JP2006269478A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】FIBを行わなくても半導体素子の特性の検査ができるようにする。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、半導体基板1のアクティブセル10a内に形成された半導体素子と、アクティブセル10aの周辺部に位置するダミーエリア10bに形成された、前記半導体素子のダミー素子と、前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に形成された絶縁膜20と、前記半導体素子上に位置する絶縁膜20に形成され、第1のレイアウトで配置された接続孔20a,20bと、前記ダミー素子上に位置する絶縁膜20に形成され、第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔20d,20e,20fと、絶縁膜20上に形成され、接続孔20a,20bを介して前記半導体素子に接続する配線22a,22bと、絶縁膜20上に形成され、ダミー接続孔20d,20e,20fを介して前記ダミー素子に接続する電極22d,22e,22fとを具備する。
【選択図】 図3
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、半導体基板1のアクティブセル10a内に形成された半導体素子と、アクティブセル10aの周辺部に位置するダミーエリア10bに形成された、前記半導体素子のダミー素子と、前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に形成された絶縁膜20と、前記半導体素子上に位置する絶縁膜20に形成され、第1のレイアウトで配置された接続孔20a,20bと、前記ダミー素子上に位置する絶縁膜20に形成され、第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔20d,20e,20fと、絶縁膜20上に形成され、接続孔20a,20bを介して前記半導体素子に接続する配線22a,22bと、絶縁膜20上に形成され、ダミー接続孔20d,20e,20fを介して前記ダミー素子に接続する電極22d,22e,22fとを具備する。
【選択図】 図3
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。特に本発明は、FIB(Focused IonBeam)による微細加工を行わなくても半導体素子の不良解析を行うことができる半導体装置及びその製造方法に関する。
図8(A)は、従来の半導体装置の構造を説明する為の断面図である。本図に示す半導体装置は、第1のトランジスタ100aと第2のトランジスタ100bとを有する。第1のトランジスタ100aのドレイン107cは、第2のトランジスタ100bのソースとしても機能する。
第1のトランジスタ100a及び第2のトランジスタ100bそれぞれ上には、第1の層間絶縁膜108及び第2の層間絶縁膜111が積層されている。第1の層間絶縁膜108には、タングステンプラグ109a,109bそれぞれが埋め込まれている。タングステンプラグ109aは、第1の層間絶縁膜108上に形成されたAl合金配線110aと第1のトランジスタのソース107aとを接続しており、タングステンプラグ109bは、第1の層間絶縁膜108上に形成されたAl合金配線110bと第2のトランジスタのドレイン107bとを接続している。
第2の層間絶縁膜111上には、Al合金パッド112及びパッシベーション膜113が形成されている。
第2の層間絶縁膜111上には、Al合金パッド112及びパッシベーション膜113が形成されている。
図8(B)は、図8(A)の構造を有する半導体装置において、不良解析として、第1のトランジスタ100aの特性及び第2のトランジスタ100bの特性それぞれを測定する方法を説明する為の断面図である。第1のトランジスタ100aの特性及び第2のトランジスタ100bの特性それぞれを測定するためには、まず、パッシベーション膜113、Al合金パッド112、及び第2の層間絶縁膜111を研磨除去し、Al合金配線110a,110bそれぞれを露出させる。
次いで、FIBを用いて、第2の層間絶縁膜111の残膜及び第1の層間絶縁膜108に、ドレイン107c上に位置する接続孔を形成し、この接続孔にタングステンプラグ109cを埋め込む。次いで、第2の層間絶縁膜111の残膜上に、Al合金配線110a,110bそれぞれに接続する電極114a,114bを形成するとともに、タングステンプラグ109cに接続する電極114cを形成する。
その後、電極114a,114cそれぞれに検査用の端子(図示せず)が接続されることにより、第1のトランジスタ100aの特性が測定され、電極114b,114cそれぞれに端子が接続されることにより、第2のトランジスタ100bの特性が測定される。電極114a,114b,114cそれぞれは、端子を接触させやすくするために、Al合金配線110a,110bより大きく形成されている(特許文献1参照)。
特開平5−67633号公報(図3及び第13段落)
上記した方法では、半導体装置の不良解析を測定するためには、FIBを用いた微細加工を行う必要がある。このため、トランジスタ等の半導体素子にダメージが加わる可能性、及び半導体素子の特性が劣化する可能性(例えば寄生的な容量や抵抗が付加される可能性)があった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、FIBによる微細加工を行わなくても半導体素子の不良解析を行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体基板のアクティブセル内に形成された半導体素子と、
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された、前記半導体素子のダミー素子と、
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に形成された絶縁膜と、
前記半導体素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、第1のレイアウトで配置された接続孔と、
前記ダミー素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極とを具備する。
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された、前記半導体素子のダミー素子と、
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に形成された絶縁膜と、
