JP2006301574A - プラズマディスプレイ装置、プラズマディスプレイパネル及びそれらの駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】画質を改善することができるプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等を提供する。
【解決手段】スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部123と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部124と、前記スキャン駆動部123と前記サステイン駆動部124を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部126と、を含む。
【選択図】図6
【解決手段】スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部123と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部124と、前記スキャン駆動部123と前記サステイン駆動部124を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部126と、を含む。
【選択図】図6
Description
本発明は、プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等に係るもので、詳しくは、階調を具現するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法等に関するものである。
一般に、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルの間に形成された隔壁が一つの単位セルを成すもので、各セルの内部には、ネオン(Ne)、ヘリウム(He)またはネオン及びヘリウムの混合気体(Ne+He)のような主放電気体と少量のキセノンを含む不活性ガスが充填されている。高周波電圧によって放電される時、不活性ガスは、真空紫外線(Vacuum Ultraviolet rays)を発生して隔壁の間に形成された蛍光体を発光させてことで、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成ができるから、次世代の表示装置として脚光を浴びている。
図1は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示した図である。
プラズマディスプレイパネルは、 図1に示したように、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス101にスキャン電極102とサステイン電極103とが対を成して形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル100と、背面を成す背面基板111上に前述した複数の維持電極対と交差されるように複数のアドレス電極113が配列された背面パネル110とが一定な距離を間に置いて一直線に結合される。
プラズマディスプレイパネルは、 図1に示したように、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス101にスキャン電極102とサステイン電極103とが対を成して形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル100と、背面を成す背面基板111上に前述した複数の維持電極対と交差されるように複数のアドレス電極113が配列された背面パネル110とが一定な距離を間に置いて一直線に結合される。
前面パネル100には、一つの放電セルで相互放電させてセルの発光を維持するためのスキャン電極102及びサステイン電極103、すなわち、透明なITO物質に形成された透明電極(a)と金属材質に製作されたバス電極(b)で具備されたスキャン電極102及びサステイン電極103が対を成して含まれる。該スキャン電極102及びサステイン電極103は、放電電流を制限して電極対の間を絶縁させる一つ以上の上部誘電体層104によって覆われ、該上部誘電体層104の上面には、放電条件を容易にするため、酸化マグネシウム(MgO)を蒸着した保護層105が形成される。
また、前記背面パネル110は、複数個の放電空間、すなわち、放電セルを形成させるためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁112が平行に配列される。また、アドレス放電を遂行して真空紫外線を発生させる多数のアドレス電極113が前記隔壁112に対して一直線に配置される。前記後面基板110の上側面には、アドレス放電時に画像表示のための可視光線を放出するR、G、B蛍光体114が塗布される。前記アドレス電極113と蛍光体114の間には、前記アドレス電極113を保護するための下部誘電体層115が形成される。
このような構造のプラズマディスプレイパネルで画像諧調を具現する方法を図2に基づいて説明する。
図2は、従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調を具現する方法を示した図である。従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調(Gray Level)の表現方法は、図2に示したように、一つのフレームを発光回数が異なる複数のサブフィールドに分けて、各サブフィールドは、再びすべてのセルを初期化させるためのリセット期間(RPD)、放電されるセルを選択するためのアドレス期間(APD)及び放電回数によって階調を具現するサステイン期間(SPD)に分けられる。例えば、256階調で画像を表示しようとする場合に1/60秒にあたるフレーム期間(16.67ms)は、図2のように、八つのサブフィールド(SF1ないしSF8)に分けられて、八つの各サブフィールド(SF1ないしSF8)のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及びサステイン期間に再び分けられるようになる。
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電されるセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極とスキャン電極である透明電極の間の電圧差によって起きる。サステイン期間は、各サブフィールドで2n(ただし、n=0、1、2、3、4、5、6、7)の割合で増加される。このように各サブフィールドでサステイン期間が相違するため、各サブフィールドのサステイン期間、すなわち、サステイン放電回数を調節して画像の階調を表現するようになる。このようなプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形に対して次の図3を用いて説明する。
図3は、従来のプラズマディスプレイパネルの駆動方法による駆動波形を示した図面である。プラズマディスプレイパネルは、図3に示したように、すべてのセルを初期化させるためのリセット期間、放電されるセルを選択するためのアドレス期間、選択されたセルの放電を維持させるためのサステイン期間及び放電されたセル内の壁電荷を消去するための消去期間に分けられて駆動される。
リセット期間において、セットアップ期間には、すべてのスキャン電極に上昇ランプパルス(Ramp-up)が同時に印加される。該上昇ランプパルスによって全画面の放電セル内には弱い暗放電(Dark Discharge)が起きる。このセットアップ放電によってアドレス電極とサステイン電極上には正極性壁電荷が積もる(蓄積する)ようになり、スキャン電極上には負極性の壁電荷が積もるようになる。
セッダウン期間には上昇ランプパルスが供給された後、上昇ランプパルスのピーク電圧より低い正極性電圧から落ち始めてグラウンド(GND)レベル電圧以下の特定電圧レベルまで落ちる下降ランプパルス(Ramp-down)が各セル内に微弱な消去放電を起こすことで、スキャン電極に過度に形成された壁電荷を充分に消去させるようになる。このセッダウン放電によってアドレス放電が安定的に起き得るほどの壁電荷が各セル内に均一に残留される。
アドレス期間では、負極性スキャンパルスが各スキャン電極に順次的に印加されると同時に、スキャンパルスに同期されてアドレス電極に正極性のデータパルスが印加される。該スキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加される放電セル内にはアドレス放電が発生される。該アドレス放電によって選択された各セル内にはサステイン電圧(Vs)が印加される時、放電が起き得るようにするほどの壁電荷が形成される。サステイン電極には、セッダウン期間とアドレス期間の間にスキャン電極との電圧差を減らしてスキャン電極との誤放電が起きないように正極性電圧(Vz)が供給される。
サステイン期間には、スキャン電極と各サステイン電極に交番的にサステインパルス(Sus)が印加される。アドレス放電によって選択されたセルは、セル内の壁電圧とサステインパルスが加わりながら毎サステインパルスが印加されるたびにスキャン電極とサステイン電極の間にサステイン放電、すなわち、表示放電が起きるようになる。
サステイン放電が完了した後、消去期間ではパルス幅と電圧レベルが小さい消去ランプパルス(Ramp-ers)の電圧がサステイン電極に供給されて全画面の各セル内に残留する壁電荷を消去させるようになる。
この時、階調の表現に影響を与え得る放電は、アドレス期間で発生するアドレス放電とサステイン期間で発生するサステイン放電である。このような放電によって発生した光が外部に発散されて階調が表現される。
