反射層の膜厚は、３〜３０μｍ（より好ましくは４〜１５μｍ）であることが好ましい。

本発明において、反射層の全反射率とは、全空間に対する反射光強度を入射光強度で割ることにより算出される値を意味する。本発明において、全空間に対する反射光強度は次のようにして測定されることができる。

支持体と同様の成分からなるシート上に、反射層の成分と同じ成分であって、反射層の膜厚と同じ厚さの膜を、支持体上に反射層を形成するのと同じ手順で形成する。膜を形成されたシートを測定用サンプルとして、日立製作所（株）製U-3300分光光度計に積分球ユニットを装着して、全空間に対する反射光強度を測定することができる。

本発明の感光体の反射層の膜厚は、ＪＩＳＫ５６００−１−７にしたがって測定することができる。下記する本発明の感光体が有する各層（例えば電荷発生層、電荷輸送層など）の膜厚の測定も、同様にすることができる。

反射層の正反射率は、半導体レーザー光のコヒーレンシーを消失させるという点から、１５％未満が好ましく、さらには１０％以下がより好ましい。該正反射率は、目安として０％より大であることが好ましい。正反射率の低減は、前記した様に、反射層にバインダー樹脂と該バインダー樹脂とは屈折率の異なる分散粒子とを含有せしめ、反射層への入射光を該反射層内部において損失させることで達成される。また、例えば反射層の表面にある程度の粗さを与えてもよい。具体的には、反射層の表面粗さが、十点平均粗さ（Ｒｚｊｉｓ）で０．１〜５μｍであることが好ましい。反射層の表面粗さは、前述の乱反射材粒子を用いることで調整することができる。

本発明において、反射層からの正反射率とは、像露光光の反射面の法線に対して像露光光の入射角と同じ角度をなす反射光の強度（正反射光強度）を入射光強度で割ることにより算出される値を意味する。本発明において正反射光強度は、次のようにして測定されることができる。

全空間に対する反射光強度の測定の場合と同様にして測定用サンプルを作製し、それを用いて、オプテク（株）製GP-3ゴニオフォトメータにて、正反射光強度を測定することができる。なお、本発明において、サンプル表面の法線に対して２０°の入射角度の露光光で測定することが好ましい。

正反射光の概念図を図１に示す。

本発明の電子写真感光体は、前述のように電荷発生層（例えば図２における24）を有する。該電荷発生層は、バインダー樹脂、および樹脂に含まれる電荷発生材料を含み、さらにその他の任意の成分を含んでいてもよい。

電荷発生層に用いられる電荷発生材料としては、フタロシアニン顔料，多環キノン顔料，トリスアゾ顔料，ジスアゾ顔料，アゾ顔料，ペリレン顔料，インジゴ顔料，キナクリドン顔料，アズレニウム塩染料，スクワリウム染料，シアニン染料，ピリリウム染料，チオピリリウム染料，キサンテン染料，トリフェニルメタン染料，スチリル染料，セレン，セレン-テルル合金，アモルファスシリコン，硫化カドミウム等が挙げられる。これらのうち、本発明の電子写真感光体に照射される像露光光の波長（好ましくは３８０ｎｍ〜５００ｎｍ）に吸収をもつ材料を使用すればよいが、アゾ顔料又はフタロシアニン顔料を用いることが好ましい。

フタロシアニン顔料としては、無金属フタロシアニン、軸配位子を有してもよい金属フタロシアニン等、任意のフタロシアニンを使用することができる。フタロシアニンは置換基を有してもよい。特に好ましくはオキシチタニウムフタロシアニン及びガリウムフタロシアニンが挙げられる。該フタロシアニン顔料は優れた感度を有しており、それを含む電荷発生層を有する電子写真感光体を用いた電子写真装置により形成される画像にゴーストが発生しにくい。

更に、フタロシアニン顔料の結晶形はいかなる結晶形でもよいが、その中でもＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角２θの７．４°±０．３°及び２８．２°±０．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

フタロシアニンは、特に優れた感度特性を有している反面、膜厚を大きくすると長期の耐久によるゴーストも発生し易くなるので本発明が特に有効に作用する。

アゾ顔料としては、ビスアゾ、トリスアゾ及びテトラキスアゾ等の任意のアゾ顔料を使用できるが、特に下記一般式（２）で表されるアゾ顔料は優れた感度特性を有している反面、単位膜厚あたりの吸光度が低いため干渉縞が発生しやすい。したがって、露光光であるレーザー光のコヒーレンシーを消失させる機能を有する反射層を設けるという本発明の特徴が特に有効に作用する。

