JP2006276579A - 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 マザー基板からより多くの複数の電気光学装置を採取でき、量産性に優れる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 電気光学物質の周囲に形成されたシール剤５２を具備する電気光学装置の製造方法であって、描画工程は、一対の母材基板のいずれか一方の母材基板１１０に、所定の描画パターン５２ａ，５２ｂでシール剤５２を描画し、貼り合わせ工程は、一対の母材基板をシール剤５２を介して貼り合わせた接合基板を形成し、分割工程は、描画パターンの少なくとも一辺において、シール剤５２が延在する方向に当該シール剤５２を二分して一対の母材基板を分割し、当該二分されたシール剤５２が充填領域１１１の一辺をなすこと、を特徴とする。
【選択図】 図２１

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置の製造装置に関する。

従来、携帯電話等の電子機器における画像表示部においては、液晶装置等の電気光学装置が使用されている。このような液晶装置は、一対の透明基板の間に液晶層が挟持された構成を有している。

このような液晶装置を製造する場合には、マザー基板と呼ばれる大判の基板を使って複数の液晶装置を一括して形成する方法（以下、この方法を「多面取り」と呼ぶこともある）が採用されている。この方法では、まず、液晶装置の第１の基板を多面取りするための第１のマザー基板と、液晶装置の第２の基板を多面取りするための第２のマザー基板とを用意し、それぞれのマザー基板の各基板領域（第１の基板又は第２の基板となる領域）に対して電極や配線を一括して形成する。次に、ディスペンサを用いて第１のマザー基板の各基板領域の周縁部に、ギャップ制御用のスペーサ（グラスファイバ等）を含んだシール剤を環状に塗布する。この際、シール剤には液晶注入用の開口部（液晶注入口）を形成しておく（即ち、シール剤は液晶注入口を有する開環状に形成する）。次に、このシール剤を介して第１のマザー基板と第２のマザー基板を貼り合わせ、加圧によってシール剤を十分につぶしてから紫外線照射若しくは加熱処理によってシール剤を硬化する。次に、液晶注入口を介してシール剤の内側に液晶を注入し、この液晶注入口を封止材によって封止した後、スクライブによって各基板領域を分離する。

また、近年では、液晶をマザー基板上に滴下してから貼り合わせを行うことによって、マザー基板の貼り合わせと同時に液晶の充填を行うようにした方法（滴下注入法）も提案されている。この方法では、まず、液晶装置の第１の基板を多面取りするための第１のマザー基板と、液晶装置の第２の基板を多面取りするための第２のマザー基板とを用意し、それぞれのマザー基板の各基板領域（第１の基板又は第２の基板となる領域）に対して電極や配線を一括して形成する。次に、ディスペンサを用いて第１のマザー基板の各基板領域の周縁部に、ギャップ制御用のスペーサを含んだシール剤を環状に塗布する。この際、シール剤は液晶注入口を持たない閉環状に形成する。次に、インクジェット装置等によってシール剤の内側に液晶を液滴状にして多数配置し、減圧下で第１のマザー基板と第２のマザー基板とを貼り合わせる。そして、加圧によってシール剤を十分につぶしてから紫外線照射若しくは加熱処理によってシール剤を硬化し、その後、スクライブによって各基板領域を分離する。

また、上記のスクライブによる基板領域の分割方法は、工具を利用してマザー基板の表面にクラックを形成し、クラックが形成されていない側からハンマー等によって衝撃を加え、クラック形成部分を割ることによって、マザー基板から複数の基板領域を分割している（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００１−８３９０１号公報

このように多面取りを行う場合には、マザー基板の無駄をなくしてなるべく多くの液晶装置を製造できるようにすることが望ましい。しかし、前述のスクライブによる分割方法においては、マザー基板を切断する切断面とシール剤との間に、スクライブのための寸法マージン（隙間）が必要であると共に、当該マージンはマザー基板における複数の基板領域各々の周囲に形成されているため、隙間が大きくなる程、１枚のマザー基板から採取可能な基板領域の数が減少してしまうという問題があった。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、マザー基板からより多くの複数の電気光学装置を採取でき、量産性に優れる電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
即ち、本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学物質を挟持して対向配置された一対の基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、前記シール剤で区切られた前記電気光学物質の充填領域を複数有する一対の母材基板のいずれか一方の母材基板に前記シール剤を描画する描画工程、前記一対の母材基板の貼り合わせ工程、及び前記一対の母材基板の分割工程を少なくとも含み、前記描画工程は、前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板に、所定の描画パターンで前記シール剤を描画し、前記貼り合わせ工程は、前記一対の母材基板を前記シール剤を介して貼り合わせた接合基板を形成し、前記分割工程は、前記描画パターンの少なくとも一辺において、前記シール剤が延在する方向に当該シール剤を二分して前記一対の母材基板を分割し、当該二分されたシール剤が前記充填領域の一辺をなすこと、を特徴としている。

ここで、電気光学物質又は電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。従って、例えば液晶装置や有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、無機ＥＬ装置に代表される発光装置等を含む概念である。
また、「構成単位」とは、分割工程によって分割される分割単位であって、複数の充填領域の数よりも少ない数の、単数又は複数の充填領域を単位としてなるものである。換言すれば、複数の充填領域を分割し、一の充填領域毎に分割されたもの、２個や３個等の充填領域のまとまり毎に分割されたもの、を意味する。
このようにすれば、シール剤を２分するように接合基板を構成単位毎に分割することができる。また、構成単位が複数の充填領域からなる場合には、当該複数の充填領域を分割して、一の充填領域毎に分割することができる。従って、これによって、一対の母材基板から複数の電気光学装置を製造することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記描画工程は、前記複数の充填領域の相互間において、前記描画パターンの一部を構成する一本のシール剤を直線状に描画し、前記分割工程は、前記一本のシール剤が延在する方向において当該シール剤を二分すること、を特徴としている。

このようにすれば、一本のシール剤を描画するだけで、隣接する２つの充填領域を構成するシール剤を同時に描画形成することができる。また、シール剤を二分することで、隣接する２つの充填領域を分割することができる。
従来までは、切断面とシール剤との間において分割のための寸法マージンが必要であったが、本発明によればこのような寸法マージンを不要にすることができる。従って、一対の母材基板の全面積のうち、電気光学装置に使用されない不要な面積を最小限にすることができ、１枚の母材基板から採取可能な基板領域の数を増加させることができる。従って、電気光学装置の製造コストを低減することができ、安価な電気光学装置を実現できる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記描画工程は、前記一対の母材基板のうちいずれか一方の母材基板に対して前記複数の充填領域を跨ぐように、前記シール剤を描画し、前記分割工程は、前記充填領域を跨いで描画されたシール剤を二分するように、前記接合基板を切断すること、を特徴としている。
このようにすれば、複数の充填領域を跨ぐようにシール剤を描画することができる。また、充填領域を跨いで描画されたシール剤を２分させるように接合基板を分割できる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板は、前記充填領域とは異なる領域に形成された回路領域を有し、前記描画工程は、前記充填領域と前記回路領域との間に、前記描画パターンの一部を構成するシール剤を描画し、前記分割工程は、前記接合基板のうち、前記充填領域と前記回路領域との間に描画されたシール剤に対応する部分を除いて、切断すること、を特徴としている。
このようにすれば、充填領域と回路領域との間に描画形成されたシール剤を避けて、他のシール剤を２分するように接合基板を分割することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記描画工程は、前記描画パターンの一部において、直線状に延在する直線パターンと、端部が前記直線パターンの側部に接続する接続パターンと、からなるＴ状パターンを形成し、当該Ｔ状パターンは、前記接続パターンの端部が前記直線パターンに接続する側とは反対側に、前記接続パターンの延在方向に向けて凹む凹部を有し、前記分割工程は、前記接合基板のうち、前記凹部に対応させて前記切断手段を入射させ、前記接続パターンの延在方向に向けて、前記相対移動させること、を特徴としている。
このようにすれば、凹部の開口側から切断手段が入射して接続パターンの延在方向に切断される際に、当該延在方向以外の方向にクラックが生じ難くなり、当該延在方向のみに接合基板を分割することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記分割工程は、前記複数の充填領域の数よりも少ない数の構成単位で前記接合基板を切断し、前記複数の充填領域が少なくとも一方向に並設された群に分割すること、を特徴としている。
このようにすれば、複数の充填領域が少なくとも一方向に並設された群によって、接合基板を分割することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記分割工程は、前記複数の充填領域が個々に分割された個体に切断すること、を特徴としている。
このようにすれば、充填領域が個々に分割された個体によって、接合基板を切断することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記分割工程の後に、前記接合基板の切断面を研削する研削工程を含むこと、を特徴としている。
ここで、分割工程を施すと、接合基板の切断面にはバリや微細なクラックが生じ、当該バリやクラックが残留すると、ひびや基板割れが生じる虞がある。そこで、本発明のように、研削工程を施すことによって、このようなバリやクラックを除去することができるので、バリやクラックの残留に起因するひびや基板割れを防止することができる。

