JP2004273637A - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004273637A
JP2004273637A JP2003060285A JP2003060285A JP2004273637A JP 2004273637 A JP2004273637 A JP 2004273637A JP 2003060285 A JP2003060285 A JP 2003060285A JP 2003060285 A JP2003060285 A JP 2003060285A JP 2004273637 A JP2004273637 A JP 2004273637A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
holder
temperature control
annular
refrigerant
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003060285A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3583416B2 (ja
Inventor
Mitsuhide Nogami
光秀 野上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sekisui Chemical Co Ltd
Original Assignee
Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2003060285A priority Critical patent/JP3583416B2/ja
Application filed by Sekisui Chemical Co Ltd filed Critical Sekisui Chemical Co Ltd
Priority to CNB2004800061809A priority patent/CN100375246C/zh
Priority to CNA2007101692391A priority patent/CN101146398A/zh
Priority to KR1020077016917A priority patent/KR100814584B1/ko
Priority to PCT/JP2004/002724 priority patent/WO2004079811A1/ja
Priority to CA002517133A priority patent/CA2517133A1/en
Priority to US10/547,078 priority patent/US7332039B2/en
Priority to CNB2007101692387A priority patent/CN100511583C/zh
Priority to EP04717310A priority patent/EP1610368A4/en
Priority to CN2007101692404A priority patent/CN101145508B/zh
Priority to KR1020057016513A priority patent/KR100779814B1/ko
Priority to TW093105871A priority patent/TWI260037B/zh
Publication of JP2004273637A publication Critical patent/JP2004273637A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3583416B2 publication Critical patent/JP3583416B2/ja
Priority to US11/932,399 priority patent/US20080295965A1/en
Priority to US11/932,330 priority patent/US8262846B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Abstract

【課題】二重環状の電極を有するプラズマ処理装置において、環状電極の取り外し、組み付け、芯出しの作業を簡易にできるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置Mは、環状の内側ホルダ13と、このホルダ13を囲む環状の内側電極30と、この電極30を囲む環状の外側電極40と、この電極40を囲む環状の外側ホルダ14とを備えている。内側ホルダ13には、内側電極30を径方向外側へ押すボルト17(内側押し手段)が周方向に離間して複数設けられている。外側ホルダ14には、外側電極40を径方向内側へ押すボルト18(外側押し手段)が周方向に離間して複数設けられている。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、二重環状をなす一対の電極を備えたプラズマ処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、特許文献1には、同心状をなす一対の誘電体筒にそれぞれ導電体を巻いて二重環状の電極を構成し、内外の環状電極の間の環状空間の全周からプラズマ化された処理ガスを吹出すようにしたプラズマエッチング装置が記載されている。これによって、円環状ウェハーの外縁の全周を一度にエッチングすることができる。
【0003】
【特許文献1】
特開平5−82478号公報(段落0028、第5図)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
電極は、汚れた場合の洗浄や傷んだ場合の交換のために度々脱着する必要がある。その際、電極とそのホルダとの間に、ある程度のクリアランスがないと、取り外し・組み付けの作業がしにくい。しかし、二重環状の電極構造においてクリアランスを設けると、電極の取り付け位置の精度が狂いやすく、内外の電極どうしの中心がずれてしまう可能性がある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明に係るプラズマ処理装置は、環状をなす内側ホルダ(内側電極支持部)と、この内側ホルダより大径の環状をなして内側ホルダを囲む内側電極と、この内側電極より大径の環状をなして内側電極を囲む外側電極と、この外側電極より大径の環状をなして外側電極を囲むとともに上記内側ホルダに対して例えば同心をなすように位置固定された外側ホルダ(外側電極支持部)とを備え、上記内側ホルダには上記内側電極を径方向外側へ押す内側押し手段が周方向に離間して複数設けられ、上記外側ホルダには上記外側電極を径方向内側へ押す外側押し手段が周方向に離間して複数設けられていることを特徴とする。内側電極は、複数の内側押し手段を介して内側ホルダに支持され、外側電極は、複数の外側押し手段を介して外側ホルダに支持される。
【0006】
これによって、内外それぞれの電極について、ホルダとの間にクリアランスを設定することができ、取り外し・組み付けの作業を容易に行うことができる。しかも、押し手段によって電極のホルダに対する位置調節すなわち芯出しを行なうことができ、取り付け位置の精度を十分に確保することができる。
【0007】
上記内側ホルダには、径方向に沿うボルト孔(内側ネジ孔)が周方向に離間して形成されており、上記内側押し手段が、上記内側ホルダのボルト孔に径方向外側へ向けて螺合されるとともに内側電極に突き当てられるボルト(内側ネジ部材)であり、上記外側ホルダには、径方向に沿うボルト孔(外側ネジ部材)が周方向に離間して形成されており、上記外側押し手段が、上記外側ホルダのボルト孔に径方向内側へ向けて螺合されるとともに外側電極に突き当てられるボルト(外側ネジ部材)であることが望ましい。
これによって、内外の押し手段を簡易な構成にすることができる。
【0008】
上記内側ホルダと内側電極との間には、内側電極の温調用の冷媒を通す内側冷媒路を有して拡縮可能なC字形状(一部切欠環形状)をなす熱伝導性の内側温調部材が介在され、上記内側押し手段が、この内側温調部材を介して上記内側電極を押し、これにより、内側電極の内周面に内側温調部材が押し当てられ、上記外側電極と外側ホルダとの間には、外側電極の温調用の冷媒を通す外側冷媒路を有して拡縮可能なC字形状(一部切欠環形状)をなす熱伝導性の外側温調部材が介在され、上記外側押し手段が、この外側温調部材を介して上記外側電極を押し、これにより、外側電極の外周面に外側温調部材が押し当てられることが望ましい。
この構成によれば、温調部材を電極に単に接触させるのではなく押し当てることができるので、両者間の熱伝達状態を良好にすることができ、内外の電極を確実に温調することができる。その一方で、環状の電極自体には冷媒路を形成する必要がなく、製造の容易化を図ることができる。内外の温調部材は、それぞれ拡縮可能なC字形状であるので、対応電極に確実に押し当てることができ、温調部材と電極と熱伝達を確実に良好にすることができる。更には、電極の取り外し、組み付け、芯出し作業に支障を来たすことがないようにすることができる。
【0009】
上記内側温調部材と外側温調部材とが、導電性を有し、これら温調部材の一方に、電界印加手段が接続され、他方の温調部材が、接地されていることが望ましい。
これによって、温調部材を介して電極を電界印加手段に接続したり接地したりすることができ、環状電極の給電・接地構造を簡素化することができる。しかも、温調部材は、対応電極に単に接触するのではなく押し当てられているので、電極との導通状態を確実に良好にすることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
図1および図2は、半導体ウェハーWを処理対象とする常圧プラズマエッチング装置M(プラズマ処理装置)を示したものである。はじめにウェハーWについて説明する。ウェハーWは、シリコンなどの半導体によって円盤形状に形成されている。ウェハーWの上面には、例えばスピンコーターによってフォトレジストなどの膜Waが形成されている。この膜Waは、ウェハーWの上面の全体を覆い、外縁にまで及んでいる。この外縁の膜Wa’(図2の仮想線)を残しておくと、その後の研磨工程で邪魔になったり外縁を把持する工程でパーティクル発生の原因になったりする。そこで、ウェハーWは、上記成膜工程の次に常圧プラズマエッチング装置Mへ送られ、外縁の膜Wa’のエッチング工程に付される。
【0011】
常圧プラズマエッチング装置Mについて説明する。
図1および図2に示すように、常圧プラズマエッチング装置Mは、平面視環状のノズルヘッド10と、処理ガス源20と、パルス電源70(電界印加手段)とを備えている。図1および図4に示すように、ノズルヘッド10を構成する内側ホルダ13と内側冷却部材50(内側温調部材)と内側電極30と外側電極40と外側冷却部材60(外側温調部材)と外側ホルダ14とは、互いに大きさの異なる環状をなし、この順番で内側から同心円状に重ねられ、多重環状をなしている。図2に示すように、これら部材13,50,30,40,60,14の上側に上蓋12が被せられ、部材13,50,30の下側に内側底板15が宛がわれ、部材40,60,14の下側に外側底板15が宛がわれている。