（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２は置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｙはケトン基、または下記一般式（３）もしくは下記一般式（４）で示される基を示す。）

上記一般式（２）中において、アリール基としてはフェニル基及びナフチル基等が挙げられる。アリール基上の置換基としては、メチル基、エチル基、プロピル基及びブチル基等のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基及びナフチル基等のアリール基、メトキシ基及びエトキシ基等のアルコキシ基、ジメチルアミノ基及びジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基、フェニルアミノ基及びジフェニルアミノ基等のアリールアミノ基、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等のハロゲン原子、トリフルオロメチル基、トリブロモメチル基等のハロメチル基、ヒドロキシ基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基及びベンゾイル基等が挙げられる。

本発明において用いられる一般式（２）の化合物の例を下記表２に示すが、一般式（２）の化合物がこれらの化合物に限定されることはない。

電荷発生層における電荷発生材料の含有量は、電荷発生層全体に対して好ましくは２０質量％以上、好ましくは６０質量％以上である。

本発明の電子写真感光体の電荷発生層に用いられるバインダー樹脂は、広範な絶縁性樹脂あるいは有機光導電性ポリマーから選択されるが、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂及びポリウレタンなどが好ましく、これらの樹脂は置換基を有してもよく、置換基としてはハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及びトリフルオロメチル基などが好ましい。

電荷発生層におけるバインダー樹脂の量は、電荷発生層の全重量に対して、好ましくは８０質量％以下、より好ましくは４０質量％以下である。

電荷発生層２４は帯電特性の観点から薄膜であることが好ましく、すなわち電荷発生層の膜厚は０．１〜２μｍであることが好ましい。電荷発生層の膜厚を薄くするほど、電荷発生層の吸光度が低下し、前記反射層の効果がより有効に発揮される。本願においては、電荷発生層の吸光度は、１．０以下、好ましくは０．７０以下、より好ましくは０．３０以下、である。該吸光度は０．１以上であることが好ましい。

本発明の電荷発生層の吸光度（Ａ）とは、入射光強度（Ｉ_０）を透過光強度（Ｉ）で割ることにより算出される値の常用対数を意味する。
＜式２＞
Ａ＝ｌｏｇ（Ｉ_０／Ｉ）

本発明の感光体の電荷発生層の吸光度は、以下のようにして測定することができる。
ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、電荷発生層の成分と同じ成分であって、電荷発生層の膜厚と同じ厚さの膜を、感光体（好ましくは中間層上）に電荷発生層を形成させるのと同じ手順で形成させる。
フィルム上に形成された膜を測定用サンプルとして、前記吸光度を、例えば日立製作所（株）製U-3300分光光度計により測定することができる。

前記電荷発生層は、前記電荷発生材料を前記バインダー樹脂と共に適当な溶剤中で分散させた分散液を、中間層もしくは反射層上に塗布して、乾燥させることによって形成されることができる。ここで塗布の方法としては浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法を使用することができる。

また、使用する溶剤はバインダー樹脂を溶解し、後述の電荷輸送層や下引き層を溶解しないものから選択することが好ましい。具体的には、テトラヒドロフラン及び１，４−ジオキサンなどのエーテル類、シクロヘキサノン及びメチルエチルケトンなどのケトン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミン類、酢酸メチル及び酢酸エチルなどのエステル類、トルエン、キシレン及びクロロベンゼンなどの芳香族類、メタノール、エタノール及び２−プロパノールなどのアルコール類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエチレン、四塩化炭素及びトリクロロエチレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類などが挙げられる。

前述のように、本発明の電子写真感光体は電荷輸送層（例えば図２における25）を有する。該電荷輸送層は、電荷輸送物質、及び絶縁性のバインダー樹脂を含む。該電荷輸送物質、または絶縁性のバインダー樹脂は、公知のものから適宜選択して用いればよい。例えば、電荷輸送物質としてはアリールアミン系化合物、芳香族ヒドラゾン系化合物、スチルベン系化合物などが挙げられ、バインダー樹脂としてはポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−アクリロニトリル共重合体樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ジアリルフタレート樹脂等が挙げられる。

前記電荷輸送層に含まれる電荷輸送物質とバインダー樹脂の比率（電荷輸送物質／バインダー樹脂）は、質量比で２／１０〜２０／１０が好ましく、電子写真感光体の電荷輸送特性、あるいは電荷輸送層の強度といった観点より、３／１０〜１２／１０がより好ましい。

前記電荷輸送層の膜厚は、５〜４０μｍであることが好ましく、１０〜３０μｍであることがより好ましい。
また、前記電荷輸送層の波長３８０〜５００ｎｍのレーザー光における吸光度は０．１０以下、好ましくは０．０５以下、である。

