JP2006310631A - 温度制御方法及び温度制御装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体装置などの電子部品に対し、熱的ストレスを与えることなく、速やかに冷却処理或いは加熱処理を実施する事のできる温度制御方法温度制御装置を提供する。
【解決手段】電子部品１に接する第一の主面１０１よりも大きな面積を有する第二の主面１０２を有する熱伝導体１０３を用い、当該第二の主面１０２に発熱部１０４・冷却部１０５を配設して、電子部品１の自己発熱に対応して発熱部と１０４と冷却部１０５を同時に動作させることにより、被処理体１の温度を的確に、かつ俊敏性よく制御することができる。
【選択図】図１−Ａ

Description

本発明は、温度制御方法ならびにこの制御方法に適用する温度制御装置に関し、特に電子部品などの被処理体に対して加熱或いは冷却により常温とは異なる温度環境を与えて、当該被処理体に対し評価及び／或いは試験などを行う際の温度制御方法、及びこの温度制御方法に適用する温度制御装置の構成に関する。

電子部品、例えば半導体集積回路デバイス（ＩＣ・ＬＳＩ、以下半導体装置と記す）は、その高集積化・高機能化が図られる一方、使用される環境・条件がより厳しくなりつつあり、その温度特性を含め一層高い信頼性が要求されている。

各種半導体装置の中にあって、特にハイエンド・サーバー（High-end server）用のＭＰ Ｕ（Micro processing unit）は、その高速化、複数の演算処理の平行処理化が急速に進行しており、結果として一つの半導体装置（チップ）の扱う電力の増大即ち高消費電力化が進んでいる。従来のＭＰＵの消費電力は１０ｗ乃至３０ｗ程度であったが、現在では１００ｗ乃至２００ｗの電力を消費する状況にある。今後、３００ｗを越える消費電力を要する状態に至ることは十分に予想される。

半導体装置は、その動作時の自己発熱ならびに周囲の環境により温度上昇を招きその動作が不安定となるが、かかる温度上昇は、基本的には当該半導体装置の消費電力に比例する。この為、当該半導体装置の動作試験などを行う際には、当該半導体装置の動作時の温度を所望の温度に制御することが不可欠である。

しかも、半導体装置はその高集積化・高機能化を実現する為に、トランジスタなど機能素子並びに配線などについてより微細化、高密度化が図られ、単位面積あたりの発熱量（熱密度）が上昇する方向にある。この為、当該半導体装置の動作試験などを行う際には、効率の高い冷却を必要として、且つその温度制御に高い技術が求められている。

半導体装置は、その種類（機能・容量などの相違）により、その消費電力に大きな差を生じる。即ち、自己発熱による温度上昇は、当該半導体装置毎に異なる。このため、半導体装置の動作時の温度を所望の値に制御するためには、当該半導体装置の扱う電力に応じて冷却温度を変更する必要がある。

冷却温度を選択しないと、扱う電力の差が当該半導体装置の温度（ジャンクション温度Ｔｊ）の差として現れ、当該半導体装置の正確な動作を確認・補償することができない。従って、恒温条件下、或いは恒常的低温下に於いては、それぞれ発熱特性の異なる各種の半導体装置に対して、その動作特性の確認・補償を行うことはできない。更に、前述の如く高集積化・高機能化がなされた半導体装置にあっては、その動作時、動作形態（動作内容）によって消費電力が大きく変化する。

当該半導体装置の動作特性を確認・補償するための試験の際にも、試験項目によって消費電力、即ち当該半導体装置の温度が大幅に変化してしまう。この為、当該半導体装置の動作形態・試験項目に対応して当該半導体装置に於ける温度を制御することが必要となっている。

尚、半導体装置自体の温度と、その表面の冷却温度との関係は、
Ｔｊ＝Ｔｃ＋Ｐ×Ｒｊｃ
である。

但し、Ｔｊは半導体装置自体の温度、Ｔｃは当該半導体装置の被冷却部（半導体素子自体の表面、半導体素子の収容容器表面など）の表面温度、Ｐは半導体装置の動作時の消費電力（ｗ）、Ｒｊｃは半導体装置自体と被冷却部との間の熱抵抗（℃／ｗ）である。

半導体装置の温度特性を試験・評価するために、その製造過程に於いて当該半導体装置に対して冷却処理或いは加熱処理を施し、それぞれの状態に於ける動作特性を評価・試験することは従来から行われている。かかる加熱処理、冷却処理を実施するために、被評価・試験半導体装置の収容容器（パッケージ）に対し、放熱フィンを備えた熱伝導体などの冷却要素、或いはヒーターなどの加熱要素を接触させ、これらの要素をもって被評価・試験半導体装置を所望の温度に冷却或いは加熱して、当該半導体装置の温度特性を評価している。

被評価・試験半導体装置に対して、冷却処理或いは加熱処理を施し、それぞれの状態に於ける動作特性を試験・評価する手段に関しては、例えば次のような特許文献がある。
特開昭６１−２６９０８５号公報 特開昭６３−０９１５７７号公報 特表２００１−５２６８３７号公報

前記特許文献１に開示される技術にあっては、電子部品１１と同等の外形寸法を有し、温度センサが埋設された板状の熱媒体部材５の一方の主面に、ペルチェ素子（ペルチェ効果素子）などの熱電効果素子２と抵抗発熱体３とを市松状に並べ配設した温度試験装置が提示されている。 当該媒体部材５は、アルミニューム（Ａｌ）などの熱伝導性の高い材量から形成されている。

そして、熱媒体部材５の他方の主面を被試験・評価電子部品１１に接触させた状態に於いて、前記熱電効果素子２を動作（必要に応じて抵抗発熱体３も動作）させて冷却或いは加熱を行い、当該電子部品１１の温度特性を評価している。かかる構成にあっては、前記熱媒体部材５の被試験電子部品１１に対する接触面と同等の面積を有するその主面に於いて、熱電効果素子２と抵抗発熱体３とを市松状に並べて配設している。

このような構成によれば、熱媒体部材５が被処理電子部品１１と同等の面積を有し、またその厚さも電子部品１１と同等であることから、その熱容量は小さく、電子部品１１に於ける急激な温度変化を吸収・拡散できず、また熱電効果素子２による冷却が急激に電子部品１１に及び、当該電子部品１１に熱的ダメージが与えられてしまう。

一方、前記特許文献２に開示される技術にあっては、温度センサが埋設された接触プレートの一方の主面に、ペルチェ素子と放熱フィンがそれぞれの間にスペーサを介して積層されてなる冷却・加熱装置が提示されている。

そして、前記接触プレートの他方の主面を被試験・評価半導体装置に接触させた状態に於いて、前記ペルチェ素子を動作させて加熱或いは冷却を行って、当該半導体装置の温度特性を評価している。かかる構成にあっては、被試験半導体装置に対し、接触プレートの一方の主面にペルチェ素子を複数個積層し、更に放熱フィンを配設する構成も開示している。

このような構成によれば、半導体装置の冷却の際、放熱は接触プレート−ペルチェ素子−スペーサ−放熱フィンとの経路となる為、熱伝導経路が長く、また熱容量が比較的大きく、速やかな冷却或いは加熱が困難である。

また、前記特許文献３に開示される技術にあっては、電気ヒーターの一方の主面に、ヒートシンクが配設されてなる温度制御システムを用いている。そして、前記電気ヒーターの他方の主面を被試験・評価電子装置（半導体装置、温度センサ内蔵）に直接接触させた状態に於いて、前記電気ヒーターを動作させて加熱し、また前記ヒートシンクを用いて放熱を行って、当該電子装置の温度特性を評価している。かかる構成にあっては、被試験電子装置に対し、電気ヒーターを介してヒートシンクを配設している。

このような構成によれば、被評価・試験電子装置に対し、より低い温度に直接冷却する手段を具備しておらず、かかる低温状態に於ける評価或いは試験を行うことが困難である。

またヒートシンクと被試験電子装置との間には電気ヒーターが介在することから，被評価・試験電子装置から生じた熱は、高い熱抵抗域を通して放熱されることになり、熱伝導経路が長く、また熱容量が比較的大きく、速やかな冷却或いは加熱が困難である。

上述のような課題を解決するために、本発明にあっては、第一の主面と、当該第一の主面に対応し当該第一の主面よりも大なる面積を有する第二の主面とを有する熱伝導部材の前記第一の主面に被処理体を接触させ、前記熱伝導部材の前記第二の主面に並び配設された発熱部及び冷却部の少なくとも一方を駆動して、前記被処理体を所定温度に制御することを特徴とする温度制御方法、ならびに被処理体と接触する第一の主面と、当該第一の主面に対応する第二の主面とを有する熱伝導部材と、前記熱伝導部材の前記第二の主面に配設された発熱部と、前記熱伝導部材の前記第二の主面に前記発熱部と並び配設された冷却部とを具備し、前記熱伝導部材の第一の主面は前記被処理体に対応した形状を有し、前記熱伝導部材の第二の主面は、前記第一の主面よりも大なる面積を有することを特徴とする温度制御装置が提供される。

このような本発明によれば、電子部品などの被処理体に対応する形状・面積を有する第一の主面と、当該第一の主面よりも大なる面積を有する第二の主面を有する熱伝導部材を用い、前記第二の主面に発熱部及び冷却部を配設することにより、被処理体に於いて生じた熱を当該熱伝導部材内に効果的に吸収し、拡散して均一化すると共に、冷却部・発熱部によって熱の吸収或いは加熱を行うことにより、発熱量の大なる被処理体即ち扱う電力・パワーの大なる被処理体に対しても、その電力・パワーの変化に素早く追従・対応した温度制御を行うことができる。もって、発熱量の大なる被処理体であっても、その温度特性の評価及び／或いは試験を高い精度をもって且つ効率的に行うことができる。

被処理体の温度を所定の温度とするために、発熱部と冷却部を同時に動作させた場合、この際に生じる発熱部と冷却部の直下の温度差が、熱伝導部材内で水平方向に伝導し均一化されつつ、第一の主面に置かれた被処理体に集約されていく。これにより、被処理体の温度を的確に、かつ俊敏性よく制御することができる。

以下、本発明の特徴的構成について、複数の実施態様をもって開示する。

本発明による温度制御装置の第１の実施態様を、図１を用いて説明する。

図１−Ａ並びに図１−Ｂに示されるように、本実施態様に於ける温度制御装置１００は、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材１０３、前記第二の主面１０２上にあってそのほぼ中央部に配設された発熱部１０４、及び前記第二の主面１０２上にあって発熱部１０４と並びその両側に配設された冷却部１０５ａ、１０５ｂとを具備して構成される。

かかる構成に於いて、被処理体である電子部品１は、例えば半導体集積回路装置であって、その外装形態も樹脂封止型半導体装置、金属・セラミック封止型半導体装置、或いはバルク形状の半導体装置など特定されない。また、その外部接続端子構造も、従来からの板状リード形式の他、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、ランド・グリッド・アレイ（ＬＧＡ）など特定されない。

この為、以下の実施例にあっては、その外形を具体的に示していないが、外部接続端子は、前記熱伝導部材１０３の第一の主面１０１に接しない面に配設されている。（図示せず）
そして、当該電子部品１に対する評価・試験の際には、当該電子部品１はその外部接続端子が評価・試験用基板（ボード）の端子部に電気的に接続されるが、かかる状態についても以下の実施例を含め図示しない。

前記熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など熱伝導性の高い材料をもって形成される。当該熱伝導部材１０３の第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有し、一方、その第二の主面１０２は前記第一の主面１０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面１０１と第二の主面１０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。そして、当該熱伝導部材１０３の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に直線状に伸びるテーパー形状をなす。従って、当該熱伝導部材１０３は、ほぼ台形状の断面を有する。

