JPH11145123A - アッシング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 孔食を防止しつつサイドフィルムを完全に除
去する。 【解決手段】 アルミニウム配線形成方法においてアル
ミニウム膜がレジストパターンをマスクにして塩素系ガ
スでエッチングされた後にレジストパターン４をアッシ
ングするアッシング方法において、レジストパターン４
の表層部分が酸素にフレオン系ガスが添加されたアッシ
ングガスによりハーフアッシングされる。続いて、弱酸
性溶液により防蝕洗浄が実施される。次に、レジストパ
ターン４の残部がフレオン系ガスを含まないアッシング
ガスによりフルアッシングされる。続いて、弱酸性溶液
によりサイドフィルム６が除去される。 【効果】 エッチングで付着した塩素７はハーフアッシ
ング、防蝕洗浄で除去されるため、下地３が塩素７で腐
食されることはない。フルアッシングの効率を無理に高
めずとも、サイドフィルム６は専用の除去洗浄で完全に
除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アッシング技術、
特に、エッチングやイオン注入に使用されたレジストパ
ターンのアッシング技術に関し、例えば、半導体装置の
製造工程において、アルミニウム配線を形成するのに利
用して有効なものに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
ウエハ（以下、ウエハという。）の上にアルミニウム配
線を形成するのに次のような形成方法が、一般的に使用
されている。すなわち、ウエハに被着されたアルミニウ
ム膜の上にリソグラフィー処理によってレジストパター
ンが形成される。次いで、レジストパターンがマスクに
使用されてアルミニウム膜がエッチングされることによ
り、アルミニウムパターン（アルミニウム配線）が形成
される。その後、レジストパターンが四弗化炭素（ＣＦ
₄ ）等のフレオン系ガスが添加された酸素（Ｏ₂ ）およ
び／またはオゾン（Ｏ₃ ）ガスがアッシングガスとして
使用されてアッシングされる。続いて、ウエハは弱酸性
溶液が使用されてウエット洗浄される。

【０００３】なお、アッシング技術を述べてある例とし
ては、株式会社プレスジャーナル社平成元年１１月２日
発行「’９０最新半導体プロセス技術」Ｐ２００〜Ｐ２
１１がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
アルミニウム配線形成方法においては、次のような問題
点があることが本発明者によって明らかにされた。すな
わち、アルミニウム線の側面に形成されたサイドフィル
ムがアッシングガスに使用されたフレオン系ガスによっ
て弗化され、弗化されたサイドフィルムがウエット洗浄
によって除去しにくくなる。また、アッシングに使用さ
れた弗素がウエハに多量に付着した状態で、ウエハが弱
酸性溶液によって洗浄されるため、弗素の影響によって
アルミニウムの一部が消失することにより所謂孔食が発
生する。

【０００５】本発明の目的は、サイドフィルムを除去す
ることができるとともに、孔食を防止することができる
アッシング技術を提供することにある。

【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００８】すなわち、下地のマスクに使用されたレジ
ストパターンをアッシングするアッシング方法におい
て、前記レジストパターンの表層部分がハーフアッシン
グされた後に防蝕洗浄が実施され、さらに、前記レジス
トパターンの残部がフルアッシングされた後にサイドフ
ィルム除去洗浄が実施されることを特徴とする。

【０００９】前記した手段によれば、前処理でレジスト
表面に多量に付着した腐食性物質がハーフアッシングに
よって除去される。万一残った腐食性物質は防蝕洗浄に
よって除去することができるため、下地が腐食性物質に
よって腐食される現象が発生するのを防止することがで
きる。フルアッシングにおいて除去すべきレジストパタ
ーンの層厚は減少されているため、アッシングの効率を
無理に高める必要はない。サイドフィルムはサイドフィ
ルム除去洗浄によって専用的に除去されるため、完全に
除去することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
アルミニウム配線形成方法に使用されるアッシング方法
の各工程を示す各拡大部分断面図である。図２はそのフ
ローチャートである。図３はエッチング装置の一実施形
態を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）はウエハ
の拡大部分断面図である。図４はハーフアッシング装置
の一実施形態を示す正面断面図である。図５は洗浄装置
の一実施形態を示す正面断面図である。図６はフルアッ
シング装置の一実施形態を示しており、（ａ）は正面断
面図、（ｂ）は側面断面図である。