前記電荷輸送層は、電荷輸送物質及び絶縁性のバインダー樹脂を溶剤に溶解させて塗布液とし、この液を電荷発生層（またはその他の層であり得る）上にコーティング後、乾燥させることによって形成される。ここでコーティングの方法としては浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法を使用することができる。

電荷輸送層の形成工程において、使用する溶剤としては、クロロベンゼン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、トルエン、キシレンなどが挙げられ、単独で用いても複数の溶剤を用いてもよい。

前述のように、本発明の電子写真感光体は、感光層と反射層との間に中間層（例えば図２における23）を有していてもよい。中間層を有することで、反射層と感光層（例えば電荷発生層）との密着性、及び感光層の電気特性を改善することができる。中間層は、カゼイン，ポリビニルアルコール，ニトロセルロース，ポリビニルブチラール，ポリエステル，ポリウレタン，ゼラチン，ポリアミド（ナイロン6，ナイロン66，ナイロン610，共重合ナイロン，アルコキシメチル化ナイロン），酸化アルミニウムなど、またはそれらの組み合わせから形成される。

前記中間層の膜厚は、０．１〜１０μｍ、好ましくは０．３〜３μｍが適当である。

前記中間層は、前記樹脂などを溶剤に溶解させて塗布液とし、この液を電荷発生層上にコーティング後、乾燥することによって作製され得る。ここでコーティングの方法としては浸漬塗布法、スプレー塗布法、バーコート法など通常知られている方法を使用することができる。

前記した各層（反射層、電荷発生層、電荷輸送層、中間層など）には、前記成分以外にも、機械的特性の改良や耐久性向上のために添加剤を含ませることができる。このような添加剤としては，酸化防止剤，紫外線吸収剤，安定化剤，架橋剤，潤滑剤，導電性制御剤等が挙げられる。

前記潤滑材としては、フッ素原子含有樹脂粒子、シリコン粒子、シリコーン粒子が挙げられるが、フッ素原子含有樹脂粒子がより好ましい。フッ素原子含有樹脂粒子としては、四フッ化エチレン樹脂、三フッ化塩化エチレン樹脂、六フッ化エチレンプロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、二フッ化二塩化エチレン樹脂およびこれらの共重合体のなかから１種あるいは２種以上を適宜選択するのが好ましく、特に、四フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。

＜本発明の電子写真装置＞
図３は本発明の電子写真装置の一実施形態を示す概略断面図である。図３における１はドラム状の電子写真感光体であって、本発明の電子写真感光体である。また、図３における４は像露光光であって、３８０〜５００ｎｍの波長を有する半導体レーザー光の走査により照射される像露光光である。図３における１及び４以外の部材は、任意の部材を採用することができる。

図３において、電子真感光体１は、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。感光体１は、回転過程において、一次帯電手段３によりその周面に正または負の所定電位の均一帯電を受ける。次いで、レーザービーム走査露光等の露光手段（不図示）からの露光光４を受ける。こうして感光体１の周面に静電潜像が順次形成されていく。

感光体１の周面に形成された静電潜像は、現像手段５によりトナー現像される。現像されたトナー現像像は、給紙部（不図示）から、感光体１と転写手段６との間に感光体１の回転と同期取り出されて給紙された転写材７に、転写手段６により順次転写されていく。

像転写を受けた転写材７は、感光体面から分離されて像定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として装置外にプリントアウトされる。

像転写後の感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄面化される。更に前露光手段（不図示）からの前露光光１０により除電処理された後、繰り返し像形成に使用される。なお、一次帯電手段３が帯電ローラー等を用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

＜本発明のプロセスカートリッジ＞
本発明のプロセスカートリッジは、上述の感光体１、一次帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段９などの構成要素のうち、複数のものを一体に結合して構成したプロセスカートリッジである。このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンタ等の画像形成装置本体に対して着脱可能に構成することができる。例えば本発明のプロセスカートリッジにおいては、感光体１を一次帯電手段３と共に一体に支持してカートリッジ化して、装置本体のレール１２等の案内手段を用いて装置本体に着脱可能なプロセスカートリッジ１１とすることができる。

以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を示す。

（実施例１）
２３℃、６０％ＲＨ環境下で熱間押し出しすることにより得られた、長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳにおいて材料記号Ａ３００３として規定されているアルミニウム合金のＥＤ管、昭和アルミニウム（株）製）を支持体とした。この支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の支持体表面のＲｚｊｉｓを測定したところ、０．８μｍであった。