図4は、図3の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図面である。図4に示したように、図3の駆動波形のA領域ではアドレス期間でスキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間でアドレス放電が発生し、図3の駆動波形のB領域ではサステイン期間でスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間でサステイン放電が発生する。この時、階調の表現に影響を与えるのは、アドレス放電とサステイン放電によって発生する光である。リセット期間におけるリセット放電によっても放電が発生するが、プラズマディスプレイパネル上のすべての放電セル内でリセット放電が発生するため、このようなリセット放電によって発生する光は、階調の表現には影響を与えない。
このような従来の駆動波形では、各サブフィールドのサステイン期間にスキャン電極とサステイン電極に一対のサステインパルスが正数倍に印加されて表示放電時に階調が表現される。このように一対のサステインパルスが正数倍に印加されると、サステイン期間時に発生された光量が過多で、低い階調を表示するための低階調サブフィールドでは階調の表現力が劣るという問題点が発生する。
また、従来のサステイン放電とアドレス放電によってハーフトーンノイズ(half-tone noise)が大きく発生して画質が落ちるという問題点も発生する。
図5は、図3の駆動波形で1以下の低階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図面である。
図3の一番目サブフィールド(SF1)における駆動波形によって具現される光が階調2を具現する光であると仮定すると、図5に示したように、プラズマディスプレイパネル上で総数16個の放電セルから成る領域で0.5の階調を具現するためにオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数が調節されて全体的に0.5の階調が具現される。ここで、図3の駆動波形によって具現される光を階調2を具現する光であると仮定した理由は、説明の便宜のために一つのサステインパルスが階調1を具現すると仮定したからである。すなわち、図3の一番目サブフィールド(SF1)の駆動波形では、二つのサステインパルスが供給されるから、総2の階調を具現する。したがって、図5でオンされる一つの放電セルは、2階調を具現する光を放出する。この時、図5のように四つの放電セルから成る領域(600)で計三つの放電セルがオフされて一つの放電セルがオンされると、四つの放電セルから成る領域(600)のそれぞれの放電セルは、0.5階調を具現すると見えるようになる。このような方法は、人の目の錯視現象を利用したもので、ハーフトーン(Halftone)技法中の一つである。
しかし、このような従来の階調の表現方法は、アドレス放電と一対のサステインパルスが正数倍に印加されて形成されるサステイン放電によってオンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差が相対的に大きい。また、オフされる放電セルの個数に比べてオンされる放電セルの個数が少ないため、映像の境界部分で画質がにじむ。これによって、ハーフトーンノイズ(Halftone Noise)が大きく発生して画質が悪くなるという問題点があった。
本発明は、毎サブフィールドのサステイン期間に印加されるサステインパルスの個数を調節して階調の表現力を向上し得るプラズマディスプレイ装置及び該プラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ハーフトーンノイズを減らし得るプラズマディスプレイ装置及び該プラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、ハーフトーンノイズを減らし得るプラズマディスプレイ装置及び該プラズマディスプレイ装置の駆動方法を提供することを目的とする。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルは、前記各スキャン電極及び前記各サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動されることを特徴とする。
本発明の実施形態によって複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにすることを特徴とする。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含むことを特徴とする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くすることを特徴とする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低いことを特徴とする。
本発明は、複数のサブフィールドのサステイン期間に奇数個のサステインパルスが印加される少なくとも一つ以上のサブフィールドを含むことで、より細密な階調を表現し得るし、画質を向上し得るという効果がある。
また、本発明は、サステイン電極に供給されるバイアス電圧の大きさを調節することで、低階調の具現時のハーフトーンノイズ(Halftone Noise)を減少させて画質を改善し得るという効果がある。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含む。
また、奇数個のサステインパルスが前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加される前記少なくとも一つのサブフィールドは、加重値が一番低い第1番目のサブフィールドから第4番目のサブフィールドまでを含む。
前記スキャン電極またはサステイン電極の中の何れか一つの電極にサステインパルスが最後に印加される時、前記スキャン電極またはサステイン電極の中で前記サステインパルスが最後に印加されなかった何れか一つの電極に消去波形が印加される。
また、前記複数個のサブフィールドは、サステインパルスが印加されなかったサブフィールドを含む。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含む。
本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、前記各スキャン電極及び前記各サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動される。
本発明の実施形態によって複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにする。
本発明の実施形態によるスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部及び該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部を含む。
また、前記駆動制御部は、前記各サブフィールドの中の一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧より低くすることを特徴とする。
また、前記駆動制御部は、前記一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給される前記バイアス電圧をグラウンドレベルの電圧(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくする。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、一対のサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給される。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、一つのサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給される。
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイ装置においては、サステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されない。
前記駆動制御部は、前記低階調サブフィールドのリセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
前記駆動制御部は、前記低階調サブフィールドでリセット期間で前記各スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
前記正極性電圧は、サステイン電圧であることを特徴とする。
前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記駆動制御部は、前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、リセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにし、他の低階調サブフィールドのそれぞれのリセット期間で前記スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにする。
また、前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各サステイン期間でサステインパルスが前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されることなく、残りの低階調サブフィールドの各サステイン期間で一つのサステインパルスが前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給される。