尚、熱伝導部材１０３に於いては、その第一の主面１０１の形状・面積が対象となる電子部品に対応した形状・面積とされ、当該電子部品が半導体集積回路素子であれば３０ｍｍ×３０ｍｍ乃至５０ｍｍ×５０ｍｍ程の矩形状とされる。また、第二の主面１０２の面積は、６０ｍｍ×６０ｍｍ乃至１００ｍｍ×１００ｍｍ程とされる。これらの形状は矩形に限られるものでは無く、円形としても良い。また、熱伝導部材１０３の厚さは、３０ｍｍ乃至５０ｍｍ程とされる。

当該熱伝導部材１０３の、第一の主面１０１の周囲をテーパー状とすることにより、当該熱伝導部材１０３内に於ける熱の伝導経路の拡がりを抑制して、温度制御性を高めている。また、熱伝導部材１０３の内部には、前記第一の主面１０１近傍、即ち温度制御対象の電子部品に近接して温度検出器１０６が配設（埋設）されている。

一方、前記発熱部１０４は、電気抵抗ヒーターから構成される。また前記冷却部１０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水、代替えフロン或いは液体窒素などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず）
尚、電気抵抗ヒーター１０４、ペルチェ素子から導出される導線、冷却媒体の流通路についても図示することを省略する。

かかる構成を有する温度制御装置１００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器１０６により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５を動作せしめる。この結果、電子部品から発生した熱は熱伝導部材１０３を伝導して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

この時、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材１０３が介在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材１０３中に容易に吸収・放散される。しかも、当該熱伝導部材１０３がテーパー状の断面形状を有することから、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。従って、電子部品１自体には急激な温度低下を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

尚、前記熱伝導部材１０３に於いて、第一の主面１０１と第二の主面１０２との間に於ける側面１０３Ａはテーパー状を有し、その表面積が比較的大である。

従って、当該側面１０３Ａの表面に、断熱材層を配設するか、或いは当該側面１０３Ａに対向して、当該側面１０３Ａと実質的に平行な面からなる熱反射部材を近接配設する。（図示せず）両者を併用することも勿論可能である。

断熱材としては、発泡ウレタン、シリコンゴム、ガラスエポキシ樹脂或いはベーク材を用いることができ、熱反射部材は鏡或いは表面が鏡面処理された金属など反射率の高い金属を用いて形成することができる。

かかる断熱層及び／或いは熱反射部材を配設することにより、熱伝導部材１０３からの熱放散が抑制・防止され、当該熱伝導部材１０３に於ける熱の吸収・伝導が高い効率をもって行われる。これら、断熱層及び／或いは熱反射部材の配設は、本実施態様に限らず、以下に述べる実施態様に於いても適用することができる。

一方、前記発熱部１０４及び冷却部１０５は、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２上にあって、互いに平行に配置することに限らず、図２に示される変形例Ａのように、櫛歯状に互いに入り込んだ形状としても良い。かかる構造によれば、熱伝導部材１０３に対する熱の授受を、より均等に行うことができる。

被処理体の温度を所定の温度とするために、発熱部１０４と冷却部１０５を同時に動作させた場合、この際に生じる発熱部１０４と冷却部１０５の直下の温度差が、熱伝導部材１０３内で水平方向に伝導し均一化されつつ、第一の主面１０１に置かれた被処理体１に集約されていく。これにより、被処理体１の温度を的確に、かつ俊敏性よく制御することができる。

また、図３−Ａ，図３−Ｂに示される変形例Ｂのように、第二の主面１０２上にあって、冷却部１０５ａ，１０５ｂが加熱部１０４上を跨いで配設された連通部１０５ｃによって接続されても良い。かかる構造によれば、冷却部１０５ａ，１０５ｂ内を流れる冷却媒体の流れを共通化することができ、冷却媒体の流通用配管を簡略化することができる。

前記図１に示す温度制御装置１００と、熱源、システム制御装置などの接続構成を図４に示す。同図に於いて、４０１はシステム制御装置、４０２は加熱制御装置、４０３は冷却制御装置である。

加熱制御装置４０２は、前記加熱部１０４に配設されたヒーター１０４ｈへの電流など電源の供給を行い、また冷却制御装置４０３は、冷却部１０５ａ，１０５ｂに対して水などの冷却媒体の送出・回収を行う。

図４に示す冷却部１０５の構成にあっては、冷却部１０５ａ、冷却部１０５ｂに対し、両者を直列接続する如くパイプ４０４が配設され、当該パイプ４０４中を、未美などの冷却媒体が流れる。

即ち、当該温度制御装置にあっては、冷却方式として流動する冷媒方式が執られる。

かかる構成に於いて、システム制御装置４０１は、前記温度検出器１０６により検出される温度に対応して、加熱制御装置４０２及び／或いは冷却制御装置４０３を制御し、被処理電子部品１の温度を所定の値とする。

前記図４−Ａに示す構成に於いて、冷却部１０５ａ，１０５ｂに対する冷却媒体の供給・回収は、図４−Ｂに示されるように、当該冷却部１０５ａ並びに冷却部１０５ｂそれぞれに対し別々に行っても良い。即ち、両冷却部は並列状態とされて冷却媒体が供給・回収される。また、冷却部１０５ａ，１０５ｂのそれぞれに対し別々に冷却媒体を供給する場合、図４−Ｂに示される如き冷却媒体の流通に代えて、当該冷却部１０５の内壁に冷却媒体を噴射し、これにより、冷却を行うこともできる。

かかる場合の冷却部１０５の構成を、図４−Ｃに示す。同図に於いて、パイプ４０４ａを通して供給される冷却媒体はノズル４０５を介して冷却部１０５の内壁１０５ｗに向かって噴射され、高温の内壁１０５ｗに接触して気化する。この際の気化熱により、当該冷却部１０５を冷却する。気化した冷却媒体は温度の低下とともに再び液化し、パイプ４０４ｂを通して、冷却制御部４０３へ流出・回収される。