本発明において、Ｒｚｊｉｓの測定は、ＪＩＳ−Ｂ０６０１（１９９４）に準じ、小坂研究所（株）製の表面粗さ計サーフコーダーＳＥ３５００を用いて、送り速度０．１ｍｍ／ｓ、カットオフλｃ０．８ｍｍ、測定長さ２．５０ｍｍの設定で行った。以下におけるＲｚｊｉｓの測定についても同様の条件で測定した。

次に、導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）は２０％）７．９０部、バインダー樹脂としてのフェノール樹脂の原料である下記構造のモノマー２．６３部、溶剤としてのメトキシプロパノール８．６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散して、分散液を調製した。

この分散液における酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子の平均粒径は０．４５μｍであった。

この分散液に、乱反射材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、ＧＥ東芝シリコーン（株）製、平均粒径２μｍ）０．５部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌し、反射層用塗布液を調整した。

この反射層用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１５０℃で１時間乾燥、熱硬化して、支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚が８μｍの反射層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の反射層表面のＲｚｊｉｓを測定したところ、１．５μｍであった。

また、別途、この反射層用塗布液をマイヤーバーでアルミニウムシート上に膜厚８μｍの厚さに塗布して乾燥し、反射率測定用サンプルを作製した。本サンプルの標準白色板に対する全反射率は波長４０５nmにおいて５４．１％であった。また本サンプル表面の法線に対して入射角２０°で照射された平行光についての正反射率は波長４０５nmにおいて３．５％であった。

上記構造のモノマー２．６３部を溶剤としてのメトキシプロパノール８．６０部に溶解させ、マイヤーバーでPETフィルム上に塗布し、１５０℃で１時間乾燥、熱硬化して膜厚１０μｍのバインダー樹脂イエローインデックス測定用サンプルを作成した。
本サンプルのバインダー樹脂イエローインデックスは、グレタクマクベス製スペクトロリノを用いて測定したところ４．１であった。

次に、反射層上に、Ｎ−メトキシメチル化ナイロン（商品名：トレジンＥＦ−３０Ｔ、帝国化学産業（株）製）４部、および共重合ナイロン樹脂（アミランＣＭ８０００、東レ（株）製）２部を、メタノール６５部／ｎ−ブタノール３０部の混合溶媒に溶解して得られた中間層用塗布液を浸漬コーティングし、１００℃で１０分間乾燥させて中間層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は０．５μｍであった。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°、２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で１時間分散し、次に、酢酸エチル２５０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬コーティングし、１００℃で１０分間乾燥させて電荷発生層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は０．１６μｍであった。

また、別途、この電荷発生層用塗布液をマイヤーバーでPETフィルム上に塗布し、１００℃で１０分間乾燥させて膜厚０．１６μｍの吸光度測定用サンプルを作製した。本サンプルの吸光度は波長４０５nmにおいて０．２１であった。

次に、下記式で示される構造を有するアミン化合物１０部、およびポリカーボネート樹脂（商品名：Ｚ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部を、ジメトキシメタン３０部／クロロベンゼン７０部の混合溶媒に溶解して、電荷輸送層用塗布液を調製した。

この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティングし、１２０℃で３０分熱風乾燥させて電荷輸送層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は１７μｍであった。
また、別途、この電荷輸送用塗布液をマイヤーバーでPETフィルム上に膜厚１７μｍの厚さに塗布して乾燥し、吸光度測定用サンプルを作製した。本サンプルの吸光度は波長４０５nmにおいて０．０４６であった。

このようにして、表面層を電荷輸送層とする電子写真感光体を作製した。作製した電子写真感光体を、露光手段を発振波長が４０５ｎｍである半導体レーザーに変更し、スポット径を小径化できるように光学系を変更し、前露光ユニットの電源を切った状態のキヤノン（株）製レーザービームプリンター（ＬＢＰ−２５１０）に装着した。

該レーザービームプリンターを用いて、１５℃、１０％ＲＨ環境下にて、以下に示すような条件で、３０００枚通紙出力を行い、初期状態と３０００枚通紙出力後の画像の評価、及び電子写真感光体上の表面電位の測定を行った。これらの評価及び測定の結果を表３（実施例１）に示す。

１．ＬＢＰ−２５１０のシアン色用のプロセスカートリッジに、作製した電子写真感光体を装着して、シアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、評価を行った。
２．各色の印字率２％の文字画像が形成されたレター紙１枚を２０秒毎に出力する間欠モードでフルカラープリント操作を行い、３０００枚の画像出力を行った。
３．評価開始時と３０００枚終了時に４枚（ベタ白、ゴーストチャート、ベタ黒、図４に示すような桂馬パターンのハーフトーン画像）の画像評価用のサンプルを出力した。ゴーストチャートとは、プリント画像書き出し位置（紙上端１０ｍｍ）から３０ｍｍの範囲に、ベタ白背景に２５ｍｍ四方のベタ黒の正方形を４つ等間隔かつ紙上端に平行に並べ、プリント画像書き出し位置から３０ｍｍ以降には、図４に示すような桂馬パターンのハーフトーンが配置されているチャートである。

