JP2006277663A - 座標検出装置及び座標検出方法 - Google Patents

座標検出装置及び座標検出方法 Download PDF

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Abstract

【課題】第1の導電膜が形成された第1の基板と第2の導電膜が形成された第2の基板とを、第1の導電膜と第2の導電膜とが互いに対向するように配置したパネル部を有する座標検出装置及び座標検出方法に関し、電極及び配線を簡略化でき、かつ、正確に座標検出が行なえる座標入力装置及び座標入力方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、第1の導電膜が形成された第1の基板と、第2の導電膜が形成された第2の基板とを、第1の導電膜と該第2の導電膜とが互いに対向するように配置した座標検出装置において、第1の導電膜の一辺の一端から出力される第1の電流と他端から出力される第2の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に平行な方向の座標を取得し、第1の電流と第2の電流との和と第1の導電膜の一辺に対応する辺から出力される第3の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に直交する方向の座標を取得することを特徴とする。
【選択図】図1

Description

本発明は座標検出装置及び座標検出方法に係り、特に、第1の導電膜が形成された第1の基板と第2の導電膜が形成された第2の基板とを、第1の導電膜と第2の導電膜とが互いに対向するように配置したパネル部を有する座標検出装置及び座標検出方法に関する。
近年、入力デバイスとして、ディスプレイに直接入力を行なうことにより、簡単に、人の操作感覚に合った入力が可能となるタッチパネルが注目されている。
タッチパネルは、LCDなどの表示装置の表示面上に積層されて使用される。タッチパネルは、指やペンなどにより操作位置の座標を検出して、上位装置に送出する。
従来のタッチパネルは、下部基板がガラス基板で構成され、上部基板が透明樹脂フィルム基板などから構成されており、下部基板と上部基板との互いに対向する面に透明導電膜が形成された構成とされている(特許文献1、特許文献2参照)。このようなタッチパネルでは、下部基板の透明導電膜と上部基板の透明導電膜との接触位置によって電極までの距離が変化して、接触位置と電極との抵抗値が変化することを利用して座標検出を行なっている。
このとき、従来のタッチパネルでは、例えば、下部基板に形成された透明導電膜の抵抗変化によりX座標を検出し、上部基板に形成された透明導電膜の抵抗変化によりY座標を検出していた。
特開2000−222109号公報 特開平5−289805号公報
透明樹脂フィルム基板は操作により撓むとともに、指やペンで操作が行なわれるため、爪やペン先などによって、亀裂が発生しやすかった。従来のタッチパネルでは、この透明樹脂フィルム基板でも座標を検出する構成とされていたため、透明樹脂フィルム基板に亀裂が発生、特に、検出方向に直交する方向に亀裂が発生すると、透明導電膜の抵抗値を正確に検出できず、座標検出が行なえなくなるなどの問題点があった。
また、上下基板に電極及び配線を設ける必要があったため、額縁部分を広くする必要があり、入力部分に対して全体形状が大型になっていた。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、電極及び配線を簡略化でき、かつ、正確に座標検出が行なえる座標入力装置及び座標入力方法を提供することを目的とする。
本発明は、第1の導電膜が形成された第1の基板と、第2の導電膜が形成された第2の基板とを、第1の導電膜と該第2の導電膜とが互いに対向するように配置した座標検出装置において、第1の導電膜の一辺の一端から出力される第1の電流と他端から出力される第2の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に平行な方向の座標を取得し、第1の電流と第2の電流との和と第1の導電膜の一辺に対応する辺から出力される第3の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に直交する方向の座標を取得することを特徴とする。
本発明によれば、第1の導電膜の一辺の一端から出力される第1の電流と他端から出力される第2の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に平行な方向の座標を取得し、第1の電流と第2の電流との和と第1の導電膜の一辺に対応する辺から出力される第3の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に直交する方向の座標を取得することにより、第2の基板に形成される第2の導電膜の劣化によらず、位置検出を正確に行なうことが可能となる。
また、電極が3点で済むことにより、引出線が少なくて済みため、狭額縁化が可能となり、よって、携帯電話機、PDAなどの小型機器への搭載が可能となる。
また、第1の電流及び第2の電流並びに第3の電流の総和によって、第1及び第2の基板に直交する方向の座標を検出することも可能となる。
〔システム構成〕
図1は本発明の一実施例のブロック構成図を示す。
本実施例の座標入力装置100は、いわゆる、タッチパネルであり、タッチした位置に応じた座標を検出可能なデバイスであり、パネル部111、及び、インタフェース基板112、フレキシブルプリント配線板113から構成されている。
パネル部111は、フレキシブルプリント配線板113によりインタフェース基板112に接続されている。パネル部111には、インタフェース基板112からフレキシブルプリント配線板113を介して駆動電圧が印加されている。また、パネル部111は、タッチ時に駆動電圧によって発生される第1〜第3の電流を、フレキシブルプリント配線板113を介してインタフェース基板112に供給する。
インタフェース基板112は、パネル部111から供給される第1〜第3の電流に基づいて第1〜第3の座標を検出し、その座標データを上位装置に供給する。
〔パネル部111〕
パネル部111の構造について説明する。
図2はパネル部111の分解斜視図を示す。
座標入力装置111は、第1の基板121、及び、第2の基板122、並びに、スペーサ123などから構成されている。
図3は第1の基板121の平面図を示す。
第1の基板121は、非可撓性透明基板130上に第1の導電膜131、抵抗膜132、電極133、及び、配線パターン134、135、136、137、並びに、接続部138、スリット139を形成した構成とされている。非可撓性透明基板130は、例えば、ガラス基板から構成されている。
第1の導電膜131は、例えば、ITO(indium-tin-oxide)膜から構成されており、非可撓性透明基板130の矢印Z1方向側の略全面に亘って矩形状に形成されている。抵抗膜132は、第1の導電膜131の矢印X2方向端辺に沿って第1の導電膜131に接触するように形成されている。なお、抵抗膜132は、その抵抗値が1Ω/□以上となる材料で形成されている。
電極133は、銀ペーストを印刷して形成されており、低抵抗の導電性材料で構成されている。電極133は、第1の導電膜131の矢印X1方向端辺全辺に沿って第1の導電膜131に接触するように形成されている。
配線パターン134〜137は、例えば、銀ペーストを非可撓性透明基板130に印刷して形成されている。配線パターン134は、抵抗膜132の矢印Y2方向の端部と接続部138とを接続する配線パターンである。配線パターン135は、抵抗膜132の矢印Y1方向の端部と接続部138とを接続する配線パターンである。
配線パターン136は、接続部136a、及び、配線部136bから構成されている。接続部136aは、第2の基板122との接続を行なうためのパターンである。配線部136bは、接続部136aと接続部138とを接続するための配線パターンである。
接続部138は、フレキシブルプリント配線板113との接続を行なうためのパターンであり、フレキシブルプリント配線板113の一端が半田付けされる。
スリット139は、第1の導電膜131を抵抗膜132の延長方向である矢印Y1、Y2方向に直交する方向である矢印X1、X2方向に沿って形成され、矢印Y1、Y2方向に多数本に亘って形成されている。なお、スリット139は、例えば、レーザエッチングなどによって形成される。
第1の基板122には、第2の基板122がスペーサ123を介して積層されて、接着される。
図4は第2の基板122の底面図を示す
第2の基板122は、可撓性基板140の底面、矢印Z2方向側の面に第2の導電膜141、電極142、配線パターン143を形成した構成とされている。可撓性透明基板140は、例えば、PETなどの透明樹脂フィルム基板から構成されている。
第2の導電膜141は、例えば、ITO(indium-tin-oxide)膜から構成されており、可撓性透明基板140の矢印Z2方向側の略全面に亘って矩形状に形成されている。電極142は、第2の導電膜141の矢印Y1方向端辺に沿って第2の導電膜141に接触するように形成されている。
電極142は、略中央部で、配線パターン143が接続されている。配線パターン143は、接続部143a及び配線部143bから構成されている。
接続部143aは、第1の基板121の接続部136aに対向する位置に設けられており、第2の基板122を第2の基板121に積層するときに、銀ペーストなどを介して接続部136aに接続される。
電極142には、フレキシブルプリント配線板113、及び、第1の基板121の配線パターン136、並びに、配線パターン143を介してインタフェース基板112から駆動電圧が印加される。電極142に印加された駆動電圧は、第2の導電膜141に印加される。なお、電極142は、第2の導電膜141の全面に亘って略均一に電圧が印加されるようにパターニングすることが望ましい。
〔インタフェース基板112〕
インタフェース基板112は、抵抗R11、R12、R21、R22、R31、R32、R41、R42、電源回路150、コネクタ151、A/D変換機152、153、154、CPU155、インタフェース回路156、コネクタ157から構成されている。
電源回路150は、駆動電圧を発生し、コネクタ151に供給する。コネクタ151は、例えば、カードエッジコネクタから構成されており、フレキシブルプリント配線板113の他端が接続される。電源回路150からの電源電圧は、フレキシブルプリント配線板113の電源ラインを介して第1の基板121の接続部138で配線パターン136に接続される。配線パターン136の接続部136aは、第2の基板122の接続部143aに接続されている。駆動電圧は、配線パターン143を介して電極142に印加される。
電極142は、第2の導電膜141に接続されている。駆動電圧は、電極142から第2の導電膜141に印加される。
コネクタ151の第1の信号端子は、フレキシブルプリント配線板113の第1の信号ラインに接続されている。フレキシブルプリント配線板113の第1の信号ラインは、第1の基板121の接続部138で配線パターン134の他端に接続されている。これによって、コネクタ151の第1の信号端子には、抵抗膜132の一端から出力される第1の電流が供給される。
コネクタ151の第2の信号端子は、フレキシブルプリント配線板113の第2の信号ラインに接続されている。フレキシブルプリント配線板113の第2の信号ラインは、第1の基板121の接続部138で配線パターン135の他端に接続されている。これによって、コネクタ151の第2の信号端子には、抵抗膜132の他端から出力される第2の電流が供給される。
コネクタ151の第3の信号端子は、フレキシブルプリント配線板113の第3の信号ラインに接続されている。フレキシブルプリント配線板113の第3の信号ラインは、第1の基板121の接続部138で配線パターン137の他端に接続されている。これによって、コネクタ151の第3の信号端子には、電極133から第3の電流が供給される。
抵抗R11と抵抗R12とは、コネクタ151の第1の信号端子と接地との間に直列に接続されており、第1の信号端子から第1の電流が供給される。このため、抵抗R11と抵抗R12との接続点には、第1の電流に応じた電圧が発生する。抵抗R11と抵抗R12との接続点に発生した電圧は、A/D変換器152に供給される。A/D変換器152は、抵抗R11と抵抗R12との接続点に発生した電圧をディジタルデータに変換し、CPU155に供給する。
抵抗R21と抵抗R22とは、コネクタ151の第2の信号端子と接地との間に直列に接続されており、第2の信号ラインから供給される第2の電流が流れる。このため、抵抗R21と抵抗R22との接続点には、第2の電流に応じた電圧が発生する。抵抗R21と抵抗R22との接続点に発生した電圧は、A/D変換器153に供給される。A/D変換器153は、抵抗R21と抵抗R22との接続点に発生した電圧をディジタルデータに変換し、CPU155に供給する。
抵抗R31と抵抗R32とは、コネクタ151の第3の信号端子と接地との間に直列に接続されており、第3の信号ラインから供給される第3の電流が流れる。このため、抵抗R31と抵抗R32との接続点には、第3の電流に応じた電圧が発生する。抵抗R31と抵抗R32との接続点に発生した電圧は、A/D変換器154に供給される。A/D変換器154は、抵抗R31と抵抗R32との接続点に発生した電圧をディジタルデータに変換し、CPU155に供給する。
CPU155は、A/D変換器152、153、154から供給される第1〜第3の電流に応じたディジタルデータから第1〜第3の座標を取得する。CPU155で取得された第1〜第3の座標は、インタフェース回路156に供給される。インタフェース回路156は、コネクタ157に接続されている。コネクタ157は、USBなどのインタフェースケーブルを介して上位装置に接続されている。インタフェース回路156は、上位装置とのインタフェースとり、取得した座標を上位装置に供給する。
ここで、CPU155における座標取得処理について説明する。
図5はインタフェース基板112の処理フローチャートを示す。