【００１１】本実施形態において、本発明に係るアッシ
ング方法は、ウエハの上にアルミニウム配線を形成する
アルミニウム配線形成方法のアッシング工程に使用され
ている。アルミニウム配線形成方法のアッシング工程に
は、エッチング工程においてレジストパターンがマスク
に使用されてアルミニウム膜がエッチングされたウエハ
がワークとして供給される。

【００１２】ここで、図３に示されているエッチング装
置、図４に示されているアッシング装置、図５に示され
ている洗浄装置および図６に示されているアッシング装
置について説明する。ちなみに、図３に示されているエ
ッチング装置、図４に示されているアッシング装置、図
５に示されている洗浄装置は防蝕のためにインライン
（一貫処理）構造に構成されている。

【００１３】図３（ａ）に示されているエッチング装置
１０は、ＥＣＲ（electron cyclotron resonance ）プ
ラズマエッチング装置として構成されており、処理室１
１を形成するチャンバ１２を備えている。チャンバ１２
には石英ベルジャ１３が被せられており、石英ベルジャ
１３には導波管１４が被せられている。導波管１４の一
端部にはマグネトロン１５が設備されており、マグネト
ロン１５はマイクロ波１６を導波管１４および石英ベル
ジャ１３を経て処理室１１に照射するように構成されて
いる。導波管１４の外側にはソレノイドコイル１７が処
理室１１に磁界を形成するように設備されている。処理
室１１の内部にはウエハ１を保持するサセプタ１８が挿
入されており、サセプタ１８には高周波電源１９が接続
されている。チャンバ１２にはエッチングガス２０を処
理室１１に供給するための供給口２１と、処理室１１を
真空排気するための排気口２２とが開設されている。

【００１４】図４に示されているアッシング装置３０は
マイクロ波プラズマアッシング装置として構成されてお
り、処理室３１を形成する石英チャンバ３２を備えてい
る。ウエハ１がサセプタ３３上に搬送されるようになっ
ており、ガス供給口３４によりアッシングガス３５が供
給されるようになっている。マグネトロン３６から伝播
されるマイクロ波３７によりプラズマが形成されるよう
になっており、排気口３８により処理室３１は真空排気
されるようになっている。

【００１５】図５に示されている洗浄装置４０はスピン
ナチャック４１の上にウエハ１を保持し、薬液ノズル４
２から洗浄液４３を供給し、純水ノズル４４より純水４
５を供給するように構成されており、薬液処理または純
水洗浄時にはスピンナチャック４１が回転することによ
りウエハ１が効率よく洗浄処理されるようになってい
る。排気ダクト４６により薬液処理時の雰囲気が排気さ
れるようになっている。

【００１６】図６に示されているアッシング装置５０
は、バレル形プラズマアッシング装置として構成されて
おり、処理室５１を形成するプロセスチューブ５２を備
えている。プロセスチューブ５２の一端には炉口５３が
開口されており、炉口５３はキャップ５４によって開閉
されるようになっている。ウエハ１は複数枚が処理治具
５５に整列された状態で、炉口５３から処理室５１に搬
入されるようになっている。プロセスチューブ５２の外
側には高周波電極５６が処理室５１にプラズマを形成す
るように設備されている。プロセスチューブ５２の胴部
にはアッシングガス５７を処理室５１に供給するための
供給口５８と、処理室５１を真空排気するための排気口
５９とが開設されている。

【００１７】図２に示されているアッシング工程におい
ては、アッシング工程に供給される前にウエハにはエッ
チング工程Ｐ０が実施される。エッチング工程Ｐ０はエ
ッチング装置１０によって実施される。

