JP2006273644A - 水素ガスの発生方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 銅触媒の粉体を含み、平均粒子径が500μm以下のケイ素粉を水と反応させて、水素を発生させる方法であって、反応を20℃未満の温度で行うことを特徴とする方法、ならびに上記とともにシリカ微粉末か、またはケイ酸ナトリウムもしくはそれを主成分とする結合剤を回収する方法に関する。
【選択図】 なし
Description
半導体のウエハ製造工程において多量に発生するケイ素屑を、炭酸ナトリウム水溶液や、同様に半導体デバイス製造工程において生じるアルカリ性廃液などのアルカリ性水溶液と、50℃以上の温度で反応させて、高純度の水素を発生させることが開示されている。上記の反応中にケイ酸イオンによりゲルが形成して、水素の発生を妨げることを防ぐために、特許文献2には、ケイ素粉を水とスラリー状にして用いることが提案されている。特許文献3には、発生する水素を、水素吸蔵合金で貯蔵することが開示されている。しかしながら、これらの方法で用いられるケイ素は、半導体用の高純度のものであり、屑とはいえ、その原価は高い。
撹拌装置、固体挿入装置、水素排出孔とそれに連結した耐圧貯槽、および温度計を備え、ブライン浴で囲んだ耐圧・耐食性の反応容器に、窒素雰囲気中で、塩化ナトリウム15%水溶液352部を仕込んだ。ブライン浴に塩化カルシウム18%を含む冷ブライン水を循環させて、容器内の液温を−5℃に保ち、撹拌している塩化ナトリウム水溶液に廃触体68.3部を、液温が−5℃を越えないように、80分かけて少量ずつ投入して水と接触させ、反応によって発生した水素を貯槽に導入した。反応の進行とともに、反応容器にシリカ微粉末が析出した。投入終了後、撹拌を1時間続けた後、ブライン浴を水浴に換えて、容器内の液温を20分かけて15℃まで上昇させ、液温15℃でさらに撹拌を30分続けて、反応を完結させた。反応は安定して緩やかに進行し、理論量(8部)の91%に相当する水素を得た。容器に堆積した固体をろ過によって採取し、分級して、シリカ微粉末105.6部を回収した。
反応剤として、水酸化ナトリウム2%およびメタケイ酸ナトリウム5%を含む水溶液1,200部を用い、容器内の液温を反応出発時に−2℃として、反応中の液温を0℃未満に制御し、最終段階の液温を10℃としたほかは実施例1と同様にして、廃触体20.5部を投入して反応させた。反応は安定して緩やかに進行し、理論量の87%に相当する水素を得た。液中で水酸化ナトリウムが反応に関与して、反応剤の氷点降下剤として投入した分と、反応で得られた分の合計量のメタケイ酸ナトリウムを含む水溶液を得た。生成液から粉末状固体をろ別し、液を減圧加熱により濃縮して、メタケイ酸ナトリウム20%を含む水溶液778部を得た。
ブライン浴の代わりに水浴を用い、反応開始温度を30℃としたほかは実施例1と同様にして反応を行った。温度が上昇して、反応は激しく進行し、反応の制御が困難であった。
ブライン浴の代わりに水浴を用い、反応開始温度を30℃としたほかは実施例2と同様にして反応を行った。温度が急激に上昇して、反応は爆発的に進行し、反応の制御が困難であった。
Claims (8)
- 銅および/または銅化合物の粉体を含み、平均粒子径が500μm以下のケイ素粉を水と反応させて、水素を発生させる方法であって、反応を20℃未満の温度で行うことを特徴とする方法。
- 銅および/または銅化合物の粉体を含むケイ素粉が、シラン化合物合成の廃触体である、請求項1に記載の方法。
- 反応を0℃未満の温度で行う、請求項1または2に記載の方法。
- 反応をpH6〜8で行う、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- シリカ微粉末を回収する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 反応を、塩基性アルカリ金属化合物を含む水溶液中で行い、ケイ酸アルカリ金属塩もしくはその水溶液を回収する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 水溶液中の塩基性アルカリ金属化合物の濃度が0.5N以下である、請求項6に記載の方法。
- ケイ酸アルカリ金属塩がケイ酸ナトリウムである、請求項6または7に記載の方法。
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