また、前記図４に示す構成に於いて、冷却部１０５ａ，１０５ｂを、ペルチェ素子及び当該ペルチェ素子に於ける発熱を吸収する放熱部、並びに当該放熱部に水などの冷却媒体を接触させる構造とした場合には、図５に示される構成が執られる。

即ち、熱伝導体１０３の第二の主面１０２上に、冷却部１０５構成体としてペルチェ素子５０１を配設し、当該ペルチェ素子５０１上に放熱部５０２を積層配置して、当該放熱部５０２内に冷却媒体を通過させることによりペルチェ素子５０１に於ける発熱を吸収する。当該ペルチェ素子５０１の電源も、システム制御装置４０１から供給することにより、その制御が容易化される。他の構成は、前記図４に示す構成と同様の構成とすることができる。

一方、加熱部１０４並びに冷却部１０５の配置構造として、前述の如き並列状の配置に代えて、図６−Ａ，図６−Ｂに示される変形例Ｃのように、熱伝導体１０３の第二の主面１０２上にあって、加熱部１０４と冷却部１０５が同心状に、即ちほぼ中央部に配置された加熱部１０４の周囲を囲んで環状の冷却部１０５を配設する構造とすることもできる。

当該環状の冷却部１０５に於いては、例えば図６−C，図６−Ｄに示されるように、冷却媒体を噴射する噴射ノズル６０１が外壁部から内壁部に向かって、且つその円周方向に傾斜して配設されている。パイプ６０２を通して流入される冷却媒体を、当該噴射ノズル６０１から冷却部１０５の内壁１０５ｗに噴射する。当該冷却媒体が気化する際の気化熱により、当該冷却部１０５を冷却する。

気化した冷却媒体はパイプ６０３を通して、冷却制御部へ流出・回収され、一方温度の低下とともに再び液化した冷却媒体はパイプ６０４を介して冷却制御部へ流出・回収される。尚、図６−Ｄにあっては、噴射ノズル６０１のみを図示する。

更に、図７に示される変形例Ｄのように、熱伝導部材１０３の前記第二の主面１０２上にあって、中央部に第一の冷却部１０５ａを配設し、当該冷却部１０５ｃの両側に加熱部１０４を配設し、更に当該加熱部１０４の外側に冷却部１０５ｄを配設しても良い。

複数の加熱部、冷却部を具備することにより、加熱、冷却それぞれの能力を高めることができると共に、熱の攪拌効果も高めることができる。

更に、電子部品など被処理体の扱う電力・パワーに対応して、その電力・パワーよりも大きな熱エネルギーを扱い得るようにすることにより、被処理体の電力・パワーの変化に素早く追従・対応することができる。

尚、かかる変形例構成においても、冷却部１０５ｄを中心として、加熱部１０４ａと１０４ｂとをリング状に連結し、更に冷却部１０４ａと１０４ｂとをリング状に連結して、これらを多重リング状に配設することも勿論可能である。

本発明による温度制御装置の第２の実施態様を、図８を用いて説明する。尚、前記第１の実施態様に対応する構成については、同一の符号を付している。

図８−Ａ並びに図８−Ｂに示されるように、本実施態様に於ける温度制御装置２００は、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材１０３と共に、前記第二の主面１０２上にあって、回転可能に支持された発熱部１０４、冷却部１０５を具備して構成される。

かかる構成に於いて、熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など熱伝導性の高い材料をもって形成される。当該熱伝導部材１０３の第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有し、一方、その第二の主面１０２は前記第一の主面１０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面１０１と第二の主面１０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。そして、熱伝導部材１０３の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に伸びるテーパー形状をなす。従って、当該熱伝導部材１０３は、ほぼ台形状の断面を有する。

また、当該熱伝導部材１０３の内部には、前記第一の主面１０１近傍、即ち温度制御対象の電子部品に近接して温度検出器１０６が配設（埋設）されている。

一方、前記発熱部１０４は、電気抵抗ヒーターから構成される。また前記冷却部７０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず）
本実施形態に於ける特徴的構成は、前記発熱部１０４及び冷却部１０５が、回転軸２０１に支持された支持部２０２に共通に保持され、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２に接しつつ、当該第二の主面１０２上を回転移動可能とされた点にある。前記電気抵抗ヒーター１０４、ペルチェ素子から導出される導線などは、支持部２０２及び回転軸内を経由して導出される。（図示せず） 回転軸２０１の回転に伴って、発熱部１０４及び冷却部１０５は、連続して或いは所定の角度毎に回転移動する。

尚、第二の主面１０２と、発熱部１０４或いは冷却部１０５との接触部には、シリコン系グリスなどの熱伝導性並びに延性が高い潤滑剤２０３を薄膜状に介在させて、機械的接触抵抗の低減を図ると共に、熱的な結合性を高める。

かかる構成を有する温度制御装置２００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器１０６により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５を動作せしめる。この時、冷却部１０５は加熱部１０４と共に第二の主面１０２上を移動し、熱伝導部材１０３を冷却する。この結果、電子部品から発生した熱は熱伝導部材１０３を通して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

この時、前記第一の実施態様と同様に、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材１０３が介在し、当該熱伝導部材１０３がテーパー状の断面形状を有する。また当該断面形状から、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材１０３中に容易に吸収・放散される。従って、電子部品１自体には急激な温度低下を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

加えて、発熱部１０４、冷却部１０５を回転移動可能とすることにより、当該発熱部１０４、冷却部１０５それぞれを、大型化或いは複数個配設する必要が無い。

本発明による温度制御装置の第３の実施態様を、図９を用いて説明する。尚、前記第１の実施態様並びに第二の実施態様に対応する構成については、同一の番号を付している。

図９−Ａ，図９−Ｂに示されるように、本実態態様に於ける温度制御装置３００は、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材１０３、前記第二の主面１０２上にあって支持部３０１に支持された発熱部１０４、冷却部１０５を具備し、更に回転軸３０２に支持され、熱伝導部材１０３と発熱部１０４及び冷却部１０５との間に於いて、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２と平行に回転可能とされた円板３０３が配置されて構成される。

