JP2006292327A - 乾燥装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に塗布されたペーストから溶剤成分を蒸発させる乾燥するに際して、大版の基板の基板端部と基板中央部との温度差を小さくして、基板の面内の蒸発速度を均一に乾燥し得る乾燥装置を提供する。
【解決手段】大版の基板２０に塗布された厚膜ペーストの塗布膜を乾燥する乾燥装置２５であって、加熱部２６とペーストが塗布された基板２０を搬送する搬送部２７とを備え、加熱部２６は複数の遠赤外線放射体のヒータユニットにより構成された基板２０の少なくとも上面と下面とに配置された上ヒータ３０と下ヒータ３１とを設けて、大版の基板２０を構成する複数の領域に、上ヒータ３０と下ヒータ３１の遠赤外線放射体からの遠赤外線放射強度を個別に制御して加熱乾燥する。
【選択図】図６

Description

本発明は、基板に塗布されたペーストから溶剤成分を蒸発させる乾燥装置に関し、特に大版のガラス基板などに塗布されたペーストを乾燥させるための乾燥装置に関する。

基板が大版のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）などの電子デバイスにおいては、ガラスなどの無機材料基板上に、金属材料や無機材料よりなる構成要素が所定パターンで形成されている。例えば、ＰＤＰにおいては、ガラス基板上に放電空間を形成し、放電空間を区画するための隔壁や、電極、蛍光体層などが設けられている。また、厚膜配線基板や電子デバイス用基板などにおいては、導体配線や絶縁膜、抵抗体などが設けられている。これらの構成要素は、無機材料や金属材料粒子に有機材料や有機溶媒を混合させたペーストを厚膜印刷などによって塗布膜として基板上に形成し、この塗布膜を乾燥した後にパターン形成して設けられている。

このような大版の基板に塗布された塗布膜を乾燥する乾燥装置として、炉壁により囲まれたトンネル炉内に遠赤外線を放射するヒータを塗布膜上面に対向して設け、トンネル炉内を搬送させながら乾燥させる乾燥装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−８２５８３号公報

しかしながら、このような従来の乾燥装置では、塗布膜上面、すなわち基板上部に設けられたヒータによってトンネル炉を構成する炉壁が加熱されて、その炉壁からの輻射熱によって基板の端部が加熱される。その結果、基板の端部温度が制御できないほどに加熱されて上昇し、基板面内の温度分布が不均一になるといった課題を有していた。また、このような乾燥装置で基板を搬送させながら乾燥する場合には、基板搬送方向の上流側と下流側の基板端部でも温度が上昇し、基板面内の不均一温度分布をさらに悪化させ、特に大型基板になるほどその不均一度合いが大きくなるといった課題を有していた。

このように、基板中央部に比べて基板端部の温度が高くなると、基板周縁部の有機溶媒の蒸発が先に進行し、塗布膜の面内方向に蒸発速度差が発生するという問題が生じる。塗布膜の蒸発速度の違いは、塗布膜の面方向、および厚み方向に厚膜構成要素の拡散や対流を生じさせ、乾燥後の塗布膜に材料成分の濃度分布を生じさせる。これらの結果、乾燥後の塗布膜にパターン形成を行う際などに、面方向および厚み方向にパターン形成の不均一性が発生し、結果として構成要素の寸法精度が悪化するという課題を有している。

本発明は、大版の基板に形成された塗布膜を乾燥する際に、基板端部と基板中央部とのの温度差を緩和して、基板面内での温度分布を均一にする乾燥装置を提供することを目的としている。

上記目的を実現するために、本発明の乾燥装置は、基板上に塗布されたペーストを乾燥する乾燥装置であって、ペーストが塗布された基板を搬送する搬送手段を備え、少なくとも２つ以上のヒータユニットにより構成したヒータを搬送手段に載置された基板の少なくとも上面と下面とに配置している。

このような構成によれば、基板が大版の場合でも、それぞれのヒータユニットが制御可能な状態で基板端部と基板中央部との温度差を小さくすることができ、基板を均一に加熱乾燥することができる。