画像の評価の基準は以下のとおりである。
・ゴースト画像評価：ゴーストチャートの複製画像から、
Ａ：ゴーストが全く観察されない、
Ｂ：ゴーストがほとんど観察されない、
Ｃ：ゴーストがわずかに観測される、
Ｄ：ゴーストが観測される、
Ｅ：ゴーストがはっきりわかる。
・干渉縞の有無：桂馬パターンのハーフトーン画像から、
○：干渉縞が全く観察されない、
△：干渉縞がわずかに観測される、
×：干渉縞が観測される。

また、画像評価用のサンプルを出力後、電子写真感光体の表面電位を測定するための装置（プロセスカートリッジの現像ローラー位置に電子写真感光体の表面電位測定用のプローブを設置した装置（トナー、現像ローラー類、クリーニングブレードを取り外した））に、電子写真感光体を装着し、ＬＢＰ−２５１０の静電転写ベルトユニットを取り外した状態で明部電位を測定し、潜像コントラストの判定を行った。評価基準を以下に示す。
◎：像露光後の表面電位が−２００Ｖ以上
○：像露光後の表面電位が−２０１Ｖ〜−２２５Ｖ
△：像露光後の表面電位が−２２６Ｖ〜−２５０Ｖ
×：像露光後の表面電位が−２５０Ｖ未満

（実施例２）
実施例１と同様に、支持体を作製し、反射層、中間層を形成した。さらに、例示化合物（２−１）１０部、及びポリビニルベンザール樹脂５部をテトラヒドロフラン２５０部に添加し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で３時間分散させ、これに２５０部のシクロヘキサノンと２５０部のテトラヒドロフランを添加して希釈し、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬コーティングし、１００℃で１０分間乾燥して電荷発生層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は０．１６μｍであった。

別途、この電荷発生層用塗布液をマイヤーバーでPETフィルム上に塗布して乾燥させ、膜厚０．１６μｍの膜を形成し、反射率測定用サンプルを作製した。本サンプルの吸光度は波長４０５nmにおいて０．１６であった。

次に、実施例１と同様にして電荷輸送層を形成した。このようにして作製した電子写真感光体をもちいて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例２）に示す。

（実施例３）
実施例１において、以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

反射層の導電性粒子について酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子（粉体抵抗率４０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）２０％）８．０８部に変更し、また、反射層のバインダー樹脂としてのフェノールモノマーの使用量を２．０２部に変更した。この酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子の平均粒径は０．４６μｍであった。その結果、形成された反射層の全反射率は、標準白色板に対し波長４０５ｎｍにおいて４５．８％であり、また、反射層の法線に対して入射角２０°で照射された平行光についての正反射率は波長４０５ｎｍにおいて３．２％であった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例３）に示す。

（実施例４〜６）
実施例１〜３において、反射層のバインダー樹脂を群栄化学工業（株）製のレゾール型フェノール樹脂（商品名：ＰＬ―４８５２）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した（実施例４，５，６は、それぞれ実施例１，２，３に対応する）。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例４〜６）に示す。

（実施例７〜９）
実施例１〜３において、反射層のバインダー樹脂を東レダウコーニングシリコーン（株）製のフェニルシリコーン樹脂（商品名：SH８４０）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。（実施例７，８，９は、それぞれ実施例１，２，３に対応する）。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例７〜９）に示す。

（実施例１０）
実施例１において、反射層の形成に関して以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）２０％）４．９部、バインダー樹脂として群栄化学工業（株）製のレゾール型フェノール樹脂（商品名：ＰＬ―４８５２）１．２３部、溶剤としてのメトキシプロパノール８．６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散して、分散液を調製した。

この分散液に、乱反射材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、ＧＥ東芝シリコーン（株）製、平均粒径２μｍ）０．１２部とレベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌し、反射層用塗布液を調製した。

この反射用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１４０℃で３０分間乾燥、熱硬化して、支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚が５μｍの反射層を形成した。

この反射層用に用いたバインダー樹脂（群栄化学工業（株）製のレゾール型フェノール樹脂（商品名：ＰＬ―４８５２））１０部を、溶剤としてのメトキシプロパノール１０部に溶解させ、マイヤーバーでPETフィルム上に塗布し、１４０℃で３０分乾燥、熱硬化して膜厚１０μｍのバインダー樹脂イエローインデックス測定用サンプルを作成した。本サンプルのバインダー樹脂イエローインデックスは、グレタクマクベス製スペクトロリノを用いて測定したところ１３．７であった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１０）に示す。

