JP2006313113A - 電磁流量計およびその電極汚れ検知装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】この発明は、計測光を電極に近接して設けられた入口窓から測定管内に入れ、出口窓から出た計測光を計測し、その計測値に基づいて入口窓の汚れ具合を検知して、間接的に電極の汚れ異常を検知する電磁流量計の電極汚れ検知装置を得る。
【解決手段】入口窓11が電極5aに近接して内壁面を測定管1内に露出するように設けられ、出口窓12が内壁面を測定管1内に露出し、かつ、入口窓11に相対するように設けられている。そして、発光半導体素子から発光された計測光が、入口窓11の内壁面から測定管1内に入り、計測流体4内を通って、出口窓12の内壁面から出て、受光素子14に受光される。マイクロコンピュータ16は、受光素子14の出力を取り込み、汚れ判定基準値と比較し、電極汚れ異常を間接的に判定する。そして、取り込まれた出力が汚れ判定基準値より小さくなると、ブザー21を鳴らし、清掃時期の到来を報知する。
【選択図】図1
【解決手段】入口窓11が電極5aに近接して内壁面を測定管1内に露出するように設けられ、出口窓12が内壁面を測定管1内に露出し、かつ、入口窓11に相対するように設けられている。そして、発光半導体素子から発光された計測光が、入口窓11の内壁面から測定管1内に入り、計測流体4内を通って、出口窓12の内壁面から出て、受光素子14に受光される。マイクロコンピュータ16は、受光素子14の出力を取り込み、汚れ判定基準値と比較し、電極汚れ異常を間接的に判定する。そして、取り込まれた出力が汚れ判定基準値より小さくなると、ブザー21を鳴らし、清掃時期の到来を報知する。
【選択図】図1
Description
この発明は、上下水設備に利用されている電磁流量計およびその電極部分の汚れ検知装置に関するものである。
電磁流量計は、計測流体が流れる測定管に磁界を印加し、計測流体内に発生する起電力を計測することにより、計測流体の流量を測定している。この時、計測流体内に発生した起電力は測定管内に設置されている一対の電極を介して外部に取り出される。そして、計測流体が上下水のような場合、電磁流量計の電極部分に汚れが付着しやすい。この状態で長期使用すると、測定誤差を招くことになり、洗浄を定期的に行う必要があった。
この状況を鑑み、電磁流量計の電極部に汚泥付着により電極間の電気伝導度が低下することを利用して、電極間の電気伝導度を測定し、その測定値に応じて清掃警報を報知する電磁流量計の電極汚れ検知装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この従来の電磁流量計の電極汚れ検知装置は、パルス発生器、切り換え回路および伝導度検知回路を備えている。そして、パルス発生器により一定時間パルスを発生して、切り換え回路を電気伝導度と流量との測定を切り替えている。電気伝導度の測定時に、伝導度検知回路により電気信号に変え、この電気伝導度の信号を異常判定回路に入れ、電気伝導度が前回と比較して異常に低下した場合、又は電気伝導度の絶対値が低下した場合に、異常警報出力を出力する。これにより、電極の汚れ状態に応じて、測定管内部の清掃を行うことができるので、電極が汚れていない状態でも、定期的な洗浄時期となって洗浄したり、あるいは電極が汚れていても、定期的な洗浄時期となっておらず洗浄されないという定期的に洗浄を行う場合の不具合が解消される。
この従来の電磁流量計の電極汚れ検知装置は、パルス発生器、切り換え回路および伝導度検知回路を備えている。そして、パルス発生器により一定時間パルスを発生して、切り換え回路を電気伝導度と流量との測定を切り替えている。電気伝導度の測定時に、伝導度検知回路により電気信号に変え、この電気伝導度の信号を異常判定回路に入れ、電気伝導度が前回と比較して異常に低下した場合、又は電気伝導度の絶対値が低下した場合に、異常警報出力を出力する。これにより、電極の汚れ状態に応じて、測定管内部の清掃を行うことができるので、電極が汚れていない状態でも、定期的な洗浄時期となって洗浄したり、あるいは電極が汚れていても、定期的な洗浄時期となっておらず洗浄されないという定期的に洗浄を行う場合の不具合が解消される。
従来の電磁流量計の電極汚れ検知装置は、流量の測定と電気伝導度の測定とを切り換えて行っているので、電気伝導度の測定時に、計測流体の流量が突如変化するような場合に対応できないという問題があった。
この発明は、上記課題を解決するためになされたもので、電極汚れの測定時にも流量を計測できる電磁流量計およびその電極汚れ検知装置を得ることを目的とする。
この発明による電磁流量計の電極汚れ検知装置は、測定管内を流通する計測流体に磁界を印加して発生する発生する起電力を、上記測定管内に配設された一対の電極により取り出して、上記計測流体の流量を検出する電磁流量計の電極汚れ検知装置であって、上記一対の電極の一方の電極に近接して、上記計測流体に触れ、かつ、記上記計測流体を漏らさないように上記測定管に設けられた入口窓と、発光した計測光が上記入口窓から上記測定管内に入るように上記入口窓の外側に配設された発光手段と、上記計測流体に触れ、上記計測流体を漏らさないように、かつ、上記入口窓から入った上記計測光が上記測定管から出るように上記測定管に設けられた出口窓と、上記出口窓から出た上記計測光を受光するように上記出口窓の外側に配設され、上記計測光の受光量に応じた出力を出す受光手段と、上記電極の汚れ異常を報知する異常報知手段と、上記受光手段の出力から上記電極の汚れ異常を判断する電極汚れ異常判断手段と、上記計測光を所定の周期で上記発光手段から発光させ、上記計測光を受光した上記受光手段の出力を取り込み、取り込まれた上記受光手段の出力を上記電極汚れ異常判断手段に入力し、上記電極汚れ異常判断手段が上記電極の汚れ異常と判断した際に上記異常報知手段を動作させる制御手段とを備えているものである。
この発明によれば、電極表面の汚れ異常の検知動作を電磁流量計による流量検出動作と独立して行える。そこで、電極表面の汚れ異常の検知動作中に、計測流体の流量が突如変化しても、電磁流量計が計測流体の流量を確実に検出することができる。