また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記貼り合わせ工程の前に、前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板の前記充填領域に対応する領域に対して、前記電気光学物質を滴下する滴下工程を含み、前記貼り合わせ工程を真空雰囲気において行うこと、を特徴としている。
また、本発明の電気光学装置の製造方法においては、前記分割工程の後に、前記充填領域内に前記電気光学物質を注入する注入工程を含むこと、を特徴としている。
このようにすれば、充填領域内に電気光学物質を充填することができる。

また、本発明の電気光学装置は、先に記載の製造方法を利用して製造したこと、を特徴としている。
このようにすれば、一対の母材基板の全面積のうち、電気光学装置に使用されない不要な面積を最小限にすることができ、１枚の母材基板から採取可能な基板領域の数を増加させることができる。従って、電気光学装置の製造コストを低減することができ、安価な電気光学装置を実現できる。

また、本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴としている。
このようにすれば、安価な電気光学装置を備え、低コストな電子機器を実現できる。

以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

（液晶装置）
まず、本発明に係る製造方法により得られる電気光学装置の一形態である液晶装置について説明する。
図１は、本発明に係る液晶装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図２は図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図３は、液晶装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図４は、液晶装置の部分拡大断面図である。

図１及び図２において、本実施形態の液晶装置（電気光学装置）１００は、液晶５０を挟持して対向配置された一対のＴＦＴアレイ基板（基板）１０と対向基板（基板）２０と、液晶５０の周囲に形成されたシール剤５２とを具備する構成となっている。具体的には、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール剤５２によって貼り合わされ、このシール剤５２によって区画された領域内に封入材としての液晶（電気光学物質）５０が封入、保持されている。

ここで、シール剤５２は、例えばＵＶ照射（紫外線照射）により硬化する紫外線硬化型、熱を加えることにより硬化する熱硬化型、或いは、ＵＶ照射及び加熱のうちどちらを行っても硬化する併用型が採用される。
また、シール剤５２は、液晶５０の周囲に開環状に形成され、シール剤５２の形成パターンの一部には、液晶注入口１８が設けられている。また、液晶注入口１８には、シール剤５２とは別体の封止部材１１が設けられており、これによって、封止部材１１及びシール剤５２の内側の充填領域１３に液晶５０が封止されている。
また、本実施形態においては、ＴＦＴアレイ基板１０の上面側、左面側、及び右面側において、ＴＦＴアレイ基板１０の端面が、シール剤５２の端面と合致している。
従って、液晶装置１００の横寸法は、シール剤５２の左端面５２Ｌと右端面５２Ｒとによって規定されている。また、液晶装置１００の縦寸法は、シール剤５２の上端面５２Ｕと張り出し部２０５（後述）の下端面２０５Ｂとによって規定されている。

また、充填領域１３は、液晶５０が封入される領域であり、画像表示領域１４と遮光領域５３とを有している。ここで、画像表示領域１４とは、画素電極９（後述）と対向電極２１（後述）との間において、液晶５０に電圧を印加することにより、画像表示を実際の行うための領域である。また、遮光領域５３とは、遮光性材料によって画像表示領域１４の領域を遮光する領域である。

また、ＴＦＴアレイ基板１０には、対向基板２０の外周側に張り出した張り出し部（回路領域）２０５が設けられている。当該張り出し部２０５は、充填領域１３とは異なる領域に形成された部位である。また、張り出し部２０５上には、ＴＦＴ３０（後述）に対してデータ線や走査線を介して信号を付与する駆動回路２０４と、張り出し部２０５の外部端子と実装される実装端子２０２とが設けられている。本実施形態では、この実装端子２０２にＦＰＣが実装されるようになっている。なお、実装形態としてはＣＯＧ実装等の他の形態を採用することも可能である。
また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。なお、当該基板間導通材２０６に代えて、シール剤５２に電気的導通性を有する導通粒子を含有させることで、シール剤５２自体が基板間導通材として機能するものであってもよい。

なお、駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の張り出し部２０５上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

このような構造を有する液晶装置１００の画像表示領域においては、図３に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図２に示す対向基板２０の対向電極２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶装置１００を実現することができる。

図４は液晶装置１００の部分拡大断面図であって、ガラス基板１０’を主体として構成されるＴＦＴアレイ基板１０上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を主体とする透明電極にて構成された画素電極９がマトリクス状に形成されており（図３参照）、これら各画素電極９に対して画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）がそれぞれ電気的に接続されている。また、画素電極９が形成された領域の縦横の境界に沿って、データ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが形成され、ＴＦＴ３０がデータ線６ａおよび走査線３ａに対して接続されている。すなわち、データ線６ａは、コンタクトホール８を介してＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ａに電気的に接続され、画素電極９は、コンタクトホール１５及びドレイン電極６ｂを介してＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域に電気的に接続されている。なお、画素電極９の表層にはポリイミド主体として構成される膜に対してラビング処理を行った配向膜１２が形成されている。

一方、対向基板２０においては、上基板側のガラス基板２０’上であって、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素電極９の縦横の境界領域と対向する領域に、ブラックマトリクスまたはブラックストライプと称せられる遮光膜２３が形成され、その上層側にはＩＴＯ膜からなる対向電極２１が形成されている。また、対向電極２１の上層側には、ポリイミド膜からなる配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶５０がシール剤５２（図１参照）により基板内に封入されている。

このように構成された本実施形態の液晶装置１００は、大面積のマザー基板（母材基板）を用いて複数の液晶装置を一括して形成し、切断によって個々の液晶装置１２に分離する方法によって製造されたものである。具体的には、液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０となる複数の矩形のＴＦＴアレイ領域が形成されたＴＦＴ側マザー基板（母材基板）と、基板面上に対向基板２０となる複数の矩形の対向領域が形成された対向側マザー基板（母材基板）とを、充填領域１３に液晶５０を充填させて貼り合せた接合マザー基板（接合基板）を形成し、当該接合マザー基板を充填領域１３毎に分割して得られたものである。

（液晶装置の製造装置）
次に、液晶装置１００の製造工程のうち、マザー基板に対してシール剤を描画する描画工程、マザー基板を貼り合わせる貼り合わせ工程、シール剤を硬化させるシール剤硬化工程、マザー基板を切断分割する分割工程、及び液晶を注入する液晶注入工程に至る工程を行うデバイス製造装置（電気光学装置の製造装置）について説明する。

図５は、デバイス製造装置６１の概略構成図である。
デバイス製造装置６１は、図５に示すように、基板の給材及び除材を行う基板給除部６２と、マザー基板上にシール剤を描画するシール剤供給部６３と、マザー基板を貼り合わせて接合マザー基板を形成する基板貼り合わせ部６４と、貼り合わされたマザー基板を加圧してシール剤を硬化させる加圧硬化部１６４と、接合マザー基板を複数に切断する分割部（切断手段）２６４と、接合マザー基板の切断面を研削する研削部３６４と、シール剤で囲まれた充填領域に液晶を注入及び封止する液晶注入部４６４とを、主体として備えた構成となっている。

（シール剤供給部）
図６は、基板給除部６２およびシール剤供給部６３の概略構成図である。
なお、以下の説明では、基板の表面に沿う方向をＸ方向（例えば図６中、左右方向）及びＹ方向（例えば図６中、紙面と垂直な方向）とし、ＸＹ平面と直交する方向をＺ方向として説明する。
シール剤供給部６３は、図６に示すように、基板を保持してＸ方向、Ｙ方向及びθ方向（Ｚ軸と平行な軸周りの回転方向）に移動自在なテーブル６５と、テーブル６５の上方に配設されたシール剤塗布部６６，６７と、を主体に構成されている。