また、前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、前記駆動制御部は、前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各アドレス期間で前記各サステイン電極に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと相違にする。
また、前記複数の低階調サブフィールドは、第1低階調サブフィールドと第2低階調サブフィールドを含み、前記第2低階調サブフィールドの輝度加重値は、前記第1低階調サブフィールドの輝度加重値より大きく、前記駆動制御部は、前記第2低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が前記第1低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと大きくする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置は、前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、該駆動部を制御してフレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含む。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルは、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする。
本発明の実施形態によってスキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低い。
以下、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
図6は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置を示した図である。本発明に係るプラズマディスプレイ装置においては、図6に示したように、各スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極(Z)と、該スキャン電極及びサステイン電極(Z)と交差する複数の各アドレス電極(X1ないしXm)を含むプラズマディスプレイパネル100と、該プラズマディスプレイパネル100の下部基板(図示せず)に形成された各アドレス電極(X1ないしXm)にデータを供給するためのデータ駆動部122と、各スキャン電極(Y1ないしYn)を駆動するためのスキャン駆動部123と、共通電極であるサステイン電極(Z)を駆動するためのサステイン駆動部124と、階調の表現力を高めるために毎サブフィールドのサステイン期間にサステインパルスの個数を調節するサステインパルス制御部126と、プラズマディスプレイパネルの駆動時にデータ駆動部122、スキャン駆動部123、サステイン駆動部124及びサステインパルス制御部126を制御するための駆動制御部121と、それぞれの駆動部(122、123、124)に必要な駆動電圧を供給するための駆動電圧発生部125を含む。
また、前記プラズマディスプレイパネル100は、上部基板(図示せず)と下部基板(図示せず)とが一定な間隔を置いて合着され、上部基板には、多数の電極、例えば、各スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極(Z)が対を成して形成され、下部基板には、各スキャン電極(Y1ないしYn)及びサステイン電極(Z)と交差されるように各アドレス電極(X1ないしXm)が形成される。
また、データ駆動部122には、図示しなかった逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などによって逆ガンマ補正及び誤差拡散された後、サブフィールドマッピング回路によって各サブフィールドにマッピングされたデータが供給される。このようなデータ駆動部122は、前記駆動制御部121からのタイミング制御信号(CTRX)に応答してデータをサンプリングしてラッチした後、該データを各アドレス電極(X1ないしXm)に供給するようになる。
また、前記スキャン駆動部123は、前記駆動制御部121の制御下にリセット期間の間にリセット電圧(Vreset)を利用して上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)を各スキャン電極(Y1ないしYn)に供給し、アドレス期間の間にスキャン電圧(-Vy)のスキャンパルス(Sp)を各スキャン電極(Y1ないしYn)に順次的に供給する。また、前記スキャン駆動部123は、スキャンが行われるスキャン電極の以外の各スキャン電極にスキャン共通電圧(Vscan-com)を印加する。また、前記スキャン駆動部123は、サステイン期間の間には前記サステイン駆動部124と相互に動作してサステインパルス(sus)を各スキャン電極(Y1ないしYn)に供給する。また、前記スキャン駆動部123は、前記駆動制御部121の制御によって各スキャン電極(Y1ないしYn)にイレイズパルス(Verase)を印加する。
また、前記サステイン駆動部124は、前記駆動制御部121の制御下にリセット期間の間にリセット電圧(Vreset)を利用して上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)を各サステイン電極(Z1ないしZn)に供給し、前記駆動制御部121の制御下にアドレス期間の間に所定のバイアス電圧を印加し、サステイン期間の間に前記スキャン駆動部123と交代に動作してサステインパルス(sus)がサステイン電極(Z)に供給される。また、前記サステイン駆動部124は、前記駆動制御部121の制御によって各サステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)を印加する。
また、前記サステインパルス制御部126は、各サブフィールドにマッピングされたデータの階調値によって前記駆動制御部121の制御信号に応答してサステイン期間に供給されるサステインパルスを調節する。すなわち、サステインパルスを複数のサブフィールドのサステイン期間の間に輝度加重値によって各スキャン電極(Y1ないしYn)または各サステイン電極(Z)に交番的に一対ずつ正数倍で供給する。この時、本発明のサステインパルス制御部126は、階調の表現力を高めるために一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で一つ以上のサブフィールドのサステイン期間で奇数個のサステインパルスが供給されるように制御する。このようなサステインパルス制御部126は、前記スキャン駆動部123またはサステイン駆動部124に内蔵されることもできる。
また、前記駆動制御部121は、垂直/水平同期信号とクロック信号の入力を受けてリセット期間、アドレス期間、サステイン期間で各駆動部(122、123、124)とサステインパルス制御部126の動作タイミングと同期化を制御するための各タイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ、CTRERS1)を発生して該各タイミング制御信号(CTRX、CTRY、CTRZ、CTRERS1)を該当の駆動部(122、123、124)とサステインパルス制御部126に供給することで、各駆動部及び制御部(122、123、124、126)を制御する。また、前記駆動制御部121は、リセット期間の間に上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)が各スキャン電極(Y1ないしYn)または各サステイン電極(Z)に印加されるように前記スキャン駆動部123またはサステイン駆動部124を制御する。また、前記駆動制御部121は、アドレス期間で各サステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を制御して制御されたバイアス電圧が各サステイン電極(Z)に印加されるように前記サステイン駆動部124を制御する。
すなわち、前記駆動制御部121は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を残りのサブフィールドの各アドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と相違にする。さらに好ましくは、前記駆動制御部121は、前記サステイン駆動部124を制御し、一つのフレームを構成する各サブフィールドの中の一つの低階調サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧より低くする。また、前記駆動制御部121は、各スキャン電極(Y)または各サステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部123またはサステイン駆動部124を制御する。以上のように、前記駆動制御部121は、必要によって上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)が各スキャン電極(Y1ないしYn)または各サステイン電極(Z)に印加されるように前記スキャン駆動部123または前記サステイン駆動部124を制御する。また、前記駆動制御部121は、階調の表現力を高めるために複数のサブフィールドの中で最小限一つ以上のサブフィールドのサステイン期間に奇数個のサステインパルスが供給される時、最後のサステインパルスが印加されない電極にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部123または前記サステイン駆動部124を制御する。