前記半導体素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、第1のレイアウトで配置された接続孔と、
前記ダミー素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極とを具備する。
この半導体装置によれば、前記絶縁膜に形成された前記ダミー接続孔のレイアウトは、前記絶縁膜に形成された前記接続孔のレイアウトとは異なる。このため、前記ダミー素子に対しては、前記半導体素子とは異なる部分の検査を行うことができる。従って、前記ダミー半導体素子を、前記半導体素子の代わりに検査することにより、FIBによる微細加工を行う必要がなくなる。
前記半導体素子は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインがソースである第2のトランジスタとを具備し、
前記ダミー素子は、第1のダミートランジスタと、前記第1のダミートランジスタのドレインがソースである第2のダミートランジスタとを具備し、
前記接続孔は、前記第1のトランジスタのソース上、及び前記第2のトランジスタのドレイン上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記第1のダミートランジスタのソース及びドレインそれぞれ上、並びに前記第2のダミートランジスタのドレイン上に形成されてもよい。
前記ダミー素子は、第1のダミートランジスタと、前記第1のダミートランジスタのドレインがソースである第2のダミートランジスタとを具備し、
前記接続孔は、前記第1のトランジスタのソース上、及び前記第2のトランジスタのドレイン上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記第1のダミートランジスタのソース及びドレインそれぞれ上、並びに前記第2のダミートランジスタのドレイン上に形成されてもよい。
この場合、前記第1のトランジスタ又は第2のトランジスタの特性それぞれを、独立して検査することができない。しかし、前記第1のダミートランジスタのソース及びドレインそれぞれに接続する前記電極に、前記検査用の端子を接続することにより、FIBによる微細加工を行わなくても、前記第1のダミートランジスタの特性を、前記第1のトランジスタの特性の代わりとして検査することができる。また。同様に、前記第1のダミートランジスタのドレイン及び前記第2のダミートランジスタのドレインそれぞれに接続する前記電極に、前記検査用の端子を接続することにより、FIBによる微細加工を行わなくても、前記第2のダミートランジスタの特性を、前記第2のトランジスタの特性の代わりとして検査することができる。
前記半導体素子はトランジスタを具備し、
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのソース及びドレインとなる2つの不純物領域それぞれ上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのソース又はドレインとなるダミー不純物領域上に、2つ互いに離間して形成されていてもよい。
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのソース及びドレインとなる2つの不純物領域それぞれ上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのソース又はドレインとなるダミー不純物領域上に、2つ互いに離間して形成されていてもよい。
このようにすると、FIBによる微細加工を行わなくても、前記ダミー不純物領域の特性を、前記不純物領域の特性の代わりとして検査することができる。
前記半導体素子はトランジスタを具備し、
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのゲート電極上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのダミーゲート電極上に、2つ互いに離間して形成されていてもよい。
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのゲート電極上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのダミーゲート電極上に、2つ互いに離間して形成されていてもよい。
このようにすると、FIBによる微細加工を行わなくても、前記ダミーゲート電極の特性を、前記ゲート電極の特性の代わりとして検査することができる。
なお、前記電極は、前記配線より幅が広いのが好ましい。
本発明に係る他の半導体装置は、半導体基板のアクティブセル内に形成された半導体素子と、
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された第1導電型のウェルと、
前記ウェル内に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記半導体素子上に位置する接続孔と、
前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極とを具備する。
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された第1導電型のウェルと、
前記ウェル内に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記半導体素子上に位置する接続孔と、
前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極とを具備する。
この半導体装置によれば、前記ダミー接続孔を形成するときにマスクずれが生じた場合、前記不純物領域上に位置すべき前記第2の接続孔は、前記ウェル上に位置する。この場合、前記複数の電極が、前記ウェルを介して導通する。このため、FIBによる微細加工を行わなくても、前記ダミー接続孔を形成するときのマスクずれを、前記接続孔を形成するときのマスクずれの代わりとして検出することができる。
前記不純物領域は、前記ウェル内に複数互いに離間して配置されており、前記ダミー接続孔は、前記複数の不純物領域上それぞれに形成されており、前記複数の不純物領域上それぞれに位置する前記ダミー接続孔は、前記ウェルからの距離が互いに異なる位置に配置されているのが好ましい。このようにすると、いずれの電極間で導通が生じているかを調べることにより、前記ダミー接続孔を形成するときのマスクずれを細かく検査することができる。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板のアクティブセル内に半導体素子を形成するとともに、前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに、前記半導体素子のダミー素子を形成する工程と、