また、基板給除部６２は、シール剤供給部６３と基板貼り合わせ部６４との間、基板貼り合わせ部６４と加圧硬化部１６４との間、加圧硬化部１６４と分割部２６４との間、分割部２６４と研削部３６４との間、及び研削部３６４と液晶注入部４６４との間で基板を搬送するキャリアを主な構成要素としている。
なお、基板給除部６２は、図６に示した構成の他に、搬送ロボットや搬送アーム等を備え、シール剤供給部６３、基板貼り合わせ部６４、加圧硬化部１６４、分割部２６４、研削部３６４、及び液晶注入部４６４を接続する搬送機能を有したユニットを含んだ構成としてもよい。

また、シール剤供給部６３においては、シール剤塗布部６６，６７の各々は、マザー基板上に所定の描画パターンでシール剤を塗布すること可能となっている。本実施形態においては、シール剤塗布部を２つ備えた構成となっているが、単数或いは、３つ以上の複数であってもよい。シール剤塗布部の個数は、シール剤描画工程における生産性やマザー基板上に描画される描画パターンの形状に応じて適宜選択される。シール剤塗布部を複数備える場合においては、同時に複数の描画パターンを一括して描画できるため好ましい。

また、シール剤塗布部６６，６７から塗布されるシール剤には、略球形状のギャップ制御材が含まれており、ギャップ制御材の直径は、基板のセルギャップを所定厚さ（例えば３μｍ）に保持できる寸法（例えば直径８μｍ）に形成されている。
なお、液晶材料を滴下させるのに液滴吐出ヘッド６６，６７の他に、精密薬液吐出機（計量型ディスペンサ）など、滴下する液晶材料量を制御できるものであればどのような装置を用いてもよい。また、ギャップ制御材は略球形状に形成され、シール剤に含まれるものに限られることなく、繊維形状に形成されシール剤に含まれるものや、シール剤に含まれず基板から柱状に突出して形成されたもの等さまざまなものを使用することができるが、基板の所定位置に固定され、基板の貼り合わせ時等において基板上を移動しないものを用いることが好ましい。

図６に示した液滴吐出ヘッド６６としては、例えば図７に示す構成の液滴吐出ヘッドを用いることができる。液滴吐出ヘッド６６のヘッド本体９０には、リザーバ９５および複数のインク室（圧力発生室）９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３に液晶等の電気光学物質を含むインクを供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の一方端面には、インク吐出面６６Ｐを構成するノズルプレートが装着されている。そのノズルプレートには、各インク室９３に対応して、インクを吐出する複数のノズル９１が開口されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって流路が形成されている。一方、ヘッド本体９０の他方端面には振動板９４が装着されている。
この振動板９４はインク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応して、ピエゾ素子（圧力発生手段）９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（図示せず）で挟持したものである。

図８は、ピエゾ素子の駆動電圧波形Ｗ１と、その駆動電圧に対応した液滴吐出ヘッド６６の動作を示す概略図である。以下には、ピエゾ素子９２を構成する一対の電極に対して、波形Ｗ１の駆動電圧が印加された場合について説明する。まず正勾配部ａ１，ａ３では、ピエゾ素子９２が収縮してインク室９３の容積が増加し、リザーバ９５からインク室９３内にインクが流入する。また負勾配部ａ２では、ピエゾ素子９２が膨張してインク室９３の容積が減少し、加圧されたインク９９がノズル９１から吐出される。そして、この駆動電圧波形Ｗ１の振幅および印加回数等により、インクの塗布量が決定される。

なお、液滴吐出ヘッド６６の駆動方式として、ピエゾ素子９２を用いたピエゾジェットタイプに限られず、例えば熱膨張を利用したサーマルインクジェットタイプなどを採用してもよい。また液晶の塗布手段として、インクジェットヘッド以外の塗布手段を採用することも可能である。インクジェットヘッド以外の液晶塗布手段として、たとえばディスペンサを採用することができる。ディスペンサは、インクジェットヘッドに比べて大口径のノズルを有しているので、粘度が高い状態の液晶を吐出することも可能である。

（基板貼り合わせ部）
図９は、基板貼り合わせ部６４の概略構成図である。
基板貼り合わせ部６４は、図９に示すように、基板を保持してＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に移動自在なテーブル６８と、テーブル６８上に設置された下チャック部６９と、下チャック部６９と対向配置された上チャック部７１と、上チャック部７１をＺ方向に移動自在に支持し、且つ下チャック部６９に向けて加圧する下降機構７２とを備えて構成されている。上チャック部７１の上方には、基板上のアライメントマークを拡大、観測する貼り合わせ用顕微鏡７４と、拡大観測されたアライメントマークの画像を取り込むＣＣＤカメラ８１とを備えた光学測定手段が設けられている。
また、基板貼り合わせ部６４には、ＣＣＤカメラ８１により取り込まれた画像を処理する画像処理部８３と、画像処理部８３により処理された画像情報に基づいてテーブル６８と下降機構７２とを制御する制御部８４が設けられている。
また、基板貼り合わせ部６４においては、シール剤を仮硬化させるために、電気ヒータ等からなる加熱ユニットや、紫外線を放射する水銀ランプ等のＵＶランプを具備するＵＶ照射ユニットが設けられている。

また、下チャック部６９及び上チャック部７１には、互いに対向する保持面６９ａ、７１ａでそれぞれ基板を保持するための保持機構（図示せず）が備えられている。
なお、下チャック部６９及び上チャック部７１には、静電気力や粘着力を用いたチャック機構、または機械的に基板を保持する機械的保持機構など、基板を保持できる機構であればどのような機構が備えられていてもよい。例えば、基板に石英ガラスを用いた場合、静電気力による保持方法を用いると保持力が弱く、基板の相対位置を十分な精度で調整することができない。その一方、接着力、分子間力、真空力、機械式保持等の保持方法であれば、石英ガラスでも十分な保持力を発揮することができるため、下チャック部６９及び上チャック部７１の保持機構に用いて好適である。

（加圧硬化部）
図１０は、加圧硬化部１６４の概略構成図である。
加圧硬化部１６４は、基板貼り合わせ部６４において貼り合わされた接合マザー基板を保持するテーブル１６８と、テーブル１６８と対向配置された加圧板１６９と、加圧板１６９をテーブル１６８に向けて加圧する加圧機構１７２と、テーブル１６８と加圧板１６９の各々の内部に設けられた加熱ユニット１７０と、を備えた構成となっている。
ここで、加熱ユニット１７０は、加圧板１６９の内部に設けられた上加熱部１７０ａと、テーブル１６８の内部に設けられた下加熱部１７０ｂとによって構成されている。上加熱部１７０ａは、接合マザー基板と加圧板１６９との接触面から加熱し、下加熱部１７０ｂは、テーブル１６８に保持される接合マザー基板を接触面から加熱するようになっている。これにより、加熱ユニット１７０は、シール剤５２の粘度を高め、硬化させる程度のエネルギーをシール剤５２に付与することが可能となる。また、加熱ユニット１７０としては、例えば、電気ヒータが採用される。

このような構成の加圧硬化部１６４においては、加圧機構１７２が動作することにより、テーブル１６８に保持された接合マザー基板を加圧板１６９が押圧し、かつ、加熱ユニット１７０ａ、１７０ｂの熱によって接合マザー基板のシール剤が硬化されるようになっている。
なお、本実施形態の加圧硬化部１６４においては、加熱ユニット１７０を備えたことにより熱硬化型のシール剤を硬化させるようになっているが、当該加熱ユニット１７０に代えて、ＵＶ照射ユニットを採用してもよい。この場合、接合マザー基板を加圧すると共に、光硬化型のシール剤を硬化させることが可能となる。更に、必要に応じて、ＵＶ照射ユニットがファイバ等の導光手段を備えてもよい。
また、加圧硬化部１６４として、加熱ユニット１７０とＵＶ照射ユニットとの両者を備えた構成を採用してもよい。この場合、接合マザー基板を加圧すると共に、熱硬化型と光硬化型との両特性を有するシール剤を硬化させることが可能となる。