【００１８】エッチング装置１０におけるワークとして
のウエハ１は、図３（ｂ）に示されているように、シリ
コン酸化膜２の上に被エッチング膜３が被着されてお
り、被エッチング膜３の上にマスクであるレジストパタ
ーン４が被着されている。この被エッチング膜３は図１
に示されているように、窒化チタン（ＴｉＮ）からなる
バリア層３ａ、アルミニウム（Ａｌ）−シリコン（Ｓ
ｉ）−銅（Ｃｕ）の合金からなる本体層３ｂ、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）からなるキャップ層３ｃによって構成され
ている。レジストパターン４はノボラック樹脂を主成分
とするレジストによって形成されており、リソグラフィ
ー処理によってパターニングされている。

【００１９】エッチング工程Ｐ０の実施に際して、図３
（ａ）に示されているように、ウエハ１はレジストパタ
ーン４を上にしてサセプタ１８に保持される。処理室１
１が排気口２２によって真空排気され、高周波電源１９
によってウエハ１に高周波電力が印加され、処理室１１
にソレノイドコイル１７によって磁界が形成され、マグ
ネトロン１５によってマイクロ波１６がウエハ１に照射
される。この状態で、供給口２１から塩素（Ｃｌ）系の
ガスがエッチングガス２０として供給されると、被エッ
チング膜３がレジストパターン４をマスクとして所定の
選択比をもってエッチングされる。

【００２０】エッチング処理によって、被エッチング膜
３はレジストパターン４の真下の部分（以下、下地３と
いうことがある。）が、図１（ａ）に示されているよう
に残った状態になる。この状態において、下地３および
レジストパターン４が積層した凸部５の両側面にはサイ
ドフィルム６がそれぞれ付着した状態になっている。サ
イドフィルム６はエッチング処理によって生成されるレ
ジストの炭素（Ｃ）や下地３のアルミニウム、エッチン
グガスの塩素等から組成されている。また、レジストパ
ターン４およびサイドフィルム６の表面には塩素分子７
が多量に付着した状態になっている。

【００２１】以上のようにエッチングされて塩素分子７
が多量に付着したウエハ１は、防蝕のため真空搬送によ
ってアッシング装置３０に供給される。

【００２２】図２に示されているアッシング方法におい
ては、ウエハ１は図３に示したエッチング装置１０の処
理室から真空搬送で運ばれ、エッチング装置に付帯した
アッシング装置３０によってハーフアッシング工程Ｐ１
が実施される。図４に示されているアッシング装置３０
においては、ウエハ１が１枚ずつ処理室３１のサセプタ
３３へ置かれた状態で、排気口３８によって処理室３１
が真空排気され、マグネトロン３６によってマイクロ波
３７が伝播され、石英チャンバ３２内の処理室３１にプ
ラズマが形成される（図示せず）。プラズマを形成する
アッシングガス３５はフレオン系ガスである四弗化炭素
と酸素（ＣＦ₄ ／Ｏ₂ ）、または三弗化炭素と酸素（Ｃ
ＨＦ₃ ／Ｏ₂ ）等であり、供給口３４から供給される。
処理室３１にアッシングガス３５が供給されると、プラ
ズマによって生成された酸素ラジカルによってレジスト
パターン４が分解されてアッシングされる。

【００２３】ハーフアッシング工程Ｐ１においては、レ
ジストパターン４は図１（ｂ）に示されているように表
層部が除去されて下層部は残される。このハーフアッシ
ング処理によって、ウエハ１に付着していた塩素分子７
が殆ど除去される。ハーフアッシング工程Ｐ１において
のレジストパターン４の除去量は、完全には至らない
が、ウエハ１の表面に多量に付着した塩素分子７は殆ど
除去することができる程度である。すなわち、レジスト
パターン４の除去量は、５０％〜７０％が好ましく、２
／３程度が望ましい。レジストパターン４の除去量が５
０％未満であると、ウエハ１に付着した塩素分子の除去
が不充分になる。他方、レジストパターン４の除去量が
７０％を超えると、サイドフィルム６が弗化されるた
め、後の洗浄工程においてサイドフィルム６を除去する
のがきわめて困難になってしまう。

【００２４】ここで、アッシングは基本的にはレジスト
の基本成分であるノボラック樹脂を酸素ラジカルによっ
て分解し、二酸化炭素（ＣＯ₂ ）、水（Ｈ₂ Ｏ）として
除去するプロセスである。酸素にフレオン系ガスが添加
される理由は、酸素にフレオン系ガスが所定量（例え
ば、約８体積％）添加されると、酸素ラジカル濃度が急
激に増加するという現象が知られており、これを利用し
てアッシング効率を高めるためである。ところが、アッ
シングガスにフレオン系ガスが添加されると、サイドフ
ィルム６が弗化されるため、サイドフィルム６をウエッ
ト洗浄によって除去するのが困難になってしまう。

【００２５】図２に示されているアッシング方法におい
ては、レジストパターン４がハーフアッシングされて塩
素分子７が除去されたウエハ１に対して防蝕洗浄工程Ｐ
２が洗浄装置によって実施される。防蝕洗浄工程Ｐ２が
実施される場合においては、図５に示されている洗浄装
置４０には弱酸性溶液が洗浄液４３として使用される。
例えば、洗浄装置４０には氷酢酸（ＣＨ₃ ＣＯＯＨ）／
アンモニア（ＮＨ₄ ＯＨ）／純水（Ｈ₂ Ｏ）が予め秤量
された所定の量ずつ供給される。ちなみに、防蝕洗浄工
程Ｐ２を実施するための洗浄液としては、弱酸性溶液を
使用するに限らず、純水等を使用してもよい。要は、防
蝕洗浄工程Ｐ２においては、サイドフィルム６は除去す
る必要はないため、洗浄液は塩素や弗素（Ｆ）を除去す
ることができればよい。

【００２６】図５に示されている洗浄装置４０におい
て、ハーフアッシングされた後の被洗浄物としてのウエ
ハ１はスピンナチャック４１の上に真空吸着された状態
で、薬液ノズル４２から滴下される洗浄液４３によって
処理される。スピンナチャック４１が所定の回転数で回
転することにより、ウエハ１上に滴下された洗浄液４３
がウエハ上に短時間でウエハ全面にわたり覆われる。洗
浄液４３に覆われている間に、ウエハ１に付着した塩素
分子７や弗素等の異物は洗浄液４３の作用によってウエ
ハ１の表面から剥離される。

【００２７】所定時間の処理後、スピンナチャック４１
が高速回転し、ウエハ１上に滴下された洗浄液４３はふ
りとばされる。続いて、純水ノズル４４により供給され
る純水４５によってウエハ１は純水洗浄される。純水洗
浄後は高速回転による純水ふりきり乾燥およびホットプ
レート（図示せず）によるベークによって乾燥が施され
る。

【００２８】以上の防蝕洗浄工程Ｐ２の実施によって、
ウエハ１に付着していた塩素分子７はウエハ１から腐食
を発生させないレベルまで除去される。また、ハーフア
ッシング工程Ｐ１において弗素の付着数が低減されてい
るため、かつまた、防蝕洗浄工程Ｐ２のウエット処理時
においても弗酸の発生数が抑えられるため、所謂孔食が
発生するのを未然に防止することができる。

【００２９】図２に示されているアッシング方法におい
ては、以上のようにして防蝕洗浄工程Ｐ２を実施された
ウエハ１に対してフルアッシング工程Ｐ３が実施され
る。図６に示されているアッシング装置５０によってフ
ルアッシング工程Ｐ３が実施される場合には、防蝕洗浄
されたウエハ１は複数枚が処理治具５５に整列されて保
持された状態で、処理室５１に炉口５３から搬入され
る。排気口５９によって処理室５１が真空排気され、高
周波電極５６によって処理室５１にプラズマ（図示せ
ず）が形成される。