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置し、第1のレイアウトで配置された接続孔を形成するとともに、前記ダミー素子上に位置し、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線を形成するとともに、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極を形成する工程とを具備する。
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置し、第1のレイアウトで配置された接続孔を形成するとともに、前記ダミー素子上に位置し、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線を形成するとともに、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極を形成する工程とを具備する。
前記配線及び前記電極を形成する工程の後に、
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ダミー素子の特性を調べる工程と、
前記ダミー素子の特性に基づいて、前記半導体素子及び前記ダミー素子の形成条件を調整する工程とを具備してもよい。
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ダミー素子の特性を調べる工程と、
前記ダミー素子の特性に基づいて、前記半導体素子及び前記ダミー素子の形成条件を調整する工程とを具備してもよい。
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、半導体基板のアクティブセル内に半導体素子を形成するとともに、前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに、第1導電型のウェル、及び前記ウェル内に位置する第2導電型の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置する接続孔、並びに、前記第1導電型のウェル上及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線、及び、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極を形成する工程とを具備する。
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置する接続孔、並びに、前記第1導電型のウェル上及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線、及び、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極を形成する工程とを具備する。
この半導体装置の製造方法において、前記配線及び前記電極を形成する工程の後に、
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ウェルと前記不純物領域相互間の抵抗を調べる工程と、
測定された抵抗値に基づいて、前記接続孔及び前記ダミー接続孔の形成条件を調整する工程とを具備してもよい。
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ウェルと前記不純物領域相互間の抵抗を調べる工程と、
測定された抵抗値に基づいて、前記接続孔及び前記ダミー接続孔の形成条件を調整する工程とを具備してもよい。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の平面図である。この半導体装置は、アクティブセル10aと、アクティブセル10aの周囲に位置するダミーエリア10bとを有している。アクティブセル10aには複数のトランジスタが形成されており、ダミーエリア10bには複数のダミートランジスタが形成されている。ダミートランジスタは、アクティブセル10aのトランジスタと同一の構造を有しているが、層間絶縁膜上に形成された電極と接続している部分が、アクティブセル10aのトランジスタより多い。このため、ダミートランジスタに対しては、アクティブセル10aのトランジスタと比べて電気的特性を細かく検査することができる。
図2(A),(B)及び図3の各図は、トランジスタ及びダミートランジスタの製造方法、並びにダミートランジスタの電気的特性の検査方法を説明する為の断面図である。図2(C)は、図2(B)の状態における半導体装置の平面図である。
まず、図2(A)に示すように、アクティブセル10a及びダミーエリア10bそれぞれに位置するシリコン基板1に、第1導電型のウェル40a,40bそれぞれを形成する。次いで、アクティブセル10a及びダミーエリア10bそれぞれに位置するシリコン基板1に溝を形成し、これら溝に素子分離膜2を埋め込む。なお、素子分離膜2はLOCOS法により形成されてもよい。
次いで、シリコン基板1を熱酸化する。これにより、アクティブセル10aに位置するシリコン基板1には、第1のトランジスタのゲート絶縁膜3a、及び第2のトランジスタのゲート絶縁膜3bそれぞれが形成される。また、ダミーエリア10bに位置するシリコン基板1には、第1のダミートランジスタのゲート絶縁膜13a、及び第2のダミートランジスタのゲート絶縁膜13bそれぞれが形成される。
次いで、アクティブセル10a及びダミーエリア10bを含む全面上に、ポリシリコン膜をCVD法により形成する。次いで、ポリシリコン膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ポリシリコン膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、レジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングする。これにより、ゲート絶縁膜3a上には第1のトランジスタのゲート電極4aが形成され、ゲート絶縁膜3b上には第2のトランジスタのゲート電極4bが形成される。また、ゲート絶縁膜13a上には第1のダミートランジスタのゲート電極14aが形成され、ゲート絶縁膜13b上には第2のダミートランジスタのゲート電極14bが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、ゲート電極4a,4b,14a,14b及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に第2導電型の不純物を導入する。これにより、アクティブセル10aに位置するシリコン基板1には、第1のトランジスタの低濃度不純物領域6a、及び第2のトランジスタの低濃度不純物領域6bそれぞれが形成される。また、ダミーエリア10bに位置するシリコン基板1には、第1のダミートランジスタの低濃度不純物領域16a、及び第2のトランジスタの低濃度不純物領域16bが形成される。