【0012】
上記ノズルヘッド10について更に詳述する。
図1〜図4に示すように、ノズルヘッド10は、装置本体(図示せず)に支持されたヘッド本体11と、このヘッド本体11に収容された上記内外の電極30,40および内外の冷却部材50,60を有している。
【0013】
内側電極30は、縦長断面の円環状をなしている。詳細な図示は省略するが、内側電極30の外周面をはじめとする表面には、固体誘電体が溶射にて被膜されている。
【0014】
外側電極40は、内側電極30と同様の縦長断面で内側電極30より大径の円環状をなし、内側電極30を囲んでいる。詳細な図示は省略するが、外側電極40の内周面をはじめとする表面には、固体誘電体が溶射にて被膜されている。外側電極40の内径は、内側電極30の外径より大きい。
【0015】
これによって、内外の電極30,40の間に円環状のプラズマ化空間10aが形成されている。このプラズマ化空間10aが、後記上蓋12の処理ガス導入路12aと、それに連なる処理ガス供給管21を介して処理ガス源20に接続されている。処理ガス源20には、エッチング用ガスとして例えばCFが貯えられている。
【0016】
内側電極30は、追って詳述する内側冷却部材50および給電線71を介してパルス電源70(電界印加手段)に接続されている。外側電極40は、追って詳述する外側冷却部材60および接地線72を介して接地されている。これによって、内側電極30が、電界印加電極(ホット電極)となり、外側電極40が、接地電極(アース電極)となっている。なお、外側電極40が、電界印加電極となり、内側電極30が、接地電極となるように構成してもよい。
【0017】
内外の電極30,40は、互いに同心をなし、しかもそれらの中心がノズルヘッド10の中心軸と一致するように芯出しされている。この芯出し構造は、本発明の最も特徴的な部分であるので、追って詳述する。
【0018】
上記ヘッド本体11は、上蓋12と、内側ホルダ13と、外側ホルダ14と、内側底板15と、外側底板16とを有している。
上蓋12は、中心孔を有する円盤状の複数(図では2つだけ図示)の絶縁樹脂板を積層することによって構成されている。図示は省略するが、この上蓋12が、ブラケットを介して上記装置本体に固定されている。上蓋12には、処理ガス導入路12aと、後記端管部55,56,65,66の挿通孔12bが形成されている。
【0019】
なお、上蓋12の導入路12aは、供給管21からの処理ガスをプラズマ化空間10aの周方向に沿って均一化させたうえでプラズマ化空間10aへ導入できるようになっている。すなわち、図2に示すように、例えば、上蓋12の最上部の構成板には、導入路12aの上端開口となる孔12eが、上蓋12の周方向に一定間隔置きに並んで複数(図4では4つだけ図示)配されている。そして、処理ガス供給管21が、途中で孔2eの数だけ分岐されて各孔12eに接続されている。また、上蓋12の上側の構成板の下面に、比較的大きな断面の環状凹部12fが形成され、この環状凹部12fとその下側の構成板とによって環状チャンバー12g(導入路12aの中途部)が画成されている。最下部の構成板には、導入路12aの下流端開口となる孔12hが、周方向に短間隔置きに並んで多数形成され、これら孔12hが、プラズマ化空間10aに連なっている。
【0020】
図2および図3に示すように、上蓋12は、電極30,40上に被せられている。上蓋12の最下部の構成板の下面には、同心をなす内外2条の環状凸部12c,12dが形成されている。これら環状凸部12c,12dの間に、両電極30,40の上端部が挟まれている。内側の環状凸部12cの外径は、内側電極30の内径より微かに小さく、環状凸部12cの外周面と内側電極30の内周面との間にクリアランスが設定されている。外側の環状凸部12dの内径は、外側電極40の外径より微かに大きく、環状凸部12dの内周面と内側電極30の外周面との間にクリアランスが設定されている。
【0021】
図1および図4に示すように、内側ホルダ13は、絶縁樹脂にて構成され、縦長断面の円環状をなすホルダ本体13aと、このホルダ本体13aの下端部の外周に設けられた鍔13bとを有している。図2に示すように、ホルダ本体13aの上面が、上蓋12の下面の内周寄りの部分に突き当てられるとともに、ホルダ本体13aの外周面の上側部分が環状凸部12cの内周面に突き当てられている。この状態で、ホルダ本体13aが上蓋12にボルト締めにて固定されている(図3)。内側ホルダ13の鍔13bの外径は、内側電極50の内径より微かに小さく、鍔13bの端面と内側電極50の内周面との間にクリアランスが設定されている。
【0022】
図1および図4に示すように、外側ホルダ14は、絶縁樹脂にて構成され、内側ホルダ13より大径で縦長断面の円環状をなすホルダ本体14aと、このホルダ本体14aの下端部の内周に設けられた鍔14bとを有している。図2に示すように、ホルダ本体14aの上面が、上蓋12の下面の外周寄りの部分に突き当てられるとともに、ホルダ本体14aの内周面の上側部分が環状凸部12dの外周面に突き当てられている。この状態で、ホルダ本体14aが上蓋12にボルト締めにて固定されている(図3)。ひいては、外側ホルダ14が、上蓋12を介して内側ホルダ13と連結され、しかも、内側ホルダ13に対して同心をなすように位置固定されている。外側ホルダ14の鍔14bの内径は、外側電極50の外径より微かに小さく、鍔14bの端面と外側電極50の外周面との間にクリアランスが設定されている。
【0023】
図4に示すように、内側底板15は、透明な誘電体(絶縁樹脂)にて構成され、中心孔を有する円盤状をなしている。図2に示すように、内側底板15は、内側ホルダ13の下面に宛がわれ、ホルダ本体13aにボルト締めにて固定されている(図3)。内側底板15は、内側ホルダ13の鍔13bより径方向外側へ突出し、この突出部分の上面に内側電極30が載せられている。内側底板15の外端面は、内側電極30の外周面と略面一になっている。内側底板15は、上記内側電極30の固体誘電体としての役目を担っている。
【0024】
図4に示すように、外側底板16は、誘電体(絶縁樹脂)にて構成され、内側底板15より大径の中心孔を有する円盤状をなしている。図2に示すように、外側底板16は、外側ホルダ14の下面に宛がわれ、ホルダ本体14aにボルト締めにて固定されている(図3)。外側底板16は、外側ホルダ14の鍔14bより径方向内側へ突出し、この突出部分の上面に外側電極40が載せられている。外側底板16の内端面は、外側電極30の内周面と略面一になっている。外側底板16は、上記外側電極40の固体誘電体としての役目をも担っている。外側底板16の内径は、内側底板15の外径より大きく、外側底板16の内周面と内側底板15の外周面との間に、環状をなす吹出し孔11aが形成されている。この吹出し孔11aが、電極30,40間の環状プラズマ化空間10aにストレートに連なっている。
【0025】
次に、電極冷却構造(電極温調構造)について説明する。