【００３０】このフルアッシング工程Ｐ３においては、
アッシングガス５７としてフレオン系ガスを含まない酸
素が使用される。すなわち、酸素がアッシングガス５７
として供給口５８から供給される。処理室５１にアッシ
ングガス５７が供給されると、プラズマによって生成さ
れた酸素ラジカルによってレジストパターン４が分解さ
れてアッシングされ、下地３の上に少し残存していたレ
ジストパターン４は図１（ｄ）に示されているように完
全に辞去される。

【００３１】ここで、フルアッシング工程Ｐ３において
は、下地３の上に薄く残存していたレジストパターン４
をアッシングして除去すればよいため、フレオン系ガス
をアッシングガスに添加しなくても済む。したがって、
サイドフィルム６が弗化されるのを防止することができ
る。その結果、サイドフィルム６がより一層弗化される
ことによって後のサイドフィルム除去洗浄工程Ｐ４にお
いてサイドフィルム６を除去するのがきわめて困難にな
ってしまうのを未然に回避することができる。ちなみ
に、フルアッシング工程Ｐ３はオゾンアッシング装置を
使用してもよい。

【００３２】図２に示されているアッシング方法におい
ては、レジストパターン４がフルアッシングされて除去
されたウエハ１に対してサイドフィルム除去洗浄工程Ｐ
４が、洗浄装置によって実施される。サイドフィルム除
去洗浄工程Ｐ４が実施される場合においては、図５に示
されている洗浄装置４０には弱酸性（pH５程度）の溶液
が洗浄液４３として使用される。例えば、氷酢酸（ＣＨ
₃ ＣＯＯＨ）／アンモニア（ＮＨ₄ ＯＨ）／純水（Ｈ₂
Ｏ）がウエハ１上に滴下される。ちなみに、サイドフィ
ルム除去洗浄工程Ｐ４を実施するための洗浄液として
は、弱酸性溶液を使用するに限らず、サイドフィルム６
を除去することができる洗浄液をすればよい。

【００３３】図５に示されている洗浄装置４０におい
て、フルアッシングされた後の被洗浄物としてのウエハ
１はスピンナチャック４１の上に真空吸着された状態
で、薬液ノズル４２から滴下される洗浄液４３にさらさ
れる。所定時間の処理後、ウエハ１は純水ノズル４４よ
り供給される純水４５によって洗浄される。洗浄液４３
に覆われている間に、凸部５の側面に付着していたサイ
ドフィルム６は腐食されて、図１（ｅ）に示されている
ように完全に除去される。サイドフィルム除去洗浄工程
Ｐ４において洗浄されたウエハ１はホットプレート等の
乾燥工程（図示せず）において乾燥される。なお、サイ
ドフィルム除去洗浄工程Ｐ４においてはバッチ式のドラ
フト洗浄装置を使用してもよい。

【００３４】サイドフィルム除去洗浄工程Ｐ４において
は、弱酸性溶液が洗浄液に使用されるが、ＣＨ₃ ＣＯＯ
Ｈ／Ｈ₂ Ｏ／ＮＨ₄ ＯＨの緩衝溶液であり、水素イオン
の増加を防ぐことができるため、アルミニウム配線の腐
食を防ぐことができる。

【００３５】以上のアッシング方法によってレジストパ
ターン４およびサイドフィルム６を完全に除去された下
地３の表面には、アルマイト加工工程Ｐ５において、ア
ルマイト加工部としての三酸化アルミニウム（Ａｌ₂ Ｏ
₃ ）膜８が図１（ｆ）に示されているように形成され
る。このアルマイト加工によって下地３は防蝕性能を高
められた状態になる。