すなわち、前記駆動制御部121は、フレームを構成する各サブフィールドの中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を残りのサブフィールドの各アドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と相違にする。さらに好ましくは、前記駆動制御部121は、前記サステイン駆動部124を制御し、一つのフレームを構成する各サブフィールドの中の一つの低階調サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧より低くする。また、前記駆動制御部121は、各スキャン電極(Y)または各サステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部123またはサステイン駆動部124を制御する。以上のように、前記駆動制御部121は、必要によって上昇ランプパルス(Ramp-up)と下降ランプパルス(Ramp-down)が各スキャン電極(Y1ないしYn)または各サステイン電極(Z)に印加されるように前記スキャン駆動部123または前記サステイン駆動部124を制御する。また、前記駆動制御部121は、階調の表現力を高めるために複数のサブフィールドの中で最小限一つ以上のサブフィールドのサステイン期間に奇数個のサステインパルスが供給される時、最後のサステインパルスが印加されない電極にイレイズパルス(Verase)が印加されるように前記スキャン駆動部123または前記サステイン駆動部124を制御する。
すなわち、 駆動制御部121はフレームを構成するサブフィールド中の一つ以上のサブフィールドのアドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を、残りサブフィールドの各アドレス期間にサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と異なるようにする。 もっと望ましくは駆動制御部121は前述のサステイン駆動部124を制御して、一つのフレームを構成するサブフィールドの中で一つの低階調サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が残りサブフィールドたちのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧より低くする。また駆動制御部121はスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にイレイズパルス(Verase)が印加されるようにスキャン駆動部123 またはサステイン駆動部124を制御する。 以上のように駆動制御部121は必要によって上昇ランプパルス(Ramp−up)と下降ランプパルス(Ramp−down)がスキャン電極(Y1 乃至 Yn)またはサステイン電極(Z)に印加されるようにスキャン駆動部123 またはサステイン駆動部124を制御する。また、駆動制御部121は階調表現力を高めるために複数のサブフィールド中の一つ以上のサブフィールドの各サステイン期間に奇数個のサステインパルスが供給される時最後のサステインパルスが印加されない電極にイレイズパルス(Verase)が印加されるようにスキャン駆動部123 またはサステイン駆動部124を制御する。
一方、データ制御信号(CTRX)には、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、エネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。また、スキャン制御信号(CTRY)には、前記スキャン駆動部123内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれ、サステイン制御信号(CTRZ)には、前記サステイン駆動部124内のエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスィッチ制御信号が含まれる。
また、前記駆動電圧発生部125は、リセット電圧(Vreset)、スキャン共通電圧(Vscan-com)、スキャン電圧(-Vy)、サステイン電圧(Vs)、データ電圧(Vd)などを発生する。このような各駆動電圧は、放電ガスの組成や放電セルの構造によって変わることができる。
このような構造を持つ本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法について詳しく説明する。
<実施形態1>
図7は本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第1実施形態を説明するための駆動波形図である。
まず、本発明の第1実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法では、図7に示したように、一つのフレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む多数のサブフィールド(SF1、SF2、SF3、SF4、...)に時分割し、各サブフィールドは、それぞれ所定の輝度加重値を持つように設定される。これをより詳しく説明すると、次のとおりである。
(第1サブフィールド)
まず、第1サブフィールド(SF1)のリセット期間は、正極性の高いリセットパルスまたは所定傾斜度を持つランプ信号形態のセットアップ/セッダウンパルス(RST)がサステイン電極(Z)に供給されて全画面の各セル内にリセット放電を起こす。該リセット放電によって全画面の各セルは、均一に壁電荷が蓄積されるから、放電特性が均一になる。
アドレス期間では、アドレス電極(X)にデータパルス(data)が供給され、該データパルス(data)に同期されるようにスキャン電極(Y)に順次的に負極性スキャンパルス(Scan)が供給される。このスキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加されるセル内にはアドレス放電が発生される。
サステイン期間には、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極にもサステインパルスが印加されない。
消去期間には、イレイズパルス(erase)がスキャン電極(Y)に供給される。
(第2サブフィールド)
第2サブフィールド(SF2)のアドレス期間は、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。ただ、サステイン期間には、図示したように、スキャン電極(Y)または各サステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極のみに一つのサステインパルスが供給される。また、消去期間には、サステイン期間にサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極のみに供給される時、サステインパルスが供給されなかった各電極(YまたはZ)にランプ波形のようなイレイズパルス(erase)が供給される。
(第3サブフィールド)
第3サブフィールド(SF3)のアドレス期間は、第1サブフィールド(SF1)のアドレス期間と同一に成る。サステイン期間には、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)が交番的に供給され得るが、好ましくは、加重値増加によって高い階調を表現するためにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの数をもっとたくさん増やして印加する。ただ、この時にも、サステイン期間に印加されるサステインパルスの総数は、奇数個に印加されるように最後のサステインパルスは、スキャン電極またはサステイン電極の中で何れか一つの電極のみに供給される。
消去期間には、以前のサステイン期間の中で最後に印加されるサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中の何れか一つの電極に供給された時、サステインパルスが供給されなかった各電極(YまたはZ)にランプ波形のようなイレイズパルス(erase)が供給される。
(第4サブフィールド)
第4サブフィールド(SF4)のアドレス期間は、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、第3サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)の総数が奇数個分供給される。
消去期間も第3サブフィールドに印加されるイレイズパルスと同一であるから、これについての説明は省略する。
(第5、6、7、..サブフィールド)
第5、6、7、..サブフィールド(SF5、SF6、SF7、...)のアドレス期間は、図面には示していないが、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、従来と同様に、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対でサステインパルスが供給され得るが、第4サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルスの総数が奇数個分供給される。この時、消去期間には、サステイン電極(Z)にイレイズパルスが供給される。
一方、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第1駆動方法で加重値の手順による第1サブフィールドから第4サブフィールドまでのサステイン期間にサステインパルスの総数が奇数個分供給されるが、その中の何れか一つのサブフィールドのみでサステインパルスの総数が奇数個分供給されることができる。
このような本発明の第1実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、加重値が低い低階調サブフィールド(SF1〜SF4)だけでなく、全体サブフィールドの中の何れか一つのサブフィールドでサステインパルス個数の総数が奇数個分印加されると、サステインパルスによって発生された発光量を微細に制御し得ることで、階調の表現力を高めることができる。また、階調の表現力を高めるために、一番低い低階調サブフィールドのみでサステインパルスを奇数個分供給しなくてもどんな加重値を持つサブフィールドでもサステイン期間に奇数個のサステインパルスを印加することで、多様な方法で階調の表現力を向上し得るようになる。
