JP2006286551A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 処理ガスを、略常圧の放電空間に通して吹出し口から吹出し被処理物に当てるプラズマ処理装置における処理能力を高める。
【解決手段】 プラズマ処理装置1は、放電空間を形成する一対の電極12,12を含むプラズマ生成ユニット10を備えている。このプラズマ生成ユニット10が、被処理物と対向すべき被処理物対向面を有し、この被処理物対向面に吹出し口10bが開口されている。被処理物対向面と被処理物との間に前記吹出し口10bからの処理ガスを流す処理通路10cが形成される。プラズマ生成ユニット10の被処理物対向面を前記処理通路10cの処理ガスの流れ方向に拡張させ、前記吹出し口10bから前記流れ方向に沿って前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを65mmより大きくする。
【選択図】 図1
【解決手段】 プラズマ処理装置1は、放電空間を形成する一対の電極12,12を含むプラズマ生成ユニット10を備えている。このプラズマ生成ユニット10が、被処理物と対向すべき被処理物対向面を有し、この被処理物対向面に吹出し口10bが開口されている。被処理物対向面と被処理物との間に前記吹出し口10bからの処理ガスを流す処理通路10cが形成される。プラズマ生成ユニット10の被処理物対向面を前記処理通路10cの処理ガスの流れ方向に拡張させ、前記吹出し口10bから前記流れ方向に沿って前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを65mmより大きくする。
【選択図】 図1
Description
この発明は、プラズマ処理装置に関し、特に、処理ガスを放電空間に通して吹出し、放電空間の外部に配置された被処理物に当てて洗浄等の表面処理を行なう、所謂リモート方式のプラズマ処理装置に関する。
例えば特許文献1には、リモート方式のプラズマ処理装置が記載されている。この種のプラズマ処理装置では、処理ガスを、電極間の放電空間でプラズマ化して吹出し、下方の被処理物に当てるようになっている。
特開平9−213497号公報
しかし、リモート方式は、被処理物を一対の電極間の放電空間に導入して処理を行なうダイレクト式と比べ処理能力が十分でない。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、
処理ガスを、略常圧の放電空間に通して吹出し口から吹出し被処理物に当てるプラズマ処理装置であって、
前記放電空間を形成する一対の電極を含み、前記被処理物と対向すべきプラズマ生成ユニットを備え、
このプラズマ生成ユニットの被処理物対向面が、前記吹出し口を有して、前記被処理物との間に前記吹出し口からの処理ガスを流す処理通路を形成するようになっており、
このプラズマ生成ユニットの被処理物対向面を前記処理通路の処理ガスの流れ方向に拡張させ、前記処理通路を延ばすことを特徴とする。すなわち、前記吹出し口から前記流れ方向に沿って前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを大きくすることを特徴とする。上記吹出し口から前記被処理物対向面の外端部までの距離Lは、少なくともL>65mmである。装置の設置スペース等から許容されるサイズを考慮するとL=300mm程度が上限と考えられ、したがって、好ましくは65mm<L≦300mmである。L=200mm程度までは処理能力が確認されており、したがって、より好ましくは65mm<L≦200mmである。更に好ましくは65mm<L≦150mmである。L=120mm程度が好適である。距離Lの設定範囲の下限を65mmより大きな90mm程度としてもよい。
これにより、放電空間から吹き出されたラジカル等の活性種を、被処理物対向面と被処理物の間の処理通路に十分長く留めさせ、効率良く十分に処理反応を起こさせて使い切ることができるとともに、外気が処理通路の奥深く侵入してくるのを抑制して活性種の失活を防止し延命を図ることができる。この結果、リモート式常圧プラズマ処理装置の処理能力を高めることができる。処理ガスの所要量を低減することもできる。
処理ガスを、略常圧の放電空間に通して吹出し口から吹出し被処理物に当てるプラズマ処理装置であって、
前記放電空間を形成する一対の電極を含み、前記被処理物と対向すべきプラズマ生成ユニットを備え、
このプラズマ生成ユニットの被処理物対向面が、前記吹出し口を有して、前記被処理物との間に前記吹出し口からの処理ガスを流す処理通路を形成するようになっており、
このプラズマ生成ユニットの被処理物対向面を前記処理通路の処理ガスの流れ方向に拡張させ、前記処理通路を延ばすことを特徴とする。すなわち、前記吹出し口から前記流れ方向に沿って前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを大きくすることを特徴とする。上記吹出し口から前記被処理物対向面の外端部までの距離Lは、少なくともL>65mmである。装置の設置スペース等から許容されるサイズを考慮するとL=300mm程度が上限と考えられ、したがって、好ましくは65mm<L≦300mmである。L=200mm程度までは処理能力が確認されており、したがって、より好ましくは65mm<L≦200mmである。更に好ましくは65mm<L≦150mmである。L=120mm程度が好適である。距離Lの設定範囲の下限を65mmより大きな90mm程度としてもよい。