（実施例１１）
実施例１において、支持体の作製及び反射層の膜厚に関して、以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

支持体を以下の切削管に変更した。
熱間押し出しすることにより得られた、外径３０．５ｍｍ、内径２８．５ｍｍ、長さ２６０．５ｍｍ、振れ精度１００μｍ、Ｒｚｊｉｓ１０μｍのアルミニウム素管（ＪＩＳ H４０００：１９９９において材料記号Ａ６０６３として規定されているアルミニウム合金製）を旋盤に装着し、ダイヤモンド焼結バイトにて切削加工して、外径３０．０±０．０２ｍｍ、振れ精度１５μｍ、Ｒｚｊｉｓ０．２μｍである切削管を得た。
なお、切削加工において主軸回転数は３０００ｒｐｍ、バイトの送り速度は０．３ｍｍ／ｒｅｖであり、加工時間は被加工物の着脱を除き２４秒であった。

また、反射層の膜厚を６μｍに変更した（支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域を測定した）。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１１）に示す。

（実施例１２）
実施例１において、支持体の作製、及び反射層の膜厚に関して、以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

まず、支持体を、ＪＩＳ H４０００：１９９９において材料番号Ａ３００３として規定されているアルミニウム合金製のシリンダーに、以下の条件で湿式ホーニング処理を施して（（株）不二精機製造所製の湿式ホーニング装置を用いた）、表面のＲｚｊｉｓを２．０μｍとしたものに変更した。

−ホーニング条件−
研磨材砥粒：球状アルミナビーズで平均粒径３０μｍ（商品名：ＣＢ−Ａ３０Ｓ、昭和電工（株）製）
懸濁媒体：水
研磨材砥粒／懸濁媒体＝１／９（体積比）
アルミニウムシリンダーの回転数：１．６７ｓ^−１
エアー吹き付け圧力：０．１６５ＭＰａ
ガンの移動速度：１３．３ｍｍ／ｓ
ガンノズルとアルミニウムシリンダーとの距離：１８０ｍｍ
研磨材砥粒の吐出角度：４５°
研磨液（研磨材砥粒および懸濁媒体）投射回数：１回

反射層の膜厚を４μｍに変更した（支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚を測定した）。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１２）に示す。

（実施例１３）
実施例１と同様に、支持体を作製し、反射層、中間層、電荷発生層を形成した
次に、下記式で示される構造を有するアミン化合物１０部、およびポリカーボネート樹脂（商品名：Ｚ４００、三菱エンジニアリングプラスチックス（株）製）１０部を、ジメトキシメタン３０部／クロロベンゼン７０部の混合溶媒に溶解して、電荷輸送層用塗布液を調製した。

この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬コーティングし、１２０℃で３０分熱風乾燥させて電荷輸送層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は１７μｍであった。

また、別途、この電荷輸送用塗布液をマイヤーバーでPETフィルム上に膜厚１７μｍの厚さに塗布して乾燥し、吸光度測定用サンプルを作製した。本サンプルの吸光度は波長４０５nmにおいて０．０６１であった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１３）に示す。

（実施例１４）
実施例１１と同様にして、支持体上に反射層、中間層、電荷発生層および電荷輸送層を形成した。ただし、電荷輸送層の膜厚は１７μｍから１４μｍに変更した。

また、別途、この実施例１４で使用した電荷輸送用塗布液をマイヤーバーでPETフィルム上に膜厚１４μｍの厚さに塗布して乾燥し、吸光度測定用サンプルを作製した。本サンプルの吸光度は波長４０５nmにおいて０．０３８であった。

次に、下記式で示される構造を有する化合物（連鎖重合性官能基であるアクリル基を有する電荷輸送物質）４５部、

ポリテトラフルオロエチレン粒子（商品名：ルブロンＬ２、ダイキン（株）製）１０部およびｎ−プロパノール５５部を超高圧分散機で分散混合することによって、保護層用塗布液を調製した。

この保護層用塗布液を電荷輸送層上に浸漬塗布し、これを５分間５０℃で乾燥させ、乾燥後、加速電圧１５０ｋＶ、吸収線量１．５Ｍｒａｄの条件で電子線を照射して硬化させることによって、膜厚が４μｍの保護層（第２電荷輸送層）を形成した。引き続き、保護層が１２０℃になる条件で３分間加熱処理を行った。電子線の照射から３分間の加熱処理までの酸素濃度は２０ｐｐｍであった。