（分割部）
図１１は、分割部２６４の概略構成図である。
分割部２６４は、図１１に示すように、基板を保持してＸ方向、Ｙ方向及びθ方向に移動自在なテーブル２６８と、テーブル２６８上に設置された下チャック部２６９と、下チャック部２６９と対向配置されたカッターヘッド（切断手段）２７２と、カッターヘッド２７２をＺ方向に移動自在に支持し、且つ下チャック部６９に向けて加圧する下降機構２７３とを備えて構成されている。カッターヘッド２７２の側方には、基板上のアライメントマークを拡大、観測する貼り合わせ用顕微鏡２７４と、拡大観測されたアライメントマークの画像を取り込むＣＣＤカメラ２８１とを備えた光学測定手段が設けられている。

また、分割部２６４には、ＣＣＤカメラ２８１により取り込まれた画像を処理する画像処理部２８３と、画像処理部２８３により処理された画像情報に基づいてテーブル２６８と下降機構２７２とを制御する制御部８４が設けられている。
また、下チャック部２６９は保持面２６９ａで基板を保持するための保持機構（図示せず）が備えられている。なお、下チャック部２６９には、静電気力や粘着力を用いたチャック機構、または機械的に基板を保持する機械的保持機構など、基板を保持できる機構であればどのような機構が備えられていてもよい。例えば、基板に石英ガラスを用いた場合、静電気力による保持方法を用いると保持力が弱く、基板の相対位置を十分な精度で調整することができない。その一方、接着力、分子間力、真空力、機械式保持等の保持方法であれば、石英ガラスでも十分な保持力を発揮することができるため、下チャック部６９の保持機構に用いて好適である。

また、カッターヘッド２７２は、ディスク状のカッターホイール（切断手段）２７１と、当該カッターホイール２７１を回転させる回転駆動機構とを備えている。
カッターホイール２７１としては、例えば図１２に示す構成のカッターホイールを用いることができる。図１２（ａ）はカッターホイール２７１の正面図、図１２（ｂ）はカッターホイール２７１の側面図である。
図１２（ａ）に示すように、カッターホイール２７１は、円周部に沿ってＶ字形状の刃が形成されたものである。また、図１２（ｂ）に示すように、刃先には円周部に沿った突起部２７１ａが形成されている。

このような構成の分割部２６４においては、テーブル２６８上に接合マザー基板を搭載し下チャック部２６９が保持した状態で、カッターヘッド２７２がカッターホイール２７１を回転させ、カッターホイール２７１と接合マザー基板とを接触させ、相対移動することによって、接合マザー基板が切断される。また、このような分割部２６４においては、マザー基板の厚さ方向に対して、カッターホイール２７１が高浸透に切断することが可能となる。

（研削部）
図１３は、研削部３６４の概略構成図である。
研削部３６４は、図１３に示すように、基板を保持して一方向（図１３中矢印方向）に移動可能なテーブル３６８と、テーブル３６８上に設置された下チャック部３６９と、テーブル３６８の側方に設置された回転可能な砥石３７０と、を備えて構成されている。

このような構成の研削部３６４においては、テーブル３６８上に接合マザー基板の一部となるパネル構造体ＣＰを搭載して下チャック部３６９が保持した状態で、図中矢印方向に移動しながら砥石３７０が回転してパネル構造体ＣＰの側面と接触することで、パネル構造体ＣＰの側面が研削される。

（液晶注入部）
図１４は、液晶注入部４６４の概略構成図である。
液晶注入部４６４は、図１４に示すように、減圧チャンバ４６５と、ゲートバルブ４６６と、減圧部４６７と、パージバルブ４６８と、液晶容器４６９と、を備えて構成されている。
ここで、減圧チャンバ４６５は、その内部を密閉状態に保持するための真空チャンバであり、減圧部４６７の駆動によって、所定の圧力に保たれるようになっている。
また、ゲートバルブ４６６は、減圧チャンバ４６５を開閉するものであり、開状態において減圧チャンバ４６５内にパネル構造体ＣＰを搬入及び搬出することが可能となり、閉状態において減圧チャンバ４６５内を気密に保持することが可能となる。
また、減圧部４６７は、減圧チャンバ４６５内の気体を排気する真空ポンプと、当該真空ポンプと減圧チャンバ４６５との間に設けられたバルブとからなる。ここで、バルブは、不図示の圧力計の指示値に応じて開閉するものであり、バルブが開くと真空ポンプが減圧チャンバ４６５の気体を排気し、バルブが閉じると減圧チャンバ４６５の圧力を維持する。また、パージバルブ４６８は、減圧チャンバ４６５内を大気圧に戻すためのバルブである。
また、液晶容器４６９内には、充填前の液晶５０が収容されている。また、液晶容器４６９の大きさは、分割された接合マザー基板の底辺が液晶５０に漬かる程度となっている。

（液晶装置の製造方法の第１実施形態）
次に、図１５から図２３を参照して、上記のデバイス製造装置６１により接合マザー基板（接合基板）１３０を製造する手順について説明する。
図１５は、本実施形態の製造方法を説明するためのフロー図である。
図１６から図１９は、本実施形態の製造方法の各工程を説明する図であって、材料供給部６３、基板貼り合わせ部６４、加圧硬化部１６４、分割部２６４、研削部３６４、及び液晶注入部４６４を示す図である。
図２０から図２３は、各工程における被処理対象のマザー基板や液晶装置を示す平面図である。

まず、接合マザー基板１３０を製造するにあたり、図２０（ａ）に示すＴＦＴ側マザー基板（母材基板）１１０を用意する。当該ＴＦＴ側マザー基板１１０には、後にＴＦＴアレイ基板１０となる矩形のＴＦＴアレイ領域（充填領域）１１１が区画されている。本実施形態においては、３行４列の合計１２個のＴＦＴアレイ領域１１１がＴＦＴ側マザー基板１１０に区画されている。
一方、図２０（ａ）に示す対向側マザー基板（母材基板）１２０も用意する。当該対向側マザー基板１２０は、ＴＦＴ側マザー基板１１０に対向配置される基板であり、後に対向基板２０となる矩形の対向領域（充填領域）１２１が区画されている。また、対向領域１２１は、ＴＦＴアレイ領域１１１と同列同行の１２個が区画されている。

次に、図１５のフロー図に示すように、ＴＦＴ側マザー基板１１０における複数のＴＦＴアレイ領域１１１の各々に、ＴＦＴ３０、画素電極９、配向膜１２、実装端子２０２、及び駆動回路２０４等を形成し、配向膜１２の表面にラビング処理を施してＴＦＴ側マザー基板１１０を得る（ステップＳ１〜Ｓ３）。

（シール描画工程）
次に、ＴＦＴ側マザー基板１１０の上面にシール剤を描画するシール描画工程を行う（描画工程、ステップＳ４）。
まず、図１６（ａ）に示すように、画素電極等が形成されたＴＦＴ側マザー基板１１０が基板給除部６２によってシール剤供給部６３の内部に運搬される。そして、封止面１１０ａを上側に向けて材料供給部６３のテーブル６５上に給材される。
その後、テーブル６５と、シール剤塗布部６６，６７とを相対移動させつつ、シール剤塗布部６６，６７がＴＦＴ側マザー基板１１０上に所定の描画パターンでシール剤５２を塗布する。なお、シール描画工程は、大気圧雰囲気において行われる。

上記のステップＳ１〜Ｓ４の工程を経ることにより、図２１に示すＴＦＴ側マザー基板１１０が得られ、各ＴＦＴアレイ領域１１１に、シール剤５２、実装端子２０２、及び駆動回路２０４が形成される。
なお、図２１においては、ＴＦＴ３０、画素電極９、及び配向膜１２が不図示となっているが、図４に示すように、後の工程によってＴＦＴアレイ基板１０となるＴＦＴアレイ領域１１１には、これらが形成されているものとする。

また、シール剤５２は、ＴＦＴアレイ領域１１１の各々の周縁部に形成される。
当該シール剤５２は、図中縦方向に延在する縦パターン５２ａと、図中横方向（縦パターン５２ａと直交する方向）に延在する横パターン５２ｂとからなる。
このようなシール剤５２で内包された領域は、後に液晶５０が注入される充填領域１３である。また、各ＴＦＴアレイ領域１１１において、実装端子２０２及び駆動回路２０４は、充填領域１３とは異なる領域となる張り出し部（回路領域）２０５に形成されたものとなる。