実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置の構成を模式的に示す構成図、図2はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における判定基準値設定動作を説明するフロー図、図3はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図、図4はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における受光素子の出力と経過時間との関係を示す図である。
図1はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置の構成を模式的に示す構成図、図2はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における判定基準値設定動作を説明するフロー図、図3はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図、図4はこの発明の実施の形態1に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における受光素子の出力と経過時間との関係を示す図である。
図1において、電磁流量計は、測定管1に一様な磁界Bを印加する磁界発生手段としての電磁コイル2、電磁コイル2に磁界Bを発生させる磁界発生手段としての励磁回路3、測定管1内に配置されて、測定管1内を流通する上下水などの計測流体4に発生する起電力を外部に取り出す一対の電極5a,5b、一対の電極5a,5bから外部に取り出された起電力を流量信号に変換して出力する流量計測手段としての作動増幅器6、電極汚れ検知装置10などを備えている。ここで、電磁コイル2により発生された磁界B、両電極5a,5bの軸および測定管1の軸Aは、互いに直交するように構成されている。
電極汚れ検知装置10は、電極5aに周方向に近接して測定管1に設けられた入口窓11、測定管1の軸Aに対して入口窓11と対称となるように測定管1に設けられた出口窓12、発光した計測光を入口窓11から測定管1内に入るように入口窓11の外側に配設された発光手段としての発光半導体素子13、出口窓12から出た計測光を受光するように出口窓12の外側に配設された受光手段としての受光素子14、電極汚れ検知装置10全体の動作を制御するマイクロコンピュータ16、異常報知手段としてのブザー21、などを備えている。
入口窓11および出口窓12は、透明な強化ガラスなどから構成され、その内壁面11a,12aが測定管1内に露出して計測流体4に触れ、測定管1の径方向と直交するように、かつ、計測流体4を漏らさないように測定管5に取り付けられている。
発光半導体素子13は、計測光Cを発光するための発光ダイオードであり、その計測光Cの光軸が測定管1の軸Aを通るように位置調整されて、測定管1の入口窓11の外側に取り付けられている。受光素子14は、計測光Cを受光するためのフォトダイオードであり、その受光面が出口窓12から出る計測光Cの光軸と直交するように位置調整されて、測定管1の出口窓12の外側に取り付けられている。
マイクロコンピュータ16は、MPU(Micro Processing Unit)17、各種データおよびMPU17で実行されるプログラムがファイルとして格納されているROMおよびRAMからなるメモリ18、クロック19、ブザー駆動部20などにより構成されている。このMPU17でメモリ18に格納された所定のプログラムが実行されることにより、計測光Cを所定の周期で発光半導体素子13から発光させ、計測光Cを受光した受光素子の出力を取り込み、取り込まれた受光素子の出力から電極の汚れ異常を判断し、電極の汚れ異常を判断した場合はブザー21を動作させる。つまり、マイクロコンピュータ16が、電極汚れ異常判断手段と制御手段を実現することになる。
発光半導体素子13は、計測光Cを発光するための発光ダイオードであり、その計測光Cの光軸が測定管1の軸Aを通るように位置調整されて、測定管1の入口窓11の外側に取り付けられている。受光素子14は、計測光Cを受光するためのフォトダイオードであり、その受光面が出口窓12から出る計測光Cの光軸と直交するように位置調整されて、測定管1の出口窓12の外側に取り付けられている。
マイクロコンピュータ16は、MPU(Micro Processing Unit)17、各種データおよびMPU17で実行されるプログラムがファイルとして格納されているROMおよびRAMからなるメモリ18、クロック19、ブザー駆動部20などにより構成されている。このMPU17でメモリ18に格納された所定のプログラムが実行されることにより、計測光Cを所定の周期で発光半導体素子13から発光させ、計測光Cを受光した受光素子の出力を取り込み、取り込まれた受光素子の出力から電極の汚れ異常を判断し、電極の汚れ異常を判断した場合はブザー21を動作させる。つまり、マイクロコンピュータ16が、電極汚れ異常判断手段と制御手段を実現することになる。
つぎに、電極汚れ検知装置10の動作について図2および図3を参照しつつ説明する。なお、図2および図3また以降の各図において、ステップ100、ステップ101・・を便宜上S100、S101・・と示している。
まず、運用開始時に、クロック19が作動されるとともに、発光半導体素子13から計測光Cが発光される(ステップ100)。この計測光Cは、入口窓11から測定管1内に入り、計測流体4内を通過して、出口窓12から出て、受光素子14に受光される(ステップ101)。受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そして、このA/D値が初期値としてメモリ18に格納される(ステップ102)。ついで、このA/D値からその値より小さくなると汚れ異常と判断する汚れ判定基準値が後述する方法で算出され(ステップ103)、算出された汚れ判定基準値がメモリ18に格納される(ステップ104)。
