JP3934101B2 - プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3934101B2 JP3934101B2 JP2003377383A JP2003377383A JP3934101B2 JP 3934101 B2 JP3934101 B2 JP 3934101B2 JP 2003377383 A JP2003377383 A JP 2003377383A JP 2003377383 A JP2003377383 A JP 2003377383A JP 3934101 B2 JP3934101 B2 JP 3934101B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- peripheral surface
- passage
- forming member
- passage forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
内側電極構造10と同様に、通路形成部材25の第1周面部25yと電極11の外周面22aとの間には、Oリング28の挿入のために必要なクリアランスがあり、第2周面部25zと外周面22aとの間のクリアランスは実質的にゼロである。
例えば、温調媒体は、電極を冷却するものに限らず、電極を所定温度に維持するために加温するものであってもよい。加温する場合には常温水や冷水に代えて温水を用いてもよい。
第1,第2のシール部材は、それぞれ複数のOリングにより構成してもよい。
電極を上記実施形態の通路形成部材に似た断面形状にし、通路形成部材を上記実施形態の電極に似た断面形状にしてもよい。
電極構造は直線的に延びるものであってもよい。
さらに本発明は、エッチングに限られず、洗浄や成膜などの他のプラズマ表面処理にも適用できる。また、常圧下に限らず、減圧下でのプラズマ表面処理にも適用できる。
20 外側の電極構造
11,21 電極
12a,12b,22a,22b 電極の周面
15,25 通路形成部材
15a,25a 通路形成部材の周面
15x,25x 環状溝
15y,25y 第1周面部
15z,25z 第2周面部
17,27 媒体通路
18,28 Oリング(第1シール部材)
19,29 Oリング(第2シール部材)
50 ガス通路
Claims (3)
- 電極と、この電極に隣接して配置された通路形成部材とを有し、これら電極と通路形成部材の対向する面により温調媒体を流すための媒体通路が画成され、これら対向面間には、上記媒体通路を挟むようにして媒体通路に沿う第1,第2のシール部材が介在され、
上記電極,通路形成部材および第1,第2シール部材が環状をなし、上記電極および通路形成部材の周面が上記対向面の少なくとも一部として提供され、これら周面間に、上記媒体通路が形成されるとともに上記第1シール部材が介在され、
上記電極と通路形成部材のうち一方の部材は径方向に突出する環状の鍔部を有し、この鍔部の平坦面が電極の周面と直交する他の対向面として提供され、他方の部材は上記周面と直交する平坦面を有し、この平坦面が他の対向面として提供され、上記第2シール部材は、これら電極と通路形成部材の平坦面間に介在されていることを特徴とするプラズマ化用の電極構造。 - 上記一方の部材の周面は連続した円筒面をなし、他方の部材の周面はその中間部に上記媒体通路となる環状溝を有するとともにこの環状溝を挟んで配置された第1周面部および第2周面部を有し、この第1周面部には上記一方の部材の周面が隙間を介して対向するとともに、上記第1シール部材が装着され、上記平坦面と交わる上記第2周面部は上記一方の部材の周面と隙間なく対向していることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ化用の電極構造。
- 請求項1又は2の電極構造が径方向の内側と外側に同心をなして配置され、内側の電極構造においては電極の内周面と通路形成部材の外周面とが対向し、外側の電極構造においては電極の外周面と通路形成部材の内周面とが対向し、内側電極構造の電極の外周面と外側電極構造の電極の内周面との隙間がガス通路として提供され、これら電極間に印加される電界により、上記ガス通路を流れる処理ガスをプラズマ化することを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003377383A JP3934101B2 (ja) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 |
CN2007101692404A CN101145508B (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 等离子加工装置和方法 |
CNB2007101692387A CN100511583C (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 等离子加工装置 |
KR1020057016513A KR100779814B1 (ko) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
CNB2004800061809A CN100375246C (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 等离子加工装置 |
EP04717310A EP1610368A4 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | APPARATUS AND PROCESS FOR PLASMA PROCESSING |
PCT/JP2004/002724 WO2004079811A1 (ja) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | プラズマ処理装置及び方法 |
KR1020077016917A KR100814584B1 (ko) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 플라즈마 처리 장치 및 방법 |
CA002517133A CA2517133A1 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | Plasma processing apparatus and method |
CNA2007101692391A CN101146398A (zh) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | 等离子加工装置及其电极结构 |
US10/547,078 US7332039B2 (en) | 2003-03-06 | 2004-03-04 | Plasma processing apparatus and method thereof |
TW093105871A TWI260037B (en) | 2003-03-06 | 2004-03-05 | Plasma processing device and method |
US11/932,330 US8262846B2 (en) | 2003-03-06 | 2007-10-31 | Plasma processing apparatus and method thereof |
US11/932,399 US20080295965A1 (en) | 2003-03-06 | 2007-10-31 | Plasma processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003377383A JP3934101B2 (ja) | 2003-11-06 | 2003-11-06 | プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005142366A JP2005142366A (ja) | 2005-06-02 |
JP3934101B2 true JP3934101B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=34688127
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003377383A Expired - Fee Related JP3934101B2 (ja) | 2003-03-06 | 2003-11-06 | プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3934101B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100975665B1 (ko) * | 2008-01-25 | 2010-08-17 | (주)에스이 플라즈마 | 양산용 상압 플라즈마 발생장치 |
-
2003
- 2003-11-06 JP JP2003377383A patent/JP3934101B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005142366A (ja) | 2005-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8262846B2 (en) | Plasma processing apparatus and method thereof | |
JP5560267B2 (ja) | プラズマ処理装置のためのシャワーヘッド電極アセンブリ、真空チャンバ、及び、プラズマエッチングを制御する方法 | |
US10332729B2 (en) | Compression member for use in showerhead electrode assembly | |
KR102153417B1 (ko) | 정전 척 | |
CN102191502B (zh) | 气体簇射用构造体和基板处理装置 | |
JP2006298758A (ja) | オゾンおよびその他の反応性ガスの発生セルおよびシステム | |
JP4780410B2 (ja) | 抵抗層、マイクロ溝及び誘電体層を含む高機能静電クランプ | |
KR20210008725A (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템 | |
JP3934101B2 (ja) | プラズマ化用の電極およびプラズマ処理装置 | |
JPH11330219A (ja) | 静電吸着装置 | |
KR20080046822A (ko) | 포커스 링 내부에 조절 전극을 갖는 플라즈마 처리 장치 | |
JP5777656B2 (ja) | 基板支持装置及び基板処理装置 | |
JP2001127046A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2005142368A (ja) | プラズマ処理装置 | |
TWI817732B (zh) | 安裝底座、噴淋頭組件、噴淋頭的控溫方法及等離子體處理裝置 | |
JP3583416B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2006032821A (ja) | プラズマ処理装置 | |
US20210104385A1 (en) | Substrate support pedestal and plasma processing apparatus | |
US20240038507A1 (en) | Substrate support and plasma processing apparatus | |
WO2023238750A1 (ja) | プラズマ処理装置内構造体、電極板及びプラズマ処理装置 | |
US20230073711A1 (en) | Substrate support assembly and plasma processing apparatus | |
KR20110083979A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP2004273638A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100217335B1 (ko) | 반도체 확산설비의 터릿 허브(Turret Hub) | |
JP2023165222A (ja) | 静電チャック、基板支持アセンブリ、及びプラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061226 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070227 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100330 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110330 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120330 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130330 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |