JP2006289252A - 塗布方法及び塗布装置、並びにフォトマスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 塗布システム30のノズル82の先端開口部に到った塗布液を基板28の被塗布面28Aに接液させ、基板とノズルを相対的に走査させることにより、被塗布面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布装置10を用いた塗布方法において、上記基板と上記ノズルの相対的な走査速度を、上記基板の上記被塗布面における上記基板と上記ノズルの相対的な走査方向に沿う各塗布領域毎に、基板とノズルとを相対的に走査させる際の走査速度と塗布された膜厚との相関関係と、先に形成された塗布膜の走査方向に沿う各塗布領域毎の膜厚データとに基づき、上記各塗布領域毎に形成される塗布膜の膜厚が所定範囲となるように変更して補正し、この補正した走査速度を用いて上記塗布液を塗布するものである。
【選択図】 図1
Description
そこで、近年におけるパターンの高精度化や、基板サイズの大型化にともない、大型基板に均一なレジスト膜を塗布する技術の開発が望まれていた。
このCAPコータは、塗布液が溜められた液槽に毛管状隙間を有するノズルを沈めておき、被塗布面が下方を向いた姿勢で保持されている基板の当該被塗布面近傍までノズルを上昇させて、このノズルの毛管状隙間から毛管現象を利用して塗布液を上昇させ、ノズルの先端開口部に到達した塗布液を上記被塗布面に接液し、次いで、ノズルを被塗布面に渡って相対的に走査することにより、当該被塗布面に塗布液を塗布して塗布膜を形成するものである。
[A]第1の実施の形態(図1〜図7)
ΔD=K・ΔS(図6参照)
を有することから、制御装置11は、この一次近次式の相関係数K(定数)をあらかじめ統計的に求めておく(ST2)。
ΔD=Do−Dave
次に、制御装置11は、各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5毎に、上記相関係数Kを用いて走査速度の速度差ΔS(Xave、Yn)を次式の如く算出する。
ΔS=(Do−Dave)/K
更に、制御装置11は、上記速度差ΔSを用いて、基板28の走査速度を補正する補正走査速度S(Xave、Yn)を、各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5毎に次式の如く算出する(ST3)。
S=So+ΔS
=So+(Do−Dave)/K
(1)制御装置11が、基板28の被塗布面28Aに塗布液を塗布するための基板28の走査速度を、塗布膜101の各測定点103における膜厚実測データ、及び塗布膜の膜厚と基板の走査速度との関係データ(膜厚‐走査速度データ;図6参照)とに基づき、基板28の被塗布面28Aにおける各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5毎に変更して補正し、この補正走査速度を用いて各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5に塗布液を塗布させる。この補正走査速度は、基板28の被塗布面28Aにおける各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5に形成される塗布膜101の膜厚が所定範囲の値となるように、各塗布領域Y1、Y2、Y3、Y4、Y5毎に設定したものであることから、基板28の被塗布面28Aに形成される塗布膜101の、基板28の走査方向Mに沿う膜厚ムラ(ばらつき)を抑制でき、塗布膜101の膜厚を均一化できる。
図8は、本発明に係る塗布装置における第2の実施の形態において、制御装置が実施する、移動テーブルによる基板の走査速度設定手順を示すフローチャートである。この第2の実施の形態において、前記第1の実施の形態と同様な部分は、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
ΔD=K・ΔS
を有することから、制御装置11は、この一次近似式の相関係数K(定数)をあらかじめ統計的に求めておく(ST13)。
ΔD=Do−Dave
の如く算出し、当該塗布領域Y1において、基板28の走査速度の速度差ΔS(Xave、Y1)を、
ΔS=(Do−Dave)/K
として算出する。更に、制御装置11は、上記速度差ΔSを用いて、基板28の走査速度を補正する補正走査速度S(Xave、Y1)を、
S=So+ΔS
=So+(Do−Dave)/K
の如く算出する(ST14)。