まず、運用開始時に、クロック19が作動されるとともに、発光半導体素子13から計測光Cが発光される(ステップ100)。この計測光Cは、入口窓11から測定管1内に入り、計測流体4内を通過して、出口窓12から出て、受光素子14に受光される(ステップ101)。受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そして、このA/D値が初期値としてメモリ18に格納される(ステップ102)。ついで、このA/D値からその値より小さくなると汚れ異常と判断する汚れ判定基準値が後述する方法で算出され(ステップ103)、算出された汚れ判定基準値がメモリ18に格納される(ステップ104)。
ついで、所定時間(T0)、例えば1時間経過後、発光半導体素子13から計測光Cが発光され(ステップ110)、受光素子14が計測光Cを受光する(ステップ111)。この受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そこで、新たに取り込まれたA/D値がメモリ18に格納されるとともに、メモリ18に格納されている汚れ判定基準値との大小を判定する(ステップ112)。
そして、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より大きいと判断されると、ステップ113に移行し、クロック19に基づいて、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したかを判断する。そして、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したと判断されると、ステップ110に移行し、発光半導体素子13から次の計測光Cが発光される。
そして、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より大きいと判断されると、ステップ113に移行し、クロック19に基づいて、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したかを判断する。そして、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したと判断されると、ステップ110に移行し、発光半導体素子13から次の計測光Cが発光される。
また、ステップ112において、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より小さいと判断されると、ステップ114に移行する。ステップ114では、ブザー21がブザー駆動部20により駆動され、汚れ異常が報知される。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期が到来したと認識し、電極5a,5bの清掃作業が実施される。
なお、ステップ100〜104およびステップ110,111,113,114が制御手段の動作に相当し、ステップ112が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期が到来したと認識し、電極5a,5bの清掃作業が実施される。
なお、ステップ100〜104およびステップ110,111,113,114が制御手段の動作に相当し、ステップ112が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
ここで、受光素子14の出力は、図4に示されるように時間の経過により低下する。これは、入口窓11および出口窓12に付着する汚泥などの量が時間の経過につれて増加して、発光半導体素子13から出て受光素子14まで届く光が減少することを意味する。そして、入口窓11および出口窓12は、電極5a,5bに近接して測定管1に設けられており、汚れの原因である汚泥などは、入口窓11および出口窓12の内壁面11a,12a(測定管1内に露出する表面)に、電極5a,5bの表面と同じように付着する。そこで、入口窓11および出口窓12の汚れ具合をモニターすることは、電極5a,5bの汚れ具合を間接的にモニターすることになる。そして、受光素子14の出力の初期値に対する変化具合、さらには受光素子14の出力の初期値に対する変化具合と電磁流量計における誤検出との関係を実験的に求め、その実験結果に基づいて作成された汚れ判定基準値の算出プログラムをメモリ18に予め格納しておく。上記ステップ103では、取り込まれた受光素子14の出力の初期値とメモリ18に格納されている算出プログラムとに基づいて、汚れ判定基準値を算出している。
なお、汚れ判定基準値を受光素子14の出力の初期値からの低下量と比較する値とし、受光素子14の出力を計測すると初期値からの低下量を計算し、計算した初期値からの低下量と汚れ判定基準値とを比較して汚れ異常を判断するようにしてもよい。
このように、この実施の形態1では、入口窓11および出口窓12の内壁面11a,12aの汚れ具合をモニターすることにより、電極5a,5bの表面汚れ具合を間接的にモニターするようにしているので、電極表面汚れの測定は、電磁流量計による計測流体の流量測定と独立に行える。
従って、電極汚れの測定時に、計測流体の流量が突如変化するような場合にも対応できる。また、従来装置で必要であったパルス発生器、切り換え回路および伝導度検知回路などが不要となり、構成が簡素化される。
従って、電極汚れの測定時に、計測流体の流量が突如変化するような場合にも対応できる。また、従来装置で必要であったパルス発生器、切り換え回路および伝導度検知回路などが不要となり、構成が簡素化される。
また、電極5a,5b表面の汚れ具合に応じて電極5a,5bの清掃が行えるので、電極5a,5b表面の汚れに起因する電磁流量計における誤検出の発生を未然に防止することができる。さらに、電極5a,5b表面が汚れていない状態でも清掃作業を行うという清掃作業を定期的に行う場合の不具合も、確実になくすことができる。
さらに、清掃時期の到来を報知するブザー21を備えているので、作業者はブザー21の報知により清掃時期の到来を認識でき、清掃時期を逸して、電磁流量計における誤検出の発生させるようなことも、未然に防止できる。
さらに、清掃時期の到来を報知するブザー21を備えているので、作業者はブザー21の報知により清掃時期の到来を認識でき、清掃時期を逸して、電磁流量計における誤検出の発生させるようなことも、未然に防止できる。