次いで、ゲート電極4a,4b,14a,14bを含む全面上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極4a,4b,14a,14bそれぞれの側壁には、サイドウォール5a,5b,15a、15bが形成される。
次いで、サイドウォール5a,5b,15a、15b、ゲート電極4a,4b,14a,14b、及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に第2導電型の不純物を導入する。これにより、アクティブセル10aに位置するシリコン基板1には、第1のトランジスタのソース及びドレインとなる不純物領域7a、7b、及び第2のトランジスタのドレインとなる不純物領域7cが形成される。また、ダミーエリア10bに位置するシリコン基板1には、第1のダミートランジスタのソース及びドレインとなる不純物領域17a,17b、及び第2のダミートランジスタのドレインとなる不純物領域17cが形成される。
なお、第1のトランジスタの不純物領域7bは、第2のトランジスタのソースも兼ねている。また、第1のダミートランジスタの不純物領域17bは、第2のダミートランジスタのソースとしても機能する。
なお、第1のトランジスタの不純物領域7bは、第2のトランジスタのソースも兼ねている。また、第1のダミートランジスタの不純物領域17bは、第2のダミートランジスタのソースとしても機能する。
このようにして、アクティブセル10aには第1のトランジスタ及び第2のトランジスタが形成され、ダミーエリア10bには第1のダミートランジスタ及び第2のダミートランジスタが形成される。
次いで、図2(B)に示すように、アクティブセル10a及びダミーエリア10bを含む全面上に、第1の層間絶縁膜20をCVD法により形成する。次いで、第1の層間絶縁膜20上にフォトレジスト膜(図示せず)を形成し、このフォトレジスト膜を、レチクルを用いて露光及び現像する。これにより、第1の層間絶縁膜20上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、第1の層間絶縁膜20をエッチングする。これにより、アクティブセル10aに位置する第1の層間絶縁膜20には、第1のトランジスタの不純物領域7a上に位置する接続孔20a、及び第2のトランジスタの不純物領域7c上に位置する接続孔20bが形成される。また、ダミーエリア10bに位置する第1の層間絶縁膜20には、第1のダミートランジスタの不純物領域17a,17b上に位置する接続孔20d,20e、及び第2のダミートランジスタの不純物領域17c上に位置する接続孔20fが形成される。
その後、レジストパターンを除去する。
その後、レジストパターンを除去する。
次いで、上記した接続孔それぞれの中、及び第1の層間絶縁膜20上に、タングステン膜をCVD法により形成する。次いで、第1の層間絶縁膜20上に位置するタングステン膜をCMP法により研磨除去する。これにより、接続孔20a,20b,20d,20e,20fそれぞれの中には、タングステンプラグ21a,21b,21d,21e,21fが形成される。
次いで、上記したタングステンプラグそれぞれの上、及び第1の層間絶縁膜20上に、Al合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、このAl合金膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして、Al合金膜をエッチングする。これにより、アクティブセル10aに位置する第1の層間絶縁膜20上には、Al合金配線22a,22bが形成され、ダミーエリア10bに位置する第1の層間絶縁膜20上には、Al合金パッド22d,22e,22fが形成される。Al合金配線22a,22bは、それぞれタングステンプラグ21a,21bに接続し、Al合金パッド22d,22e,22fは、それぞれタングステンプラグ21d,21e,21fに接続する。
図2(C)に示すように、ダミーエリア10bに位置する第1の層間絶縁膜20上には他の配線等が形成されないため、Al合金パッド22d,22e,22fそれぞれを十分に大きくすることができる(例えばAl合金配線22aの幅より大きくする)。このため、後述する検査工程において、Al合金パッド22d,22e,22fそれぞれに対して、検査用の端子50を容易に接続することができる。
次いで、図3(A)に示すように、第1の層間絶縁膜20上、Al合金配線22a,22bそれぞれ上、及びAl合金パッド22d,22e,22fそれぞれ上に、第2の層間絶縁膜23をCVD法により形成する。次いで、アクティブセル10aに位置する第2の層間絶縁膜23に、Al合金配線22a,22bそれぞれ上に位置する接続孔23a,23bを形成するとともに、ダミーエリア10bに位置する第2の層間絶縁膜23に、Al合金パッド22d,22f上に位置する接続孔23d,23fを形成する。これら接続孔の形成方法は、第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成する方法と同一である。
次いで、接続孔23a,23b,23d,23fそれぞれの中にタングステンプラグ24a,24b,24d,24fを埋め込む。これら接続孔にタングステンプラグを埋め込む方法は、第1の層間絶縁膜20の接続孔にタングステンプラグを埋め込む方法と同一である。
次いで、第2の層間絶縁膜23上及びタングステンプラグ24a,24b,24d,24fそれぞれ上に、Al合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、Al合金膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングする。これにより、第2の層間絶縁膜23上には、タングステンプラグ24a,24b,24d,24fそれぞれに接続するAl合金パッド25a,25b,25d,25fが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、第2の層間絶縁膜23上及びAl合金パッド上に、酸化シリコン膜及び窒化シリコン膜をこの順に積層したパッシベーション膜26を形成する。次いで、パッシベーション膜26上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、パッシベーション膜26上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてパッシベーション膜26をエッチングする。これにより、パッシベーション膜26には、Al合金パッド25a,25b,25d,25fそれぞれ上に位置する開口部が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
このようにして形成される半導体装置は、アクティブセル10aに第1のトランジスタ及び第2のトランジスタを有している。第1のトランジスタのドレインとなる不純物領域7bは、第2のトランジスタのソースを兼ねている。そして、不純物領域7b上にはタングステンプラグ及び電極が形成されていない。このため、第1のトランジスタの特性と第2のトランジスタの特性を独立して検査することができない。
一方、半導体装置に不具合が生じたときなど、第1のトランジスタの特性と第2のトランジスタの特性を、独立して検査したい場合がある。このような場合、以下のようにして、ダミーエリア10bに形成された第1のダミートランジスタの特性及び第2のダミートランジスタの特性それぞれを検査する。
すなわち、図3(B)に示すように、研磨装置を用いて、パッシベーション膜26、Al合金パッド25a,25b,25d,25f、タングステンプラグ24a,24b,24d,24f、及び第2の層間絶縁膜23を除去し、Al合金パッド22d,22e,22fを露出させる。次いで、Al合金パッド22d,22eそれぞれに検査用の端子50を接続し、信号を入力することにより、第1のダミートランジスタの特性を検査する。また、Al合金パッド22e,22fそれぞれに検査用の端子50を接続し、信号を入力することにより、第2のダミートランジスタの特性を検査する。
そして、第1のダミートランジスタの特性、又は第2のダミートランジスタの特性が規定の範囲外であった場合、第1のトランジスタ又は第2のトランジスタの特性も規定の範囲外であると判断し、第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの製造条件を調整する。
なお、特定の第1のトランジスタ及び第2のトランジスタの特性を検査したい場合、この第1のトランジスタ及び第2のトランジスタに最も近い位置にある第1のダミートランジスタ及び第2のダミートランジスタを、図3(B)に示した方法で検査するのが好ましい。
以上、第1の実施形態によれば、アクティブセル10aには、第1のトランジスタと第2のトランジスタが形成されている。第1のトランジスタのドレインとなる不純物領域7bは、第2のトランジスタのソースを兼ねているが、不純物領域7b上にはタングステンプラグが形成されていない。このため、第1のトランジスタの特性と第2のトランジスタの特性は、独立して検査することができない。
しかし、アクティブセル10aの周囲に位置するダミーエリア10bには、アクティブセル10aに位置するトランジスタと同一の構造を有するダミートランジスタが形成されている。そして、ダミートランジスタの不純物領域17a,17b,17cそれぞれ上には、タングステンプラグ及びこれに接続するAl合金パッドが形成されている。このため、FIBを用いた微細加工を行わなくても、第1のダミートランジスタの特性及び第2のダミートランジスタの特性それぞれを、独立して測定することにより、第1のトランジスタの特性及び第2のトランジスタの特性が、規定の範囲内であるか否かを推定することができる。
また、ダミートランジスタに接続するAl合金パッド22d,22e,22fそれぞれの幅が、トランジスタに接続するAl合金配線22a,22bそれぞれの幅より広いため、検査用の端子を容易にAl合金パッド22d,22e,22fに接続することができる。
図4の各図は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法及び構造を説明する為の断面図である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図4(A)に示すように、シリコン基板1にウェル40a,40bを形成した後、素子分離膜2を埋め込む。次いで、ゲート絶縁膜3a,3b,13a,13b、ゲート電極4a,4b,14a,14b、サイドウォール5a,5b,15a,15b、低濃度不純物領域6a,6b,16a,16b、不純物領域7a,7b,7c,17a,17b,17c、及び第1の層間絶縁膜20を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。ただし、不純物領域17cは第1の実施形態と比べて広く形成される。
次いで、第1の層間絶縁膜20に接続孔20a,20b,20d,20f,20gを形成する。接続孔20f,20gそれぞれは、不純物領域17c上に位置しており、互いに離間している。なお、これら接続孔の形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成する方法と同一である。
次いで、接続孔20a,20b,20d,20f,20gそれぞれに、タングステンプラグ21a,21b,21d,21f,21gを埋め込む。これらタングステンプラグの埋め込み方法は、第1の実施形態において、第1の層間絶縁膜20の接続孔にタングステンプラグを埋め込む方法と同一である。
次いで、第1の層間絶縁膜20上に、Al合金配線22a,22bを形成するとともに、Al合金パッド22d,22f,22gを形成する。Al合金配線22a,22bは、それぞれタングステンプラグ21a,21bに接続し、Al合金パッド22d,22f,22gそれぞれは、タングステンプラグ21d,21f,21gに接続する。これらの形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20上にAl合金配線及びAl合金パッドを形成する方法と同一である。
次いで、図4(B)に示すように、第2の層間絶縁膜23、接続孔23a,23b,23d,23f、タングステンプラグ24a,24b,24d,24f、Al合金パッド25a,25b,25d,25f、パッシベーション膜26、及びパッシベーション膜26の開口部を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
そして、不純物領域7cの電気特性を測定したい場合、以下のようにして、ダミーエリア10bに形成された不純物領域17cの電気特性を検査する。
すなわち、図4(C)に示すように、研磨装置を用いて、パッシベーション膜26、Al合金パッド25a,25b,25d,25f、タングステンプラグ24a,24b,24d,24f、及び第2の層間絶縁膜23を除去し、Al合金パッド22d,22f,22gを露出させる。
次いで、Al合金パッド22f,22gそれぞれに検査用の端子50を接続し、信号を入力することにより、不純物領域17cの電気特性(例えば抵抗)を検査する。不純物領域17cの電気特性が規定の範囲外であった場合、不純物領域7cの電気特性も規定の範囲外であると判断し、不純物領域7cの製造条件を調整する。