図4に示すように、内側電極30の冷却手段としての内側冷却部材50は、平面視C字形状の金属板で構成された内側伝熱板51と、この板51の内周面に設けられた金属製の内側冷媒管52(内側冷媒路)とを有し、全体としてC字形状をなしている。内側冷媒管52は、上下に一対をなして内側伝熱板51の周方向に沿って延びる周管部53,54と、内側伝熱板51の両端部において上下の周管部53,54の端部どうしを連ねるように垂直に延びる一対の端管部55,56とを有している。
【0026】
図2および図3に示すように、内側冷却部材50は、内側ホルダ13の鍔13bに載せられるとともに上蓋12の環状凸部12cに上から抑えられるようにして、ホルダ本体13aと内側電極30との間に挟まれている。そして、内側伝熱板51の外周面が、内側電極30の内周面に添わされている。
【0027】
C字形状をなす金属製の内側伝熱板51と周管部53,54は、弾性を有して若干拡縮できるようになっている。自然状態における伝熱板51の外径は、内側電極30の内径と略等しい。これにより、内側冷却部材50が、内側電極30の内周面に押し当てられる程度の拡径状態と内側電極30の内周面から径方向内側へ僅かに離間する程度の縮径状態との間で拡縮可能になっている。
【0028】
図4に示すように、外側電極30の冷却手段としての外側冷却部材60は、平面視C字形状の金属板で構成された外側伝熱板61と、この板61の外周面に設けられた金属性の外側冷媒管62(外側冷媒路)とを有し、全体として内側冷却部材50より大径の平面視C字形状をなしている。外側冷媒管62は、上下に一対をなして外側伝熱板61の周方向に沿って延びる周管部63,64と、外側伝熱板61の両端部において上下の周管部63,64を連ねるように垂直に延びる一対の端管部65,66とを有している。
【0029】
図2および図3に示すように、外側冷却部材60は、外側ホルダ14の鍔14bに載せられるとともに上蓋12の環状凸部12dに上から抑えられるようにして、ホルダ本体14aと外側電極40との間に挟まれている。そして、外側伝熱板51の内周面が、外側電極30の外周面に添わされている。
【0030】
C字形状をなす金属製の外側伝熱板61と周管部63,64は、弾性を有して若干拡縮できるようになっている。自然状態における伝熱板61の内径は、外側電極40の外径と略等しい。これにより、外側冷却部材60が、外側電極40の外周面に押し当てられる程度の縮径状態と外側電極40の外周面から径方向外側へ僅かに離間する程度の拡径状態との間で拡縮可能になっている。
【0031】
図2に示すように、内外の冷却部材50,60の端管部55,56,65,66は、それぞれ上蓋12の挿通孔12bに通され、上蓋12より上へ突出されている。これら管部55,56,65,66の上端部に、管継手55C,56C,65C,66Cがそれぞれ取り付けられている。そして、冷媒源80から冷媒供給管81が延び、内側冷媒管52の端管部55の管継手55Cに連なっている。内側冷媒管52の端管部56の管継手56Cと、外側冷媒管62の端管部65の管継手65Cとは、連結管82を介して連結されている。外側冷媒管62の端管部66の管継手66Cから冷媒排出管83が延びている。
【0032】
勿論、内側冷媒管52の管継手56Cに冷媒供給管81を連ね、管継手55Cに連結管82を連ねてもよく、外側冷媒管62の管継手66Cに連結管82を連ね、管継手65Cに冷媒排出管83を連ねてもよい。外側冷媒管62の何れかの管継手65C,66Cに冷媒供給管81を連ね、内側冷媒管52の何れかの管継手55C,56Cに冷媒排出管83を連ね、残りの管継手どうしを連結管82で連ねてもよい。内外の冷媒管52,62を連結管82で直列接続せず、冷媒管52,62ごとに冷媒を並列的に流すようにしてもよい。
なお、冷媒として例えば水が用いられている。
【0033】
冷却部材50,60は、電極30,40への給電・接地機構の一部としても兼用されている。すなわち、導電性の内側冷媒管52の端管部55には、上蓋12からの突出部分に給電コネクタ73が取り付けられている。この給電コネクタ73に、上記パルス電源70からの給電線71が接続されている。また、導電性の外側冷媒管62の端管部65には、上蓋12からの突出部分に接地コネクタ74が取り付けられている。この接地コネクタ74に、上記接地線72が接続されている。
【0034】
本発明の最も特徴的な部分である電極芯出し構造について説明する。
内側ホルダ13のホルダ本体13aには、周方向に一定間隔置きにボルト孔13cが形成されている。ボルト孔13cは、ホルダ本体13aを厚さ方向すなわち径方向に貫いている。これらボルト孔13cに、ホルダ13の内周側から押しボルト17(内側押し手段)がそれぞれねじ込まれている。押しボルト17は、絶縁樹脂で構成されている。この押しボルト17の先端が、内側冷却部材50の上下の周管部52,53の間を通って伝熱板51に突き当たり、この伝熱板51を拡径方向へ押して内側電極30に押し付けている。ひいては、伝熱板51を介して内側電極30を径方向外側へ押している。周方向に離れた複数の押しボルト17の押し力によって、内側電極30がヘッド本体11に安定的に支持されている。そして、これら押しボルト17どうしのねじ込み量を互いに調節することにより、内側電極30の芯出しがなされるようになっている。
【0035】
外側ホルダ14のホルダ本体14aには、周方向に一定間隔置きにボルト孔14cが形成されている。ボルト孔14cは、ホルダ本体14aを厚さ方向すなわち径方向に貫いている。これらボルト孔14cに、ホルダ14の外周側から押しボルト18(外側押し手段)がそれぞれねじ込まれている。押しボルト18は、絶縁樹脂で構成されている。この押しボルト18の先端が、外側冷却部材60の上下の周管部62,63の間を通って伝熱板61に突き当たり、この伝熱板61を縮径方向へ押して外側電極40に押し付けている。ひいては、伝熱板61を介して外側電極40を径方向内側へ押している。周方向に離れた複数の押しボルト17の押し力によって、内側電極30がヘッド本体11に安定的に支持されている。そして、これら押しボルト18どうしのねじ込み量を互いに調節することにより、外側電極40の芯出しがなされるようになっている。
【0036】
上記のように構成された常圧プラズマエッチング装置Mの動作を説明する。
ノズルヘッド10の下方に処理対象のウェハーWをセットする。このとき、ノズルヘッド10の中心軸線とウェハーの中心が一致するようにする。これによって、環状吹出し孔11aの真下に、ウェハーWの外縁が位置されることになる。
【0037】
次に、処理ガス源20からの処理ガスを、供給管21および導入路12aを介して環状プラズマ化空間10aの全周に均一に導入する。