なお、上記実施の形態1では、電極汚れ検知装置10の全体動作を制御するマイクロコンピュータ16が電磁流量計の全体動作を制御するマイクロコンピュータ(図示せず)と別体に構成されているものとして説明しているが、電極汚れ検知装置10の全体動作を制御するマイクロコンピュータ16と電磁流量計の全体動作を制御するマイクロコンピュータとを一体に構成してもよいことは言うまでもないことである。
また、上記実施の形態1では、電極表面の汚れ検知が実行される間隔、即ち所定時間(T0)を1時間として説明しているが、所定時間(T0)は1時間に限定されるものではなく、電極汚れ検知装置の仕様に応じて適宜設定されるものである。そして、所定時間(T0)が長く設定されれば、発光半導体素子13の発光間隔が長くなり、発光半導体素子13の長寿命化が図られる。
また、上記実施の形態1では、電極表面の汚れ検知が実行される間隔、即ち所定時間(T0)を1時間として説明しているが、所定時間(T0)は1時間に限定されるものではなく、電極汚れ検知装置の仕様に応じて適宜設定されるものである。そして、所定時間(T0)が長く設定されれば、発光半導体素子13の発光間隔が長くなり、発光半導体素子13の長寿命化が図られる。
また、上記実施の形態1では、異常報知手段としてブザー21を用いるものとして説明しているが、異常報知手段はブザー21に限定されるものではなく、例えば赤色の発光半導体素子を用い、清掃時期の到来をこの発光半導体素子の点灯により報知するようにしてもよい。また、表示装置を用いて清掃時機の到来を文字情報や図形情報として報知するようにしてもよい。さらに、清掃時期の到来を音声や振動により報知するようにしてもよい。
また、上記実施の形態1では、電極5aに測定管1の周方向に近接して入口窓11を設けたが、電極5aの測定管1の長手方向に近接して入口窓11を設けてもよい。電極5aに近接していれば、入口窓11は測定管1のどこに設けてもよい。そして、受光素子14(出口窓12)は、発光半導体素子13(入口窓11)からの発光光を受光できるように設けられていればよい。
実施の形態2.
図5はこの発明の実施の形態2に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図である。
図5はこの発明の実施の形態2に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図である。
ここで、この実施の形態2による電極汚れ検知方法について図5を参照しつつ説明する。
まず、管理値は、例えば受光素子14の出力の初期値の50%に設定され、メモリ18に予め格納されている。
そして、上記実施の形態1と同様に、ステップ100〜ステップ104が実行され、汚れ判定基準値が設定される。
まず、管理値は、例えば受光素子14の出力の初期値の50%に設定され、メモリ18に予め格納されている。
そして、上記実施の形態1と同様に、ステップ100〜ステップ104が実行され、汚れ判定基準値が設定される。
ついで、所定時間(T0)経過後、発光半導体素子13から計測光Cが発光され(ステップ110)、受光素子14が計測光Cを受光する(ステップ111)。この受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そこで、新たに取り込まれたA/D値(測定値)と、メモリ18に格納されている前回取り込まれたA/D値(前回測定値)とを比較し、(前回測定値−測定値)>管理値となっているかを判定する(ステップ115)。そして、(前回測定値−測定値)>管理値となっていないと判定されると、測定値を次回の動作で使用する前回測定値としてメモリ18に格納し、ステップ112に移行して汚れ判定基準値との大小を判定する(ステップ112)。
なお、最初にステップ115を実行する際には、前回測定値として運用開始時の処理フローのステップ102で格納した初期値を使用する。
なお、最初にステップ115を実行する際には、前回測定値として運用開始時の処理フローのステップ102で格納した初期値を使用する。
また、ステップ115にて、(前回測定値−測定値)>管理値となっていると判定されると、ステップ116に移行し、所定時間(T1)、例えば1分経過したか否かを判定する。そして、所定時間(T1)経過すると、発光半導体素子13から計測光Cを発光させ(ステップ117)、受光素子14が計測光Cを受光する(ステップ118)。この受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そこで、新たに取り込まれたA/D値(測定値)を次回の動作で使用する前回測定値としてメモリ18に格納し、ステップ112に移行する。
そして、ステップ112にて、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より大きいと判断されると、ステップ113に移行し、クロック19に基づいて、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したかを判断する。そして、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したと判断されると、ステップ110に移行し、発光半導体素子13から次の計測光Cが発光される。
また、ステップ112において、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より小さいと判断されると、ステップ114に移行する。ステップ114では、ブザー21がブザー駆動部20により駆動され、汚れ異常が報知される。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期が到来したと認識し、電極5a,5bの清掃作業が実施される。
なお、ステップ110,111,113,114、116〜118が制御手段の動作に相当し、ステップ112,115が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
また、ステップ112において、新たに取り込まれたA/D値が汚れ判定基準値より小さいと判断されると、ステップ114に移行する。ステップ114では、ブザー21がブザー駆動部20により駆動され、汚れ異常が報知される。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期が到来したと認識し、電極5a,5bの清掃作業が実施される。