以上、第2の実施形態によれば、半導体装置に不具合があった場合、FIBを用いた微細加工を行わなくても、不純物領域7cの電気的特性を推定し、その製造条件を調整することができる。
図5の各図は、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法及び構造を説明する為の断面図である。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。なお、図5の各図は、図2及び図3の各図に対して直交する方向、すなわちゲート電極が延伸する方向の断面を示している。
まず、図5(A)に示すように、シリコン基板1にウェル40a,40bを形成した後、素子分離膜2を埋め込む。次いで、ゲート絶縁膜3a,13a、ゲート電極4a,14a、サイドウォール5a,15a、低濃度不純物領域(本図では図示せず)、不純物領域(本図では図示せず)、及び第1の層間絶縁膜20を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
次いで、アクティブセル10aに位置する第1の層間絶縁膜20に接続孔20cを形成するとともに、ダミーエリア10bに位置する第1の層間絶縁膜20に、接続孔20h,20iを形成する。接続孔20cはゲート電極4a上に位置している。また、接続孔20h,20iそれぞれは、ゲート電極14a上に位置しており、かつ互いに離間している。これら接続孔の形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成する方法と同一である。
次いで、接続孔20c,20h,20iそれぞれに、タングステンプラグ21c,21h,21iを埋め込む。これらタングステンプラグの埋め込み方法は、第1の実施形態において、第1の層間絶縁膜20の接続孔にタングステンプラグを埋め込む方法と同一である。
次いで、第1の層間絶縁膜20上に、Al合金配線22cを形成するとともに、Al合金パッド22h,22iを形成する。Al合金配線22cはタングステンプラグ21cに接続し、Al合金パッド22h,22iそれぞれは、タングステンプラグ21h,21iに接続する。これらの形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20上にAl合金配線及びAl合金パッドを形成する方法と同一である。
次いで、図5(B)に示すように、第2の層間絶縁膜23、接続孔(図示せず)、接続孔中のタングステンプラグ(図示せず)、第2の層間絶縁膜23上のAl合金パッド(図示せず)パッシベーション膜26、及びパッシベーション膜26の開口部(図示せず)を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
そして、ゲート電極4aの電気特性を検査したい場合、以下のようにして、ダミーエリア10bに形成されたゲート電極14aの電気特性を検査する。
すなわち、図5(C)に示すように、研磨装置を用いて、パッシベーション膜26、Al合金パッド、タングステンプラグ、及び第2の層間絶縁膜23を除去し、Al合金パッド22h,22iを露出させる。
次いで、Al合金パッド22h,22iそれぞれに検査用の端子50を接続し、信号を入力することにより、ゲート電極14a(例えば抵抗)の電気特性を検査する。ゲート電極14aの電気特性が規定の範囲外であった場合、ゲート電極4aの電気特性も規定の範囲外であると判断し、ゲート電極4aの製造条件を調整する。
以上、第3の実施形態によれば、半導体装置に不具合があった場合、FIBを用いた微細加工を行わなくても、ゲート電極4aの電気的特性を推定し、その製造条件を調整することができる。
図6(A),(B)及び図7の各図は、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。図6(C)は、図6(B)の状態における接続孔のレイアウトを説明する為の平面図である。本実施形態において、ダミーエリア10bには、マスクずれに起因した接続孔の位置ずれを検出するためのダミー素子が形成される。以下、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図6(A)に示すように、シリコン基板1に第1導電型のウェル40a,40bを形成した後、素子分離膜2を埋め込む。次いで、ゲート絶縁膜3a,3b及びゲート電極4a,4bを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一であるが、ダミーエリア10bにはゲート絶縁膜及びゲート電極が形成されない。
次いで、ダミーエリア10bを含む全面上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ダミーエリア10bはフォトレジスト膜で覆われるが、アクティブセル10a上からはフォトレジスト膜が除去される。次いで、このフォトレジスト膜、素子分離膜2及びゲート電極4a,4bをマスクとして、シリコン基板1に第2導電型の不純物を導入する。これにより、アクティブセル10aには低濃度不純物領域6a,6bが形成される。その後、フォトレジスト膜を除去する。
次いで、サイドウォール5a,5bを形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
次いで、ダミーエリア10bを含む全面上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、ダミーエリア10bにはレジストパターン60が形成されるが、アクティブセル10a上からはフォトレジスト膜が除去される。次いで、レジストパターン60、素子分離膜2及びゲート電極4a,4bをマスクとして、シリコン基板1に第2導電型の不純物を導入する。これにより、アクティブセル10aには不純物領域7a,7b,7cが形成され、ダミーエリア10bのウェル40bには、不純物領域17d,17e,17fが形成される。不純物領域17d,17e,17fは、互いに離間している。
その後、図6(B)に示すように、レジストパターン60を除去する。次いで、第1の層間絶縁膜20をCVD法により形成する。次いで、アクティブセル10aに位置する第1の層間絶縁膜20に接続孔20a,20bを形成するとともに、ダミーエリア10bに位置する第1の層間絶縁膜20に、接続孔20j,20k,20l,20mを形成する。接続孔20jはウェル40b上に位置しており、接続孔20k,20l,20mは、それぞれ不純物領域17d,17e,17f上に位置している。これら接続孔の形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成する方法と同一である。