さらに、ヒータユニットは遠赤外線放射体を備え、遠赤外線放射体からの遠赤外線放射強度をヒータユニット毎に個別に制御することが望ましい。このような構成にすれば、ヒータユニットの遠赤外線放射体の放射強度を個別に制御することにより、大版の基板を構成する複数の領域毎に各々の温度上昇特性に応じて遠赤外線を放射することができ、大版の基板を均一に加熱乾燥することが可能となる。

さらに、搬送手段がローラーハース式の搬送手段であり、基板を連続搬送させてもよい。

このような構成によれば、基板の下面からの加熱が容易になり、連続搬送状態においても基板端部と基板中央部との温度差を小さくすることができる。

本発明の乾燥装置によれば、基板が大版の場合でも、それぞれのヒータユニットが制御可能な状態で基板端部と基板中央部との温度差を小さくすることができ、基板を均一に加熱乾燥することができる。

以下、本発明の乾燥装置について図面を用いて説明する。なお、本実施の形態では、大版の基板としてＰＤＰを取り上げ、ＰＤＰ構造物をガラス基板に形成する際の乾燥装置について説明する。

まず、ＰＤＰの構成について述べる。図１は面放電型ＰＤＰの構成を示す斜視図である。ＰＤＰは前面パネル５と背面パネル１０とにより構成されている。前面パネル５は、ガラス基板１の片面にストライプ状に形成された表示電極対２と、表示電極対２を覆う誘電体膜３と、誘電体膜３上に設けた保護膜４とを備えている。背面パネル１０は、ガラス基板６の片面にストライプ状に形成されたデータ電極７と、データ電極７を覆う下地誘電体膜８と、下地誘電体膜８上に設けた放電空間を区画するストライプ状の隔壁９と、隔壁９間の溝に塗布された蛍光体膜１１とを備えている。前面パネル５と背面パネル１０とを表示電極対２とデータ電極７とが対向するように配置され、隔壁９によって形成される放電空間に放電ガス（Ｎｅ−Ｘｅ系ガスやＨｅ−Ｘｅ系ガス）が充填されている。表示電極対２とデータ電極７は交差してその交差部が放電セルになる。つまり、放電セルはマトリックス状に配列され、赤色、緑色、青色の蛍光体膜１１を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。

これらのＰＤＰを構成する構成物は以下のようにして製造される。一例として、前面パネル５の誘電体膜３について説明する。誘電体膜３は厚膜プロセスを用いて形成される。厚膜プロセスでは、厚膜形成用のペーストをスクリーン印刷法やダイコート法などによって基板上に塗布して塗布膜を形成する。厚膜ペーストは、誘電体膜３を構成するガラス材料などの無機材料と、エチルセルロースやアクリルなどの熱分解性のよい樹脂成分と、塗布に適した所定の粘性を与えるためのテルピネオールやカルビトールアセテートなどの有機溶媒とを分散して混合している。誘電体膜３を形成する厚膜プロセスとしては、表示電極対２が形成されたガラス基板１上に表示電極対２を覆うようにペーストを塗布する。その後、ペースト中に含まれる有機溶媒を予め除去する乾燥処理が行われる。その後、所定のパターンを形成するパターン形成処理を行い、最後に樹脂成分を焼失させ、ガラス材料などを固化させる焼成処理によって完成する。したがって、乾燥処理はその後の露光処理、現像処理などのパターンニング処理の精度を高め、さらに焼成処理の際に焼成炉の溶媒蒸気濃度が高まることを防止するなど厚膜プロセスにとっては重要な処理プロセスである。

ガラス基板に塗布された塗布膜形状は、ペーストの乾燥処理の過程における有機溶媒の蒸発速度によって影響を受ける。塗布膜形状への影響の度合いは、温度、蒸気濃度により変化する蒸気圧分布による影響が強い。そのため、乾燥処理の過程においてガラス基板の面内で大きな温度分布、および大きな蒸気濃度分布が生じると塗布膜の厚みに不均一が生じる。特にＰＤＰのような大型画面サイズの表示装置として、その基板サイズが大型化するとその不均一性が顕著になる。したがって、乾燥処理は、ガラス基板の面内の温度分布と蒸気濃度分布を均一に保ちつつ実施されることが望まれる。