また、縦パターン５２ａのうち、隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の相互間１１２における縦パターン（描画パターンの一部）５２ａは、一本のシール剤５２が直線状に描画形成されたものであり、隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の各々に対して共有されたものとなっている。また、図２１において、縦パターン５２ａが横パターン５２ｂよりも太くなっている。このような描画パターンの太さは、シール剤５２の吐出量が調整されたり、描画速度が調整されたりすることによって調整される。
また、横パターン５２ｂは、ＴＦＴアレイ領域１１１の各々が開環状となるように、後に液晶注入口１８となる部分には形成されていない（非形成となっている）。また、横パターン（描画パターンの一部）５２ｂは、張り出し部２０５と充填領域との間に描画形成されている。
また、横パターン５２ｂは、シール剤５２が延在する横方向において、複数のＴＦＴアレイ領域１１１を跨ぐように描画形成されている。

また、相互間１１２の両端においては、横パターン（直線パターン）５２ｂの側部に縦パターン（接続パターン）５２ａが接続されている。これによって、Ｔ状に接続するＴ状接続点（描画パターンの一部、Ｔ状パターン）５２ｃが描画形成されている。
当該Ｔ状接続点５２ｃにおいては、縦パターン５２ａが横パターン５２ｂに接続する側（相互間１１２の側）とは反対側に、縦パターン５２ａの延在方向に向けて凹む凹部５２ｄが形成されている。また、当該凹部５２を拡大視した形状は、図１７（ｃ）に示すように、角部を有する「コの字」形状となっている。
このような凹部５２ｄの形成方法は、横パターン５２ｂの延在方向に描画しながら、縦パターン５２ａの方向にテーブル６５とシール剤塗布部６６，６７とを相対移動させて形成する方法や、横パターン５２ｂを断続的に描画形成し、途切れて形成された横パターン５２ｂに接触するように縦パターン５２ａを形成する方法等が挙げられる。

なお、本実施形態のシール描画工程においては、材料供給部６３が複数のシール剤塗布部６６，６７を備えているので、２本の縦パターン５２ａ又は２本の横パターン５２ｂを同時に描画することが可能となる。また、３以上の、より複数のシール剤塗布部が具備されていれば、より複数の描画パターン（縦パターン５２ａ、横パターン５２ｂ）を同時に描画形成することが可能となる。

次に、図１５のフロー図に示すように、対向側マザー基板１２０における複数の対向領域１２１の各々に、遮光膜２３、対向電極２１、及び配向膜２２等を形成し、配向膜２２の表面にラビング処理を施して対向側マザー基板１２０を得る（ステップＳ５〜Ｓ７）。また、遮光膜２３を形成する際には、同一工程において遮光領域５３を形成する。
このようなステップＳ５〜Ｓ７の工程を経ることにより、図２２に示す対向側マザー基板１２０が得られる。
ここで、遮光領域５３は、後に液晶５０が注入される充填領域１３においてシール剤５２の内側に形成された領域であり、遮光領域５３の内側は、画像表示領域１４となる。
また、対向領域１２１の各々において、分割ラインＧ１，Ｇ２の間の領域は、後の分割工程によって除去される領域である。

（貼り合わせ工程）
次に、ＴＦＴ側マザー基板１１０と対向側マザー基板１２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行う（ステップＳ８）。
まず、貼り合わせ工程の前に、ＴＦＴ側マザー基板１１０上に描画形成されたシール剤５２を対向側マザー基板１２０に挟持する必要があるため、基板給除部６２においてＴＦＴ側マザー基板１１０が運搬されると共に、上下面が反転される。そして、図１６（ｂ）に示すように、基板貼り合わせ部６４の上チャック部７１にＴＦＴ側マザー基板１１０が給材され、保持機構により保持面７１ａに保持される。また、下チャック部６９に対向側マザー基板１２０が給材され、保持機構により保持面６９ａに保持される。

そして、ＴＦＴ側マザー基板１１０と対向側マザー基板１２０とに形成されたアライメントマーク（図示せず）を貼り合わせ用顕微鏡７４、７４を用いて拡大してＣＣＤカメラ８１に取り込む。ＣＣＤカメラ８１に取り込まれたアライメントマークの画像データは、画像処理部８３に入力され、画像処理部８３にてＴＦＴ側マザー基板１１０と対向側マザー基板１２０との相対位置が検出される。制御部８４は、画像処理部８３により検出された相対位置に基づきテーブル６８を駆動してＴＦＴ側マザー基板１１０を水平移動させて位置決めする。

両マザー基板１１０，１２０が位置決めされたら、下降機構７２により上チャック部７１を下降（相対移動）させて対向する両マザー基板１１０，１２０を貼り合わせる。更に、上チャック部７１を下チャック部６９に向けて下降させ、両マザー基板１１０，１２０に加圧してシール剤５２を所定厚さまで圧縮する。
両マザー基板１１０，１２０の貼り合わせが完了すると、加熱ユニットやＵＶ照射ユニットによりシール剤５２を硬化させる。
以上の貼り合わせ工程が終了することにより、両マザー基板１１０，１２０からなる接合マザー基板１３０が形成される。

なお、接合マザー基板１３０を貼り合わせた後の加圧は、製造のプロセスおよびシール剤５２などの選択によっては実施しなくてもよい。また、ＵＶ照射ユニット８２によるシール剤５２の仮硬化も同様にシール剤５２の種類によっては実施しなくてもよい。
また、貼り合わせ工程の前において、上記基板給除部６２によるＴＦＴ側マザー基板１１０の反転動作は、材料供給部６３からの基板排出後、直ちに行うことが好ましい。シール剤５２は、塗布後の時間経過とともにＴＦＴ側マザー基板１１０上で広がり、塗布高さが低くなる。特に、シール剤５２の粘度が２０万ｃｐｓ以下である場合、上記塗布高さの変化が顕著になる。そこで、シール剤５２を塗布した後に直ちにＴＦＴ側マザー基板１１０を反転させて保持しておくことで、シール剤５２の広がりを抑え、シール剤の「だれ」を低減することができる。その結果、ＴＦＴ側マザー基板１１０と対向側マザー基板１２０との貼り合わせ強度を保持することができ、信頼性に優れた液晶装置を製造することが可能になる。

（加圧硬化工程）
次に、加圧硬化部１６４において、貼り合わされた接合マザー基板１３０を加圧してシール剤を硬化する工程を行う（ステップＳ９）。
貼り合わせ工程において貼り合わされた接合マザー基板１３０は、基板給除部６２により加圧硬化部１６４へ運搬され、図１６（ｃ）に示すように、ＴＦＴ側マザー基板１１０が加圧板１６９側に、対向側マザー基板１２０がテーブル１６８側になるように給材される。
対向側マザー基板１２０がテーブル１６８によって保持された後には、加圧機構１７２が駆動することにより、テーブル１６８と加圧板１６９とによって接合マザー基板１３０が大気圧下において押圧される。
更に、加熱ユニット１７０によって、接合マザー基板１３０間のシール剤５２を加熱硬化する。すると、シール剤５２は更に圧縮され、シール剤５２に含まれるギャップ制御材５２ａが接合マザー基板１３０に当接し、接合マザー基板１３０の間隔が略３μｍ以下になるように調節される。
なお、加圧機構１７２による加圧方法は、一括して押圧力を加える加圧方法や、段階的に押圧力を上げる加圧方法、連続的に押圧力を上げる加圧方法、押圧してその押圧力を一時保持しその後に押圧力を上げるＳ字加圧など、さまざまな加圧方法で加圧してもよい。

また、加圧板１６９とテーブル１６８とがＴＦＴ側マザー基板１１０と対向側マザー基板１２０と接触して押圧する領域は、接触している面全体で押圧してもよいし、シール剤５２に含まれているギャップ制御材５２ａが配置されている領域のみに接触して押圧してもよい。ギャップ制御材５２ａが配置されている領域のみを押圧する方法では、ギャップ制御材５２ａが配置されていない領域を押圧しないので、接合マザー基板１３０の撓みによる基板の狭ギャップ化や、基板上に配置されたスペーサによる構成部材の破損を防ぐことができる。