次いで、接続孔20a,20b,20j,20k,20l,20mそれぞれに、タングステンプラグ21a,21b,21j,21k,21l,21mを埋め込む。これらタングステンプラグの埋め込み方法は、第1の実施形態において、第1の層間絶縁膜20の接続孔にタングステンプラグを埋め込む方法と同一である。
次いで、第1の層間絶縁膜20上に、アクティブセル10aに位置するAl合金配線22a,22bを形成するとともに、ダミーエリア10bに位置するAl合金パッド22j,22k,22l,22mを形成する。Al合金パッド22j,22k,22l,22mそれぞれは、タングステンプラグ21j,21k,21l,21mに接続する。これらの形成方法は、第1の実施形態において第1の層間絶縁膜20上にAl合金配線及びAl合金パッドを形成する方法と同一である。
ここで、図6(C)を用いて、接続孔20k,20l,20m及びタングステンプラグ21k,21l,21mそれぞれのレイアウトについて説明する。これら接続孔及びタングステンプラグは、正方形である不純物領域17d,17e,17fそれぞれ上に位置しているが、ウェル40bまでの距離が互いに異なる。詳細には、接続孔20k及びタングステンプラグ21kは、不純物領域17dの左上の角近傍に位置し、接続孔20l及びタングステンプラグ21lは、不純物領域17eの中央部に位置し、接続孔20m及びタングステンプラグ21mは、不純物領域17fの右下の角近傍に位置している。なお、本図では、説明のためAl合金パッド22j,22k,22l,22mを省略している。
第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成するときに、図中左方向又は上方向のマスクずれが一定値以上生じた場合、タングステンプラグ21kがウェル40b上に位置する。また、そのマスクずれがさらに大きい場合、タングステンプラグ21k,21lそれぞれが、ウェル40b上に位置する。
また、第1の層間絶縁膜20に接続孔を形成するときに、図中右方向又は下方向のマスクずれが一定値以上生じた場合、タングステンプラグ21mがウェル40b上に位置する。また、そのマスクずれがさらに大きい場合、タングステンプラグ21l,21mそれぞれが、ウェル40b上に位置する。
半導体装置の製造方法の説明に戻る。
次いで、図7(A)に示すように、第2の層間絶縁膜23、接続孔23a,23b、タングステンプラグ24a,24b、Al合金パッド25a,25b、パッシベーション膜26、及びパッシベーション膜26の開口部を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
次いで、図7(A)に示すように、第2の層間絶縁膜23、接続孔23a,23b、タングステンプラグ24a,24b、Al合金パッド25a,25b、パッシベーション膜26、及びパッシベーション膜26の開口部を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
そして、接続孔20a,20bを形成するときのマスクずれを測定したい場合、以下のようにして、ダミーエリア10bの電極22jと、他の電極が導通しているか否かを検査する。
すなわち、図4(C)に示すように、研磨装置を用いて、パッシベーション膜26、Al合金パッド25a,25b、タングステンプラグ24a,24b、及び第2の層間絶縁膜23を除去し、Al合金パッド22j,22k,22l,22mを露出させる。
次いで、Al合金パッド22k,22l,22mのいずれかと、Al合金パッド22jとに検査用の端子50を接続し、これらの間が導通しているか否かを検査する。
例えば、接続孔20a,20bを形成するときのマスクずれが、図6(C)中左方向又は上方向であり、かつその大きさが一定値以上である場合、タングステンプラグ21kがウェル40b上に位置するため、Al合金パッド22j,22k相互間がウェル40bを介して導通する。また、マスクずれの大きさがさらに大きい場合、タングステンプラグ21lもウェル40b上に位置するため、Al合金パッド22j,22l相互間もウェル40bを介して導通する。
また、接続孔20a,20bを形成するときのマスクずれが、図6(C)中右方向又は下方向であり、かつその大きさが一定値以上である場合、タングステンプラグ21mがウェル40b上に位置するため、Al合金パッド22j,22m相互間がウェル40bを介して導通する。また、マスクずれの大きさがさらに大きい場合、タングステンプラグ21lもウェル40b上に位置するため、Al合金パッド22j,22l相互間もウェル40bを介して導通する。
このように、本実施形態によれば、Al合金パッド22jが、Al合金パッド22k,22l,22mのいずれと導通しているか、若しくはいずれとも導通していないかを確認することにより、マスクずれの方向及び大きさを推定することができる。そして、マスクずれが検出された場合、第1の層間絶縁膜20上のフォトレジスト膜を露光するときのレチクルの位置及び露光条件を調整することにより、マスクずれを修正することができる。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
1…シリコン基板、2…素子分離膜、3a,3b,13a,13b…ゲート絶縁膜、4a,4b,14a,14b…ゲート電極、5a,5b,15a,15b…サイドウォール、6a,6b,16a,16b…低濃度不純物領域、7a,7b,7c,17a,17b,17c,17d,17e,17f…不純物領域、10a…アクティブセル、10b…ダミーエリア、20…第1の層間絶縁膜、20a,20b,20c,20d,20e,20f,20g,20h,20i,20j,20k,20l,20m…接続孔、21a,21b,21c,21d,21e,21f,21g,21h,21i,21j,21k,21l,21m…タングステンプラグ、22a,22b,22c…Al合金配線、22d,22e,22f,22g,22h,22i,22j,22k,22l,22m…Al合金パッド、23…第2の層間絶縁膜、23a,23b,23d,23f…接続孔、24a,24b,24d,24f…タングステンプラグ、25a,25b,25d,25f…Al合金パッド、26…パッシベーション膜、40a,40b…ウェル、50…端子、60…レジストパターン、100a…第1のトランジスタ、100b…第2のトランジスタ、107a…ソース、107b,107c…ドレイン、108…第1の層間絶縁膜、109a,109b,109c…タングステンプラグ、110a,110b…Al合金配線、111…第2の層間絶縁膜、112…Al合金パッド、113…パッシベーション膜、114a,114b,114c…電極
Claims (11)
- 半導体基板のアクティブセル内に形成された半導体素子と、
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された、前記半導体素子のダミー素子と、