なお、ステップ110,111,113,114、116〜118が制御手段の動作に相当し、ステップ112,115が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
この実施の形態2では、電極汚れ検知動作において、(前回測定値−測定値)>管理値を判定する誤検出回避ルーチン(ステップ115〜ステップ118)を組み入れ、測定値が前回測定値から管理値以上に低下している場合には、例えば1分後に再度発光半導体素子13を発光させ、その計測光Cを受光した受光素子14の出力に基づいて汚れ判定を行っている。そこで、計測流体4内を流れる髪の毛等の異物が計測光の経路を遮ることにより受光素子14の出力が一時的に低下するような場合を、汚れ判定プロセスから排除でき、清掃期間の到来を正確に検知することができる。
なお、上記実施の形態2では、ステップ115にて測定値が前回測定値から管理値以上低下している場合に、ステップ116〜ステップ112を実行し、再度、発光半導体素子13を発光させ、その発光された計測光Cを受光素子14で受光して、汚れ判定を行うものとしているが、ステップ115にて測定値が前回測定値から管理値以上低下している場合には、今回の測定値を異常値と判定し、前回測定値は更新せずに、ステップ116〜ステップ118およびステップ112をスキップし、ステップ113に移行するようにしてもよい。
また、上記実施の形態2では、管理値を受光素子14の出力の初期値の50%に設定するものとしているが、管理値はこれに限定されるものでなく、電極汚れ検知装置の仕様にあわせて適宜設定される。
また、上記実施の形態2では、測定値が前回測定値から管理値以上低下している場合に、1分後に、発光半導体素子13を発光させて、再度汚れ判定を行うものとしているが、所定時間(t1)は1分に限定されるものではなく、電極汚れ検知装置の仕様にあわせて適宜設定される。
また、上記実施の形態2では、管理値を受光素子14の出力の初期値の50%に設定するものとしているが、管理値はこれに限定されるものでなく、電極汚れ検知装置の仕様にあわせて適宜設定される。
また、上記実施の形態2では、測定値が前回測定値から管理値以上低下している場合に、1分後に、発光半導体素子13を発光させて、再度汚れ判定を行うものとしているが、所定時間(t1)は1分に限定されるものではなく、電極汚れ検知装置の仕様にあわせて適宜設定される。
実施の形態3.
図6はこの発明の実施の形態3に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図、図7はこの発明の実施の形態3に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における受光素子の出力と汚れ報知との関係を説明する図である。
ここで、第1および第2汚れ判定基準値は、予め試験を行い設定されている。そして、第2汚れ判定基準値は、図7に示されるように、清掃時期の到来を報知する第2の汚れ報知が電磁流量計の誤検出をもたらす許容限界に到達する前に発せられるように設定される。この第2汚れ判定基準値は、上記実施の形態1における汚れ判定基準値に一致し、第1汚れ基準値は清掃時期の到来予告用である。つまり、第1汚れ判定基準値>第2汚れ判定基準値となっている。
図6はこの発明の実施の形態3に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における電極汚れ検知動作を説明するフロー図、図7はこの発明の実施の形態3に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における受光素子の出力と汚れ報知との関係を説明する図である。
ここで、第1および第2汚れ判定基準値は、予め試験を行い設定されている。そして、第2汚れ判定基準値は、図7に示されるように、清掃時期の到来を報知する第2の汚れ報知が電磁流量計の誤検出をもたらす許容限界に到達する前に発せられるように設定される。この第2汚れ判定基準値は、上記実施の形態1における汚れ判定基準値に一致し、第1汚れ基準値は清掃時期の到来予告用である。つまり、第1汚れ判定基準値>第2汚れ判定基準値となっている。
つぎに、この実施の形態3による電極汚れ検知方法を図6を参照しつつ説明する。
まず、この実施の形態3では、上記実施の形態1と同様に、ステップ100〜ステップ102が実行される。
そして、ステップ103において、取り込まれたA/D値から第1および第2汚れ判定基準値が算出され、算出された第1および第2汚れ判定基準値がメモリ18に格納される(ステップ104)。
まず、この実施の形態3では、上記実施の形態1と同様に、ステップ100〜ステップ102が実行される。
そして、ステップ103において、取り込まれたA/D値から第1および第2汚れ判定基準値が算出され、算出された第1および第2汚れ判定基準値がメモリ18に格納される(ステップ104)。
ついで、所定時間(T0)経過後、発光半導体素子13から計測光Cが発光され(ステップ120)、受光素子14が計測光Cを受光する(ステップ121)。この受光素子14からの出力は、増幅器15により増幅され、A/D変換されて取り込まれる。そこで、新たに取り込まれたA/D値(測定値)と、メモリ18に格納されている第1汚れ判定基準値とを比較し、第1汚れ判定基準値−測定値>0となっているかを判定する(ステップ122)。そして、第1汚れ判定基準値−測定値>0となっていないと判定されると、測定値をメモリ18に格納し、ステップ127に移行する。
また、ステップ122にて、第1汚れ判定基準値−測定値>0となっていると判定されると、ステップ123に移行し、第1の汚れ報知のフラグが立っているか否かを判定する。そして、第1の汚れ報知のフラグが立っていない、即ち第1の汚れ報知がまだされていないと判定されると、第1の汚れ報知のフラグを立て、ステップ124に移行し、ブザー21を間欠的に鳴らして第1の汚れ報知を報知し、ステップ125に移行する。