かかる構成に於いて、熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など、熱伝導性の高い材料をもって形成される。当該熱伝導部材１０３の第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有し、一方、その第二の主面１０２は前記第一の主面１０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面１０１と第二の主面１０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。

そして、当該熱伝導部材１０３の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に伸びるテーパー形状をなす。従って、当該熱伝導部材１０３は、ほぼ台形状の断面を有する。当該熱伝導部材１０３の内部には、前記第一の主面１０１近傍、即ち温度制御対象の電子部品に近接して温度検出器１０６が配設（埋設）されている。

一方、前記発熱部１０４は、電気抵抗ヒーターから構成される。

また前記冷却部１０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず） 尚、電気抵抗ヒーター１０４、ペルチェ素子から導出される導線についても図示することを省略する。

前記円板３０３は、熱伝導部１０３と同様に銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など熱伝導性の高い材料をもって形成され、その寸法（直径）は熱伝導部材１０３の第二の主面１０２と同等以上の寸法とされている。

本実施形態に於ける特徴的構成として、当該円板３０３は回転軸３０２により支持・回転される。この時、第二の主面１０２と円板３０３との間、並びに当該円板３０３と発熱部１０４或いは冷却部１０５との接触部間に、潤滑剤２０３を介在させて、機械的接触抵抗の低減を図ると共に、熱的な結合性を高める。回転する円板３０３の配設により、前記発熱部１０４及び冷却部１０５と、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２との間に於ける熱伝導を、より均一化することができる。

かかる構成を有する温度制御装置３００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器１０６により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５を動作せしめる。この時、当該円板３０３が回転しつつ熱伝導部材１０３を冷却する。この結果、電子部品から発生した熱は、熱伝導部材１０３、円板３０３を通して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

この時、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材１０３及び照り知れする円板３０３が介在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材１０３中に容易に吸収・放散される。しかも、熱伝導部材１０３がテーパー状の断面形状を有することから、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。更に円板３０３が介在することから、熱伝導はより一層緩和されて、電子部品１自体には急激な温度低下を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

尚、図９−Ａ，図９−Ｂに示す実態態様にあっては、円板３０３を回転軸３０２により支持することで回転可能としたが、図９−Cに示されるように、回転軸３０２を固定軸３０４に変更し、当該固定軸３０４にベアリングを介して支持された円板３０３の外周面にギアを配設するか或いはベルトを収容する溝を配設して、ギア或いはベルトを介してモーター３０５に結合することによって、当該円板３０３を回転可能としても良い。

本発明による温度制御装置の第４の実施態様を、図１０を用いて説明する。尚、前記第一の実施態様乃至第三の実施態様に対応する構成については、同一の番号を付している。

図１０−Ａ，図１０−Ｂ並びに図１０−Ｃに示されるように、本実態態様に於ける温度制御装置４００は、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材１０３、前記第二の主面１０２上にあって当該第二の主面と平行な方向にスライド可能なスライド部材４０１に保持された発熱部１０４、冷却部１０５を具備してなる。かかる構成に於いて、熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）など熱伝導性の高い材料をもって形成される。

当該熱伝導部材１０３の第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有し、一方、その第二の主面１０２は前記第一の主面１０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面１０１と第二の主面１０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。そして、熱伝導部材１０３の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に伸びるテーパー形状をなす。従って、当該熱伝導部材１０３は、ほぼ台形状の断面を有する。

当該熱伝導部材１０３の内部には、前記第一の主面１０１近傍、即ち温度制御対象の電子部品に近接して温度検出器１０６が配設（埋設）されている。

一方、前記発熱部１０４は、電気抵抗ヒーターから構成される。

また前記冷却部１０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず）
尚、電気抵抗ヒーター１０４、ペルチェ素子から導出される導線についても図示することを省略する。

本実施形態に於ける特徴的構成は、発熱部１０４及び冷却部１０５が、スライド部材４０１に共通に保持され、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２に接しつつ、当該第二の主面１０２上を直線的に往復移動可能とされた点にある。

スライド部材４０１は、ガラスエポキシ、ポリイミドなど耐熱性を有する絶縁性樹脂から形成され、その一方の主面に前記発熱部１０４並びに冷却部１０５が、それぞれ２個（発熱部１０４ａ，１０４ｂ，冷却部１０５ａ，１０５ｂ）交互に並んで配設される。

スライド部材４０１の移動は往復してなされ、これに伴って、発熱部１０４及び冷却部１０５は、連続して或いは所定の距離毎に往復運動する。

尚、熱伝導部材１０３の第二の主面１０２と、発熱部１０４或いは冷却部１０５との接触部間には、潤滑剤２０３を介在させて、機械的接触抵抗の低減を図ると共に、熱的な結合性を高める。このように、発熱部１０４、冷却部１０５を往復移動可能とすることにより、当該発熱部１０４、冷却部１０５それぞれを、大型化する必要が無い。

かかる構成を有する温度制御装置４００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器１０６により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５を動作せしめる。この時、冷却部１０５は加熱部１０４と共に熱伝導部材１０３上を移動して熱伝導部材１０３を冷却する。この結果、電子部品から発生した熱は、熱伝導部材１０３を通して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

この時、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材１０３が介在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材１０３中に容易に吸収・放散される。

しかも、当該熱伝導部材１０３がテーパー状の断面形状を有することから、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。従って、電子部品１自体には急激な温度低下を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

本発明による温度制御装置の第５の実施態様を、図１１を用いて説明する。尚、前記第一の実施態様乃至第４の実施態様に対応する構成については、同一の番号を付している。

図１１に示されるように、本実態態様に於ける温度制御装置５００にあっては、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材５０１、並びに前記第二の主面５０１上に配設された発熱部１０４、冷却部１０５を具備してなる。かかる構成に於いて、熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など、熱伝導性の高い材料をもって形成される。