図２は、従来の乾燥装置における基板とヒータユニットの構成を模式的に示す斜視図である。図２に示すように、ガラス基板上に塗布膜が形成された基板２０の上面に、遠赤外線放射体のヒータユニット２１を複数個マトリックス状に配置することによって構成されたヒータ２２が設けられている。また、基板２０の下部には乾燥装置本体の筐体の一部に相当する床板２３が配置されている。ヒータユニット２１は複数のヒータユニット２１でブロックを構成し、それらのブロックによって基板２０の区分けされた領域を個別に制御して加熱するように構成されている。実際の乾燥装置はトンネル炉型であり、これらのヒータ２２、基板２０などがトンネル炉内に配置され、基板２０が図２の矢印Ｆの方向に間欠的または連続的に搬送されて、その上面に複数設けたヒータ２２によって加熱され塗布膜中の有機溶媒成分を蒸発させている。

図３は、従来の乾燥装置において基板２０が受ける熱の状況を模式的に示す図である。図３（ａ）は基板２０の進行方向と直角な方向の断面である図２におけるＡ―Ａ線断面図であり、図３（ｂ）は基板２０の搬送方向と平行な方向の断面である図２におけるＢ―Ｂ線断面図である。なお、ここでは基板２０は輻射エネルギのみによって加熱されるとし、対流や熱伝導の影響は小さいとして説明する。また、図２に示すように、基板２０の各領域を中央部２０ｃ、幅方向の端部２０ｓ、搬送方向の下流側の端部２０ｆと上流側の端部２０ｒとして示す。さらに、図４は、乾燥処理工程での基板の搬送方向と直角な方向の基板２０の温度分布を示す図であり、図５は連続搬送の乾燥処理工程での搬送方向と平行な方向の基板２０の温度分布を示す図である。

図３に示すように、基板２０に入射する輻射エネルギをα、β、γ、δで示す。ここで、輻射エネルギαはヒータ２２から直接受ける輻射エネルギであり、輻射エネルギβは乾燥装置としてトンネル炉を構成する側壁２４がヒータ２２によって加熱された後に、その側壁２４から基板２０に入射する輻射エネルギである。さらに、輻射エネルギγは、側壁２４の受けた熱が床板２３を加熱し、その床板２３から基板２０の下面に入射する輻射エネルギである。また、輻射エネルギδは、ヒータ２２によって床板２３が直接加熱され、床板２３から基板２０の下面に直接入射する輻射エネルギである。

図３（ａ）に示す基板２０の進行方向と直角な方向の断面であるＡ―Ａ線断面図においては、基板２０にはヒータユニット２１からの輻射エネルギαが、基板２０の上面と端部２０ｓの基板厚み領域Ｂとに入射する。さらに、端部２０ｓには、側壁２４からの反射エネルギとなる輻射エネルギβと、床板２３からの輻射エネルギγとが入射する。

したがって、基板２０の中央部２０ｃの任意の単位面積Ａに入射する輻射熱はＡ×αとなる。一方、基板２０の端部２０ｓに入射する輻射熱は（Ａ×α）＋（Ｂ×α）＋（Ａ×β）＋（Ｂ×β）＋（Ａ×γ）となる。したがって、基板２０の中央部２０ｃよりも端部２０ｓの温度が高くなる。その結果、図４の乾燥処理工程での進行方向と直角な方向の基板２０の温度分布の破線Ｃに示すように、基板２０の端部２０ｓの温度が中央部２０ｃの温度よりも高く、さらに端面に行くにしたがって高くなる。

一方、図３（ｂ）に示す基板２０の搬送方向と平行な方向の乾燥装置の断面であるＢ―Ｂ線断面図においては、基板２０にはヒータユニット２１からの輻射エネルギαが、上面と端部２０ｆの基板厚み領域Ｂとに入射する。さらに、端部２０ｆには、床板２３からの反射エネルギとなる輻射エネルギδが入射する。