<実施形態2>
図8は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第2実施形態を説明するための駆動波形図である。本発明に係るプラズマディスプレイ装置の第2駆動方法は、図8に示したように、図7のように一つのフレーム期間をリセット期間、アドレス期間及びサステイン期間をそれぞれ含む多数のサブフィールド(SF1、SF2、SF3、SF4、...)に時分割された各サブフィールドは、それぞれ所定の輝度加重値を持つように設定される。これについてより詳しく説明すると、次のとおりである。
(第1サブフィールド)
まず、第1サブフィールド(SF1)のリセット期間は、正極性の高いリセットパルスまたは所定傾斜度を持つランプ信号形態のセットアップ/セッダウンパルス(図示せず)がサステイン電極(Z)に供給されて全画面の各セル内にリセット放電を起こす。該リセット放電によって全画面の各セルは、均一に壁電荷が蓄積されるから、放電特性が均一になる。
アドレス期間では、アドレス電極(X)にデータパルス(data)が供給され、該データパルス(data)に同期されるように各スキャン電極(Y)に順次的に負極性スキャンパルス(Scan)が供給される。該スキャンパルスとデータパルスとの電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加わりながらデータパルスが印加されるセル内にはアドレス放電が発生される。
サステイン期間では、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極のみに一つのサステインパルスが供給される。
消去期間では、サステイン期間にサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極のみに供給される時、相対的にサステインパルスが供給されなかった電極(Y、Z)にランプパルスのようなイレイズパルス(erase)が供給される。
(第2サブフィールド)
第2サブフィールド(SF2)のアドレス期間は、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。サステイン期間では、スキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)が交番的に供給され得るが、好ましくは、加重値増加によって高い階調を表現するためにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの数をもっとたくさん増やして印加する。ただ、この時にも、サステイン期間に印加されるサステインパルスの総数が、奇数個分印加されるように最後のサステインパルスはスキャン電極またはサステイン電極の何れか一つの電極のみに供給される。
消去期間では、以前のサステイン期間の中で最後に印加されるサステインパルス(SUS)がスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極に供給された時、相対的にサステインパルスが供給されなかった電極(Y、Z)にランプパルスのようなイレイズパルス(erase)が供給される。
(第3、第4サブフィールド)
第3及び第4サブフィールド(SF3、SF4)のアドレス期間は、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、第2サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルス(SUS)の総数が奇数個に供給される。
消去期間も第2サブフィールドに印加されるイレイズパルスと同一であるから、これに対する説明は省省略する。
(第5、6、7、..サブフィールド)
第5、6、7、..サブフィールド(SF5、SF6、SF7、...)のアドレス期間は、図面には示していないが、第1サブフィールドのアドレス期間と同一に成る。また、サステイン期間には、従来と同様に、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対でサステインパルスが供給され得るが、第3及び第4サブフィールドのようにスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)にサステインパルスの総数が奇数個供給される。この時、消去期間には、サステイン電極(Z)にイレイズパルスが供給される。
このような本発明の第2実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、上述した本発明の第1実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法で第1サブフィールドで供給されるサステインパルスの有無に差があるが、奏される効果は、すべての実施形態のように加重値が低い低階調サブフィールド(SF1〜SF4)でサステインパルス個数の総数が奇数個に印加されてサステインパルスによって発生された発光量を微細に制御し得ることで、階調の表現力を高めることができる。
図9は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の画質改善を説明するための駆動波形図である。図10は、図9の駆動波形図を利用して1以下の低階調を具現する方法の一例を説明するための図である。図9に示したように、本発明の駆動方法によって低階調における画質をもっと改善するためにサステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を一つにした。
これによって、図10に示したように、図9の駆動波形によって具現される光が階調1を具現する光であると仮定すると、プラズマディスプレイパネル上で総数16個の放電セルから成る領域で0.25の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に0.25の階調を具現した。ここで、図9の駆動波形によって具現される光を階調1を具現する光であると仮定した理由は、説明の便宜のために、一つのサステインパルスが階調1を具現すると仮定したからである。すなわち、図9の駆動波形においては、一つのサステインパルスが供給されるから総1の階調を具現する。
この図10に示したように、オンされる一つの放電セルが1階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図10のように、プラズマディスプレイパネル上で総数16個の放電セルから成る領域で0.25の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に0.25の階調を具現する。例えば、符号800の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計三つの放電セルはオフさせて一つの放電セルをオンさせると、符号800の領域で発生する総光は、階調1を具現するための光になる。これによって、符号800の領域のそれぞれの放電セルは、0.25階調を具現すると見えるようになる。したがって、本発明の駆動方法は、図5に示された従来の方法に比べてより纎細な低階調の表現が可能で、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差が相対的に小くなるから、ハーフトーンノイズが少なく発生する。
<実施形態3>
図11は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第3実施形態を説明するための駆動波形図である。本発明の第3実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、図11に示したように、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドにおいては、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、前記低階調サブフィールドは、フレームのサブフィールドの中でサステイン期間で一対のサステインパルスがスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)に供給されるサブフィールドであることが好ましい。このような低階調サブフィールドは、図11に示したように、サステイン期間に一対のサステインパルスが供給されるサブフィールドに限定されることなく、奇数個のサステインパルスが供給されることもできる。これについて、次の実施形態を用いて説明する。
図11においては、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を二つにし、また、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)に供給されるサステインパルスを一つに設定し、サステイン電極(Z)に供給されるサステインパルスの個数をまた一つに設定する。
このように、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)を他の一般のサブフィールドより小さくすると、アドレス期間でスキャン電極(Y)に供給されるスキャンパルスとアドレス電極(X)に供給されるデータパルスの間で発生するアドレス放電を弱くなる。その理由は、アドレス期間でアドレス放電が発生する時点でスキャン電極に供給されるスキャンパルスとサステイン電極間の電位差を減らすことで、スキャン電極とアドレス電極の間で発生するアドレス放電に参与する壁電荷の数が減るからである。これによって、アドレス期間で発生する光の量が減少するようになる。