【００３６】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。

【００３７】 エッチング後のレジストパターンの表
層部をハーフアッシングすることにより、塩素系のエッ
チングガスが使用されたエッチング処理によってレジス
ト表面に多量に付着した塩素分子をハーフアッシングに
よって除去することができるため、ハーフアッシングに
続くウエット洗浄においてアルミニウムが塩素によって
腐食される現象が発生するのを防止することができる。

【００３８】 レジストパターンがハーフアッシング
されて塩素分子が除去されたウエハに対して防蝕洗浄工
程を弱酸性溶液や純水を使用して実施することにより、
塩素や弗素等の腐食性物質を除去することができる。

【００３９】 前記により、アッシング中にウエハ
に付着する弗素分子を低減することができるため、防蝕
洗浄工程中において、弗素の影響によってアルミニウム
の一部が消失するのを防止することができ、アルミニウ
ム配線に孔食が発生するのを防止することができる。

【００４０】 ハーフアッシングした後にフルアッシ
ングを実施することにより、フルアッシング工程におい
ては下地の上に薄く残存していたレジストパターンをア
ッシングして除去すればよいため、フレオン系ガスをア
ッシングガスに添加しなくても済み、サイドフィルムが
弗化されるのを防止することができる。

【００４１】 サイドフィルム洗浄工程においてサイ
ドフィルムが弗化されていないため、サイドフィルムを
完全に除去することができ、アルミニウム配線に対して
のサイドフィルムの悪影響を防止することができる。

【００４２】 エッチング装置、アッシング装置、洗
浄装置をインライン構造に構することにより、真空搬送
することができるため、大気による腐食を防止すること
ができる。

【００４３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４４】例えば、ハーフアッシング後の防蝕洗浄お
よびフルアッシング後のサイドフィルム除去洗浄は、ウ
エット洗浄によって実施するに限らず、ドライ洗浄によ
って実施してもよい。

【００４５】下地はＴｉＮ系材料（Ｔｉおよびその窒化
物）に限らず、タングステン（Ｗ）系材料（タングステ
ンおよびその合金）やモリブデン（Ｍｏ）系材料（モリ
ブデンおよびその合金）等であってもよい。

【００４６】レジストパターンはエッチング時のマスク
に使用されたものに限らず、イオン注入時のマスクに使
用されたレジストパターン等であってもよい。

【００４７】エッチング装置、アッシング装置、洗浄装
置は前記実施形態に係る構造を使用するに限らず、他の
構造や形式のものを使用することができる。

【００４８】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
装置のアルミニウム配線形成技術に適用した場合につい
て説明したが、それに限定されるものではなく、アルミ
ニウム電極等のアルミニウム線形成方法に使用されるア
ッシング技術、さらには、液晶パネルやプリント配線基
板の配線形成方法に使用されるアッシング技術等々のア
ッシング技術全般に適用することができる。

【００４９】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００５０】レジストパターンの表層部分をハーフアッ
シングした後に防蝕洗浄を実施することにより、前処理
でレジスト表面に多量に付着した腐食性物質をハーフア
ッシングによって除去することができ、万一、残った腐
食性物質は防蝕洗浄によって除去することができるた
め、下地が腐食性物質によって腐食される現象が発生す
るのを防止することができる。さらに、アッシング時に
付着する弗素が少ないため、孔食を低減することができ
る。また、レジストパターンの残部をフルアッシングし
た後にサイドフィルム除去洗浄を実施することにより、
フルアッシングにおいて除去すべきレジストパターンの
層厚はハーフアッシングによって既に減少されているた
め、アッシングの効率を無理に高めなくとも済み、ま
た、サイドフィルムは弗化されていないため、サイドフ
ィルム除去洗浄によって容易に除去されるため、完全に
除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態であるアルミニウム配線形
成方法に使用されるアッシング方法の各工程を示す各拡
大部分断面図である。