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に形成された絶縁膜と、
前記半導体素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、第1のレイアウトで配置された接続孔と、
前記ダミー素子上に位置する前記絶縁膜に形成され、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極と、
を具備する半導体装置。 - 前記半導体素子は、第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタのドレインがソースである第2のトランジスタとを具備し、
前記ダミー素子は、第1のダミートランジスタと、前記第1のダミートランジスタのドレインをソースとして機能させる第2のダミートランジスタとを具備し、
前記接続孔は、前記第1のトランジスタのソース上、及び前記第2のトランジスタのドレイン上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記第1のダミートランジスタのソース及びドレインそれぞれ上、並びに前記第2のダミートランジスタのドレイン上に形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子はトランジスタを具備し、
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのソース及びドレインとなる2つの不純物領域それぞれ上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのソース又はドレインとなるダミー不純物領域上に、2つ互いに離間して形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子はトランジスタを具備し、
前記ダミー素子はダミートランジスタを具備し、
前記接続孔は、前記トランジスタのゲート電極上に形成され、
前記ダミー接続孔は、前記ダミートランジスタのダミーゲート電極上に、2つ互いに離間して形成されている請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電極は、前記配線より幅が広い請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体基板のアクティブセル内に形成された半導体素子と、
前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに形成された第1導電型のウェルと、
前記ウェル内に形成された第2導電型の不純物領域と、
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記半導体素子上に位置する接続孔と、
前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔と、
前記絶縁膜上に形成され、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線と、
前記絶縁膜上に形成され、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極と、
を具備する半導体装置。 - 前記不純物領域は、前記ウェル内に複数互いに離間して配置されており、
前記ダミー接続孔は、前記複数の不純物領域上それぞれに形成されており、
前記複数の不純物領域上それぞれに位置する前記ダミー接続孔は、前記ウェルからの距離が互いに異なる位置に配置されている請求項6に記載の半導体装置。 - 半導体基板のアクティブセル内に半導体素子を形成するとともに、前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに、前記半導体素子のダミー素子を形成する工程と、
前記半導体素子上及び前記ダミー素子上に、第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置し、第1のレイアウトで配置された接続孔を形成するとともに、前記ダミー素子上に位置し、前記第1のレイアウトとは異なる第2のレイアウトで配置されたダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線を形成するとともに、前記ダミー接続孔を介して前記ダミー素子に接続する電極を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記配線及び前記電極を形成する工程の後に、
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ダミー素子の特性を調べる工程と、
前記ダミー素子の特性に基づいて、前記半導体素子及び前記ダミー素子の形成条件を調整する工程と、
を具備する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基板のアクティブセル内に半導体素子を形成するとともに、前記アクティブセルの周辺部に位置するダミーエリアに、第1導電型のウェル、及び前記ウェル内に位置する第2導電型の不純物領域を形成する工程と、
前記半導体素子上、前記第1導電型のウェル上、及び前記不純物領域上それぞれに第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜に、前記半導体素子上に位置する接続孔、並びに、前記第1導電型のウェル上及び前記不純物領域上それぞれに位置するダミー接続孔を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上に、前記接続孔を介して前記半導体素子に接続する配線、及び、前記ダミー接続孔を介して前記ウェル及び前記不純物領域それぞれに接続する複数の電極を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記配線及び前記電極を形成する工程の後に、
前記第1の絶縁膜上、前記配線上、及び前記電極上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記電極上に位置する前記第2の絶縁膜を除去する工程と、
前記電極に信号を入力して前記ウェルと前記不純物領域相互間の抵抗を調べる工程と、
測定された抵抗値に基づいて、前記接続孔及び前記ダミー接続孔の形成条件を調整する工程と、
を具備する請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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