また、このようなアドレス期間で発生するアドレス放電が弱いから、放電セル内に積もる壁電荷の量も減少するようになる。これによって、以後にサステイン期間でサステインパルスによって発生する光の量も減少するようになる。結果的に、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)の大きさを減少させることで、従来の図3の場合に比べて一つの最低階調サブフィールドが発生させる光の量がもっと小さくなる。
一方、このような図11の場合に、階調の表現に影響を与え得る放電は、アドレス期間で発生するアドレス放電とサステイン期間で発生するサステイン放電である。このような放電によって発生した光が外部に発散されて階調を表現するようになるのである。すなわち、前記図11のような駆動波形における階調は、アドレス放電とサステイン放電によって発生される光によって決定される。このように階調に影響を与える放電について次の図12を用いて説明する。
図12は、図11の駆動波形で階調の表現に影響を与える放電を説明するための図である。図12に示したように、図11の駆動波形のA領域のアドレス期間では、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間でアドレス放電が発生し、図11の駆動波形のB領域のサステイン期間では、スキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間でサステイン放電が発生する。この図12を従来の図4と比べると、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間で発生するアドレス放電とスキャン電極(Y)とサステイン電極(Z)の間で発生するサステイン放電の強さがそれぞれもっと小さくなったことを確認することができる。このような図11の駆動波形ではリセット期間におけるリセット放電によっても放電が発生するが、プラズマディスプレイパネル上のすべての放電セル内でリセット放電が発生するから、このようなリセット放電によって発生する光は、階調の表現には影響を与えない。
このような図12のように、従来に比べてアドレス放電とサステイン放電の強さがそれぞれもっと小さくなったのは、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させたからである。このようなバイアス電圧(Vz)を図13を用いて説明すると、次のとおりである。
図13は、図11の駆動波形図において、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)に対してより詳しく説明するための図である。図13に示したように、本発明の駆動方法でアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)は、既存のバイアス電圧(Vz)よりは小さい。そして、下限臨界値は、アドレス期間でスキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間の壁電圧がアドレス放電に必要なアドレス放電開始電圧より低くならないようにする値である。その理由は、本発明において、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)が過度に小くなると、スキャン電極(Y)とアドレス電極(X)の間に積もる壁電荷が減少してアドレス放電が発生しなくなるからである。もう少し詳しく表現すると、このようなアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧(Vz)は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さい範囲を持つ。
ここで、前記低階調サブフィールドにおけるリセット期間は、図11のように、スキャン電極にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにすることが好ましい。
しかし、これとは異なって、前記低階調サブフィールドで発生する光の量を減らすために、リセットパルスで上昇ランプ(Ramp-Up)パルスを省略することも好ましい。例えば、低階調サブフィールドでリセット期間ではスキャン電極にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。この時、正極性電圧は、図11のサステイン電圧(Vs)であることが好ましい。
このように、低階調サブフィールドにおけるリセットパルスで上昇ランプを省略するようになると、低階調サブフィールドで発生する光の量をもっと減少させ得るようになって低階調の表現力がもっと上昇するようになる。
このような図11の駆動波形を利用して1以下の低階調、すなわち、小数階調を具現する方法の一例は、次の図14のとおりである。
図14は、図11の駆動波形で1以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図14に示したように、従来の図5に比べてアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、このような図14の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が図5に比べて小さい。例えば、図5における一つの放電セルが2の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図14においては、オンされる一つの放電セルは、2よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
このような図14でオンされる一つの放電セルが1階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図5のように、プラズマディスプレイパネル上で総数16個の放電セルから成る領域で0.5の階調を具現しようとする場合に、オフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に0.5の階調を具現する。
例えば、符号1300の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計二つの放電セルはオフさせて二つの放電セルをオンさせることで、符号1300の領域で発生する総光は、階調2を具現するための光になる。これによって符号1300の領域のそれぞれの放電セルは、0.5階調を具現すると見えるようになる。このような図13のパターンを図5と比べると、より細分化されたパターンを利用して同一な0.5の階調を具現し得るようになる。
すなわち、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差を減らし、また、所定の小数階調を具現するためのハーフトーンを遂行するためのプラズマディスプレイパネル上の単位領域の大きさが減少することで、より纎細な画質の具現が可能である。
これによって映像の境界部分で画質がにじむなどのハーフトーンノイズ(Halftone Noise)の発生が低減される。
また、低階調における画質をさらに改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させて、サステイン期間で供給されるサステインパルスの個数を奇数個にする方法に対して説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための第4実施形態のとおりである。
<実施形態4>
図15は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第4実施形態を説明するための駆動波形図である。図15に示したように、本発明の第4実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドではアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドのサステイン期間においては、前記本発明の第3実施形態とは異なって、スキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)に一対の正数倍に該当するサステインパルスが供給されるのではなく、奇数個のサステインパルスが供給される。好ましくは、低階調サブフィールドのサステイン期間でスキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給される。
この図15においては、サステイン期間に供給されるサステインパルスの個数を一つにし、また、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)に供給されるサステインパルスを一つに設定し、サステイン電極(Z)にはサステインパルスが供給されないように設定する。
このようにサステイン期間で供給されるサステインパルスの個数を一つにすると、前記駆動方法の第1実施形態に比べてサステイン期間で発生する光の量が減少するようになる。
このような図15の駆動波形を利用して1以下の低階調、すなわち、小数階調を具現する方法の一例について次の図16を用いて説明する。
図16は、図15の駆動波形で1以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図16に示したように、図14の第3実施形態よりアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、図15の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が第3実施形態による光の量より小さい。例えば、図14における一つの放電セルが1の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図16においては、オンされる一つの放電セルは、1よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