次に、大気中において、保護層が１００℃になる条件で１時間加熱処理を行って、保護層が表面層である電子写真感光体を作製した。
このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１４）に示す。

（実施例１５）
反射層の形成において、以下の点を変更した以外は、実施例１１と同様にして電子写真感光体を作製した。

導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）は２０％）７．９０部、バインダー樹脂としてのアクリルメラミン樹脂（商品名：アクローゼ＃６０００、大日本塗料（株）製、樹脂固形分６０％）３．３部、溶剤としてのキシレン４．３部ならびにメトキシプロバノール４．３部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散して、分散液を調整した。

この反射層用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１５０℃で１時間乾燥、熱硬化して、支持体上端から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚が６μｍの反射層を形成した。

また、別途、この反射層用塗布液をマイヤーバーでアルミニウムシート上に膜厚８μｍの厚さに塗布して乾燥し、反射率測定用サンプルを作製した。本サンプルの標準白色板に対する全反射率は波長４０５nmにおいて５６．５％であった。また本サンプルの正反射率は波長４０５nmにおいて３．７％であった。

バインダー樹脂としてのアクリルメラミン樹脂（商品名：アクローゼ＃６０００、大日本塗料（株）製、樹脂固形分６０％）３．３部を、溶剤としてのキシレン４．３部ならびにメトキシプロバノール４．３部に溶解させ、マイヤーバーでPETフィルム上に塗布し、１５０℃で１時間乾燥、熱硬化して膜厚１０μｍのバインダー樹脂イエローインデックス測定用サンプルを作成した。

本サンプルのバインダー樹脂イエローインデックスは、グレタクマクベス製スペクトロリノを用いて測定したところ０．５であった。
このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１５）に示す。

（実施例１６）
反射層のバインダー樹脂をメラミンアルキド樹脂（商品名：デリコン＃３００、大日本塗料（株）製）に変更した以外は、実施例１１と同様にして電子写真感光体を作製した。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１６）に示す。

（実施例１７）
実施例１において、電荷発生層の膜厚を０．２２μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（実施例１７）に示す。

（比較例１）
支持体の作製及び反射層の形成において、以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

支持体を、実施例１１で使用した切削管に変更した。

導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆したＴｉＯ_２粒子（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）は２０％）６．６部、バインダー樹脂としてのフェノール樹脂原料として下記構造のモノマー３．３部、溶剤としてのメトキシプロパノール８．６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散して、分散液を調製した。

この分散液に、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌し、反射層用塗布液を調製した。

この反射用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１４０℃で３０分間乾燥、熱硬化して反射層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は２μｍであった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例１）に示す。

（比較例２）
支持体の作製、ならびに反射層及び電荷発生層の形成において、以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

支持体を実施例１１で使用した切削管に変更した。

次に、導電性粒子としての酸素欠損型ＳｎＯ_２を被覆した硫酸バリウム粒子（粉体抵抗率８０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）は６０％）６．６部、バインダー樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分６０％）３．３部、溶剤としてのメトキシプロパノール８．６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで3時間分散して、分散液を調製した。

この分散液に、乱反射材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、ＧＥ東芝シリコーン（株）製、平均粒径２μｍ）０．０７部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌し、反射層用塗布液を調製した。

この反射用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１４０℃で３０分間乾燥、熱硬化させて反射層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は２μｍであった。

この反射層用に用いたバインダー樹脂（フェノール樹脂：商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製）を、マイヤーバーでPETフィルム上に塗布し、１４０℃で３０分乾燥、熱硬化して膜厚２０μｍのバインダー樹脂イエローインデックス測定用サンプルを作成した。本サンプルのバインダー樹脂イエローインデックスは、グレタクマクベス製スペクトロリノを用いて測定したところ２９．５であった。

電荷発生層については、実施例２で調製した電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬コーティングし、１００℃で１０分間乾燥して電荷発生層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は０．１４μｍであった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例２）に示す。

（比較例３）
支持体の作製、ならびに反射層及び電荷発生層の形成において以下の点を変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

支持体を実施例１１で使用した切削管に変更した。

この分散液に、乱反射材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、ＧＥ東芝シリコーン（株）製、平均粒径２μｍ）０．５部、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．００１部を添加して攪拌し、反射層用塗布液を調製した。

この反射層用塗布液を、２３℃、６０％ＲＨ環境下で、支持体上に浸漬コーティングし、１８０℃で６０分間乾燥、熱硬化させて反射層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は１５μｍであった。
この反射層用に用いたバインダー樹脂（フェノール樹脂：商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製）を、マイヤーバーでスライドガラス上に塗布し、１８０℃で１時間乾燥、熱硬化して膜厚２０μｍのバインダー樹脂イエローインデックス測定用サンプルを作成した。本サンプルのバインダー樹脂イエローインデックスは、グレタクマクベス製スペクトロリノを用いて測定したところ４３．５であった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例３）に示す。