なお、加圧硬化工程を施した後には、ＵＶランプにより紫外線をシール剤５２に照射して硬化させ、接合マザー基板１３０のギャップを保持させてもよい。また、この場合、ＵＶランプの照射は、加圧機構１７２の押圧力が所定圧力に到達した直後から照射したり、所定時間放置して液晶が接合マザー基板１３０のすみずみまで行き渡るまで待ってから照射したりするなど、さまざまなタイミングで照射を行ってもよい。また、使用するシール剤によっては、必要な接着力を得るために、シール剤硬化の工程を更に追加してもよい。

シール剤５２の硬化が完了すると、加圧板１６９とテーブル１６８とによる保持を上下順次または同時に開放し、下チャック部６９に非保持状態で載置されている接合マザー基板１３０を基板給除部６２により除材する。

（一次分割工程）
次に、分割部２６４において、接合マザー基板１３０を分割して複数のパネル構造体ＣＰを形成する一次分割工程を行う（ステップＳ１０）。
加圧硬化工程においてシール剤５２が硬化された接合マザー基板１３０は、基板給除部６２により分割部２６４へ運搬され、図１７（ａ）に示すようにＴＦＴ側マザー基板１１０がテーブル２６８側になるように給材される。そして、テーブル２６８は保持機構によって接合マザー基板１３０を保持する。これにより、対向側マザー基板１２０の上方にはカッターヘッド２７２が配置される。
更に、ＴＦＴ側マザー基板１１０又は対向側マザー基板１２０とに形成されたアライメントマーク（図示せず）を貼り合わせ用顕微鏡２７４、２７４を用いて拡大してＣＣＤカメラ２８１に取り込む。ＣＣＤカメラ２８１に取り込まれたアライメントマークの画像データは、画像処理部２８３に入力され、画像処理部２８３にて接合マザー基板１３０の位置が検出される。制御部２８４は、画像処理部８３により検出された相対位置に基づきテーブル２６８を駆動して接合マザー基板１３０を水平移動させる。

そして、カッターヘッド２７２において、回転駆動機構がカッターホイール２７１を回転させ、テーブル２６８が接合マザー基板１３０とカッターホイール２７１とを接触させ、接合マザー基板１３０とカッターヘッド２７２とが相対移動することにより、接合マザー基板１３０の一方の基板側、即ち、対向側マザー基板１２０が高浸透で切断される。
そして、図２１の分割ラインＧ１，Ｇ２の線上を、カッターホイール２７１と対向側マザー基板１２０とが相対移動することにより、当該分割ラインＧ１，Ｇ２において対向側マザー基板１２０が高浸透で切断される。

次に、ＴＦＴ側マザー基板１１０の側を切断する必要があるため、基板給除部６２によって接合マザー基板１３０が分割部２６４の外部へ搬出されると共に、上下面が反転される。そして、再び接合マザー基板１３０が分割部２６４に運搬され、テーブル２６８は保持機構によって接合マザー基板１３０を保持し、ＴＦＴ側マザー基板１１０の上方にカッターヘッド２７２が配置される。
そして、上記と同様にカッターホイール２７１によってＴＦＴ側マザー基板１１０を切断する。ここで、図２０の分割ラインＧ３の線上を、カッターホイール２７１とＴＦＴ側マザー基板１１０とが相対移動することにより、当該分割ラインＧ３においてＴＦＴ側マザー基板１１０が高浸透で切断される。ここで、分割ラインＧ３と分割ラインＧ２とは平面視で一致したものとなっている。

このような一次分割工程を施すことにより、対向側マザー基板１２０の分割ラインＧ２と、ＴＦＴ側マザー基板１１０の分割ラインＧ３とが共に切断され、図２３（ａ）に示す短冊状のパネル構造体（構成単位）ＣＰが３つ形成される。当該パネル構造体ＣＰは、接合マザー基板１３０が切断された一部であって、複数の充填領域１３が一方向に並設された群である。また、接合マザー基板１３０から採取されるパネル構造体ＣＰは、接合マザー基板１３０における充填領域１３の全数１２個よりも少ない構成単位の数、即ち、３つで分割されたものとなる。
また、対向側マザー基板１２０の分割ラインＧ１，Ｇ２の間の領域が除去されるため、パネル構造体ＣＰにおいてＴＦＴ側マザー基板１１０の実装端子２０２及び駆動回路２０４が露出し、張り出し部２０５が形成される。
また、ＴＦＴ側マザー基板１１０において、張り出し部２０５と充填領域１３との間に描画されたシール剤５２に対応する部分を除き、分割ラインＧ３でＴＦＴ側マザー基板１１０を分割しているので、充填領域１３と張り出し部２０５との間に配設されているデータ線や走査線が断線することがない。

（研削工程）
次に、研削部３６４において、一次分割工程によって切断されたパネル構造体ＣＰの切断面を研削する研削工程を行う。
一次分割工程において分割されたパネル構造体ＣＰは、基板給除部６２により研削部３６４へ運搬され、図１８に示すようにテーブル３６８上に給材される。そして、テーブル３６８は保持機構によってパネル構造体ＣＰを保持する。そして、パネル構造体ＣＰの切断面と回転可能な砥石３７０とを対向させ、パネル構造体ＣＰを図中矢印方向に移動させながら、砥石３７０と接触させることで、パネル構造体ＣＰの側面が研削される。
このような研削工程が終了した後には、充填領域１３内を含めてパネル構造体ＣＰを洗浄する。

（液晶注入工程）
次に、液晶注入部４６４において、液晶の注入を行う（注入工程、ステップＳ１１）。
研削部３６４において切断面が研削されたパネル構造体ＣＰは、基板給除部６２により液晶注入部４６４へ運搬され、図１９に示すように減圧チャンバ４６５内に入れる。そして、運搬後はゲートバルブ４６６を閉める。なお、この状態においては、パネル構造体ＣＰを液晶容器４６９内に漬けない。
そして、減圧部４６７が駆動することにより、減圧チャンバ４６５内を減圧（例えば真空状態に減圧）し、パネル構造体ＣＰ内の充填領域１３を減圧し、この状態でパネル構造体ＣＰの各液晶装置部分の液晶注入口１８を液晶５０の液面に漬ける。その後、パージバルブ４６８を開くことによって、減圧チャンバ４６５内の減圧状態を大気圧に戻し、液晶５０の液面に大気圧を加え、これにより液晶注入口１８を通して充填領域１３の内部に液晶５０を注入する。
その後、充填領域１３の液晶注入口１８をエポキシ樹脂等の封止部材１１によって封止する（図２３（ｂ））。

（二次分割工程）
次に、分割部２６４において、パネル構造体ＣＰを分割して複数の液晶装置１００を形成する二次分割工程を行う（ステップＳ１２）。
ここでは、図１７（ａ）に示すＴＦＴ側マザー基板１１０に代えてＴＦＴアレイ領域１１１が配置され、対向側マザー基板１２０に代えて対向領域１２１が配置されているものとする。

液晶５０が注入されたパネル構造体ＣＰは、基板給除部６２により分割部２６４へ運搬され、ＴＦＴアレイ領域１１１がテーブル２６８側になるように給材される。そして、テーブル２６８は保持機構によってパネル構造体ＣＰを保持する。これにより、対向領域１２１の裏面側の上方、即ち、パネル構造体ＣＰの第１面ＣＰ１（対向領域１２１が形成されている側の基板、対向側マザー基板１２０の一部）の側にカッターヘッド２７２が配置される。
そして、図１７（ｂ）に示すように、回転状態のカッターホイール２７１とパネル構造体ＣＰとを接触させ、かつ、パネル構造体ＣＰとカッターヘッド２７２とを相対移動させることにより、パネル構造体ＣＰの第１面ＣＰ１が高浸透で切断される（符号１５１）。ここでは、図２３（ｂ）の分割ラインＧ４の線上において、カッターホイール２７１とパネル構造体ＣＰとを相対移動させて切断する。また、図１７（ｃ）に示すように、シール剤５２の凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１を入射し、縦パターン５２ａ（相互間１１２のシール剤５２）の延在方向に向けて高浸透切断が行われる。