本実施態様に於ける温度制御装置５００にあっては、前記第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有するが、熱伝導部材５０１の第二の主面１０２側が、前記実施例の如き一様な平面ではなく、その断面形状が台形状とされている。当該台形の上面（頂部）５０２には発熱部１０４が配設され、傾斜面５０３には冷却部１０５ａ，１０５ｂが配設される。

当該冷却部１０５が第二の主面の傾斜面５０３に配設されたことから、発熱部１０４を含むそれぞれの中心線の交差部が、熱伝導部材５０１の第一の主面１０１に接する電子部品１から所定の距離離間した領域Ｐ１に設定される。一方、熱伝導部材５０１の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に伸びるテーパー形状をなす。尚、当該熱伝導部材５０１内に配設（埋設）される温度検出器は、前記第一の主面１０１近傍、前記交差部Ｐ１との間に位置して配設される。（図示せず）
かかる構成を有する温度制御装置５００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５を動作せしめる。

この時、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材５０１が介在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材５０１中に容易に吸収・放散される。しかも、当該熱伝導部材５０１が量主面にテーパー状の断面形状を有することから、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。従って、電子部品１から発生した熱は、熱伝導部材１０３を通して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

加えて、前記冷却部１０５及び発熱部１０４のそれぞれの中心線の交差部Ｐ１が、熱伝導部材５０１の第一の主面１０１に接する電子部品１から所定の距離離間した部分に設定されるとから、電子部品１に対する加熱時・冷却時の熱の集中が防止される。この為、電子部品１自体には急激な温度低下或いは温度上昇を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

本発明による温度制御装置の第６の実施態様を、図１２を用いて説明する。尚、前記第一の実施態様乃至第五の実施態様に対応する構成については、同一の番号を付している。

図１２−Ａ，図１２−Ｂに示されるように、本実態態様に於ける温度制御装置６００にあっては、半導体装置など温度制御の対象となる電子部品１へ接触可能な第一の主面１０１と当該第一の主面１０１に対応する第二の主面１０２とを有する熱伝導部材１０３、並びに前記第二の主面１０２上にあって、熱伝導柱６０１に同軸状に一体化された発熱部１０４、冷却部１０５を具備する。かかる構成に於いて、熱伝導部材１０３は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など、熱伝導性の高い材料をもって形成される。

前記第一の主面１０１は前記電子部品１に対応した形状・面積を有し、一方、第二の主面１０２は前記第一の主面１０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面１０１と第二の主面１０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。そして、熱伝導部材１０３の側面は、第一の主面１０１の端部から第二の主面１０２の端部に伸びるテーパー形状をなす。従って、当該熱伝導部材１０３は、ほぼ台形状の断面を有する。

また、熱伝導部材１０３の内部には、その第一の主面１０１近傍、即ち温度制御対象の電子部品に近接して温度検出器１０６が配設（埋設）されている。

一方、前記熱伝導部材１０３の第二の主面１０２には、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）から形成された熱伝導柱体６０１の外周部に発熱部１０４が配設され、また当該熱伝導柱体６０１の他端（上端）中央部に設けられた凹部６０２内に冷却部１０５が配設される。発熱部１０４は、前記実施態様の如く電気抵抗ヒーターから構成される。

また前記冷却部１０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず）
この様に、発熱部１０４と冷却部１０５とを、熱伝導性の高い材料よりなる柱状体を用いて同軸状に配設することにより、その小形化を図ることができる。

かかる構成を有する温度制御装置６００にあっては、電子部品１に於ける発熱により当該電子部品１の温度が上昇した場合、これを温度検出器１０６により検出し、その検出結果に基づき冷却部１０５Ａを動作せしめる。この時、冷却部１０５Ａは，熱伝導柱６０１を介して熱伝導部材１０３を冷却する。

この結果、電子部品１から発生した熱は、熱伝導部材１０３を通して冷却部１０５に吸収・放散され、当該電子部品１の温度上昇が抑制される。

この時、電子部品１と冷却部１０５との間には、熱容量の大なる熱伝導部材１０３が介在する。この為、電子部品１に於いて生じた熱は、熱伝導部材１０３中に容易に吸収・放散される。しかも、当該熱伝導部材１０３がテーパー状の断面形状を有することから、電子部品１と冷却部１０５との間には実質的に熱伝導部材１０３の厚さ（板厚）以上の距離が存在する。従って、電子部品１自体には急激な温度低下を招来せず、当該電子部品１に熱的なダメージが与えられることが防止される。

尚、前記発熱部１０４及び冷却部１０５は、その配置を反転させることができる。

即ち図１２−Cに示されるように、前記熱伝導柱体６０１の外周部に冷却部１０５が配設され、また当該熱伝導柱体６０１の他端（上端）中央部に設けられた凹部６０２内に発熱部１０４が配設される。

発熱部１０４は、前記実施態様の如く電気抵抗ヒーターから構成される。

また、冷却部１０５は、熱伝導体柱６０１の外周に巻回されたパイプ６０３中を水などの冷却媒体が流通可能とされて構成される。この様に、発熱部１０４と冷却部１０５とを、熱伝導性の高い材料よりなる柱状体を用いて同軸状に配設することにより、その小形化を図ることができる。

このような本発明実施態様にあって、前記熱伝導部材１０３は、その第一の主面１０１から第二の主面１０３に至る側面に関して、直線状のテーパーを有してなる形態を掲げているが、当該側面の形状はこれに限られるものではない。

即ち、図１３−Ａ或いは図１３−Ｂに示されるように、第一の主面１０１側にあっては、その端部に於いて第一の主面１０１に対してほぼ垂直に延び（立ち上がり）、熱伝導部材１０３の厚さ方向の中央部付近から、第二の主面１０２の端部に対して円弧状に或いは直線状に延びるものであっても良い。かかる形状によれば、熱伝導部材１０３の厚さ方向の中央部に於いて、昇温作用、冷却作用が集中し、電子部品１に対する温度制御を効率良く行うことができる。