このような図16でオンされる一つの放電セルが0.5階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図15のように、プラズマディスプレイ装置上で総数16個の放電セルから成る領域で0.25の階調を具現しようとする場合にオフ(Off)される放電セル(C)とオン(On)される放電セル(D)の個数を調節して全体的に0.25の階調を具現する。
例えば、符号1500の領域のように、四つの放電セルから成る領域で計二つの放電セルはオフさせて二つの放電セルをオンさせることで、符号1500の領域で発生する総光は、階調1を具現するための光になる。これによって、符号1500の領域のそれぞれの放電セルは、0.25階調を具現すると見えるようになる。このような図15のパターンを従来の図8と比べると、より細分化されたパターンを利用して同一な0.25の階調を具現することができるようになる。
すなわち、オンされる放電セルとオフされる放電セルとの輝度差を減らし、また、所定の小数階調を具現するためのハーフトーンを遂行するためのプラズマディスプレイ装置上の単位領域の大きさが減少して映像の境界部分で画質がにじむなどのハーフトーンノイズ(Halftone Noise)の発生が低減される。これによってより纎細な画質の具現が可能である。
また、低階調における画質をもっと改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させて、サステイン期間でサステインパルスが供給されないようにする方法について説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための第5実施形態のとおりである。
<実施形態5>
図17は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第5実施形態を説明するための駆動波形図である。図17に示したように、本発明の第5実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドでは、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドは、前記本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第1実施形態及び第2実施形態とは異なって、フレームのサブフィールドの中でサステイン期間でスキャン電極(Y)及びサステイン電極(Z)の中で何れかの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドである。
図17においては、サステイン期間にサステインパルスの供給を遮断し、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給される正極性のバイアス電圧(Vz)を他のサブフィールドより小さくして最低階調を具現する。例えば、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧を他の一般のサブフィールドより小さくしながらスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないようにする。
このように、サステイン期間でサステインパルスの供給を遮断すると、前記駆動方法の第3実施形態及び第4実施形態に比べてサステイン期間で発生する光の量が減少するようになる。
図18は、図17の駆動波形で1以下の小数階調を具現する方法の一例を具現する方法を説明するための図である。図18に示したように、図16の第4実施形態に比べてアドレス放電及びサステイン放電がもっと弱く発生するから、図18の駆動波形によってオンされる放電セルが発生させる光の量が図16の第4実施形態より小さい。例えば、図16における一つの放電セルが0.5の階調を具現する光を発生させると仮定すると、図18においては、オンされる一つの放電セルは、0.5よりは小さい階調を具現する光を発生させる。
このような図18でオンされる一つの放電セルが0.25階調を具現する光を具現すると仮定する。このような場合に、図16のように、プラズマディスプレイパネル上で総数16個の放電セルから成る領域で0.25の階調を具現しようとする場合に、すべての放電セルをオンさせると、総数16個の放電セルから成る領域で0.25の階調を具現することができる。このような図18のパターンを同一な0.25の階調を具現するための図16のパターンと比べると、オフされる放電セルがないから、ハーフトーンノイズが発生しなくなる。
また、低階調における階調の表現能力をもっと改善するために、アドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧(Vz)を減少させるサブフィールドを一つのフレーム内で複数個が含まれるようにすることも可能であるが、これについて説明すると、次の本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法を実現するための第6実施形態のとおりである。
<実施形態6>
図19は、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法の第6実施形態を説明するための駆動波形図である。図19に示したように、本発明の第6実施形態によるプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、フレームのサブフィールドの中で低階調サブフィールドにおいては、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他のサブフィールドよりもっと低くする。この時、バイアス電圧は、グラウンドレベル(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることが好ましい。また、低階調サブフィールドは、前記本発明に係るプラズマディスプレイパネルの駆動方法の第3実施形態、第4実施形態及び第5実施形態とは異なって、一つのフレーム内で複数個が含まれる。すなわち、前記第3、4、5実施形態においては、一つのフレーム内で一つずつの低階調サブフィールドが含まれる場合のみを図示して説明したが、この第6実施形態においては、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個である。ここで、前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドで、残りの低階調サブフィールドはサステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給されるサブフィールドである。
例えば、図19のように、一つのフレーム内に二つの低階調サブフィールドが含まれ、この時、複数の低階調サブフィールドの中の一つ、すなわち、第1サブフィールドは、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の何れか一つの電極にもサステインパルスが供給されないサブフィールドで、残りの低階調サブフィールド、すなわち、第2サブフィールドは、サステイン期間でスキャン電極(Y)またはサステイン電極(Z)の中で何れか一つの電極に一つのサステインパルスが供給されるサブフィールドである。
このように、一つのフレーム内に複数個の低階調サブフィールドを含ませる場合には、画像を具現する時、低階調における画質をさらに向上し得るようになる。
このように、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個含まれる場合には、複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上でアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと異なるのが好ましい。例えば、図19のように、低階調サブフィールドが二つ、すなわち、第1サブフィールドと第2サブフィールドが低階調サブフィールドである場合に、第1サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧と第2サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧との大きさはお互いに異なる。
ここで、さらに好ましくは、前記複数の低階調サブフィールドの中で第1低階調サブフィールドより階調加重値が高い第2低階調サブフィールドにおいて、アドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が第1低階調サブフィールドよりもっと大きくする。例えば、図19のように、第1サブフィールドと第2サブフィールドが低階調サブフィールドである場合、階調加重値がもっと低い第1サブフィールドのアドレス期間でサステイン電極(Z)に供給されるバイアス電圧が第2サブフィールドよりもっと小さい。このように複数の低階調サブフィールド内で階調加重値がもっと低い低階調サブフィールドにおけるアドレス期間でサステイン電極に供給されるバイアス電圧の大きさをもっと小さくする理由は、複数の低階調サブフィールドの中で階調加重値が低い低階調サブフィールドでアドレス放電をもっと弱くして低階調の表現力をもっと向上させるためである。
また、一つのフレーム内で低階調サブフィールドが複数個含まれる場合に、該複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上においては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。また、他の低階調サブフィールドにおいては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。ここで、前記正極性電圧は、サステイン電圧(Vs)であることが好ましい。