これにより、放電空間から吹き出されたラジカル等の活性種を、被処理物対向面と被処理物の間の処理通路に十分長く留めさせ、効率良く十分に処理反応を起こさせて使い切ることができるとともに、外気が処理通路の奥深く侵入してくるのを抑制して活性種の失活を防止し延命を図ることができる。この結果、リモート式常圧プラズマ処理装置の処理能力を高めることができる。処理ガスの所要量を低減することもできる。
前記プラズマ生成ユニットには、前記電極を収容するユニット本体の側部から延出部が延出されており、
前記被処理物対向面が、前記ユニット本体から前記延出部に跨っており、
前記ユニット本体に前記吹出し口が設けられる一方、前記延出部の外端部が、前記被処理物対向面の外端部を構成していてもよい。
前記被処理物対向面が、前記ユニット本体から前記延出部に跨っており、
前記ユニット本体に前記吹出し口が設けられる一方、前記延出部の外端部が、前記被処理物対向面の外端部を構成していてもよい。
前記プラズマ生成ユニットの被処理物対向面は、平滑面になっていることが望ましい。その表面粗さRaは好ましくはRa=3.2μm以下であり、より好ましくはRa=2.5μm以下である。また、前記プラズマ生成ユニットの処理物対向面を構成する部材が、活性種との反応性の小さい物質(例えば酸素ラジカル等に対してはガラス、セラミックス、金属板などの無機物)からなることが望ましい。これによって、活性種が損なわれるのをより一層抑制でき、処理能力をより一層向上させることができる。
本発明は、略常圧(大気圧近傍の圧力)の環境下でのプラズマ処理に適している。本発明における略常圧とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
本発明によれば、放電空間から吹き出された活性種を、被処理物対向面と被処理物の間の処理通路に十分長く留めさせ、効率良く十分に処理反応を起こさせて使い切ることができるとともに、外気が処理通路の奥深く侵入してくるのを抑制して活性種の失活を防止し延命を図ることができる。この結果、リモート式常圧プラズマ処理装置の処理能力を高めることができる。処理ガスの所要量を低減することもできる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図1は、基材90(被処理物)の洗浄等の表面処理を行なうためのリモート式常圧プラズマ処理装置1を示したものである。リモート式常圧プラズマ処理装置1は、基材セット手段20と、その上方に配置されたプラズマ生成ユニット10と、これに被さる排気カバー30を備えている。
図1は、基材90(被処理物)の洗浄等の表面処理を行なうためのリモート式常圧プラズマ処理装置1を示したものである。リモート式常圧プラズマ処理装置1は、基材セット手段20と、その上方に配置されたプラズマ生成ユニット10と、これに被さる排気カバー30を備えている。
セット手段20上に処理すべき基材90がセットされるようになっている。図2に示すように、基材90は、例えば1000mm(左右)×800mm(前後)程度の四角形の板状をなしている。
図1の白抜き矢印に示すように、セット手段20ひいては基材90は、プラズマ生成ユニット10に対し例えば左右に相対移動されるようになっている。この移動速度は、例えば1〜3m/min程度が好ましく、2m/min程度がより好ましい。なお、基材セット手段20ひいては基材90をプラズマ生成ユニット10に対し静止した状態で表面処理するようになっていてもよい。
図1の白抜き矢印に示すように、セット手段20ひいては基材90は、プラズマ生成ユニット10に対し例えば左右に相対移動されるようになっている。この移動速度は、例えば1〜3m/min程度が好ましく、2m/min程度がより好ましい。なお、基材セット手段20ひいては基材90をプラズマ生成ユニット10に対し静止した状態で表面処理するようになっていてもよい。
排気カバー30は、底部が開口された容器状をなし、プラズマ生成ユニット10の上側及び前後左右の側部を覆っている。排気カバー30とプラズマ生成ユニット10の間に排気路31が形成されている。排気路31は、下方に開放されるとともに、排気管32を経て吸引ポンプ等の吸引排気手段33に接続されている。これにより、処理済みのガスを吸引排気できるようになっている。
プラズマ生成ユニット10は、左右一対の電極12,12と、これら電極12,12を収容するユニット本体11とを有している。
各電極12は、断面四角形状をなして前後(図1の紙面直交方向)に延びている。電極12の長さは、少なくとも基材90の前後寸法と同等であり、好ましくは基材90の前後寸法より大きい。少なくとも一方の電極12の対向面には固体誘電体層(図示省略)が設けられている。