次に、パネル構造体ＣＰの第２面（ＴＦＴアレイ領域１１１が形成されている側の基板、ＴＦＴ側マザー基板１１０の一部）ＣＰ２を切断する必要があるため、基板給除部６２によってパネル構造体ＣＰが分割部２６４の外部へ搬出されると共に、上下面が反転される。そして、再びパネル構造体ＣＰが分割部２６４に運搬され、テーブル２６８は保持機構によってパネル構造体ＣＰを保持し、パネル構造体ＣＰの第２面の側にカッターヘッド２７２が配置される。
そして、分割ラインＧ４の線上において、カッターホイール２７１とＴＦＴ側マザー基板１１０とを相対移動させてパネル構造体ＣＰの第２面ＣＰ２を切断する。また、シール剤５２の凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１を入射させて、パネル構造体ＣＰを高浸透で切断する（符号１４１）。

このような同一の分割ラインＧ４において、パネル構造体ＣＰの第１面ＣＰ１及び第２面ＣＰ２を高浸透切断することにより、分割ラインＧ４に相当するシール剤５２の縦パターン５２ａが二分される。
また、凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１が入射するので、分割ラインＧ４以外の方向にクラックが生じ難くなり、分割ラインＧ４の方向のみに高浸透切断を行うことが可能となる。

次に、二次分割工程によって切断された切断面を研削部３６４によって研削し、その後、洗浄を行う（ステップＳ１３）。具体的には、界面活性剤を混入させた洗浄液をパネルの表面に供給し、液晶注入口付近に付着した液晶５０の残りかすを除去する。次に、偏光板を貼着（ステップＳ１４）し、張り出し部２０５に形成した実装端子２０２に対して、例えばＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等を実装する（ステップＳ１５）。

以上により、図２３（ｃ）に示す液晶装置１００が完成する。
また、本実施形態において、接合マザー基板１３０から採取される液晶装置１００は、接合マザー基板１３０の充填領域１３の全数１２個よりも少ない構成単位の数、即ち、１ずつ（個々で）で分割されたもの（個体）となる。

上述したように、本実施形態においては、相互間１１２に対して両側のＴＦＴアレイ領域１１１が共有する縦パターン５２ａを描画しているので、一本の縦パターン５２ａを描画形成するだけで２つのＴＦＴアレイ領域１１１を構成するシール剤５２を同時に描画形成することができる。
更に、当該縦パターン５２ａを二分するようにパネル構造体ＣＰの第１面ＣＰ１及び第２面ＣＰ２を高浸透切断によって分割しているので、縦パターン５２ａを二分させて２つの液晶装置１００を製造することができる。
これにより、従来までは切断面とシール剤５２との間において分割のための寸法マージンが必要であったが、本実施形態によればこのような寸法マージンを不要にすることができる。従って、マザーガラスの全面積のうち、液晶装置１００に使用されない不要な面積を最小限にすることができ、１枚のマザー基板から採取可能な基板領域の数を増加させることができる。従って、液晶装置１００の製造コストを低減することができ、安価な液晶装置１００を実現できる。

また、本実施形態においては、凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１を入射し、縦パターン５２ａの延在方向に向けて高浸透切断が行われるので、分割ラインＧ４以外の方向にクラックが生じ難くなり、分割ラインＧ４の方向のみに高浸透切断を行うことができる。

（液晶装置の製造方法の第１実施形態の変形例）
次に、液晶装置の製造方法の第１実施形態の変形例について説明する。
本変形例においては、上記の第１実施形態と異なる構成について説明する。
図２４は、本変形例を説明するための図であって、Ｔ状接続点５２ｃを拡大した平面拡大図である。
第１実施形態のＴ状接続点５２ｃにおいては、凹部５２ｄの形状が「コの字」となっていたが、本変形例においては図２４（ａ）に示す「Ｖ字型」、或いは図２４（ｂ）に示す「半円型」となっている。
このような形状の凹部５２ｄにおいても、分割工程において好適に高浸透切断を行うことができる。即ち、Ｖ字型或いは半円型の凹部５２ｄの開口側から、カッターホイール２７１を入射し、縦パターン５２ａの延在方向に向けて高浸透切断が行われ、分割ラインＧ４以外の方向にクラックが生じ難くなり、分割ラインＧ４の方向のみに高浸透切断を行うことができる。

（液晶装置の製造方法の第２実施形態）
次に、液晶装置の製造方法の第２実施形態について説明する。
本実施形態においては、上記の第１実施形態及び変形例と異なる構成について説明し、同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図２５は、本実施形態の製造方法の製造過程において形成される接合マザー基板を示す平面図である。また、図２６は、本実施形態の製造方法によって製造される液晶装置を示す平面図である。

図２６に示すように、本実施形態の液晶装置（電気光学装置）１００’においては、シール剤５２が液晶５０の周囲に閉環状に形成されている。そして、閉環状のシール剤５２の内側には、充填領域１３が形成され、当該充填領域１３には液晶滴下工程（滴下工程）によって滴下された液晶５０が封入されている。従って、液晶装置１００’は、封止部材１１を備えていない構成となっている。

次に、液晶装置１００’の製造方法について説明する。
本実施形態の製造方法は、第１実施形態に示した液晶注入工程（ステップＳ１１）が省かれ、貼り合わせ工程（ステップＳ８）の前に液晶滴下工程を有するものとなっている。
更に、シール描画工程（ステップＳ４）におけるシール剤の描画パターンと、貼り合わせ工程を真空雰囲気において行う工程と、一次分割工程（ステップＳ１０）で分割する分割ラインの位置と、が第１実施形態と異なっている。

図２５は、本実施形態の製造方法において、貼り合わせ工程後の接合マザー基板１４０を示す平面図である。
図２５に示すように、シール剤５２の縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂは、複数のＴＦＴアレイ領域１１１（対向領域１２１）を跨ぐように描画形成されている。また、縦パターン５２ａのうち、横方向に隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の相互間１１２ａにおける縦パターン５２ａは、一本のシール剤５２が直線状に描画形成されたものであり、横方向に隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の各々に対して共有されている。
また、横パターン５２ｂのうち、縦方向に隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の相互間１１２ｂ（実装端子２０２及び駆動回路２０４が形成されている側とは反対側）における横パターン５２ｂは、一本のシール剤５２が直線状に描画形成されたものであり、縦方向に隣接するＴＦＴアレイ領域１１１の各々に対して共有されている。
また、横パターン５２ｂは、充填領域１３と駆動回路２０４との間にも描画形成されている。
また、相互間１１２ａ，１１２ｂにおける縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂは接合マザー基板１４０の外周におけるパターン幅よりも太くなっている。
このように、縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂは十字状に交差し、「田の字」状にＴＦＴアレイ領域１１１（対向領域１２１）の周縁部に形成されたものとなっている。

なお、本実施形態においては、ＴＦＴ側マザー基板１１０のみに対して縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂを描画しているが、これを限定すること無く、ＴＦＴ側マザー基板１１０に対して縦パターン５２ａのみを描画形成し、対向側マザー基板１２０に対して横パターン５２ｂのみを描画形成し、貼り合わせ工程によって縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂを交差接触させ、上記の「田の字」状パターンを形成してもよい。

また、相互間１１２ａの両端においては、横パターン５２ｂの側部に縦パターン５２ａが接続されている。また、相互間１１２ｂの両端においては、縦パターン（直線パターン）５２ａの側部に横パターン（接続パターン）５２ｂが接続されている。これによって、Ｔ状に接続するＴ状接続点（描画パターンの一部、Ｔ状パターン）５２ｃが描画形成されている。
ここで、相互間１１２ａの両端のＴ状接続点５２ｃにおいては、縦パターン５２ａが横パターン５２ｂに接続する側（相互間１１２ａの側）とは反対側に、縦パターン５２ａの延在方向に向けて凹む凹部５２ｄが形成されている。また、相互間１１２ｂの両端のＴ状接続点５２ｃにおいては、横パターン５２ｂが縦パターン５２ａに接続する側（相互間１１２ｂの側）とは反対側に、横パターン５２ｂの延在方向に向けて凹む凹部５２ｄが形成されている。

次に、接合マザー基板１４０に対して、図中の分割ラインＧ５において一次分割工程（ステップＳ１０）を施す。
ここで、分割ラインＧ５における凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１を入射し、横パターン５２ｂの延在方向に向けて高浸透切断が行われ、分割ラインＧ５以外の方向にクラックが生じ難くなり、分割ラインＧ５の方向のみに高浸透切断が行われる。
これにより、複数のＴＦＴアレイ領域１１１（対向領域１２１）に跨いで描画されたシール剤５２が２分する。
また、実装端子２０２，２０２間に位置する分割ラインＧ５においてカッターホイール２７１により高浸透切断を施すことにより、ＴＦＴアレイ領域１１１（対向領域１２１）が分割される。その後、研削工程を経ることにより、パネル構造体ＣＰが形成される。