例えば、上記実施の形態では、基板28に形成される塗布膜101の膜厚を均一にする場合を述べたが、この塗布膜101を、基板28の走査方向Mに沿って部分的または連続的に変化させるものでもよい。また、上記実施の形態では、移動テーブル16によって基板28を塗布システム30に対し走査するものを述べたが、塗布システム30のノズル82を基板28に対し走査させてもよい。
11 制御装置(制御手段)
13 メモリ(記憶手段)
16 移動フレーム(走査手段)
28 基板
28A 被塗布面
30 塗布システム
33 昇降機構部(接離手段)
66 液槽
82 ノズル
83 先端開口部
101 塗布膜
102 膜厚測定装置(測定手段)
103 測定点
112 膜厚測定装置
M 基板の走査方向
D 膜厚実測データ
Dave 膜厚平均データ
S 補正速度
Claims (10)
- ノズルを通過して先端開口部に到達した塗布液を基板の被塗布面に接液させ、上記基板と上記ノズルを相対的に走査させることにより、上記被塗布面に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布方法において、
上記基板と上記ノズルの相対的な走査速度を、上記基板の上記被塗布面における上記基板と上記ノズルの相対的な走査方向に沿う各塗布領域毎に適宜変更して補正し、この補正した走査速度を用いて上記塗布液を塗布することを特徴とする塗布方法。 - 上記補正した走査速度は、基板とノズルとを相対的に走査させる際の走査速度と塗布された膜厚との相関関係と、先に形成された塗布膜の走査方向に沿う各塗布領域毎の膜厚データとに基づき、上記各塗布領域毎に形成される塗布膜の膜厚が所定範囲となるように上記各塗布領域毎に設定したものであることを特徴とする請求項1に記載の塗布方法。
- 上記膜厚データは、他の基板に対して先に形成された塗布膜の膜厚データであることを特徴とする請求項2に記載の塗布方法。
- 上記膜厚データは、基板の被塗布面に塗布液を塗布している過程で、塗布直後の塗布領域において測定した塗布膜の膜厚データであり、
上記補正した走査速度を、上記膜厚データを測定した上記塗布領域に近接する次の塗布領域の塗布に適用したことを特徴とする請求項2に記載の塗布方法。 - 上記基板がフォトマスクブランクであり、塗布液がレジストであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の塗布方法。
- 先端開口部に連通する隙間を備え、塗布液を上記隙間を経て上記先端開口部へ導くノズルと、
このノズルの上記先端開口部を基板の被塗布面に対し接近または離反させて、上記先端開口部に到達した塗布液を上記被塗布面に接液可能とする接離手段と、
上記ノズルと上記基板とを上記被塗布面に平行な走査方向に相対的に走査させて、上記被塗布面に接液した上記先端開口部内の塗布液を当該被塗布面に塗布して塗布膜を形成可能とする走査手段と、
上記基板と上記ノズルの相対的な走査速度を、上記基板の上記被塗布面における上記基板と上記ノズルの相対的な走査方向に沿う各塗布領域毎に適宜変更して補正し、この補正した走査速度を用いて各塗布領域に塗布を実施させる制御手段と、を有することを特徴とする塗布装置。 - 先端開口部に連通する隙間を備え、塗布液を上記隙間を経て上記先端開口部へ導くノズルと、
このノズルの上記先端開口部を基板の被塗布面に対し接近または離反させて、上記先端開口部に到達した塗布液を上記被塗布面に接液可能とする接離手段と、
上記ノズルと上記基板とを上記被塗布面に平行な走査方向に相対的に走査させて、上記被塗布面に接液した上記先端開口部内の塗布液を当該被塗布面に塗布して塗布膜を形成可能とする走査手段と、
上記基板と上記ノズルとを相対的に走査させる際の走査速度と塗布された膜厚との相関関係を予め記憶する記憶手段と、
先に形成された上記塗布膜の、走査方向に沿う各塗布領域毎の膜厚を測定する測定手段と、
上記記憶手段に記憶された上記相関関係と、上記測定手段にて測定された上記各塗布領域毎の膜厚データとに基づき、上記各塗布領域毎に形成される上記塗布膜の膜厚が所定範囲となるように上記走査速度を上記塗布領域毎に補正し、この補正した走査速度を用いて各塗布領域に塗布を実施させる制御手段と、を有することを特徴とする塗布装置。 - 上記膜厚データは、他の基板に対して先に形成された塗布膜の膜厚データであることを特徴とする請求項7に記載の塗布装置。
- 上記膜厚データは、基板の被塗布面に塗布液を塗布している過程で、塗布直後の塗布領域において測定した塗布膜の膜厚データであり、
上記制御手段は、補正した走査速度を、上記膜厚データを測定した上記塗布領域に近接する次の塗布領域の塗布に適用して塗布を実施することを特徴とする請求項7に記載の塗布装置。 - 上記基板がフォトマスクブランクであり、塗布液がレジストであることを特徴とする請求項6乃至9のいずれかに記載の塗布装置。
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