JP2006287012A - ナノインプリント方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 転写すべきパターンに応じた凹凸が形成された基板41と基板41の凹凸上に積層させた金属性薄膜42とを有するモールド13を、レジスト膜22が表面に塗布された被加工材21へ押し付け、被加工材21の押し付け面に対する背面側から光を照射し、或いはモールド13の押し付け面に対する背面側から光を照射し、照射した光に基づいて発生させた近接場光によりレジスト膜22を感光させ、その後モールド13を被加工材21から剥離させる。
【選択図】図2
Description
11 光源
12 照明光学系
13 モールド
21 被加工材
22 レジスト膜
31 移動制御部
32 偏光板
41 基板
42 金属性薄膜
51 焦束レンズ
Claims (14)
- 被加工材に対してナノスケールのパターンを転写するナノインプリント方法において、
上記転写すべきパターンに応じた凹凸が形成された基板と当該基板の凹凸上に積層させた遮光性の薄膜とを有するモールドを、光硬化性樹脂が表面に塗布された上記被加工材へ押し付け、
上記被加工材の上記押し付け面に対する背面側から光を照射し、或いは上記モールドの上記押し付け面に対する背面側から光を照射し、
上記照射した光に基づいて発生させた近接場光により上記光硬化性樹脂を感光させ、
その後上記モールドを上記被加工材から剥離させること
を特徴とするナノインプリント方法。 - Alを含有する薄膜を当該基板の凹凸上に積層させたモールドを、上記被加工材へ押し付けること
を特徴とする請求項1記載のナノインプリント方法。 - 上記薄膜を当該基板の凹凸上に10〜40nmの膜厚で積層させたモールドを、上記被加工材へ押し付けること
を特徴とする請求項2記載のナノインプリント方法。 - 予め合成された金属あるいは半導体による微小球、又は金属あるいは半導体によるナノロッドを配列させてなる凹凸が形成された基板を有するモールドを、上記被加工材へ押し付けること
を特徴とする請求項1〜3のうち何れか1項記載のナノインプリント方法。 - 近接場光を発生させる領域に対応させて上記基板の凹部における積層形態が予め調整された薄膜を有するモールドを、上記被加工材へ押し付けること
を特徴とする請求項1〜4のうち何れか1項記載のナノインプリント方法。 - 上記光硬化性樹脂が感光しない波長の光を照射すること
を特徴とする請求項1〜5のうち何れか1項記載のナノインプリント方法。 - 近接場光を発生させる領域に対応させて偏光方向が予め調整された光を照射すること
を特徴とする請求項1〜6のうち何れか1項記載のナノインプリント方法。 - 被加工材に対してナノスケールのパターンを転写するナノインプリント装置において、
上記転写すべきパターンに応じた凹凸が形成された基板と当該基板の凹凸上に積層させた遮光性の薄膜とを有するモールドと、
少なくとも光硬化性樹脂が表面に塗布された上記被加工材へ上記モールドを押し付ける制御手段と、
上記被加工材の上記押し付け面に対する背面側から光を照射し、或いは上記モールドの上記押し付け面に対する背面側から光を照射する光照射手段とを備え、
上記制御手段は、上記光照射手段から照射された光に基づいて発生させた近接場光により上記光硬化性樹脂を感光させた後、上記モールドを上記被加工材から剥離させること
を特徴とするナノインプリント装置。 - 上記薄膜は、Alを含有すること
を特徴とする請求項8記載のナノインプリント装置。 - 上記薄膜は、10〜40nmの膜厚で積層されてなること
を特徴とする請求項9記載のナノインプリント装置。 - 上記基板は、予め合成された金属あるいは半導体による微小球、又は金属あるいは半導体によるナノロッドを配列させてなる凹凸が形成されていること
を特徴とする請求項8〜10のうち何れか1項記載のナノインプリント装置。 - 上記薄膜は、近接場光を発生させる領域に対応させて、上記基板における凹部の積層形態が予め調整されてなること
を特徴とする請求項8〜11のうち何れか1項記載のナノインプリント装置。 - 上記光照射手段は、上記光硬化性樹脂が感光しない波長の光を照射すること
を特徴とする請求項8〜12のうち何れか1項記載のナノインプリント装置。 - 上記光照射手段は、近接場光を発生させる領域に応じて偏光方向が予め調整された光を照射すること
を特徴とする請求項8〜13のうち何れか1項記載のナノインプリント装置。
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