また、ステップ123にて、第1の汚れ報知のフラグが立っている、即ち第1の汚れ報知が既にされていると判定されると、ステップ125に移行する。
ステップ125では、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっているかを判定する。そして、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっていないと判定されると、測定値をメモリ18に格納し、ステップ127に移行する。また、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっていると判定されると、ステップ126に移行し、ブザー21を連続的に鳴らして第2の汚れ報知を報知する。
ステップ125では、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっているかを判定する。そして、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっていないと判定されると、測定値をメモリ18に格納し、ステップ127に移行する。また、第2汚れ判定基準値−測定値>0となっていると判定されると、ステップ126に移行し、ブザー21を連続的に鳴らして第2の汚れ報知を報知する。
また、ステップ127では、クロック19に基づいて、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したかを判断する。そして、前回の発光半導体素子13による発光時点から所定時間(T0)が経過したと判断されると、ステップ120に移行し、発光半導体素子13から次の計測光が発光される。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期の到来をブザー21による2段階の報知により認識でき、電極5a,5bの清掃作業が確実に実施される。
なお、ステップ120,121,126,127が制御手段の動作に相当し、ステップ122〜125が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
そこで、作業者は、電極5a,5bの清掃時期の到来をブザー21による2段階の報知により認識でき、電極5a,5bの清掃作業が確実に実施される。
なお、ステップ120,121,126,127が制御手段の動作に相当し、ステップ122〜125が電極汚れ判断手段の動作に相当する。
この実施の形態3では、電極汚れ異常が第1および第2汚れ判定基準値の2段階の汚れ具合レベルに応じて2段階に報知されるので、作業者は、清掃期間の到来を確実に把握できる。
なお、上記実施の形態3では、清掃時期の到来を電極汚れ具合に応じて2段階に分けて報知するものとして説明しているが、清掃時期の到来を電極汚れ具合に応じて3段階以上に分けて報知するようにしてもよい。
また、上記実施の形態3では、異常報知手段としてブザー21を用い、ブザー21を間欠的に鳴らして第1の汚れ報知を行い、ブザー21を連続的に鳴らして第2の汚れ報知を行うものとして説明しているが、異常報知手段として、例えば赤色および橙色の2つの発光半導体素子を用い、橙色の発光半導体素子を点灯させて第1の汚れ報知を行い、赤色の発光半導体素子を点灯して第2の汚れ報知を行うようにしてもよいし、表示装置を用いて第1および第2の汚れ報知を文字情報や図形情報として報知するようにしてもよい。
また、上記実施の形態3では、異常報知手段としてブザー21を用い、ブザー21を間欠的に鳴らして第1の汚れ報知を行い、ブザー21を連続的に鳴らして第2の汚れ報知を行うものとして説明しているが、異常報知手段として、例えば赤色および橙色の2つの発光半導体素子を用い、橙色の発光半導体素子を点灯させて第1の汚れ報知を行い、赤色の発光半導体素子を点灯して第2の汚れ報知を行うようにしてもよいし、表示装置を用いて第1および第2の汚れ報知を文字情報や図形情報として報知するようにしてもよい。
実施の形態4.
図8はこの発明の実施の形態4に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置の構成を模式的に示す構成図である。
図8はこの発明の実施の形態4に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置の構成を模式的に示す構成図である。
図8において、2つの入口窓11が、電極5aに近接して、かつ、電極5aを挟んで、内壁面11aを測定管1内に露出させて計測流体4に触れ、測定管1の径方向と直交するように、かつ、計測流体4を漏らさないように測定管5に設けられている。また、2つの出口窓12が、内壁面12aを測定管1内に露出させて計測流体5に触れ、計測流体4をもらさないように、かつ、測定管1の軸Aに対して入口窓11のそれぞれと対称となるように測定管1に設けられている。そして、2つの発光半導体素子13が、その計測光Cの光軸を測定管1の軸Aを通るように位置調整されて、測定管1のそれぞれの入口窓11の外側に取り付けられている。また、2つの受光素子14が、その受光面を出口窓12から出る計測光Cの光軸と直交するように位置調整されて、測定管1のそれぞれの出口窓12の外側に取り付けられている。さらに、発光半導体素子13と受光素子14との一方の対と、他方の対とを切り換える切り換え回路22が設けられている。
なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
このように構成された電極汚れ検知装置10Aでは、発光半導体素子13と受光素子14との一方の対が切り換え回路22により選択され、上記実施の形態1と同様にして、電極表面の汚れ判定動作が行われる。そして、一方の対の発光半導体素子13および受光素子14に故障が発生すれば、切り換え回路22により、発光半導体素子13と受光素子14との他方の対が選択され、電極表面の汚れ判定動作が継続される。
従って、電極汚れ検知装置10Aの長寿命化が図られる。
従って、電極汚れ検知装置10Aの長寿命化が図られる。
なお、上記実施の形態4では、発光半導体素子および受光素子を2対用いるものとしているが、発光半導体素子および受光素子の対数は2対に限定されるものではなく、3対以上でもよい。
実施の形態5.