（比較例４）
以下の点を変更した以外は、比較例３と同様にして電子写真感光体を作製した。

ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１６．３°、１８．６°、２５．１°、２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２２０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で１時間分散し、次に、酢酸エチル２２０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。

この電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬コーティングし、１００℃で１０分間乾燥させて電荷発生層を形成した。支持体端部から１００〜１５０ｍｍの領域の膜厚は０．３２μｍであった。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例４）に示す。

（比較例５）
電荷発生層の形成において、以下の点を変更した以外は、比較例１と同様にして電子写真感光体を作製した。

α型チタニルオキシフタロシアニン４部と、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学製）２部と、シクロヘキサノン３０部とを、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で４時間分散した後、エチルアセテート５０部を加えて、電荷発生層用分散液を調製した。これを中間層上に浸漬法で塗布し、膜厚が１．１２μｍの電荷発生層を形成した。

このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例５）に示す。

（比較例６）
電荷輸送層の膜厚を０．１６μｍとした以外は比較例４と同様に感光体を作成した。
このようにして作製した電子写真感光体を用いて、実施例１と同様にして画像評価及び電位の測定を行った。これらの結果を表３（比較例６）に示す。

（参考例１）
露光手段を発振波長が７９０ｎｍである半導体レーザーに変更し、光学系を対応する波長用に変更した以外は、比較例６と同様に評価を行った。これらの結果を表３（参考例１）に示す。

本発明の反射層の光学特性をあらわす概念図である。本発明の感光体の層構成の一例を概略する図である。本発明の画像形成装置の一例を概略する構成図である。ハーフトーン画像を印字するために使用される桂馬パターンを説明するためのチャートである。

符号の説明

21 支持体
22 反射層
23 中間層
24 電荷発生層
25 電荷輸送層
1 本発明の電子写真感光体
2 軸
3 一次帯電手段
4 露光光
5 現像手段
6 転写手段
7 転写材
8 像定着手段
9 クリーニング手段
10 前露光光
11 プロセスカートリッジ
12 レール

Claims

電子写真感光体、帯電手段、像露光手段、現像手段及び転写手段を少なくとも有する電子写真装置において、
該像露光手段として、発光波長が３８０〜５００ｎｍの半導体レーザーを用い、
該電子写真感光体として、支持体上に少なくとも、該発光波長における全反射率が標準白色板に対して３０％以上であり、かつ該発光波長における正反射率が１５％未満である反射層、該発光波長における吸光度が１．０以下である電荷発生層、及び電荷輸送層を有する電子写真感光体を用いることを特徴とする電子写真装置。
前記反射層が、イエローインデックスが１５以下であるバインダー樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の電子写真装置。
前記バインダー樹脂が有機ケイ素系高分子であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真装置。
前記バインダー樹脂が、下記一般式（１）：

（一般式（１）中、Ｒ_１１、Ｒ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、Ｘ_１１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基またはメチル基を示すが、Ｘ_１１〜Ｘ_１４のうち少なくとも１つはヒドロキシメチル基である）
で表されるフェノール化合物の硬化物であることを特徴とする請求項２に記載の電子写真装置。
前記電荷発生層がヒドロキシガリウムフタロシアニン化合物を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
前記電荷発生層が下記一般式（２）：

（式中、Ａｒ_１、Ａｒ_２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアリール基を示し、Ｙはケトン基、または下記一般式（３）または下記一般式（４）：

で表される基を示す）
で表されるアゾ化合物を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真装置。
前記電荷輸送層の前記発光波長における吸光度が０．０５以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子写真装置。
前記電荷発生層の前記発光波長における吸光度が０．３０以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子写真装置。
支持体上に少なくとも、反射層、電荷発生層及び電荷輸送層を有する電子写真感光体において、該反射層が下記一般式（１）：

（一般式（１）中、Ｒ_１１、Ｒ_１２はそれぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、または、置換もしくは無置換のフェニル基を示し、Ｘ_１１〜Ｘ_１４はそれぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシメチル基またはメチル基を示すが、Ｘ_１１〜Ｘ_１４のうち少なくとも１つはヒドロキシメチル基である）
で表されるフェノール化合物の硬化物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
請求項９に記載の電子写真感光体、および帯電手段、現像手段およびクリーニング手段からなる群より選ばれる少なくとも一つの手段を一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。