各電極12は、断面四角形状をなして前後(図1の紙面直交方向)に延びている。電極12の長さは、少なくとも基材90の前後寸法と同等であり、好ましくは基材90の前後寸法より大きい。少なくとも一方の電極12の対向面には固体誘電体層(図示省略)が設けられている。
一対の電極12,12の間にスリット状の空間10aが形成されている。処理ガス源40からガス供給ライン41が延び、電極間空間10aの上端部に連なっている。洗浄用の処理ガスとしては例えば窒素に微量の酸素を混入した混合ガスが用いられている。窒素の流量は、例えば450〜600L/min程度が好ましく、節約の観点からは450L/min程度がより好ましい。酸素の流量は、例えば100〜200mL/min程度が好ましく、節約の観点からは100mL/min程度がより好ましい。
一対の電極12,12のうちの一方は、高周波電源50に接続されてホット電極となり、他方は電気的に接地されてアース電極となっている。高周波電源50からホット電極12への電圧印加によって電極間空間10aにプラズマ放電が形成される。これによって、電極間空間10aがプラズマ空間となり、このプラズマ空間10aに導入された処理ガスがプラズマ化されるようになっている。
高周波電源50の投入パワーは、例えば1.6〜2.0kW程度が好ましく、周波数は、例えば30〜35kHz程度が好ましい。なお、電源としてパルス電源を用いてもよい。
プラズマ生成ユニット10の底部には、一対の底板13,13が設けられている。これら底板13,13によって電極12の下面(被処理物と対向する側の面)が覆われている。一対の底板13,13の対向端面どうし間に吹出し口10bが形成されている。この吹出し口10bに電極間空間10aの下端部がストレートに連なっている。
底板13は、ユニット本体11から外側へ延出され、延出部13eを構成している。底板13の外端部と排気カバー30の下端縁との間に上記排気路31の開口が形成されている。この開口の巾寸法(底板13の外端部と排気カバー30の間の距離)は、例えば10mm程度である。
プラズマ生成ユニット10の底板13が、セット手段上の基材90(被処理物)と対向するようになっている。すなわち、底板13の下面は、プラズマ生成ユニット10の被処理物対向面を構成している。被処理物対向面は、ユニット本体11から延出部13eに跨っている。被処理物対向面の全域が平面になっている。被処理物対向面の外端部に底板13の外端面が直交(交差)している。
各底板13の左右巾寸法すなわち吹出し口10bから被処理物対向面の外端部までの距離Lは、少なくとも65mmを越えており、好ましくは65mm<L≦300mmであり、より好ましくは65mm<L≦200mmであり、更に好ましくは65mm<L≦150mmである。この実施形態ではL=120mmとしている。
なお、底板13の前後長さ(図1の紙面直交方向の寸法)は、電極12の全長を覆う大きさになっている。
底板13とその下方の基材90の間に処理通路10cが形成されるようになっている。底板13と基材90の間の距離(ワーキングディスタンス)は、例えば2〜3mmが好ましく、3mm程度がより好ましい。
底板13の下面すなわち被処理物対向面は、平滑化処理が施され、平滑面になっている。その表面粗さRaは、好ましくはRa=3.2μm以下であり、より好ましくはRa=2.5μm以下である。
底板13すなわち被処理物対向面構成部材は、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料にて構成するのが好ましく、ガラスやセラミックスにて構成するのがより好ましい。
底板13は、単一の部材で構成するのに限られず複数の部材を積層して構成してもよい。例えば上から絶縁層、金属層、上記ガラス又はセラミックス層の順に積層することにしてもよい。金属層をアースすることにより電極12と基材90の間の電界遮蔽を行なうことができる。
底板13は、単一の部材で構成するのに限られず複数の部材を積層して構成してもよい。例えば上から絶縁層、金属層、上記ガラス又はセラミックス層の順に積層することにしてもよい。金属層をアースすることにより電極12と基材90の間の電界遮蔽を行なうことができる。
上記構成の装置1を用いて基材90の洗浄等の表面処理を行なう方法を説明する。
処理すべき基材90をセット手段上にセットするとともに、プラズマ生成ユニット10の下方を左右に横切るように移動させる。
併せて、処理ガス源40の処理ガスを、ガス供給ライン41を経て電極間空間10aへ導入するとともに、高周波電源50から電極12Hへの電圧供給によってプラズマ化し、吹出し口10bから吹出す。吹出されたプラズマガスは、底板13と基材90の間の処理通路10c内を左右外側へ向けて流れながら、基材90の表面と接触して反応を起こす。これによって、基材90の洗浄等の表面処理を行なうことができる。例えば、洗浄用の処理ガス(酸素を微量添加した窒素ガス)の場合、電極間空間10aにおいて窒素プラズマが生成されることにより微量の添加酸素が活性化(ラジカル化、オゾン化)される。この酸素系の活性種が基材90表面の有機物等の汚れ成分と反応して、この汚れ成分をCO2やCO等の形態で脱離させ、基材90表面を洗浄する。
しかし、大気圧下における酸素ラジカル等の活性種の寿命は極めて短い。
処理すべき基材90をセット手段上にセットするとともに、プラズマ生成ユニット10の下方を左右に横切るように移動させる。
併せて、処理ガス源40の処理ガスを、ガス供給ライン41を経て電極間空間10aへ導入するとともに、高周波電源50から電極12Hへの電圧供給によってプラズマ化し、吹出し口10bから吹出す。吹出されたプラズマガスは、底板13と基材90の間の処理通路10c内を左右外側へ向けて流れながら、基材90の表面と接触して反応を起こす。これによって、基材90の洗浄等の表面処理を行なうことができる。例えば、洗浄用の処理ガス(酸素を微量添加した窒素ガス)の場合、電極間空間10aにおいて窒素プラズマが生成されることにより微量の添加酸素が活性化(ラジカル化、オゾン化)される。この酸素系の活性種が基材90表面の有機物等の汚れ成分と反応して、この汚れ成分をCO2やCO等の形態で脱離させ、基材90表面を洗浄する。
しかし、大気圧下における酸素ラジカル等の活性種の寿命は極めて短い。
一方、吹出し口10bから底板13の外端部までの距離が十分に大きく設定され、底板13と基板の間の処理通路10cが十分に長く設定されているので、外気が、底板13の外端部と基材90の間から処理通路10cに入り込んだとしても、処理通路10cの奥深くまで進入することは出来ない。これによって、処理通路10c内の活性種の失活を抑制することができ、活性度を保つことができる。また、処理通路10cが十分に長いため、半ば活性種の閉じ込め空間となり、活性種を処理通路10c内ひいては基材90の表面上に十分に長い時間留めさせることができる。これによって、基材90の表面処理を十分に行なうことができる。この結果、リモート式常圧プラズマ処理装置1の処理効率を十分に高めることができる。また、所要処理ガス量を節約することができる。さらに、ワーキングディスタンスにも余裕を持たせることができる。
更に、被処理物対向面構成部材としてガラスやセラミックス等の無機材料を用いることにより、処理通路10c内のラジカルの活性度を一層確実に維持することができる。さらには、被処理物対向面を平滑面にすることにより、処理通路10c内のラジカルの活性度をより一層確実に維持することができる。これによって、リモート式常圧プラズマ処理装置1の処理効率をより一層高めることができる。
また、電源50からの投入パワー及び処理ガス源40からの処理ガス供給流量を適宜選択することにより、処理効率を所望にすることができる。
更に、被処理物対向面構成部材としてガラスやセラミックス等の無機材料を用いることにより、処理通路10c内のラジカルの活性度を一層確実に維持することができる。さらには、被処理物対向面を平滑面にすることにより、処理通路10c内のラジカルの活性度をより一層確実に維持することができる。これによって、リモート式常圧プラズマ処理装置1の処理効率をより一層高めることができる。
また、電源50からの投入パワー及び処理ガス源40からの処理ガス供給流量を適宜選択することにより、処理効率を所望にすることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の改変をなすことができる。
底板13の巾寸法Lは、少なくとも65mmを越えていれば適宜設定変更でき、L=90mm程度にしてもよく、L=150mm程度にしてもよく、L=200mm程度にしてもよく、L=300mm程度にしてもよい。
底板13における電極12及びユニット本体11の底部を覆う部分と、延出部13eを構成する部分とが、別体になっていてもよい。
底板13の巾寸法Lは、少なくとも65mmを越えていれば適宜設定変更でき、L=90mm程度にしてもよく、L=150mm程度にしてもよく、L=200mm程度にしてもよく、L=300mm程度にしてもよい。
底板13における電極12及びユニット本体11の底部を覆う部分と、延出部13eを構成する部分とが、別体になっていてもよい。
実施例を説明する。本発明が、以下の実施形態に限定されるものでないことは当然である。
図1に示す装置1と同様の装置を用い、図2に示す1000mm×800mmのガラスを被処理基材90として洗浄処理を行なった。処理条件は以下の通りである。
投入パワー: 2.0kW
周波数: 35kHz
処理ガス: N2 450L/min、O2 100mL/min
基材移動速度: 2.2m/min
ワーキングディスタンス: 3.0mm
底板の巾(L): L=120mm
処理前接触角: 41〜42°
洗浄処理後、図2に示すように基材90表面の13個の地点において接触角を測定した。その結果、同図に示すように、13の全ての地点において5°以下を達成でき、平均3.7°となった。
図1に示す装置1と同様の装置を用い、図2に示す1000mm×800mmのガラスを被処理基材90として洗浄処理を行なった。処理条件は以下の通りである。
投入パワー: 2.0kW
周波数: 35kHz
処理ガス: N2 450L/min、O2 100mL/min
基材移動速度: 2.2m/min
ワーキングディスタンス: 3.0mm
底板の巾(L): L=120mm