上記実施の形態4では、同じ発光半導体素子13を2つ用いるものとしているが、この実施の形態5では、発光色の異なる2つの発光半導体素子を用いるものとしている。
なお、他の構成は上記実施の形態4と同様に構成されている。
上記実施の形態4では、同じ発光半導体素子13を2つ用いるものとしているが、この実施の形態5では、発光色の異なる2つの発光半導体素子を用いるものとしている。
なお、他の構成は上記実施の形態4と同様に構成されている。
この実施の形態5では、例えば赤色を発光する第1の発光半導体素子と、白色を発光する第2の発光半導体素子とを用い、切り換え回路22により、第1の発光半導体素子と第2の発光半導体素子とが切り換えられるようになっている。
計測流体4として上下水を用いる場合、各処理場によって汚泥の処理が異なり、電極5a,5bの表面の汚れも異なる。そこで、切り換え回路22により、第1および第2の発光半導体素子から、電極5a,5bの表面の汚れに対して検出感度のよい発光半導体素子を選択して、汚れ検知動作を実行することができる。
従って、電極表面の汚れを精度よく検知することができる。
計測流体4として上下水を用いる場合、各処理場によって汚泥の処理が異なり、電極5a,5bの表面の汚れも異なる。そこで、切り換え回路22により、第1および第2の発光半導体素子から、電極5a,5bの表面の汚れに対して検出感度のよい発光半導体素子を選択して、汚れ検知動作を実行することができる。
従って、電極表面の汚れを精度よく検知することができる。
なお、上記実施の形態5では、2種類の発光半導体素子を用いるものとしているが、発光半導体素子の種類は2種類に限定されるものではなく、3種類以上の発光半導体素子を用いてもよい。
実施の形態6.
図9はこの発明の実施の形態6に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における発光半導体素子および受光素子の配置関係を説明する構成図である。
図9において、入口窓11Aは、内壁面11aが一対の電極5a、5bの軸に平行となるように、電極5aに近接して測定管1に設けられている。また、出口窓12Aが、内壁面12aが内壁面11aに平行に、かつ、電極5aを挟んで内壁面11aに相対するように、電極5aに近接して測定管1に設けられている。そして、発光半導体素子13で発光された計測光Cを内壁面11aに直交する方向に反射する入口側反射手段としての反射面11bが入口窓11Aに設けられている。また、内壁面12aから入った計測光Cを受光素子14の受光面に直交するように反射する出口側反射手段としての反射面12bが出口窓12Aに設けられている。
なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
図9はこの発明の実施の形態6に係る電磁流量計の電極汚れ検知装置における発光半導体素子および受光素子の配置関係を説明する構成図である。
図9において、入口窓11Aは、内壁面11aが一対の電極5a、5bの軸に平行となるように、電極5aに近接して測定管1に設けられている。また、出口窓12Aが、内壁面12aが内壁面11aに平行に、かつ、電極5aを挟んで内壁面11aに相対するように、電極5aに近接して測定管1に設けられている。そして、発光半導体素子13で発光された計測光Cを内壁面11aに直交する方向に反射する入口側反射手段としての反射面11bが入口窓11Aに設けられている。また、内壁面12aから入った計測光Cを受光素子14の受光面に直交するように反射する出口側反射手段としての反射面12bが出口窓12Aに設けられている。
なお、他の構成は上記実施の形態1と同様に構成されている。
この実施の形態6では、発光半導体素子13で発光された計測光Cは、入口窓11Aに入り、反射面11bで反射されて、内壁面11aから測定管1内に出される。測定管1内に出された計測光Cは、電極5aの近傍で計測流体4内を通り、内壁面12aから出口窓12A内に入る。そして、出口窓12A内に入った計測光Cは、反射面12bで反射されて、出口窓12Aから出て、受光素子14に受光される。
従って、この実施の形態6においても、入口窓11Aの内壁面11aおよび出口窓12Aの内壁面12aが電極5aの近傍に位置しており、上記実施の形態1と同様にして、電極表面の汚れ検知を行うことができる。
また、この実施の形態6では、計測光Cの通る計測流体4内の経路が短くなるので、計測流体4内を流れる異物を検出する可能性が小さくなり、上記実施の形態1に比べて電極表面の汚れ検知の精度が高められる。なお、内壁面11aと内壁面12aは計測流体4の流れる向きと平行なので、汚れの付き方は電極5aおよび電極5bと同様である。
従って、この実施の形態6においても、入口窓11Aの内壁面11aおよび出口窓12Aの内壁面12aが電極5aの近傍に位置しており、上記実施の形態1と同様にして、電極表面の汚れ検知を行うことができる。
また、この実施の形態6では、計測光Cの通る計測流体4内の経路が短くなるので、計測流体4内を流れる異物を検出する可能性が小さくなり、上記実施の形態1に比べて電極表面の汚れ検知の精度が高められる。なお、内壁面11aと内壁面12aは計測流体4の流れる向きと平行なので、汚れの付き方は電極5aおよび電極5bと同様である。
実施の形態7.
