JP2006264799A - 真空処理装置及び処理室増設方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 搬送室2と、搬送室2に接続されて基板を傾斜させて支持して真空処理する複数の処理室3−1〜3−6と、搬送室2の内を移動する基板搬送装置6とを備えている。基板搬送装置は、複数の処理室3−1〜3−6のうちの1つの処理室から搬送室2に基板を傾斜させて支持して搬出し、複数の処理室3−1〜3−6のうちの他の処理室に搬送室2から基板を傾斜させて支持して搬入する。複数の処理室3−1〜3−6は、複数の右側処理室3−1〜3−3と、搬送室2を隔てて右側処理室3−1〜3−3の反対側にそれぞれ配置される複数の左側処理室3−4〜3−6とから形成される。このような真空処理装置1は、複数の処理室3−1〜3−6がクラスター型に配置されるときより、狭い場所に設置することができる。
【選択図】 図2
Description
本発明の課題は、より大きな基板に半導体膜などの薄膜を製膜する処理室をより多く備え、設置される場所の広さをより低減する真空処理装置を提供することにある。
本発明の他の課題は、より大きな基板に半導体膜を製膜する処理室をより多く備え、設置される場所の広さをより低減し、処理室の歪みが小さい真空処理装置を提供することにある。
本発明のさらに他の課題は、より大きな基板に半導体膜などの薄膜を製膜する処理室をより多く備え、設置される場所の広さをより低減し、より速く基板に製膜する真空処理装置を提供することにある。
本発明のさらに他の課題は、より大きな基板に半導体膜などの薄膜を製膜する処理室をより多く備え、設置される場所の広さをより低減し、処理室の増設をより容易にする真空処理装置を提供することにある。
本発明のさらに他の課題は、処理室をより容易に増設する処理室増設方法を提供することにある。
2 :搬送室
3−1〜3−6:処理室
4 :ロード室
5 :アンロード室
6 :基板搬送装置
7−1〜7−6:ゲート弁
11 :ゲート弁
12 :ローダ大気側挿入装置
13 :ゲート弁
15 :ゲート弁
16 :アンローダ大気側挿入装置
17 :ゲート弁
18−1:持ち上げ機構
18−2:ローダ用基板搬送装置
19−1:アンローダ用基板搬送装置
19−2:持ち上げ機構
21−1〜21−6:レール
22−1〜22−3:処理室部分
24 :ロード室部分
25 :蓋
26−1〜26−3:ユニット
31 :スライドベース
32 :A架台
33 :B架台
34 :C架台
35−1〜35−2:スライダ
36−1〜36−2:レール
37 :スライダ
38 :スライダ
39 :中央レール
131:回転駆動モータ
132:磁性流体シール付き軸受け
133:ピニオン
134:ラック
41−1〜41−2:支持部材
44 :スライダ
45 :支持部材
46−1〜46−2:スライダ
47−1〜47−2:滑車
48−1〜48−2:ベルト
51 :移動レール
52 :固定レール
53 :ボールネジ
54 :駆動装置
55 :スライダ
58 :ガイド
59 :ガイド
61 :ラック
62 :回転軸
63 :回転部材
64 :ピニオン
65 :ピニオン
67 :ラック
71 :回転軸
72 :回転軸
81−1〜81−2:レバー
82−1〜82−2:軸
83−1〜83−4:可動爪
84−1〜84−4:可動爪
86 :リンク機構
141:ピニオン
142:ピニオン
143:ラック
144:ラック
145:ラック
87−1〜87−4:戻り機構用ばね
91−1〜91−2:棒
92−1〜92−2:駆動装置
93−1〜93−2:穴
101:ケーシング
102:基板テーブル
103:電極
104:防着板
105:棒
106:連結具
107:駆動装置
111:棒
112:駆動装置
113:穴
114:支持爪
120:基板
121:くぼみ
122:支持爪
Claims (7)
- 搬送室と、
前記搬送室に接続されて基板を鉛直方向から傾斜させて支持して真空処理する複数の処理室と、
前記搬送室の内を移動する基板搬送装置とを具備し、
前記基板搬送装置は、
前記複数の処理室のうちの1つの処理室から前記搬送室に前記基板を傾斜させて支持して搬出し、
前記複数の処理室のうちの他の処理室に前記搬送室から前記基板を鉛直方向から傾斜させて支持して搬入し、
前記複数の処理室は、
複数の右側処理室と、
前記搬送室を隔てて前記右側処理室の反対側にそれぞれ配置される複数の左側処理室とから形成される
真空処理装置。 - 請求項1において、
前記複数の処理室は、それぞれ、前記搬送室から離れる方向に平行移動可能に支持される
真空処理装置。 - 請求項1において、
前記複数の右側処理室のうちの第1処理室が実行する第1プロセスは、前記複数の左側処理室のうちの前記搬送室を隔てて前記第1処理室に対向する第2処理室が実行する第2プロセスの直後に実行される
真空処理装置。 - 請求項1において、
前記搬送室に接続されて前記基板を外部から前記搬送室に搬入するロード室と、
前記搬送室に接続されて前記基板を前記搬送室から前記外部に搬出するアンロード室と更に具備し、
前記ロード室は、前記搬送室を隔てて前記アンロード室に対向して配置される
真空処理装置。 - 請求項1において、
前記搬送室と前記複数の処理室とは、互いに構造が等しい複数のユニットを含み、
前記搬送室は、複数の処理室部分から形成され、
前記複数のユニットの各々は、
前記複数の処理室部分のうちの1つの部分と、
前記複数の右側処理室のうちの前記1つの部分に連結される処理室と、
前記複数の左側処理室のうちの前記1つの部分に連結される処理室とから形成される
真空処理装置。 - 請求項5に記載される真空処理装置に処理室を増設する処理室増設方法であり、
前記ユニットと取り合い構造が等しい増設ユニットを製造するステップと、
前記真空処理装置に増設ユニットを増設するステップ
とを具備する処理室増設方法。 - 請求項6において、
前記真空処理装置は、
前記搬送室に接続されて前記基板を外部から前記搬送室に搬入するロード室と、
前記搬送室に接続されて前記基板を前記搬送室から前記外部に搬出するアンロード室と更に備え、
前記ロード室は、前記搬送室を隔てて前記アンロード室に対向して配置され、
前記増設ユニットに含まれる増設処理室は、
前記ロード室と前記アンロード室とから前記複数のユニットより離れた部位に増設される
処理室増設方法。
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