前記実施態様にあっては、個片化された半導体素子或いは個辺化され容器（パッケージ）に収容された半導体素子に対する温度制御法について述べたが、本発明はかかる半導体素子の温度制御に限られるものではない。

複数個の半導体素子が形成された半導体基板（ウエハ）に対して、当該半導体素子の電気的特性の評価・試験を行う際にも適用することができる。

即ち、図１４−Ａ並びに図１４−Ｂに示されるように、本実施態様に於ける温度制御装置７００は、半導体基板７１が載置される第一の主面７０１と当該第一の主面７０１に対応する第二の主面７０２とを有する熱伝導部材７０３、前記第二の主面７０２下面に接してそのほぼ中央部に配設された発熱部７０４、及び前記第二の主面７０２下面に接して発熱部７０４と並びその両側に配設された冷却部７０５ａ、７０５ｂとを具備して構成される。

かかる構成に於いて、半導体基板７１は、複数個の半導体素子が形成された主面を上として、熱伝導部材７０３の第一の主面７０１上に載置されている。前記熱伝導部材７０３は、前記実施態様と同様に、銅（Ｃｕ）或いはアルミニューム（Ａｌ）など熱伝導性の高い材料をもって形成される。

当該熱伝導部材７０３の第一の主面７０１は前記半導体基板７１に対応した形状・面積を有し、一方、その第二の主面７０２は前記第一の主面７０１よりも大なる面積を有しており、且つ第一の主面７０１と第二の主面７０２は、相当距離離れ且つ実質的に平行とされている。

そして、当該熱伝導部材７０３の側面は、第一の主面７０１の端部から第二の主面７０２の端部に直線状に伸びるテーパー形状をなす。

従って、当該熱伝導部材７０３は、ほぼ台形状の断面を有する。

尚、熱伝導部材７０３に於いては、その第一の主面７０１の形状・面積が対象となる半導体基板の大きさに対応した形状・面積とされ、２００ｍｍΦ以上或いは３００ｍｍｍΦ以上の円形状とされる。また、第二の主面７０２は、４００ｍｍΦ乃至６００ｍｍΦの円形状とされる。また、その厚さは、１００ｍｍ程とされる。

前記熱伝導部材７０３の内部には、前記第一の主面７０１近傍、即ち温度制御対象の半導体基板７１に近接して温度検出器７０６が配設（埋設）される。

尚、図示する構成にあっては、当該温度検出器７０６は左端近傍に位置しているが、これは図示を容易とするためだけあって、実構造にあっては半導体基板７１のほぼ中央に位置して配設される。

また、前記熱伝導部材７０３の一方の主面７０１には、被処理半導体基板７１を吸着・保持する為の複数個の吸着孔７０７、及びかかる吸着孔７０７を真空排気装置（図示せず）へ接続するパイプ７０８が配設されている。

一方、前記発熱部７０４は、電気抵抗ヒーターから構成される。

また前記冷却部７０５は、冷却ブロック、或いはペルチェ素子と当該ペルチェ素子に接する放熱フィンを含み、当該冷却ブロック或いは放熱フィンに対しては水などの冷却媒体が接触可能とされる。（図示せず） 尚、電気抵抗ヒーター７０４、ペルチェ素子から導出される導線、冷却媒体の流通路などについては図示することを省略する。

かかる構成に於いて、前記半導基板７１上には、複数個の端子７０９を備えたプローブカード７１０が対向配置される。

そして、当該半導体基板７１に形成された半導体素子の評価・試験を行う際には、図１４−Ｂに示されるように、熱伝導部材７０３を上昇せしめ、当該熱伝導部材７０３の一方の主面７０１上に保持された半導体基板７１に於いて評価・試験対象半導体素子の電極を端子７０９に接触せしめる。

異なる半導体素子の評価・試験を行う場合には、前記熱伝導部材７０３を一旦降下させた後、所定の半導体素子が端子７０９の直下に位置する様、熱伝導部材７０３を水平移動させ、再び熱伝導部材７０３を上昇せしめて所定の半導体素子の電極を端子７０９に接触せしめる。

尚、前記熱伝導部材７０３は、その第二の主面７０２の周縁部に於いて支持アームにて支持されて上下動可能とされ、更に当該支持アームがＸ−Ｙステージに支持されて、熱伝導部材７０３は、上下動並びに水平方向への移動が可能とされるが、かかる機械的構成については図示しない。