併行して、パルス電源70からパルス電圧を出力する。このパルス電圧は、給電線71および内側冷却部材50を介して内側電極30に印加される。ここで、内側冷却部材50は、内側電極30に単に接触しているのではなく押しボルト17にて押し付けられているので、良好な導通状態にすることができ、これにより、パルス電圧を内側電極30に確実に印加することができる。同様に、外側電極40と外側冷却部材60とは、押しボルト18の押し付けによって良好な導通状態にすることができ、これにより、外側電極40の接地を確実に取ることができる。よって、電極30,40間の環状プラズマ化空間10aにパルス電界が形成され、この電界によってプラズマ化空間10aの処理ガスをプラズマ化することができる。このプラズマ化された処理ガスが、環状吹出し孔11aの全周から吹出され、ウェハーWの外縁の全周に吹き付けられる。これによって、ウェハーWの外縁の膜Wa’を全周にわたって一度にエッチングすることができる。したがって、エッチング工程の所要時間を極めて短くすることができる。
【0038】
また、冷媒源70の冷媒を供給管81に送り込む。この冷媒は、供給管81を経て内側冷却部材50の端管部55に導入される。そして、上下の周管部53,54に分流して周方向に流れる。この周管部53,54での流通過程で、内側伝熱板51ひいては内側電極30を冷却(温調)することができる。ここで、内側伝熱板51は、広い伝熱面積を有し、しかも複数の押しボルト17によって伝熱面(外周面)の全体を内側電極30に単に接触させるのではなく押し当てることができ、これにより良好な熱伝達状態にすることができる。更には、冷媒を、周管部53,54で約一周させることができ、しかも上下2条の周管部53,54で各々約一周させることができる。これにより、伝熱板51のほぼ全体を確実に冷却でき、ひいては、内側電極30のほぼ全体を確実に冷却することができる。
【0039】
その後、冷媒は、端管部56で合流し、連結管82を経て、外冷却部材60の端管部65に送られる。そして、上下の周管部63,64に分流して周方向に流れる。この周管部63,64での流通過程で、外側伝熱板61ひいては外側電極40を冷却(温調)することができる。ここで、外側伝熱板61は、広い伝熱面積を有し、しかも複数の押しボルト18によって伝熱面(内周面)の全体を外側電極40に単に接触させるのではなく押し当てることができ、これにより良好な熱伝達状態にすることができる。更には、冷媒を、周管部63,64で約一周させることができ、しかも上下2条の周管部63,64で各々約一周させることができる。これにより、伝熱板61のほぼ全体を確実に冷却でき、ひいては、内側電極30のほぼ全体を確実に冷却することができる。その後、冷媒は、端管部66で合流し、排出管83によって排出される。
このように、常圧プラズマエッチング装置Mによれば、冷却部材50,60によって環状電極30,40を確実に冷却できるとともに、環状電極30,40自体には冷媒路を形成する必要がなく、製造の容易化を図ることができる。
【0040】
常圧プラズマエッチング装置Mによれば、押しボルト17を緩めて内側ホルダ13側へ後退させることによって、内側電極30および内側冷却部材50を簡単に取り外したり組み付けたりすることができる。同様に、押しボルト18を緩めて外側ホルダ14側へ後退させることによって、外側電極40および外側冷却部材60を簡単に取り外したり組み付けたりすることができる。ひいては、電極30,40のメンテナンス作業を容易化することができる。更に、C字形状の冷却部材50,60を拡縮させることにより、取り外し、組み付け作業を一層容易化することができる。
【0041】
しかも、組み付けの際は、複数の内側押しボルト17どうしのねじ込み量を調節することによって、内側電極30の芯出しを行なうことができる。同様に、複数の外側押しボルト18どうしのねじ込み量を調節することによって、外側電極40の芯出しを行なうことができる。すなわち、内外の電極30,40どうしが同心をなし、しかもこれらの中心がノズルヘッド10の中心軸と一致するように正確に位置決めすることができる。これによって、プラズマ化空間10aを全周にわたって均一な幅にすることができる。ひいては、吹出し孔11aからの吹出しプラズマを全周にわたって一様にすることができる。この結果、ウェハーWの外縁のエッチングを全周にわたって確実に均一化することができる。
【0042】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の形態を採用可能である。
例えば、電極やそのホルダは、真円の環状に限らず、楕円や直線を含む円等の非真円の環状になっていてもよい。それに合わせて、温調部材のC字形状も、一部切欠非真円状になっていてもよい。
外側ホルダが、内側ホルダに対して偏芯するように位置固定されていてもよく、内側電極と外側電極が、各々正規の位置において互いに偏芯していてもよい。
内側ホルダと外側ホルダが、一体物になっていてもよい。
温調部材は、電極を冷却するものに限らず、加温するものであってもよく、電極を所定温度に維持するために、時には冷却し、時には加温するものであってもよい。冷媒として常温水や冷水に代えて温水を用いてもよい。
周管部は、各伝熱板に1本だけ設けてもよく、伝熱板の幅方向に並んで3本以上設けてもよい。周管部は、例えば波状に蛇行しながら伝熱板の周方向に延びていてもよい。
内側温調部材の外径が、自然状態において内側電極の内径より大きく、内側温調部材が、それ自体の弾性力によって内側電極の内周面に押し当てられるようにしてもよい。同様に、外側温調部材の内径が、自然状態において外側電極の外径より大きく、外側温調部材が、それ自体の弾性力によって外側電極の外周面に押し当てられるようにしてもよい。
本発明は、環状に処理するものであれば、エッチングに限られず、洗浄などの他のプラズマ表面処理にも適用できる。
本発明は、常圧下に限らず、減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。
【0043】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、内外それぞれの環状電極について、ホルダとの間にクリアランスを設定することができ、取り外し・組み付けの作業を容易に行うことができる。しかも、押し手段によって電極のホルダに対する位置調節すなわち芯出しを行なうことができ、取り付け位置の精度を十分に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る常圧プラズマエッチング装置のノズルヘッドの平面断面図である。
【図2】図1のII−II線に沿う上記ノズルヘッドの縦断面図を含む上記常圧プラズマエッチング装置の概略構成図である。
【図3】図1のIII−III線に沿う上記ノズルヘッドの縦断面図である。
【図4】上記ノズルヘッドの分解斜視図である。
【符号の説明】
M 常圧プラズマエッチング装置(常圧プラズマ処理装置)
10 ノズルヘッド
13 内側ホルダ
13c 内側ホルダのボルト孔
14 外側ホルダ
14c 外側ホルダのボルト孔
17 押しボルト(内側押し手段)
18 押しボルト(外側押し手段)
30 内側電極
40 外側電極
50 内側冷却部材(内側温調部材)
52 内側冷媒管(内側冷媒路)
60 外側冷却部材(外側温調部材)
62 外側冷媒管(外側冷媒路)
70 パルス電源(電界印加手段)
71 給電線
72 接地線

Claims (4)

  1. 環状をなす内側ホルダと、この内側ホルダより大径の環状をなして内側ホルダを囲む内側電極と、この内側電極より大径の環状をなして内側電極を囲む外側電極と、この外側電極より大径の環状をなして外側電極を囲むとともに上記内側ホルダに対して位置固定された外側ホルダとを備え、上記内側ホルダには上記内側電極を径方向外側へ押す内側押し手段が周方向に離間して複数設けられ、上記外側ホルダには上記外側電極を径方向内側へ押す外側押し手段が周方向に離間して複数設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 上記内側ホルダには、径方向に沿うボルト孔が周方向に離間して形成されており、上記内側押し手段が、上記内側ホルダのボルト孔に径方向外側へ向けて螺合されるとともに内側電極に突き当てられるボルトであり、上記外側ホルダには、径方向に沿うボルト孔が周方向に離間して形成されており、上記外側押し手段が、上記外側ホルダのボルト孔に径方向内側へ向けて螺合されるとともに外側電極に突き当てられるボルトであることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 上記内側ホルダと内側電極との間には、内側電極の温調用の冷媒を通す内側冷媒路を有して拡縮可能なC字形状をなす熱伝導性の内側温調部材が介在され、上記内側押し手段が、この内側温調部材を介して上記内側電極を押し、これにより、内側電極の内周面に内側温調部材が押し当てられ、
    上記外側電極と外側ホルダとの間には、外側電極の温調用の冷媒を通す外側冷媒路を有して拡縮可能なC字形状をなす熱伝導性の外側温調部材が介在され、上記外側押し手段が、この外側温調部材を介して上記外側電極を押し、これにより、外側電極の外周面に外側温調部材が押し当てられることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 上記内側温調部材と外側温調部材とが、導電性を有し、これら温調部材の一方に、電界印加手段が接続され、他方の温調部材が、接地されていることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
JP2003060285A 2003-03-06 2003-03-06 プラズマ処理装置 Expired - Fee Related JP3583416B2 (ja)