したがって、基板２０の中央部２０ｃの任意の単位面積Ａに入射する輻射熱はＡ×αとなる。一方、基板２０の端部２０ｆに入射する輻射熱は（Ａ×α）＋（Ｂ×α）＋（Ａ×δ）＋（Ｂ×δ）となる。したがって、基板２０の中央部２０ｃよりも端部２０ｆの温度が高くなる。その結果、図５の乾燥処理工程での進行方向と平行な方向の基板２０の温度分布の破線Ｄに示すように、基板２０の端部２０ｆの温度が中央部２０ｃの温度よりも高く、さらに端面に行くにしたがって高くなる。さらに、基板２０を連続搬送する場合には、基板２０の搬送に伴い、トンネル炉内の昇温域では、搬送方向Ｆの搬送下流側の端部２０ｆの温度が高く、搬送上流側の端部２０ｒが低くなる。これらの結果、図５の破線Ｄに示すように搬送方向下流側の温度が高い温度分布となる。

したがって、図４、図５の結果から、従来の基板２０の上面のみにヒータ２２を設けた例では、基板２０のトンネル炉の側壁２４に隣接する端部２０ｓと、搬送方向の下流部の端部２０ｆと上流部の端部２０ｒとが、中央部２０ｃ領域よりも基板温度が高い状態で加熱されることになる。さらに、基板２０の搬送方向では、トンネル炉の昇温領域の区間では搬送方向の下流側が上流側よりも温度が高くなる。

このような、基板２０の上面のみにヒータ２２を設けた例では、乾燥処理工程の基板温度の上限値と下限値とを設定し、ヒータユニット２１を個別に制御しても制御不可能の状態となり、許容上限温度を超える温度分布となるものであった。

このように、乾燥処理工程において、基板に温度分布が生じると、塗布膜の面方向および厚み方向に無機材料などの拡散や対流が生じ、乾燥された塗布膜に無機材料や樹脂成分の不均一性が生じる。

本発明は基板の温度分布を均一にすることを目的に、基板の上面と下面とにヒータを配置し、端部の影響を低減しようとするものである。

図６は、本発明の実施の形態における乾燥装置を示す図であり、乾燥装置を側面から見た断面図である。図６において図２、図３と同じ構成要素については同じ符号を用いて説明を省略する。

図６に示すように、乾燥装置２５は、トンネル炉を形成する加熱部２６と搬送部２７とを備えている。乾燥装置２５は、例えば、ガラスやセラミックスなどから構成される、例えば２４００ｍｍ×２０００ｍｍ程度の大版の基板２０に塗布された厚膜ペーストを乾燥する目的で用いられるものである。基板２０は、搬送部２７によって図面の左方から右方の矢印Ｆに連続的、あるいは間欠的搬送される。その過程において、基板２０が加熱部２６によって所定温度に加熱され、基板２０上に形成された塗布膜を乾燥する。

加熱部２６には、基板２０から、例えば２００ｍｍ程度の所定距離を隔て、基板２０と平行となるように、基板２０の上面のトンネル炉室２８内に備えた遠赤外線を放射する、例えば３つの上ヒータ３０ａ、３０ｂ、３０ｃ（以下、特に区別しないときは単に上ヒータ３０という）が設けられている。また、基板２０から、例えば２００ｍｍ程度の所定距離を隔て、且つ、搬送部２７のローラ２９を隔てて基板２０と平行となるように、基板２０の下面のトンネル炉室２８内に備えた遠赤外線を放射する、例えば３つの下ヒータ３１ａ、３１ｂ、３１ｃ（以下、特に区別しないときは単に下ヒータ３１という）が設けられている。さらに、上ヒータ３０ａ、３０ｂ、３０ｃの上側にはトンネル炉室２８内に冷気あるいは熱気を供給するための給気ユニット４０ａ、４０ｂ、４０ｃ（以下、特に区別しないときは単に給気ユニット４０という）が設けられている。