このような本発明による温度制御方法によれば、被評価・試験半導体素子が複数個形成された半導体基板７１に対する温度制御を容易に行うことができ、当該半導体装置の評価・試験を高精度に且つ効率良く実施することができる。
以上の如く、本明細書は以下の発明を開示する。
（付記１）
第一の主面と、当該第一の主面に対応し当該第一の主面よりも大なる面積を有する第二の主面とを有する熱伝導部材の前記第一の主面に被処理体を接触させ、
前記熱伝導部材の前記第二の主面に並び配設された発熱部及び冷却部の少なくとも一方を駆動して、前記被処理体を所定温度に制御することを特徴とする温度制御方法。（１）
（付記２）
付記１記載の温度制御方法において、
前記被処理体は電子部品であることを特徴とする温度制御方法。（２）
（付記３)
付記２記載の温度制御方法において、
前記電子部品が半導体素子であることを特徴とする温度制御方法。
（付記４）
付記１記載の温度制御方法において、
前記被処理体は半導体基板であることを特徴とする温度制御方法。（３）
（付記５）
被処理体と接触する第一の主面と、当該第一の主面に対応する第二の主面とを有する熱伝導部材と、
前記熱伝導部材の前記第二の主面に配設された発熱部と、
前記熱伝導部材の前記第二の主面に前記発熱部と並び配設された冷却部と
を具備し、
前記熱伝導部材の第一の主面は前記被処理体に対応した形状を有し、
前記熱伝導部材の第二の主面は、前記第一の主面よりも大なる面積を有することを特徴とする温度制御装置。（４）
（付記６）
付記５記載の温度制御装置において、
前記熱伝導部材の第一の主面と第二の主面との間にある側面は、テーパー状を有することを特徴とする温度制御装置。（５）
（付記７)
付記５記載の温度制御方法において、
前記発熱部及び冷却部は、熱伝導部材の第二の主面上にあって、並列状、或いは同心円状に配設されてなることを特徴とする温度制御装置。
（付記８）
付記５記載の温度制御装置において、
前記発熱部は電気ヒーターからなることを特徴とする温度制御装置。（６）
（付記９）
付記５記載の温度制御装置において、
前記冷却部は液冷部或いはペルチェ素子を含むことを特徴とする温度制御装置。（７）
（付記１０）
付記５記載の温度制御装置において、
前記発熱部及び前記冷却部は、前記熱伝導部材の第二の主面上を移動可能であることを特徴とする温度制御装置。（８）
（付記１１)
付記５記載の温度制御装置において、
前記発熱部及び冷却部は、前記熱伝導部材の第二の主面上を回転して移動可能であることを特徴とする温度制御装置。
（付記１２)
付記５記載の温度制御装置において、
前記発熱部及び冷却部は、前記熱伝導部材の第二の主面上をスライドして移動可能であることを特徴とする温度制御装置。
（付記１３)
付記５記載の温度制御装置において、
前記発熱部及び冷却部と前記熱伝導部材の第二の主面との間に、熱伝導体からなる板状部材が配設されてなることを特徴とする温度制御装置。
（付記１４）
付記５記載の温度制御装置において、
前記熱伝導部材にはその第一の主面近傍に温度センサが埋設されてなることを特徴とする温度制御装置。（９）
（付記１５）
付記５記載の温度制御装置において、
前記熱伝導部材の前記第一の主面と第二の主面との間に於ける当該熱伝導部材の側面に、断熱部材が配設されてなることを特徴とする温度制御装置。（１０）
（付記１６)
付記５記載の温度制御装置において、
前記熱伝導部材の前記第一の主面と第二の主面との間に於ける当該熱伝導部材の側面に、熱反射部材が配設されてなることを特徴とする温度制御装置。

本発明による温度制御装置の第１実施例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例を示す外観斜視図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す平面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す外観斜視図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける温度制御システムの構成を示す図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける温度制御システムの構成を示す図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける冷却方法の一例を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける温度制御システムの構成を示す図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける冷却方法を示す側断面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例に於ける冷却方法を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第１実施例の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第２実施例を示す外観斜視図。 本発明による温度制御装置の第２実施例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第３実施例を示す外観斜視図。 本発明による温度制御装置の第３実施例を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第３実施例の変形例を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第４実施例を示す外観斜視図。 本発明による温度制御装置の第４実施例に於ける動作状況を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第４実施例に於ける動作状況を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第５実施例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第６実施例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第６実施例を示す断面図。 本発明による温度制御装置の第６実施例の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置に於ける熱伝導部材の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置に於ける熱伝導部材の変形例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第７実施例を示す側面図。 本発明による温度制御装置の第７実施例を示す側面図。

符号の説明

１： 電子部品
７１： 半導体基板
１０１，７０１： 第一の主面
１０２，７０２： 第二の主面
１０３，７０３： 熱伝導部材
１０４，７０４： 発熱部
１０５，７０５： 冷却部
１０６，７０６： 温度検出器
２０１： 回転軸
２０２： 支持部
２０３： 潤滑油
３０１： 支持部
３０２： 回転軸
３０３： 円板
３０４： 固定軸
３０５： モーター
４０１： スライド部材
５０１： 熱伝導部材
５０２： 台形状の上面（頂面）
５０３： 傾斜面
６０１： 熱伝導柱
６０２： 凹部

Claims (10)

1. 第一の主面と、当該第一の主面に対応し当該第一の主面よりも大なる面積を有する第二の主面とを有する熱伝導部材の前記第一の主面に被処理体を接触させ、
   前記熱伝導部材の前記第二の主面に並び配設された発熱部及び冷却部の少なくとも一方を駆動して、前記被処理体を所定温度に制御することを特徴とする温度制御方法。
2. 請求項１記載の温度制御方法において、
   前記被処理体は電子部品であることを特徴とする温度制御方法。
3. 請求項１記載の温度制御方法において、
   前記被処理体は半導体基板であることを特徴とする温度制御方法。
4. 被処理体と接触する第一の主面と、当該第一の主面に対応する第二の主面とを有する熱伝導部材と、
   前記熱伝導部材の前記第二の主面に配設された発熱部と、
   前記熱伝導部材の前記第二の主面に前記発熱部と並び配設された冷却部と
   を具備し、
   前記熱伝導部材の第一の主面は前記被処理体に対応した形状を有し、
   前記熱伝導部材の第二の主面は、前記第一の主面よりも大なる面積を有することを特徴とする温度制御装置。
5. 請求項４記載の温度制御装置において、
   前記熱伝導部材の第一の主面と第二の主面との間にある側面は、テーパー状を有することを特徴とする温度制御装置。
6. 請求項４記載の温度制御装置において、
   前記発熱部は電気ヒーターからなることを特徴とする温度制御装置。
7. 請求項４記載の温度制御装置において、
   前記冷却部は液冷部或いはペルチェ素子を含むことを特徴とする温度制御装置。
8. 請求項４記載の温度制御装置において、
   前記発熱部及び前記冷却部は、前記熱伝導部材の第二の主面上を移動可能であることを特徴とする温度制御装置。
9. 請求項４記載の温度制御装置において、
   前記熱伝導部材にはその第一の主面近傍に温度センサが埋設されてなることを特徴とする温度制御装置。
10. 請求項４記載の温度制御装置において、
    前記熱伝導部材の前記第一の主面と第二の主面との間に於ける当該熱伝導部材の側面に、断熱部材が配設されてなることを特徴とする温度制御装置。
    
    
    
    
    

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