JP2006310881A - 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法を提供する。セラミック部材をブラスト処理する工程と、この後にセラミック部材を洗浄する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
ms/cm2以下とすることが求められている。これに対応するために、本発明者は、セラミック部材を高純度の原料粉末から製造することを行ってきた。しかし、セラミック部材の仕様や製造方法によっては、ウエハーの裏面に、前述の上限値を超える個数の金属元素が拡散することがあり、対策が必要になっていた。
(1)カルボン酸
(1置換カルボン酸)
酢酸、アクリル酸、プロピオン酸などの脂肪族カルボン酸。
安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸などの芳香族カルボン酸。
(2置換カルボン酸)
シュウ酸、グルタル酸、アジピン酸、マロン酸、コハク酸、マレイン酸、フマル酸、酒石酸などの脂肪族カルボン酸。
ニコチン酸などの芳香族カルボン酸。
(多置換カルボン酸)
クエン酸など
(2)フェノール性水酸基を有する有機化合物
(3)脂肪族アミン
(1)上述のカルボン酸
(2)芳香族アミン
(サンドブラスト)
サンドブラストにおけるブラスト材としては、炭化珪素、アルミナ等のセラミックが好ましく、金属はメタルコンタミネーション源となるので好ましくない。ブラスト材の粒径は、♯180以上の細かいものが、セラミックスの表面へのダメージを低減でき、ダメージ部のメタル成分残留量を低減できるため、好ましい。ブラストノズル材はセラミックスが好ましい。湿式、乾式のいずれであってもよい。
この場合にも、半導体設置面を平面的に見たときに、エンボス部が閉曲線を形成していればよい。このエンボス部の具体的平面形状は特に限定されず、円環形状の他、三角形、四角形等の多角形であってよい。
また、エンボス部と半導体との接触面積は、半導体の裏面の面積の0.001%以上であるが、3%以上とすることが好ましく、また、20%以下とすることが好ましい。
また、特に半導体設置面の外周縁部に設けられた環状のエンボス部の幅は0.5mm以上とすることが好ましく、10mm以下とすることが好ましい。また、半導体設置面の外周縁部に設けられた環状のエンボス部の高さは10μm以上であることが好ましい。
平板形状のセラミックヒーターを製造した。具体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダーを添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得た。3層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、3層の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体を埋設した。
(例2)
前記セラミック部材2を製造した後、この半導体設置面をナイロンタワシによって洗浄した。この結果、銅のカウント数は1.20×1012atoms/cm2であった。
例2において、ナイロンタワシによる洗浄を、メラミンフォームによる洗浄に変更した。この結果、銅のカウント数は3.20×1012atoms/cm2であった。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面をSC−1洗浄液(NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5)によって洗浄し、次いで硝酸によって洗浄した。この結果、銅のカウント数は3.0×1011atoms/cm2であった。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面を、例2と同様にしてブラスト処理した。次いで、硝酸によって洗浄した。この結果、銅のカウント数は2.0×1011atoms/cm2であった。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面を、例2と同様にしてブラスト処理した。次いで、塩酸によって洗浄した。この結果、銅のカウント数は2.5×1011atoms/cm2であった。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面を、例2と同様にしてブラスト処理した。次いで、シュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度を1Nとし、処理時間を5分間とした。この結果、銅のカウント数は4.7×1010atoms/cm2であった。
例7において、シュウ酸の濃度を0.01〜1Nの範囲内で種々変更した。この結果、銅のカウント数は 4.7〜6.6×1010atoms/cm2であった。
例7において、シュウ酸による処理時間を1〜10分間の範囲内で種々変更した。この結果、銅のカウント数は4.7〜6.0×1010atoms/cm2であった。これらの結果から、シュウ酸の濃度や処理時間は、結果に大きな影響を与えないことが分かる。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面を、例2と同様にしてブラスト処理した。次いで、硝酸によって処理し、次いで塩酸によって処理した。最後にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度を1Nとし、処理時間を3分間とした。この結果、銅のカウント数は4.6×1010atoms/cm2であった。
前記セラミック部材2を製造した後、その半導体設置面を、例2と同様にしてブラスト処理した。次いで、塩酸によって処理し、最後にシュウ酸の水溶液によって洗浄した。シュウ酸の濃度を1Nとし、処理時間を10分間とした。この結果、銅のカウント数は7.7×1010atoms/cm2であった。
Claims (7)
- 半導体製造装置中で使用するためのセラミック部材を洗浄する方法であって、
前記セラミック部材をブラスト処理する工程と、この後にセラミック部材を洗浄する工程とを含むことを特徴とする、洗浄方法。 - 前記ブラスト処理によって前記セラミック部材の表面領域を研削し、除去することを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記セラミック部材の前記表面領域に拡散している金属元素を除去することを特徴とする、請求項2記載の方法。
- 前記セラミック部材をブラスト処理した後に有機酸によって洗浄することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記セラミック部材を前記有機酸によって洗浄する前に強酸によって洗浄することを特徴とする、請求項4記載の方法。
- 前記セラミック部材をブラスト処理した後に弱酸によって洗浄することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記セラミック部材を前記弱酸によって洗浄する前に強酸によって洗浄することを特徴とする、請求項6記載の方法。
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JP2011105539A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Showa Denko Kk | 窒化アルミニウム焼結体の洗浄方法 |
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CN114904835A (zh) * | 2022-05-06 | 2022-08-16 | 合肥升滕半导体技术有限公司 | 一种适用于物理气相沉积工艺的陶瓷绝缘环的清洗方法 |
WO2023022890A1 (en) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | Lam Research Corporation | Treated ceramic chamber parts |
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