給気ユニット４０は、空気供給源（図示せず）に接続されているダクト４１と、そのダクト４１を介して供給される空気を必要に応じて加熱するための加熱ヒータ４２と、その空気から塵埃を除去するためのフィルタ４３と、体積流量を調整する流量調整弁４４（例えば、ダンパー）と、基板２０上の風速を均一化する流速調整板４５（例えば、パンチングメタル、ハニカム材、多孔質材）とをそれぞれ備えており、トンネル炉室２８内に清浄な空気を供給する。給気ユニット４０の開口面積は、乾燥装置２５内で乾燥される最大の基板（例えば２４００ｍｍ×２０００ｍｍ×２．８ｍｍ程度）よりも各辺で２５０ｍｍ程度以上大きな面積となるように設定されている。

給気ユニット４０は、図６に示されるように上ヒータ３０の背面に向かって空気を供給するように配置されている。供給された空気は、上ヒータ３０を構成するマトリックス状に配置された複数の遠赤外線放射体のヒータユニット２１の相互間の隙間を通って、上ヒータ３０の下面に位置する基板２０の中央に吹き付けられる。供給された空気は基板２０の中央部から端部へ流れ、その後基板２０とトンネル炉を構成する筺体との間隙、および下ヒータ３１とトンネル炉を構成する筺体との間隙とを通過する。その後、下ヒータ３１を構成するマトリックス状に複数の遠赤外線放射体のヒータユニット２１の相互間の隙間を通って、トンネル炉室２８の床板２３に流れる。その後、床板２３に設けられている排気口３７とそれに続く排気管３８を介して外部に排出される。

搬送部２７は、基板２０を載置し搬送するローラ２９を備えたローラーハースによる搬送方式を用いている。ローラーハースは下ヒータ３１からの輻射エネルギをローラ２９の間隙を通して基板２０に与えることができる。なお、ウォーキングビーム方式でも、基板２０へ下ヒータ３１から輻射エネルギを与えることができれば搬送方式として採用することは可能である。

図７は本発明の実施の形態における乾燥装置の、基板とヒータユニットとの構成を示す斜視図である。図７に示すように、基板２０を挟んで上面に上ヒータ３０と下面に下ヒータ３１とが対面するように設置されている。上ヒータ３０と下ヒータ３１は遠赤外線放射体の複数個のヒータユニット２１により構成されている。隣接する複数のヒータユニット２１を組み合わせてブロックを構成し、これらのブロックを基板２０を区画した領域に対応させ、ブロックのヒータユニット２１を個別に制御して加熱するように構成されている。複数のヒータユニット２１によって構成される上ヒータ３０および下ヒータ３１の面積は、乾燥装置２５内で乾燥される最大の基板（例えば２４００ｍｍ×２０００ｍｍ程度）よりも大きな面積となるように設定されて取り付けられている。

また、基板２０はトンネル炉室２８内を矢印Ｆ方向に搬送されながら加熱されている。なお、トンネル炉室２８内をゾーン３５ａ、３５ｂ、３５ｃの３つの領域に区画し、それぞれ昇温領域、保持領域、降温領域の各温度領域に区画しているが、ゾーン数を任意に設定することが可能である。したがって、各ゾーンにおいて上ヒータ３０が各ゾーン３５ａ、３５ｂ、３５ｃの上部に、下ヒータ３１が各ゾーンの下部に設けられている。ヒータユニット２１は遠赤外線を放射して、それぞれの昇温領域、保持領域、降温領域の各温度領域に対応して、１００℃〜１８０℃の範囲の基板温度が得られるように、搬送方向、および搬送方向に直角な方向にそれぞれ異なる温度に設定される。また、個々のヒータユニット２１は支持部材（図示せず）により、１０ｍｍ程度の隙間が設けられて配列されている。

図８は本発明の実施の形態における乾燥装置において、基板２０が受ける熱の状況を模式的に示す図である。図８（ａ）は基板２０の進行方向と直角な方向の断面である図７におけるＥ―Ｅ線断面図であり、図８（ｂ）は基板２０の搬送方向と平行な方向の断面である図７におけるＧ―Ｇ線断面図である。なお、基板２０は輻射エネルギのみによって加熱されて対流や熱伝導の影響は小さいとして説明する。