【図２】そのフローチャートである。

【図３】エッチング装置の一実施形態を示しており、
（ａ）は正面断面図、（ｂ）はウエハの拡大部分断面図
である。

【図４】ハーフアッシング装置の一実施形態を示す正面
断面図である。

【図５】洗浄装置の一実施形態を示す正面断面図であ
る。

【図６】フルアッシング装置の一実施形態を示してお
り、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は側面断面図である。

【符号の説明】

１…ウエハ（被処理物）、２…シリコン酸化膜、３…被
エッチング膜（下地）、３ａ…バリア層、３ｂ…本体
層、３ｃ…キャップ層、４…レジストパターン、５…凸
部、６…サイドフィルム、７…塩素分子（腐食性物
質）、８…三酸化アルミニウム膜（アルマイト加工
部）、１０…エッチング装置、１１…処理室、１２…チ
ャンバ、１３…石英ベルジャ、１４…導波管、１５…マ
グネトロン、１６…マイクロ波、１７…ソレノイドコイ
ル、１８…サセプタ、１９…高周波電源、２０…エッチ
ングガス、２１…供給口、２２…排気口、３０…アッシ
ング装置、３１…処理室、３２…石英チャンバ、３３…
サセプタ、３４…供給口、３５…アッシングガス、３６
…マグネトロン ３７…マイクロ波、３８…排気口、４
０…洗浄装置、４１…スピンナチャック、４２…薬液ノ
ズル、４３…洗浄液、４４…純水ノズル、４５…純水、
４６…排気ダクト、５０…アッシング装置、５１…処理
室、５２…プロセスチューブ、５３…炉口、５４…キャ
ップ、５５…処理治具、５６…高周波電極、５７…アッ
シングガス、５８…供給口、５９…排気口。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下田 真岐 東京都小平市上水本町５丁目22番１号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 千川原 正 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地のマスクに使用されたレジストパタ
   ーンをアッシングするアッシング方法において、 前記レジストパターンの表層部分がハーフアッシングさ
   れた後に防蝕洗浄が実施され、さらに、前記レジストパ
   ターンの残部がフルアッシングされた後にサイドフィル
   ム除去洗浄が実施されることを特徴とするアッシング方
   法。
2. 【請求項２】 前記ハーフアッシングによる前記レジス
   トパターンの除去量は、エッチングによって表面に多量
   に付着した腐食性物質を殆ど除去する程度であることを
   特徴とする請求項１に記載のアッシング方法。
3. 【請求項３】 前記ハーフアッシングによる前記レジス
   トパターンの除去量は、５０％〜７０％であることを特
   徴とする請求項１または２に記載のアッシング方法。
4. 【請求項４】 前記ハーフアッシングによる前記レジス
   トパターンの除去量は、２／３程度であることを特徴と
   する請求項３に記載のアッシング方法。
5. 【請求項５】 前記ハーフアッシングに際して、酸素に
   フレオン系物質が添加されたアッシングガスが使用され
   ることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の
   アッシング方法。
6. 【請求項６】 前記ハーフアッシング後の防蝕洗浄は、
   腐食性物質を洗浄する溶液によって実施されることを特
   徴とする請求項１、２、３、４または５に記載のアッシ
   ング方法。
7. 【請求項７】 前記ハーフアッシング後の防蝕洗浄は、
   弱酸性溶液または純水によって実施されることを特徴と
   する請求項６に記載のアッシング方法。
8. 【請求項８】 前記フルアッシングは酸素および／また
   はオゾンからなるアッシングガスによって実施されるこ
   とを特徴とする請求項１、２、３、５、６または７に記
   載のアッシング方法。
9. 【請求項９】 前記フルアッシング後のサイドフィルム
   除去洗浄は、サイドフィルムを洗浄する溶液によって実
   施されることを特徴とする請求項１、２、３、５、６、
   ７または８に記載のアッシング方法。
10. 【請求項１０】 前記フルアッシング後のサイドフィル
    ム除去洗浄は、弱酸性溶液によって実施されるが使用さ
    れることを特徴とする請求項９に記載のアッシング方
    法。