CPU155は、ステップS1−1で、第1の基板121に第2の基板122が接触したことを検出すると、ステップS1−2で、A/D変換器152からディジタルデータ、すなわち、第1の電流IAに相当するデータを取り込む。また、CPU155は、ステップS1−3で、A/D変換器153からディジタルデータ、すなわち、第2の電流IBに相当するデータを取り込む。さらに、CPU155は、ステップS1−4で、A/D変換器154からディジタルデータ、すなわち、第3の電流ICに相当するデータを取り込む。なお、以降、取得したディジタルデータを単に第1〜第3の電流IA、IB、ICと呼ぶ。
次に、CPU155は、ステップS1−5で、取得した第1の電流IA、及び、第2の電流IBから電流IDを取得する。なお、電流IDは、(IA+IB)から求められる。
次にCPU155は、ステップS1−6で、総電流値を取得する。なお、総電流値は、(IC+ID)から求められる。
次にCPU155は、ステップS1−7で、第1の電流IA及び第2の電流IBとの比からY座標Y0を取得する。また、CPU155は、ステップS1−8で第3の電流ICと電流IDからX座標X0を取得する。
図6は座標取得動作を説明するための図を示す。図6において点P0は操作点を示している。
操作点P0で第2の基板122から第1の基板121の第1の導電膜131に駆動電圧が印加される。このとき、操作位置P0によって抵抗膜132までの距離と電極133までの距離とが変化する。第1の導電膜131は抵抗を有しており、操作位置P0からの距離によって抵抗値が変化する。これによって、操作位置P0によって抵抗膜132側の抵抗値と電極133側の抵抗値との比が変化する。これによって、抵抗膜132側に流れる電流IDと電極133側に流れる電流ICとの比が変化する。したがって、電流IDと電流ICの比を検出することによって、X座標X0を検出することができる。
また、第1の導電膜131を流れる電流は、抵抗膜132まで最短の距離に流れる電流が支配的となっており、抵抗膜132においては操作位置P0によって抵抗膜132の操作位置P0から最短位置の矢印Y2方向側の抵抗値と矢印Y1方向側の抵抗値とが変化する。これによって、矢印Y2方向側に流れる電流IAと抵抗膜132の矢印Y1方向側に流れる電流IBとの比が変化する。よって、電流IAと電流IBとの比を検出することによって、Y座標Y0を検出することができる。
次に、CPU155は、ステップS1−9で、取得された総電流値からZ座標を取得する。第2の基板122を第1の基板121に強く押下した場合、第1の導電膜131と第2の導電膜141との接触抵抗が低減するため、第2の導電膜141から第1の導電膜131に流れる電流が増加する。第2の導電膜141から第1の導電膜131に流れる電流は、座標検出時の総電流値に相当する。したがって、総電流値を求めることにより、第2の基板122の押下力から矢印Z2方向の座標を検出することが可能となる。
CPU155は、取得したX、Y、Z座標値をインタフェース回路156に供給する。インタフェース回路156は、上位装置とのインタフェースをとり、CPU155から供給されたX、Y、Z座標値を上位装置に送信する。
〔効果〕
本実施例によれば、第1の導電膜の一辺の一端から出力される第1の電流と他端から出力される第2の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に平行な方向の座標を取得し、第1の電流と第2の電流との和と第1の導電膜の一辺に対応する辺から出力される第3の電流との比に応じて第1の導電膜の一辺に直交する方向の座標を取得することにより、第2の基板に形成される第2の導電膜の劣化によらず、位置検出を正確に行なうことが可能となる。
また、電極が3点で済むことにより、引出線が少なくて済みため、狭額縁化が可能となり、よって、携帯電話機、PDAなどの小型機器への搭載が可能となる。
また、第1の電流及び第2の電流並びに第3の電流の総和によって、第1及び第2の基板に直交する方向の座標を検出することも可能となる。
〔変形例〕
図7は第1の基板121の変形例の平面図を示す。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例の第1の基板221は、電極133を削除し、配線パターン137の一端を直接、第1の導電膜131の矢印X1方向の端辺中央に接続した構成とされている。本変形例によれば、構成を簡略化できるとともに、電極を印刷する工程を削減できる。
図8は第2の基板122の変形例の底面図を示す。同図中、図4と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
本変形例の第2の基板222は、電極142を削除し、配線パターン143の一端を直接、第2の導電膜141の矢印Y2方向の端辺中央に接続した構成とされている。本変形例によれば、構成を簡略化できるとともに、電極を印刷する工程を削減できる。なお、図8に破線で示すように配線パターン244、245、246を設けるようにしてもよい。第2の導電膜141の全辺の中央で配線パターン244、245、246を接続することにより、第2の導電膜141の電位を均一化できるため、正確な座標検出が可能となる。