また、図８において、基板２０に入射する輻射エネルギをα、β、ζ、ηで示す。ここで、輻射エネルギαは上ヒータ３０から直接受ける輻射エネルギであり、輻射エネルギβは乾燥装置２５を構成する側壁２４が上ヒータ３０によって加熱された後に、その側壁２４から基板２０に入射する輻射エネルギである。さらに、輻射エネルギζは下ヒータ３１から直接受ける輻射エネルギであり、輻射エネルギηは乾燥装置２５を構成する側壁２４が下ヒータ３１によって加熱された後に、その側壁２４から基板２０に入射する輻射エネルギである。

図８（ａ）に示す基板２０の進行方向と直角な方向のＥ―Ｅ線断面においては、基板２０には、上ヒータ３０のヒータユニット２１からの輻射エネルギαが基板２０の上面に、下ヒータ３１のヒータユニット２１からの輻射エネルギζが基板２０の下面に入射し、さらに輻射エネルギα、ζが基板２０の端部２０ｓの基板厚み領域Ｂに入射する。さらに、端部２０ｓには、側壁２４を反射するエネルギとなる輻射エネルギβと輻射エネルギηとが入射する。したがって、基板２０の中央部２０ｃの任意の単位面積Ａに入射する輻射熱は（Ａ×α）＋（Ａ×ζ）となる。一方、基板２０の端部２０ｓの輻射熱は（Ａ×α）+（Ｂ×α）+（Ａ×ζ）+（Ｂ×ζ）となる。したがって、基板２０の中央部２０ｃで低く基板２０の端部２０ｓで高く上昇する。

一方、図８（ｂ）に示す基板２０の搬送方向と平行な方向の乾燥装置２５の断面であるＧ―Ｇ線断面においては、基板２０には、上ヒータ３０のヒータユニット２１からの輻射エネルギαが基板２０の上面に、下ヒータ３１のヒータユニット２１からの輻射エネルギζが基板２０の下面に入射し、さらに輻射エネルギα、ζが基板２０の端部２０ｆの基板厚み領域Ｂに入射する。したがって、基板２０の中央部２０ｃの任意の単位面積Ａに入射する輻射熱は（Ａ×α）＋（Ａ×ζ）となる。一方、基板２０の端部２０ｆの輻射熱は（Ａ×α）+（Ｂ×α）+（Ａ×ζ）+（Ｂ×ζ）となる。したがって、基板２０の中央部２０ｃで低く基板２０の端部２０ｆで高く上昇する。

ここで、本発明の実施の形態と前述のヒータが基板の上面にしかない場合との比較について説明する。基板２０の搬送方向と直角な方向の端部２０ｓと中央部２０ｃとが受ける熱エネルギの比は、従来例では〔（Ａ＋Ｂ）×α＋（Ａ＋Ｂ）×δ〕÷（Ａ×α）であり、本発明の実施の形態では〔（Ａ＋Ｂ）×α＋（Ａ＋Ｂ）×ζ〕÷（Ａ×α＋Ａ×ζ）である。また、基板２０の搬送方向と平行な方向の端部２０ｆあるいは端部２０ｒと中央部２０ｃとが受ける熱エネルギの比は、従来例では〔（Ａ＋Ｂ）×α＋（Ａ＋Ｂ）×δ〕÷（Ａ×α）であり、本発明の実施の形態では〔（Ａ＋Ｂ）×α＋（Ａ＋Ｂ）×ζ〕÷（Ａ×α＋Ａ×ζ）である。したがって、いずれにおいても本発明の実施の形態では、基板２０の中央部２０ｃと端部２０ｓ、２０ｒ、２０ｆとの比を小さくでき、結果として基板温度を同一に設定した場合に、基板の端部の温度上昇を小さくすることができる。

したがって、図４の実線Ｈに示すように、基板２０の端部２０ｓの温度を従来例と比較して低くすることができ、さらに中央部２０ｃの温度が若干高くなる。

また、図５の搬送方向の温度分布でも、実線Ｊに示すように従来例と比較して基板２０の中央部２０ｃで温度が若干高くなり、端部２０ｆおよび端部２０ｒで温度上昇が軽減できている。

この結果、実線Ｈおよび実線Ｊに示す温度は、各ヒータユニット２１によって制御が可能な温度範囲のＴｍａｘとＴｍｉｎの温度範囲内となり、遠赤外線放射体のヒータユニット２１の温度制御によって、さらに温度分布を均一に制御することが可能となる。したがって、基板２０の中央部２０ｃの領域に対応するヒータユニット２１の遠赤外線放射のエネルギを高め、端部２０ｓ、２０ｆ、２０ｒの領域に対応するヒータユニットの遠赤外線放射のエネルギを低めて、さらに温度分布を均一にすることが可能となる。

本発明の実施の形態における乾燥装置によれば、従来例における基板２０の上部の片面のみにヒータを設置した場合に比べ、個々の遠赤外線放射体のヒータユニット２１の設定温度を、例えば１０℃〜５０℃程度低くすることができる。また、基板２０内の最高温度と最低温度との差ΔＴｎは最大５℃程度とすることが可能であり、従来例の場合の１０℃の半分程度とすることができる。

以上より明らかなように、基板の上面と下面とに上ヒータと下ヒータを配置することにより、基板の大版化に伴う熱容量の増加分を上面と下面のヒータで分担し、個々のヒータユニットの設定温度を低くすることができる。このため、大版基板の周縁部での温度上昇、あるいは、大版基板の中央部での温度低下を軽減することができる。したがって、大版基板を均一に加熱することが可能となり、全領域において厚膜ペーストの均一な乾燥状態が得られる。

また、本発明は特に大型基板を多面取りする場合のように、処理する基板がさらに大版となる場合などに特に顕著な効果を発現して厚膜ペーストの均一な乾燥状態が得られる。

本発明は、基板に塗布されたペーストから溶剤成分を蒸発させる乾燥装置として、特に大版のガラス基板などに塗布されたペーストを乾燥させるための乾燥装置に有用である。

面放電型ＰＤＰの構成を示す斜視図 従来の乾燥装置における基板とヒータユニットの構成を模式的に示す斜視図 従来の乾燥装置において基板が受ける熱の状況を模式的に示す図 乾燥処理工程での基板の搬送方向と直角な方向の基板の温度分布を示す図 連続搬送の乾燥処理工程での搬送方向と平行な方向の基板の温度分布を示す図 本発明の実施の形態における乾燥装置を示す図 本発明の実施の形態における乾燥装置の基板とヒータユニットとの構成を示す斜視図 本発明の実施の形態における乾燥装置において基板が受ける熱の状況を模式的に示す図

符号の説明

１，６ ガラス基板
２ 表示電極対
３ 誘電体膜
４ 保護膜
５ 前面パネル
７ データ電極
８ 下地誘電体膜
９ 隔壁
１０ 背面パネル
１１ 蛍光体膜
２０ 基板
２０ｃ 中央部
２０ｆ，２０ｒ，２０ｓ 端部
２１ ヒータユニット
２２ ヒータ
２３ 床板
２４ 側壁
２５ 乾燥装置
２６ 加熱部
２７ 搬送部
２８ トンネル炉室
２９ ローラ
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ 上ヒータ
３１，３１ａ，３１ｂ，３１ｃ 下ヒータ
３５ａ，３５ｂ，３５ｃ ゾーン
３７ 排気口
３８ 排気管
４０，４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 給気ユニット
４１ ダクト
４２ 加熱ヒータ
４３ フィルタ
４４ 流量調整弁
４５ 流速調整板

Claims (3)

1. 基板上に塗布されたペーストを乾燥する乾燥装置であって、
   前記ペーストが塗布された前記基板を搬送する搬送手段を備え、少なくとも２つ以上のヒータユニットにより構成したヒータを前記搬送手段に載置された前記基板の少なくとも上面と下面とに配置したことを特徴とする乾燥装置。
2. 前記ヒータユニットは遠赤外線放射体を備え、前記遠赤外線放射体からの遠赤外線放射強度を前記ヒータユニット毎に個別に制御することを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
3. 前記搬送手段がローラーハース式の搬送手段であることを特徴とする請求項１または２に記載の乾燥装置。

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