上記各実施の形態では、発光手段として発光半導体素子を用いるものとしているが、この実施の形態7では、発光手段としてレーザー発振器を用いるものとしている。
従って、レーザー光の光強度は、発光半導体素子(発光ダイオード)から発光される光に比べて大きくでき、電極表面の汚れ検知の感度が高められる。
上記各実施の形態では、発光手段として発光半導体素子を用いるものとしているが、この実施の形態7では、発光手段としてレーザー発振器を用いるものとしている。
従って、レーザー光の光強度は、発光半導体素子(発光ダイオード)から発光される光に比べて大きくでき、電極表面の汚れ検知の感度が高められる。
1 測定管、2 電磁コイル(磁界発生手段)、3 励磁回路(磁界発生手段)、4 計測流体、5a,5b 電極、6 作動増幅器(流量計測手段)、10,10A 電極汚れ検知装置、11,11A 入口窓、11a 内壁面、11b 反射面(入口側反射手段)、12 出口窓、12a 内壁面、12b 反射面(出口側反射手段)、13 発光半導体素子(発光手段)、14 受光素子(受光手段)、21 ブザー(異常報知手段)、A 測定管の軸、B 磁界、C 計測光。
Claims (10)
- 測定管内を流通する計測流体に磁界を印加して発生する発生する起電力を、上記測定管内に配設された一対の電極により取り出して、上記計測流体の流量を検出する電磁流量計の電極汚れ検知装置であって、
上記一対の電極の一方の電極に近接して、上記計測流体に触れ、かつ、上記計測流体を漏らさないように上記測定管に設けられた入口窓と、
発光した計測光が上記入口窓から上記測定管内に入るように上記入口窓の外側に配設された発光手段と、
上記計測流体に触れ、上記計測流体を漏らさないように、かつ、上記入口窓から入った上記計測光が上記測定管から出るように上記測定管に設けられた出口窓と、
上記出口窓から出た上記計測光を受光するように上記出口窓の外側に配設され、上記計測光の受光量に応じた出力を出す受光手段と、
上記電極の汚れ異常を報知する異常報知手段と、
上記受光手段の出力から上記電極の汚れ異常を判断する電極汚れ異常判断手段と、
上記計測光を所定の周期で上記発光手段から発光させ、上記計測光を受光した上記受光手段の出力を取り込み、取り込まれた上記受光手段の出力を上記電極汚れ異常判断手段に入力し、上記電極汚れ異常判断手段が上記電極の汚れ異常と判断した際に上記異常報知手段を動作させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする電磁流量計の電極汚れ検知装置。 - 上記電極汚れ異常判断手段は、入力された上記出力と前回入力された上記出力との差が管理値を超えているか否かを判定し、上記差が上記管理値を超えている場合に、上記電極の汚れ異常と判断しないことを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記電極汚れ異常判断手段は、入力された上記出力と前回入力された上記出力との差が管理値を超えているか否かを判定し、上記差が上記管理値を超えている場合に、上記制御手段が、所定の時間後上記発光手段から上記計測光を発光させて上記計測光を受光した上記受光手段の出力を取り込み、取り込まれた上記受光手段の出力を入力して上記電極の汚れ異常を判断することを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記電極汚れ異常判断手段は上記電極の汚れ異常を複数のレベルに基づいて段階的に判断し、上記制御手段は上記電極の汚れ異常をレベルに応じて上記異常報知手段に報知させることを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記発光手段と上記受光手段との対が複数対設けられていることを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 複数の上記発光手段は、それぞれ異なる色の計測光を発光するように構成されていることを特徴とする請求項5記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記入口窓と上記出口窓とが上記一方の電極を挟んで設けられ、上記発光手段から発光されて上記入口窓を介して上記測定管内に入る上記計測光を上記出口窓に向けて反射する入口側反射手段と、上記入口側反射手段により反射された上記計測光を上記出口窓を介して上記受光手段に受光させるように反射する出口側反射手段と、を備えていることを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記発光手段が発光半導体素子であることを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 上記発光手段がレーザー発光装置であることを特徴とする請求項1記載の電磁流量計の電極汚れ検知装置。
- 測定管内を流通する計測流体に磁界を印加する磁界発生手段と、
上記測定管内に配設され、上記磁界により上記計測流体に発生する起電力を取り出す一対の電極と、
上記一対の電極により取り出された上記起電力から上記計測流体の流量を計測する流量計測手段と、
上記一対の電極の一方の電極に近接して、上記計測流体に触れ、かつ、上記計測流体を漏らさないように上記測定管に設けられた入口窓と、
発光した計測光が上記入口窓から上記測定管内に入るように上記入口窓の外側に配設された発光手段と、
上記計測流体に触れ、上記計測流体を漏らさないように、かつ、上記入口窓から入った上記計測光が上記測定管から出るように上記測定管に設けられた出口窓と、
上記出口窓から出た上記計測光を受光するように上記出口窓の外側に配設され、上記計測光の受光量に応じた出力を出す受光手段と、
上記受光手段の出力から上記電極の汚れ異常を判断する電極汚れ異常判断手段と、
上記計測光を所定の周期で上記発光手段から発光させ、上記計測光を受光した上記受光手段の出力を取り込み、取り込まれた上記受光手段の出力を上記電極汚れ異常判断手段に入力し、上記電極汚れ異常判断手段が上記電極の汚れ異常と判断した際に上記異常報知手段を動作させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする電磁流量計。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005135975A JP2006313113A (ja) | 2005-05-09 | 2005-05-09 | 電磁流量計およびその電極汚れ検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005135975A JP2006313113A (ja) | 2005-05-09 | 2005-05-09 | 電磁流量計およびその電極汚れ検知装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006313113A true JP2006313113A (ja) | 2006-11-16 |
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ID=37534657
Family Applications (1)
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JP2005135975A Pending JP2006313113A (ja) | 2005-05-09 | 2005-05-09 | 電磁流量計およびその電極汚れ検知装置 |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2006313113A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105136220A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-12-09 | 无锡市崇安区科技创业服务中心 | 一种导电液体体积流量检测装置 |
CN105136221A (zh) * | 2015-04-30 | 2015-12-09 | 无锡市崇安区科技创业服务中心 | 一种导电液体体积流量监控装置 |
-
2005
- 2005-05-09 JP JP2005135975A patent/JP2006313113A/ja active Pending
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