例えば、図19のように、第1サブフィールドと第2サブフィールドが低階調サブフィールドである場合に、第1サブフィールドのリセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で上昇ランプ(Ramp-Up)パルスが供給され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。また、第2サブフィールドにおいては、リセット期間でスキャン電極(Y)にセットアップ期間で正極性電圧が一定に維持され、セッダウン期間で下降ランプ(Ramp-Down)パルスが供給されるようにする。
Claims (23)
- スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、
前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、
前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 奇数個のサステインパルスが前記スキャン電極とサステイン電極に印加される前記少なくとも一つのサブフィールドは、加重値が一番低い第1番目のサブフィールドから第4番目のサブフィールドまでを含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記各スキャン電極または各サステイン電極の中の何れか一つの電極にサステインパルスが最後に印加される時、前記各スキャン電極または前記サステイン電極の中で前記サステインパルスが最後に印加されなかった何れか一つの電極に消去波形が印加されることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記複数個のサブフィールドは、サステインパルスが印加されなかったサブフィールドを含むことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極を駆動するためのスキャン駆動部と、
前記サステイン電極を駆動するためのサステイン駆動部と、
前記スキャン駆動部と前記サステイン駆動部を制御し、一つのフレームに含まれた複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで前記スキャン電極と前記サステイン電極に印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにするサステインパルス制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極及びサステイン電極が基板に配列されて形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極に印加された総サステインパルスの個数が奇数個を持つサブフィールドが一つのフレームを構成する複数個のサブフィールドの中で最小限一つ以上になるようにして駆動されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 複数個のサブフィールドを利用して画像を表現するプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
前記複数個のサブフィールドの中で少なくとも一つのサブフィールドで印加されるサステインパルスの個数が奇数個になるようにすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。 - スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
前記スキャン電極及びサステイン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上のサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧と相違にする駆動制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記駆動制御部は、
前記各サブフィールドの中で一つの低階調サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りの各サブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧より低くすることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記駆動制御部は、
前記一つの低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給される前記バイアス電圧をグラウンドレベルの電圧(GND)よりは大きく、サステイン電圧(Vs)よりは小さくすることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。 - 一対のサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。
- 一つのサステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給されることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。
- サステインパルスが前記低階調サブフィールドのサステイン期間で前記スキャン電極と前記サステイン電極に供給されないことを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記駆動制御部は、
前記低階調サブフィールドのリセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記駆動制御部は、
前記低階調サブフィールドにおいて、リセット期間で前記各スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項9記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記正極性電圧は、サステイン電圧であることを特徴とする請求項15記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記駆動制御部は、
前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上は、リセット期間で前記スキャン電極に上昇ランプパルスが供給された後、下降ランプパルスが供給されるようにし、
他の低階調サブフィールドのそれぞれのリセット期間で前記スキャン電極に正極性電圧が一定に維持された後、下降ランプパルスが供給されるようにすることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記複数の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各サステイン期間でサステインパルスが前記スキャン電極とサステイン電極に供給されることなく、
残りの低階調サブフィールドの各サステイン期間で一つのサステインパルスが前記スキャン電極または前記サステイン電極の中で何れか一つの電極に供給されることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記一つのフレームは、複数個の低階調サブフィールドを含み、
前記駆動制御部は、
前記複数個の低階調サブフィールドの中の一つ以上の各アドレス期間で前記各サステイン電極に供給されるバイアス電圧が他の低階調サブフィールドと相違にすることを特徴とする請求項8記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記複数の低階調サブフィールドは、第1低階調サブフィールドと第2低階調サブフィールドを含み、
前記第2低階調サブフィールドの輝度加重値は、前記第1低階調サブフィールドの輝度加重値より大きく、
前記駆動制御部は、
前記第2低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が前記第1低階調サブフィールドのアドレス期間に前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと大きくすることを特徴とする請求項19記載のプラズマディスプレイ装置。 - スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルを駆動させるためのプラズマディスプレイパネルの駆動装置において、
前記スキャン電極及び前記サステイン電極を駆動するための駆動部と、
該駆動部を制御し、フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドのアドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くする駆動制御部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動装置。 - スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルの駆動方法において、
フレームを構成する各サブフィールドの中で一つ以上の低階調サブフィールドの各アドレス期間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧が残りのサブフィールドの各アドレス区間で前記サステイン電極に供給されるバイアス電圧よりもっと低いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
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