次に、パネル構造体ＣＰに対して、図中の分割ラインＧ６において二次分割工程（ステップＳ１２）を施す。
ここで、分割ラインＧ６における凹部５２ｄの開口側からカッターホイール２７１を入射し、横パターン５２ｂの延在方向に向けて高浸透切断が行われ、分割ラインＧ６以外の方向にクラックが生じ難くなり、分割ラインＧ６の方向のみに高浸透切断が行われる。これにより、シール剤５２が２分する。
その後、研削工程、洗浄（ステップＳ１３）、偏光板の貼着（ステップＳ１４）、及びＦＰＣの実装（ステップＳ１５）を行うことにより、図２６に示す液晶装置１００’が完成する。

上述したように、本実施形態においては、相互間１１２ａに対して両側のＴＦＴアレイ領域１１１が共有する縦パターン５２ａを描画しているので、一本の縦パターン５２ａを描画形成するだけで２つのＴＦＴアレイ領域１１１を構成するシール剤５２を同時に描画形成することができる。また、相互間１１２ｂに対して両側のＴＦＴアレイ領域１１１が共有する横パターン５２ｂを描画しているので、一本の横パターン５２ｂを描画形成するだけで２つのＴＦＴアレイ領域１１１を構成するシール剤５２を同時に形成することができる。従って、「田の字」状の描画パターンを形成することができる。
更に、縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂを二分するように高浸透切断によって分割しているので、縦パターン５２ａ及び横パターン５２ｂを二分させて２つの液晶装置１００を製造することができる。
これにより、第１実施形態と同様に、分割のための寸法マージンを不要にすることができる。従って、マザーガラスの全面積のうち、液晶装置１００に使用されない不要な面積を最小限にすることができ、１枚のマザー基板から採取可能な基板領域の数を増加させることができる。従って、液晶装置１００の製造コストを低減することができ、安価な液晶装置１００を実現できる。

（電子機器）
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２７（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２７（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図２７（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２７（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図２７（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２７（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶装置を備えた液晶表示部を示している。
図２７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶装置を備えたものであるので、高精度に基板が貼り合わされ、液晶の閾値ムラが低減された高品質の表示が可能な表示部を有する電子機器となる。

本発明の製造方法によって製造される液晶装置の平面図。 本発明の製造方法によって製造される液晶装置の断面図。 本発明の製造方法によって製造される液晶装置の回路図。 本発明の製造方法によって製造される液晶装置の断面図。 本発明の製造装置の概略構成図。 本発明の製造装置の基板給除部および材料供給部の概略構成図。 本発明の製造装置の材料供給部における要部を説明するための斜視構成図。 本発明の製造装置の材料供給部における要部を説明するための説明図。 本発明の製造装置における基板貼り合わせ部の概略構成図。 本発明の製造装置における加圧硬化部の概略構成図。 本発明の製造装置における分割部の概略構成図。 本発明の製造装置における分割部の要部を示す図。 本発明の製造装置における研削部の概略構成図。 本発明の製造装置における液晶注入部の概略構成図。 本発明の製造方法の第１実施形態を説明するためのフロー図。 本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態における製造手順を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態におけるマザー基板や液晶装置を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態におけるマザー基板や液晶装置を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態におけるマザー基板や液晶装置を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態におけるマザー基板や液晶装置を示す図。 本発明の製造方法の第１実施形態の変形例を示す図。 本発明の製造方法の第２実施形態における接合マザー基板を示す図。 本発明の製造方法の第２実施形態における液晶装置を示す図。 本発明の製造方法によって製造される液晶装置を備える電子機器を示す図。

符号の説明

１０ ＴＦＴアレイ基板（基板）、 １３ 充填領域、 ２０ 対向基板（基板）、 ５０ 液晶（電気光学物質）、 ５２ シール剤、 ５２ａ 縦パターン（描画パターン，直線パターン，接続パターン）、 ５２ｂ 横パターン（描画パターン，直線パターン，接続パターン）、 ５２ｃ Ｔ状接続点（描画パターンの一部，Ｔ状パターン）、 ５２ｄ 凹部、 １００，１００’液晶装置（電気光学装置）、 １１０ ＴＦＴ側マザー基板（母材基板）、 １１１ ＴＦＴアレイ領域（充填領域）、 １２０ 対向側マザー基板（母材基板）、 １２１ 対向領域（充填領域）、 １３０，１４０ 接合マザー基板（接合基板）、 ２０５ 張り出し部（回路領域）、 ２６４ 分割部（切断手段）、 ２７１ カッターホイール（切断手段）、 ２７２ カッターヘッド（切断手段）、 ６００ 携帯電話本体（電子機器）、 ７００ 情報処理装置（電子機器）、 ８００ 時計本体（電子機器）、 ＣＰ パネル構造体（構成単位，並設された群）。

Claims (12)

1. 電気光学物質を挟持して対向配置された一対の基板と、前記電気光学物質の周囲に形成されたシール剤と、を具備する電気光学装置の製造方法であって、
   前記シール剤で区切られた前記電気光学物質の充填領域を複数有する一対の母材基板のいずれか一方の母材基板に前記シール剤を描画する描画工程、前記一対の母材基板の貼り合わせ工程、及び前記一対の母材基板の分割工程を少なくとも含み、
   前記描画工程は、
   前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板に、所定の描画パターンで前記シール剤を描画し、
   前記貼り合わせ工程は、
   前記一対の母材基板を前記シール剤を介して貼り合わせた接合基板を形成し、
   前記分割工程は、
   前記描画パターンの少なくとも一辺において、前記シール剤が延在する方向に当該シール剤を二分して前記一対の母材基板を分割し、当該二分されたシール剤が前記充填領域の一辺をなすこと、
   を特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 前記描画工程は、
   前記複数の充填領域の相互間において、前記描画パターンの一部を構成する一本のシール剤を直線状に描画し、
   前記分割工程は、
   前記一本のシール剤が延在する方向において当該シール剤を二分すること、
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
3. 前記描画工程は、
   前記一対の母材基板のうちいずれか一方の母材基板に対して前記複数の充填領域を跨ぐように、前記シール剤を描画し、
   前記分割工程は、
   前記複数の充填領域を跨いで描画されたシール剤を二分するように、前記接合基板を切断すること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
4. 前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板は、
   前記充填領域とは異なる領域に形成された回路領域を有し、
   前記描画工程は、
   前記充填領域と前記回路領域との間に、前記描画パターンの一部を構成するシール剤を描画し、
   前記分割工程は、
   前記接合基板のうち、前記充填領域と前記回路領域との間に描画されたシール剤に対応する部分を除いて、切断すること、
   を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
5. 前記描画工程は、
   前記描画パターンの一部において、直線状に延在する直線パターンと、端部が前記直線パターンの側部に接続する接続パターンと、からなるＴ状パターンを形成し、
   当該Ｔ状パターンは、前記接続パターンの端部が前記直線パターンに接続する側とは反対側に、前記接続パターンの延在方向に向けて凹む凹部を有し、
   前記分割工程は、
   前記接合基板のうち、前記凹部に対応させて前記切断手段を入射させ、前記接続パターンの延在方向に向けて、前記相対移動させること、
   を特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
6. 前記分割工程は、前記複数の充填領域の数よりも少ない数の構成単位で前記接合基板を切断し、
   前記複数の充填領域が少なくとも一方向に並設された群に分割すること、
   を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
7. 前記分割工程は、
   前記複数の充填領域が個々に分割された個体に切断すること、
   を特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
8. 前記分割工程の後に、前記接合基板の切断面を研削する研削工程を含むこと、
   を特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
9. 前記貼り合わせ工程の前に、前記一対の母材基板のいずれか一方の母材基板の前記充填領域に対応する領域に対して、前記電気光学物質を滴下する滴下工程を含み、
   前記貼り合わせ工程を真空雰囲気において行うこと、
   を特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
10. 前記分割工程の後に、前記充填領域内に前記電気光学物質を注入する注入工程を含むこと、
    を特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法を利用して製造したこと、
    を特徴とする電気光学装置。
12. 請求項１１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
    
    
    

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