Priority Applications (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003060285A JP3583416B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 プラズマ処理装置
KR1020057016513A KR100779814B1 (ko) 2003-03-06 2004-03-04 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR1020077016917A KR100814584B1 (ko) 2003-03-06 2004-03-04 플라즈마 처리 장치 및 방법
PCT/JP2004/002724 WO2004079811A1 (ja) 2003-03-06 2004-03-04 プラズマ処理装置及び方法
CA002517133A CA2517133A1 (en) 2003-03-06 2004-03-04 Plasma processing apparatus and method
US10/547,078 US7332039B2 (en) 2003-03-06 2004-03-04 Plasma processing apparatus and method thereof
CNB2007101692387A CN100511583C (zh) 2003-03-06 2004-03-04 等离子加工装置
EP04717310A EP1610368A4 (en) 2003-03-06 2004-03-04 APPARATUS AND PROCESS FOR PLASMA PROCESSING
CNB2004800061809A CN100375246C (zh) 2003-03-06 2004-03-04 等离子加工装置
CNA2007101692391A CN101146398A (zh) 2003-03-06 2004-03-04 等离子加工装置及其电极结构
CN2007101692404A CN101145508B (zh) 2003-03-06 2004-03-04 等离子加工装置和方法
TW093105871A TWI260037B (en) 2003-03-06 2004-03-05 Plasma processing device and method
US11/932,399 US20080295965A1 (en) 2003-03-06 2007-10-31 Plasma processing apparatus
US11/932,330 US8262846B2 (en) 2003-03-06 2007-10-31 Plasma processing apparatus and method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003060285A JP3583416B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004273637A true JP2004273637A (ja) 2004-09-30
JP3583416B2 JP3583416B2 (ja) 2004-11-04