本発明の一実施例のブロック構成図である。 パネル部111の分解斜視図である。 第1の基板121の平面図である。 第2の基板122の底面図である。 インタフェース基板112の処理フローチャートである。 座標取得動作を説明するための図である。 第1の基板121の変形例の平面図である。 第2の基板122の変形例の底面図である。
符号の説明
100 座標入力装置
111 パネル部、112 インタフェース基板、113 フレキシブルプリント配線板
121 第1の基板、122 第2の基板、123 スペーサ
130 非可撓性透明基板、131 第1の導電膜、132 抵抗膜、133 電極
134〜137 配線パターン、138 接続部、139 スリット
140 可撓性透明基板、141 第2の導電膜、142 電極、143 配線パターン
150 電源回路、151 コネクタ、152、153、154 A/D変換器
155 CPU、156 インタフェース回路、157 コネクタ

Claims (11)

  1. 第1の導電膜が形成された第1の基板と、第2の導電膜が形成された第2の基板とを、該第1の導電膜と該第2の導電膜とが互いに対向するように配置したパネル部を有する座標検出装置において、
    前記パネル部は、前記第1の導電膜の一辺に形成された抵抗部と、
    前記第1の導電膜の前記抵抗部に対向する辺に形成された検出部と、
    前記第2の導電膜に電圧を印加する電圧印加部とを有することを特徴とする座標検出装置。
  2. 前記抵抗部の両端及び前記検出部の各々に流れる電流に基づいて座標を検出する検出部を有することを特徴とする請求項1記載の座標検出装置。
  3. 前記検出部は、前記抵抗部の一端から出力される第1の電流を検出する第1の電流検出手段と、
    前記抵抗部の他端から出力される第2の電流を検出する第2の電流検出手段と、
    前記検出部から出力される第3の電流を検出する第3の電流検出手段と、
    前記第1の電流検出手段で検出された第1の電流と前記第2の電流検出手段で検出された第2の電流との比に応じて第1の座標を取得し、前記第1の電流と前記第2の電流との和と前記第3の電流との比に応じて前記第1の座標に直交する第2の座標を取得し、前記第1の電流及び前記第2の電流並びに前記第3の電流との総電流値に応じて前記第2の基板に直交する方向の第3の座標を取得する処理手段とを有することを特徴とする請求項2記載の座標検出装置。
  4. 前記電圧印加部に電圧を印加する電源回路を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項記載の座標検出装置。
  5. 前記第1の導電膜は、前記抵抗部に直交する方向にスリットを有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の座標検出装置。
  6. 前記検出部は、前記抵抗部に平行に形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項記載の座標検出装置。
  7. 前記第1の基板は、非可撓性基板から構成され、
    前記第2の基板は、可撓性基板から構成されたことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の座標検出装置。
  8. 前記非可撓性基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項7記載の座標検出装置。
  9. 前記可撓性基板は、フィルム基板であることを特徴とする請求項7又は8記載の座標検出装置。
  10. 第1の導電膜が形成された第1の基板と、第2の導電膜が形成された第2の基板とを、該第1の導電膜と該第2の導電膜とが互いに対向するように配置した座標検出装置の座標検出方法において、
    前記第1の導電膜の一辺の一端から出力される第1の電流と他端から出力される第2の電流との比に応じて前記第1の導電膜の一辺に平行な方向の座標を取得し、
    前記第1の電流と前記第2の電流との和と前記第1の導電膜の一辺に対応する辺から出力される第3の電流との比に応じて前記第1の導電膜の一辺に直交する方向の座標を取得することを特徴とする座標検出方法。
  11. 前記第1の電流及び前記第2の電流並びに前記第3の電流の総電流値に応じて前記第2の基板に直交する方向の座標を検出することを特徴とする請求項10記載の座標検出方法。
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