処理前接触角: 41〜42°
洗浄処理後、図2に示すように基材90表面の13個の地点において接触角を測定した。その結果、同図に示すように、13の全ての地点において5°以下を達成でき、平均3.7°となった。
[比較例1]
比較例1として、図1の装置1の底板13の延出部13eを取り除くことにより実施例1の処理条件のうち下記の項目だけを変え、他は実施例1と同じにして処理を行なった。
底板の巾(L): L=65mm
ワーキングディスタンス: 2.5mm
洗浄処理後の接触角は7.7°となった。これにより、底板の巾Lを拡張すると顕著な処理能力アップを図れることが確認された。
比較例1として、図1の装置1の底板13の延出部13eを取り除くことにより実施例1の処理条件のうち下記の項目だけを変え、他は実施例1と同じにして処理を行なった。
底板の巾(L): L=65mm
ワーキングディスタンス: 2.5mm
洗浄処理後の接触角は7.7°となった。これにより、底板の巾Lを拡張すると顕著な処理能力アップを図れることが確認された。
[比較例2]
比較例2として、上記の比較例1に対しワーキングディスタンスのみを下記のように変え、他は比較例1と同じにして処理を行なった。
ワーキングディスタンス: 2mm
洗浄処理後の接触角は4°となった。これにより、底板の巾Lを拡張するとワーキングディスタンスをシビアに設定するのと同等の処理能力を得られることが確認された。
比較例2として、上記の比較例1に対しワーキングディスタンスのみを下記のように変え、他は比較例1と同じにして処理を行なった。
ワーキングディスタンス: 2mm
洗浄処理後の接触角は4°となった。これにより、底板の巾Lを拡張するとワーキングディスタンスをシビアに設定するのと同等の処理能力を得られることが確認された。
[比較例3]
比較例3として、上記の比較例1に対し処理ガス流量のみを下記のように変え、他は比較例1と同じにして処理を行なった。
処理ガス: N2 600L/min、O2 100mL/min
洗浄処理後の接触角は3°となった。これにより、底板の巾Lを拡張するとプラズマ生成用のガス流量を増やさなくてもそれに近い処理能力を得ることができ、所要ガス量を節約できることが確認された。
比較例3として、上記の比較例1に対し処理ガス流量のみを下記のように変え、他は比較例1と同じにして処理を行なった。
処理ガス: N2 600L/min、O2 100mL/min
洗浄処理後の接触角は3°となった。これにより、底板の巾Lを拡張するとプラズマ生成用のガス流量を増やさなくてもそれに近い処理能力を得ることができ、所要ガス量を節約できることが確認された。
底板の巾Lだけを実施例1のL=120mmに対し下記のように短くし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
底板の巾(L): L=90mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、6°となった。
図3は、実施例1及び2並びに比較例1の結果をグラフにしたものである。底板の巾Lが大きいほど、接触角を小さくでき、処理能力を向上できることが判明した。したがって、底板の巾LをL=120mmより更に大きくすれば(例えばL=150mm程度)にすれば処理能力をより向上できると推察される。
底板の巾(L): L=90mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、6°となった。
図3は、実施例1及び2並びに比較例1の結果をグラフにしたものである。底板の巾Lが大きいほど、接触角を小さくでき、処理能力を向上できることが判明した。したがって、底板の巾LをL=120mmより更に大きくすれば(例えばL=150mm程度)にすれば処理能力をより向上できると推察される。
基材移動速度だけを実施例1の2.2m/minに対し下記のように遅くし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
基材移動速度: 1m/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、3.5°となった。
基材移動速度: 1m/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、3.5°となった。
基材移動速度だけを実施例1の2.2m/minに対し下記のように速くし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
基材移動速度: 3m/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.1°となった。
図4は、実施例1、3、4の結果をグラフにしたものである。また、比較例として、上記比較例1及び同比較例1において基材移動速度を変更したときの結果を併記した。本発明の底板拡張構造によれば接触角を小さくでき処理能力を向上できることが確認された。
基材移動速度: 3m/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.1°となった。
図4は、実施例1、3、4の結果をグラフにしたものである。また、比較例として、上記比較例1及び同比較例1において基材移動速度を変更したときの結果を併記した。本発明の底板拡張構造によれば接触角を小さくでき処理能力を向上できることが確認された。
酸素添加量だけを実施例1の100mL/minに対し下記のように増やし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
処理ガス: N2 450L/min、O2 150mL/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.1°となった。
処理ガス: N2 450L/min、O2 150mL/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.1°となった。
酸素添加量を下記のように更に増やし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
処理ガス: N2 450L/min、O2 200mL/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.2°となった。
実施例1、5、6から酸素添加量はなるべく小さいほうが洗浄能力を高くできることが判明した。
処理ガス: N2 450L/min、O2 200mL/min
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.2°となった。
実施例1、5、6から酸素添加量はなるべく小さいほうが洗浄能力を高くできることが判明した。
投入パワーだけを実施例1の2kWに対し下記のように小さくし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
投入パワー: 1.6kW
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.3°となった。
投入パワー: 1.6kW
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、4.3°となった。
投入パワーとワーキングディスタンスを実施例1に対し下記のように変更し、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
投入パワー: 1.6kW
ワーキングディスタンス: 3.5mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、5.8°となった。
投入パワー: 1.6kW
ワーキングディスタンス: 3.5mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、5.8°となった。
ワーキングディスタンスだけを実施例1に対し下記のように大きくし、他は実施例1と同一条件にして処理を行なった。
ワーキングディスタンス: 3.5mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、5.2°となった。
ワーキングディスタンス: 3.5mm
洗浄処理後の接触角を実施例1と同様に13地点で測定し平均を取ったところ、5.2°となった。
本発明は、例えばITOガラスの濡れ性向上のためのプラズマ洗浄に適用可能である。
L 底板の巾(吹出し口から被処理物対向面の外端部までの距離)
1 リモート式常圧プラズマ処理装置
10 プラズマ生成ユニット
10a プラズマ空間
10b 吹出し口
10c 処理通路
11 ユニット本体
12 電極
13 底板(被処理物対向面構成部材)
13e 延出部
90 基材(被処理物)
1 リモート式常圧プラズマ処理装置
10 プラズマ生成ユニット
10a プラズマ空間
10b 吹出し口
10c 処理通路
11 ユニット本体
12 電極
13 底板(被処理物対向面構成部材)
13e 延出部
90 基材(被処理物)
Claims (6)
- 処理ガスを、略常圧の放電空間に通して吹出し口から吹出し被処理物に当てるプラズマ処理装置であって、
前記放電空間を形成する一対の電極を含み、前記被処理物と対向すべきプラズマ生成ユニットを備え、
このプラズマ生成ユニットの被処理物対向面が、前記吹出し口を有して、前記被処理物との間に前記吹出し口からの処理ガスを流す処理通路を形成するようになっており、
前記吹出し口から前記処理通路のガス流れ方向に沿って前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを65mmより大きくすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記吹出し口から前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを、L=300mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記吹出し口から前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを、L=200mm以下とすることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記吹出し口から前記被処理物対向面の外端部までの距離Lを、L=120mm程度とすることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマ生成ユニットには、前記電極を収容するユニット本体の側部から延出部が延出されており、
前記被処理物対向面が、前記ユニット本体から前記延出部に跨っており、
前記ユニット本体に前記吹出し口が設けられる一方、前記延出部の外端部が、前記被処理物対向面の外端部を構成していることを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ生成ユニットの被処理物対向面が、表面粗さRa=3.2μm以下の平滑面になっていることを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005108189A JP2006286551A (ja) | 2005-04-05 | 2005-04-05 | プラズマ処理装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008287895A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 大気圧プラズマ処理方法及び装置 |
JP2015076328A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社ケイテックリサーチ | プラズマ処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222548A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法 |
JPH11335868A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-07 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置 |
JP2000169977A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Seiko Epson Corp | 大気圧高周波プラズマによるエッチング方法 |
JP2004039993A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 |
JP2004273637A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005026171A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
2005
- 2005-04-05 JP JP2005108189A patent/JP2006286551A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222548A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置および基体のプラズマ処理方法 |
JPH11335868A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-07 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び装置 |
JP2000169977A (ja) * | 1998-12-04 | 2000-06-20 | Seiko Epson Corp | 大気圧高周波プラズマによるエッチング方法 |
JP2004039993A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマcvd方法及びプラズマcvd装置 |
JP2004273637A (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Sekisui Chem Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2005026171A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008287895A (ja) * | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Panasonic Corp | 大気圧プラズマ処理方法及び装置 |
JP2015076328A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社ケイテックリサーチ | プラズマ処理装置 |
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