Family

ID=33122875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003060285A Expired - Fee Related JP3583416B2 (ja) 2003-03-06 2003-03-06 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3583416B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286551A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2008071611A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
CN109831866A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 核工业西南物理研究院 一种双环电极共面放电等离子体发生装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286551A (ja) * 2005-04-05 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2008071611A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ表面処理装置の電極構造
CN109831866A (zh) * 2017-11-23 2019-05-31 核工业西南物理研究院 一种双环电极共面放电等离子体发生装置
CN109831866B (zh) * 2017-11-23 2023-10-20 核工业西南物理研究院 一种双环电极共面放电等离子体发生装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3583416B2 (ja) 2004-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8262846B2 (en) Plasma processing apparatus and method thereof
KR101280184B1 (ko) 플라즈마 프로세싱을 위해 rf 전력 및 공정 가스를 공급하는 가스 분배 부재
JP5654894B2 (ja) 無線周波数整合装置
US8080107B2 (en) Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
TW201423904A (zh) 靜電卡盤以及等離子體加工設備
TW200541413A (en) Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US20050145336A1 (en) Plasma processor electrode and plasma processor
US20050120960A1 (en) Substrate holder for plasma processing
JP3583416B2 (ja) プラズマ処理装置
EP4428905A1 (en) Process chamber
JP3574648B2 (ja) プラズマ処理装置
JP2006032821A (ja) プラズマ処理装置
KR20080046822A (ko) 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치
JP2003301266A (ja) アークイオンプレーティング用ロッド形蒸発源
KR20220096735A (ko) 기판 처리 장치 및 가스 분배 어셈블리
JP3574654B1 (ja) プラズマ処理装置
JP3934101B2 (ja) プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置
JP4890946B2 (ja) プラズマ処理装置
KR102344524B1 (ko) 플라즈마 발생 장치, 그를 포함하는 기판 처리 장치, 및 그 제어 방법
KR102335472B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102290909B1 (ko) 기판 처리 장치 및 챔버 클리닝 방법
US20210098269A1 (en) Substrate processing apparatus and stage cleaning method
KR100191712B1 (ko) 반도체 소자 식각 장치용 쳄버
JP2000211903A (ja) オゾン発生装置
TW202314853A (zh) 基板支持體組件及電漿處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040728

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070806

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080806

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090806

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100806

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110806

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120806

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120806

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130806

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees