JP2006253615A - Pattern shaped-body, method of manufacturing wiring, and wiring board - Google Patents

Pattern shaped-body, method of manufacturing wiring, and wiring board Download PDF

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JP2006253615A JP2005072032A JP2005072032A JP2006253615A JP 2006253615 A JP2006253615 A JP 2006253615A JP 2005072032 A JP2005072032 A JP 2005072032A JP 2005072032 A JP2005072032 A JP 2005072032A JP 2006253615 A JP2006253615 A JP 2006253615A
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秀章 大倉
Takeshi Sano
武 佐野
Kunio Ikeda
邦夫 池田
Hiroshi Kobayashi
寛史 小林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern shaped-body capable of further miniaturization of wiring, and to provide a method of manufacturing the wiring and a wiring board. <P>SOLUTION: A pattern having an opening size of 20 μm is formed on a mold, and then, an ink containing silver nano-particles is supplied to the entire pattern. In this case, a coating layer 3 made of silver nano-particles is formed on the opening, and further, the silver nano-particles are fused. The mold is dipped into a copper pyrophosphoric acid solution, and copper plating is executed so that the film thickness is 3 μm. After that, an enclosure is provided using a frame material 5, a molding resin 6 for transfer is injected in a molten state, molding is performed and the mold is released after temporary curing, and a molded body having a transferred wiring 4 is cured to form the wiring. According to this procedure, a pattern-like insulating material is disposed on the substrate material, an exposed area of the substrate material surface is made smaller than an area of the opening on the surface of the insulating material, and the shape of a cross section is made to be a mound shape. Thus, since a force of exfoliating the molded body from the mold is decreased against an adhesion force to a substrate, the wiring can be satisfactorily transferred. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、パターン形状体、配線製造方法および配線基板に関し、とくに、電子部品実装、パターン形成技術、又はパターン成形技術として適用されるパターン形状体、配線製造方法および配線基板に関する。   The present invention relates to a pattern shape body, a wiring manufacturing method, and a wiring board, and more particularly to a pattern shape body, a wiring manufacturing method, and a wiring board that are applied as electronic component mounting, pattern formation technology, or pattern forming technology.

従来、パターン形状体は例えば、基板形成に適用され用いられる。より具体的な適用例を、以下に列挙する。
一の厚膜配線の形成方法では、基体上に地汚れのない綺麗なパターン形状の厚膜配線を形成することができる(参照;特許文献1)。また、他の転写媒体の製造方法では、導体配線基板、当該導体配線基板の絶縁基板に歩留まりの良好な導体配線を転写するための転写媒体、及びこれらを容易に製造する方法を提供する(特許文献2)。さらに、プリント配線板の作成を容易にし、かつ転写後の接着力を十分維持可能とする(特許文献3)としている。
特開2004−186556号公報 特許第3431556号公報 特開平04−97249号公報
Conventionally, a pattern shape body is applied and used for substrate formation, for example. More specific application examples are listed below.
According to one thick film wiring forming method, a thick film wiring having a clean pattern shape with no soiling can be formed on the substrate (see Patent Document 1). In addition, another transfer medium manufacturing method provides a conductor wiring board, a transfer medium for transferring a conductor wiring having a good yield to an insulating substrate of the conductor wiring board, and a method for easily manufacturing these (patents). Reference 2). Furthermore, the printed wiring board can be easily created and the adhesive strength after transfer can be sufficiently maintained (Patent Document 3).
JP 2004-186556 A Japanese Patent No. 3431556 Japanese Patent Laid-Open No. 04-97249

しかしながら、配線基板は小型化高性能化に伴い、配線パターンのより高い微細化が要求される。この結果、配線基板を転写法にて形成する場合、型からの剥離性が重要になってくる。
従来技術例として上掲の特許文献1では、所望の厚膜配線のパターンに対応するパターン溝が表面に形成された凹版のパターン溝に導電ペーストPを埋め込む第1の工程と、パターン溝に埋め込まれた導電ペーストPを凹版から剥離可能な硬度まで乾燥または硬化させる第2の工程と、剥離可能な硬度まで乾燥または硬化された導電ペーストPを凹版から転写面に粘着性を持つ中間体に転写する第3の工程と、中間体の転写面の粘着性を低下させる第4の工程と、中間体に転写された導電ペーストPを基体に再転写する第5の工程とを有することで達成している。しかしこの方法では、導電ペーストの乾燥等が必要であり、転写時の形状崩れが発生するため、微細化が困難である。
However, with the miniaturization and high performance of wiring boards, higher miniaturization of wiring patterns is required. As a result, when the wiring board is formed by a transfer method, the releasability from the mold becomes important.
In Patent Document 1 listed above as a prior art example, a first step of embedding a conductive paste P in a pattern groove of an intaglio plate having a pattern groove corresponding to a desired thick film wiring pattern formed on the surface, and embedding in the pattern groove A second step of drying or curing the conductive paste P to a peelable hardness from the intaglio, and transferring the dried or hardened conductive paste P from the intaglio to an adhesive intermediate on the transfer surface And the fourth step of reducing the adhesiveness of the transfer surface of the intermediate, and the fifth step of retransferring the conductive paste P transferred to the intermediate to the substrate. ing. However, according to this method, it is necessary to dry the conductive paste, and the shape collapses at the time of transfer.

また、特許文献2では、転写媒体用アルミニュウム基板の表面に感光性樹脂によるフォトレジスト技術で基板表面を選択的に露出させ、露出した基板表面に光沢めっきにより金属粒塊成長方向が該基板表面とほぼ平行な金属層を形成し、その上に非光沢めっきにより金属粒塊成長方向が該基板表面とほぼ垂直な金属層を形成し、得られた転写媒体を、表面に接着剤を有する絶縁性基板に圧着し、導体配線となる金属層を絶縁性基板表面に転写して埋設し、転写媒体の基板を化学的にエッチング除去して、配線基板を得ることで達成している。しかしこの方法では、配線幅が小さくなるほどより大きい表面粗さが必要となるため、微細化に限界がある。   Further, in Patent Document 2, the surface of the aluminum substrate for transfer medium is selectively exposed by a photoresist technique using a photosensitive resin, and the growth direction of the metal agglomerates is changed from the surface of the substrate by gloss plating on the exposed substrate surface. An almost parallel metal layer is formed, and a metal layer in which the growth direction of the metal agglomerates is almost perpendicular to the surface of the substrate is formed by matte plating, and the resulting transfer medium is insulated with an adhesive on the surface. This is achieved by pressure bonding to the substrate, transferring and embedding a metal layer serving as a conductor wiring on the surface of the insulating substrate, and chemically etching away the substrate of the transfer medium to obtain a wiring substrate. However, this method has a limitation in miniaturization because a larger surface roughness is required as the wiring width becomes smaller.

また、特許文献3では、剥離層は熱溶融性物質からなり、ワックス類、樹脂類及び未加硫ゴムのうち1種類以上含むものとする。また、導電層は熱によって基板上に転写されるものであり、比抵抗が0.1Ω/cm以下の材料を用いる。この比抵抗が大きくなると配線としての機能の低下を招く。さらに、接着層は、熱によって硬化する耐熱樹脂により形成される。これにより、熱転写印刷時に導電層と基板との接着力が十分発揮され、またプリント配線板の作成が容易に行えることで課題解決している。しかしこの方式では、転写時に接着層によるパターンずれや接着層の硬化収縮等による配線パターンのくずれが発生するため、配線の微細化が難しいという問題点を有する。   Moreover, in patent document 3, a peeling layer consists of a hot-melt substance, and shall contain 1 or more types among waxes, resin, and unvulcanized rubber. The conductive layer is transferred onto the substrate by heat, and a material having a specific resistance of 0.1 Ω / cm or less is used. When this specific resistance is increased, the function as a wiring is reduced. Further, the adhesive layer is formed of a heat resistant resin that is cured by heat. As a result, the adhesive force between the conductive layer and the substrate is sufficiently exerted during thermal transfer printing, and the printed wiring board can be easily created to solve the problem. However, this method has a problem in that it is difficult to miniaturize the wiring because pattern displacement due to the adhesive layer and wiring pattern deformation due to hardening shrinkage of the adhesive layer occur during transfer.

本発明は、上記従来の問題点を改善または解消し、より高い配線の微細化を可能とするパターン形状体、配線製造方法および配線基板を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a pattern shape body, a wiring manufacturing method, and a wiring board that can improve or eliminate the above-described conventional problems and enable higher wiring miniaturization.

本発明では、繰り返し配線を供給可能な型を設けることで、安価に微細な配線基板を形成することができる。そのために、配線と型との密着力を低下させることが重要であり、配線が型と接触している面積を配線が基材に接している面積に比べ小さくする。このことにより、良好に配線を転写することが可能となる。   In the present invention, a fine wiring board can be formed at low cost by providing a mold capable of repeatedly supplying wiring. For this purpose, it is important to reduce the adhesion between the wiring and the mold, and the area where the wiring is in contact with the mold is made smaller than the area where the wiring is in contact with the substrate. This makes it possible to transfer the wiring satisfactorily.

請求項1に記載の発明のパターン形状体は、基材上にパターン状の絶縁材料が配置され、該絶縁材料の表面における開口部の面積と比較して基材表面側の露出面積を小さくし、断面形状を山形形状としたことを特徴としている。   In the patterned body of the invention described in claim 1, a patterned insulating material is disposed on a base material, and the exposed area on the base material surface side is made smaller than the area of the opening on the surface of the insulating material. The cross-sectional shape is a mountain shape.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形状体において、基材表面上に、皮膜層を形成したことを特徴としている。   The invention according to claim 2 is characterized in that, in the pattern shape body according to claim 1, a coating layer is formed on the surface of the substrate.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のパターン形状体において、皮膜層が、導電材料と絶縁材料とから構成されていることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the pattern shape body according to claim 2, wherein the coating layer is composed of a conductive material and an insulating material.

請求項4に記載の発明は、請求項1から3の何れかに記載のパターン形状体において、基材が導電性を有することを特徴とする。   The invention according to claim 4 is the pattern-shaped body according to any one of claims 1 to 3, wherein the substrate has conductivity.

請求項5に記載の発明は、請求項1から4の何れかに記載のパターン形状体において、基材上の開口部が親水性を有することを特徴としている。   The invention according to claim 5 is characterized in that, in the pattern shape body according to any one of claims 1 to 4, the opening on the substrate has hydrophilicity.

請求項6に記載の発明は、請求項1から5の何れかに記載のパターン形状体において、絶縁材料が疎水性を有することを特徴としている。   The invention described in claim 6 is characterized in that, in the pattern shape body according to any one of claims 1 to 5, the insulating material has hydrophobicity.

請求項7に記載の発明は、請求項1から6の何れかに記載のパターン形状体において、開口部がテーパ状に構成されたことを特徴とする。   The invention described in claim 7 is characterized in that, in the pattern-shaped body according to any one of claims 1 to 6, the opening is configured in a tapered shape.

請求項8に記載の発明は、請求項1から7の何れかに記載のパターン形状体において、開口部に配線が配置され、該配線の厚さは絶縁材料の厚さよりもより小さいことを特徴とする。   According to an eighth aspect of the present invention, in the pattern-shaped body according to any one of the first to seventh aspects, the wiring is arranged in the opening, and the thickness of the wiring is smaller than the thickness of the insulating material. And

請求項9に記載の発明は、請求項1から8の何れかに記載のパターン形状体において、配線が電解めっきで構成されていることを特徴とする。   The invention described in claim 9 is characterized in that, in the pattern-shaped body according to any one of claims 1 to 8, the wiring is constituted by electrolytic plating.

請求項10に記載の発明は、請求項1から8の何れかに記載のパターン形状体において、配線が無電解めっきで構成されていることを特徴とする。   The invention described in claim 10 is characterized in that, in the pattern-shaped body according to any one of claims 1 to 8, the wiring is configured by electroless plating.

請求項11に記載の発明の配線製造方法は、所定の基材上にパターン状の型を形成するステップと、型内へ導電材料を供給するステップと、型内に形成された導電材料を所定の絶縁材料に転写するステップと、を有することを特徴とする。   A wiring manufacturing method according to an eleventh aspect of the present invention provides a step of forming a pattern-shaped mold on a predetermined substrate, a step of supplying a conductive material into the mold, and a predetermined amount of the conductive material formed in the mold. And transferring to the insulating material.

請求項12に記載の発明は、請求項11に記載の配線製造方法において、型は配線形成型を含んだ成型用型であり、該型内に流動性を有する絶縁材料を供給し、該供給した絶縁材料を硬化離形させることを特徴とする。   The invention according to claim 12 is the wiring manufacturing method according to claim 11, wherein the mold is a molding mold including a wiring forming mold, and an insulating material having fluidity is supplied into the mold, and the supply The insulating material is cured and released.

請求項13に記載の発明の配線基板は、所定の基材上にパターン状の型が形成され、この型内へ導電材料が供給され、型内に形成された導電材料が所定の絶縁材料に転写されて構成され、型は配線形成型を含んだ成型用型であり、該型内に流動性を有する絶縁材料を供給し、該供給した絶縁材料を硬化離形させることで配線を形成したことを特徴とする。   In the wiring board according to the thirteenth aspect, a pattern-shaped mold is formed on a predetermined base material, a conductive material is supplied into the mold, and the conductive material formed in the mold becomes a predetermined insulating material. The mold is a molding mold including a wiring forming mold, and a wiring is formed by supplying a fluid insulating material into the mold and curing and releasing the supplied insulating material. It is characterized by that.

請求項14に記載の発明は、請求項13記載の配線基板において、この配線基板内に機能部品が含まれていることを特徴とする。   A fourteenth aspect of the present invention is the wiring board according to the thirteenth aspect, wherein functional components are included in the wiring board.

本発明によれば、より微細な配線基板が得られる。   According to the present invention, a finer wiring board can be obtained.

次に、添付図面を参照して、本発明によるパターン形状体、配線製造方法および配線基板の実施形態を詳細に説明する。図1〜図4を参照すると、本発明のパターン形状体、配線製造方法および配線基板の実施形態が示されている。   Next, with reference to the accompanying drawings, embodiments of a pattern shape body, a wiring manufacturing method, and a wiring board according to the present invention will be described in detail. 1 to 4 show an embodiment of a pattern shape body, a wiring manufacturing method, and a wiring board according to the present invention.

(実施形態1)
図1は、(1)型形成、(2)皮膜層形成、(3)配線形成、(4)樹脂注入、(5)離型、の各処理図から構成される。図1において、プラズマ処理にて親水化したニッケルで構成された金型A1の上に、レジスト(Clariant社製 AZ4620)2を塗布し、レジスト厚5μmの膜を得た。その後、20μm幅のラインを有するフォトマスクにて密着露光し現像した後に、オーブンにて110℃30分で硬化を行った。この結果、金型A1の上に、20μm幅の開口径を有するパターンを形成することができた。
(Embodiment 1)
FIG. 1 includes processing diagrams of (1) mold formation, (2) film layer formation, (3) wiring formation, (4) resin injection, and (5) mold release. In FIG. 1, a resist (AZ4620 manufactured by Clariant) 2 was applied on a mold A1 made of nickel that was made hydrophilic by plasma treatment to obtain a film having a resist thickness of 5 μm. Thereafter, the film was exposed and developed with a photomask having a line having a width of 20 μm, and then cured in an oven at 110 ° C. for 30 minutes. As a result, a pattern having an opening diameter of 20 μm width could be formed on the mold A1.

開口部を形成した後に、銀ナノ粒子含有インク(日本ペイント製;ファインスフィアSVW102)をパターン全体に供給した。このとき、ニッケル表面のみ良好に濡れるため、開口部に銀ナノ粒子による皮膜層3を形成することができた。さらに、200℃30分にて加熱して、銀ナノ粒子を融着させた。   After the openings were formed, silver nanoparticle-containing ink (manufactured by Nippon Paint; Finesphere SVW102) was supplied to the entire pattern. At this time, since only the nickel surface was wetted well, the coating layer 3 made of silver nanoparticles could be formed in the opening. Furthermore, it heated at 200 degreeC for 30 minutes, and fused the silver nanoparticle.

このように、転写型に皮膜層を設けることで、型と配線の接触面積を低下させることが可能である。ここで皮膜層とは膜内に空洞部を有する層を定義しており、この空洞部を設けることで、配線と型との実効的な接触面積を低減することが出来るため、転写性に優れる。また、空洞部内に配線材料が存在する場合においても転写時に皮膜層界面にて剥離することが可能となり、容易に転写することができる。この場合、皮膜層の型に対しての十分な密着力が必要である。また、皮膜層が離形性に優れた材料であれば、特に転写性は良好になる。   Thus, by providing the transfer die with the coating layer, the contact area between the die and the wiring can be reduced. Here, the coating layer defines a layer having a cavity in the film. By providing this cavity, the effective contact area between the wiring and the mold can be reduced, so that the transferability is excellent. . Further, even when a wiring material is present in the cavity, it can be peeled off at the coating layer interface during transfer, and can be easily transferred. In this case, sufficient adhesion to the mold of the coating layer is necessary. Moreover, if the film layer is a material having excellent releasability, transferability is particularly good.

電気銅めっき方法としては、型A1をピロリン酸銅めっき溶液(上村工業株式会社製 PY-61)中に浸漬し、膜厚を3μmとなるように銅めっきを行った。
その後、型B5にて囲いを設け、トランスファ用成形樹脂(住友ベークライト株式会社製 G770-L)6を120℃にて溶融状態で注入し、成形を行った。200℃5分の仮硬化後離形し、配線4が転写した成形体をオーブンにて200℃で1時間硬化し、良好な配線を形成することができた。
As an electrolytic copper plating method, the mold A1 was dipped in a copper pyrophosphate plating solution (PY-61, manufactured by Uemura Kogyo Co., Ltd.), and copper plating was performed so that the film thickness was 3 μm.
Thereafter, an enclosure was provided by the mold B5, and a molding resin for transfer (G770-L, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) 6 was poured in a molten state at 120 ° C. to perform molding. Molding was performed after temporary curing at 200 ° C. for 5 minutes, and the molded body onto which the wiring 4 was transferred was cured in an oven at 200 ° C. for 1 hour, and a favorable wiring could be formed.

また、型A1自体が導電性を有している場合には、電解めっきにて容易に配線を形成することができる。また配線の転写性に優れているため、繰り返し利用が可能であり、安価に配線を形成することができる。   Further, when the mold A1 itself has conductivity, the wiring can be easily formed by electrolytic plating. In addition, since the transferability of the wiring is excellent, the wiring can be repeatedly used, and the wiring can be formed at low cost.

さらに、型A1の開口部に親水性材料を用いることで、選択的な配線部に材料を供給することが出来る。例えば、無電解めっき用触媒を供給する場合には、全面に触媒を供給しても選択的に親水部に触媒を供給することができるので、簡便に配線を形成することができる。   Further, by using a hydrophilic material for the opening of the mold A1, the material can be supplied to the selective wiring portion. For example, when supplying the electroless plating catalyst, the catalyst can be selectively supplied to the hydrophilic portion even if the catalyst is supplied to the entire surface, so that the wiring can be easily formed.

本実施形態においては、銅配線4は頂点より3μmのところまで形成されており、型A1に皮膜層を形成することで、めっき成長した配線の型A1に対する密着力が低下している。このため、良好に配線4を密着させることができた。本実施形態では、皮膜層3の形成方法としてナノ粒子を融着させて実施しているが、乾燥状態でも同様に配線4の離形性に優れており、この場合には配線に銀ナノ粒子が含まれた状態で転写されることになる。   In the present embodiment, the copper wiring 4 is formed up to 3 μm from the apex, and by forming a coating layer on the mold A1, the adhesion of the plated and grown wiring to the mold A1 is reduced. For this reason, the wiring 4 was able to adhere | attach favorably. In this embodiment, the method for forming the coating layer 3 is performed by fusing nanoparticles. However, the dryness of the wiring 4 is also excellent in a dry state. In this case, the silver nanoparticles are formed on the wiring. It will be transferred in a state that contains.

また、本実施形態では、微細配線を基板上に転写させる上で、配線と転写型との密着力を弱めておく必要があるが、開口部に配置する配線の面積を配線自体の面積より小さくすることで、転写時に基板への密着力に対して型からの剥離力を低下させることができ、良好に転写させることが可能となる。   In this embodiment, in order to transfer the fine wiring onto the substrate, it is necessary to weaken the adhesion between the wiring and the transfer mold. However, the area of the wiring arranged in the opening is smaller than the area of the wiring itself. By doing so, it is possible to reduce the peeling force from the mold with respect to the adhesion force to the substrate at the time of transfer, and it is possible to transfer well.

さらに、版構造として断面が凹パターンで窪みに配線を形成することで、微細な配線を形成することが出来る。このとき、配線の厚さを絶縁材料の厚さに比べ小さくすることで、隣接パターン間の距離を小さくすることができ、微細化が可能である。   Furthermore, fine wiring can be formed by forming the wiring in the depression with a concave pattern in cross section as a plate structure. At this time, by reducing the thickness of the wiring compared to the thickness of the insulating material, the distance between adjacent patterns can be reduced and miniaturization is possible.

ところで、本実施形態では、熱硬化性樹脂6を用いた製造方法を示しているが、材料としてはこれに限定されるものではない。例えば、射出成形にて実施する場合、多くは熱可塑性樹脂を用いられており、本実施形態においても同様に形成することができる。特に、電子部品のように耐熱性を要求される場合には、熱可塑性樹脂にも高耐熱性が要求される。このため、成形温度も高く設定する必要があり、ハンドリング上困難ではあるが、樹脂の硬化時間を短縮することができるという利点がある。
また、本実施形態における絶縁材料としては、簡便性からレジスト材料を用いているが、他の絶縁材料でも適応可能である。絶縁材料がより疎水性の材料を用いることで、離形性に優れた構造ともなる。例えば、ポリイミド樹脂にて構成されており、その膜上にレジスト材料を塗工し、レジスト部を感光現像した後に、エッチング剤にてポリイミド樹脂をパターン状に形成し、さらにその後にレジストを除去する。このことで、幅広い絶縁材料に対しても、本実施形態に示している型形成方法としては有効であり、パターン形状体の形成手段として有用である。
By the way, in this embodiment, although the manufacturing method using the thermosetting resin 6 is shown, as a material, it is not limited to this. For example, when implemented by injection molding, many thermoplastic resins are used, and this embodiment can be similarly formed. In particular, when heat resistance is required as in electronic parts, thermoplastic resin is also required to have high heat resistance. For this reason, it is necessary to set the molding temperature high, and although it is difficult in handling, there is an advantage that the curing time of the resin can be shortened.
Also, as the insulating material in the present embodiment, a resist material is used for simplicity, but other insulating materials can be applied. By using a more hydrophobic material for the insulating material, a structure with excellent mold release can be obtained. For example, it is composed of a polyimide resin, and after a resist material is applied on the film and the resist portion is photo-developed, the polyimide resin is formed into a pattern with an etchant, and then the resist is removed. . Thus, even for a wide range of insulating materials, it is effective as a mold forming method shown in the present embodiment, and is useful as a means for forming a pattern shape body.

また、親水性の領域との濡れ性の違いが発生することから選択的な溶媒の供給が可能となり、触媒等を簡便に供給することができる。   Further, since a difference in wettability with the hydrophilic region occurs, a selective solvent can be supplied, and a catalyst or the like can be supplied easily.

このように本実施形態によれば、微細パターンを所望する基板上に形成することが可能となる。このため、配線基板の適応範囲が広い。また、配線の製造方法がめっきなどのようにアディティブ法で形成する場合には、余計な材料が排出されることもない。よって、材料使用効率に優れた製造方式といえる。   As described above, according to the present embodiment, a fine pattern can be formed on a desired substrate. For this reason, the applicable range of a wiring board is wide. Further, when the wiring manufacturing method is formed by an additive method such as plating, unnecessary materials are not discharged. Therefore, it can be said that this is a manufacturing method with excellent material use efficiency.

さらに、繰り返し転写する方法として、流動樹脂を型内に供給して樹脂硬化時に配線を転写することで、量産性に優れた配線基板を形成することが出来る。具体的には、射出成形やトランスファ成形が挙げられる。特に、曲面や多面を伴う配線基板の製造方法として利便性があり、MID(molded interconnection device)等への展開が可能である。   Furthermore, as a method for repetitive transfer, a wiring substrate excellent in mass productivity can be formed by supplying a fluid resin into a mold and transferring wiring when the resin is cured. Specific examples include injection molding and transfer molding. In particular, it is convenient as a method of manufacturing a wiring board with curved surfaces or multiple surfaces, and can be developed to a MID (molded interconnection device) or the like.

(実施形態2)
図2は、(1)型形成、(2)混合層形成、(3)配線形成、(4)樹脂注入、(5)離型、の各処理図から構成される。
型として、実施形態1と同様のパターン化したレジストを付加したニッケル型を用いた。本実施形態2での特徴点は、図2の(2)混合層形成に示す通り、皮膜層3が、絶縁部3aと導電部3bとで構成される点にある。その後、シリコーン樹脂(日本ペルノックス株式会社製 エポリーズSS-96)と銀ナノ粒子含有エタノール溶媒(日本ペイント製 SVE102)の混合溶液を型全面に供給した。その後、レジスト部に一部付着した混合溶液をワイピングにより除去した。混合層を固化させるために、200℃30分にて型を加熱した。その後、銅無電解めっき(奥野製薬工業製 TSPカッパ−)にて約1μm膜厚となる配線を形成後、実施形態1と同様に成形転写することで、同様に配線構造体を得ることができた。
(Embodiment 2)
FIG. 2 includes processing diagrams of (1) mold formation, (2) mixed layer formation, (3) wiring formation, (4) resin injection, and (5) mold release.
As a mold, a nickel mold to which a patterned resist similar to that in Embodiment 1 was added was used. The feature point of the second embodiment is that the coating layer 3 is composed of an insulating portion 3a and a conductive portion 3b as shown in (2) mixed layer formation in FIG. Thereafter, a mixed solution of a silicone resin (Eporize SS-96 manufactured by Nippon Pernox Co., Ltd.) and a silver nanoparticle-containing ethanol solvent (SVE102 manufactured by Nippon Paint) was supplied to the entire mold surface. Thereafter, the mixed solution partially adhered to the resist portion was removed by wiping. In order to solidify the mixed layer, the mold was heated at 200 ° C. for 30 minutes. After that, after forming a wiring having a thickness of about 1 μm with copper electroless plating (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd. TSP kappa), the wiring structure can be obtained in the same manner by molding and transferring in the same manner as in the first embodiment. It was.

このように、皮膜層が導電材料と絶縁材料の混合層で構成されている場合には、導電材料があるため、電解めっきでの配線形性が可能となる。この場合、絶縁材料が含まれているため、界面が離形しやすい状態になり、絶縁材料が離形性を有する場合に、特に有効である。   Thus, when the coating layer is composed of a mixed layer of a conductive material and an insulating material, since there is a conductive material, wiring formability by electrolytic plating becomes possible. In this case, since the insulating material is included, the interface is in a state of being easily released, which is particularly effective when the insulating material has releasability.

また、導電材料として無電解めっき用触媒を用いることで容易に配線形成ができる。この場合、実施形態1に示しているように、親水性の箇所にのみ供給する方法も同様に達成可能である。   Moreover, wiring can be easily formed by using an electroless plating catalyst as the conductive material. In this case, as shown in Embodiment 1, a method of supplying only to the hydrophilic portion can be similarly achieved.

(実施形態3)
図3に示す製造手順は、(1)レジスト露光現像、(2)絶縁膜エッチング、(3)レジスト除去、(4)配線形成、(5)樹脂塗布、(6)樹脂注入の各工程から構成される。ニッケルで構成された金型A1の上に、ポリイミド溶液を5μm厚に塗工して仮硬化した。仮硬化後ポジレジスト(東京応化工業株式会社製 OFPR-5000)を塗布し、レジスト厚0.5μmの膜7を得た。その後、20μm幅のラインを有するフォトマスクにて密着露光し、現像した後に、ポリイミドエッチング溶液にてポリイミド膜をパターン状にエッチングを行った。その後、レジスト膜をアセトンにて除去後、オーブンにて200℃60分にて硬化処理を行った。その際、形成された開口部は、テーパ状7aとなっている。その後、実施形態1と同様に電解めっきにて3μm厚の銅配線4を形成した。次に、パターン全面を覆うように第1の樹脂として、紫外線硬化樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製 SD2200)8をディスペンサにて塗布した。供給後、低圧水銀灯にて硬化した。次に、基材全体の樹脂成形方法としては、実施形態1と同様に、型を囲んだ状態にて第2の樹脂として、トランスファ用成形樹脂(住友ベークライト株式会社製 G770-L)を120℃にて溶融状態で注入し、成形離型して配線構造体を形成した。
(Embodiment 3)
The manufacturing procedure shown in FIG. 3 includes (1) resist exposure and development, (2) insulating film etching, (3) resist removal, (4) wiring formation, (5) resin coating, and (6) resin injection. Is done. On the mold A1 made of nickel, a polyimide solution was applied to a thickness of 5 μm and temporarily cured. After the temporary curing, a positive resist (OFPR-5000 manufactured by Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.) was applied to obtain a film 7 having a resist thickness of 0.5 μm. Thereafter, the film was exposed and exposed with a photomask having a line having a width of 20 μm and developed, and then the polyimide film was etched into a pattern with a polyimide etching solution. Thereafter, the resist film was removed with acetone and then cured in an oven at 200 ° C. for 60 minutes. At that time, the formed opening has a tapered shape 7a. Thereafter, a copper wiring 4 having a thickness of 3 μm was formed by electrolytic plating as in the first embodiment. Next, an ultraviolet curable resin (SD2200 manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) 8 was applied as a first resin so as to cover the entire surface of the pattern with a dispenser. After supply, it was cured with a low-pressure mercury lamp. Next, as a resin molding method for the entire substrate, as in the first embodiment, a molding resin for transfer (G770-L manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.) is used as the second resin in a state of surrounding the mold at 120 ° C. Was injected in a molten state and molded and released to form a wiring structure.

このように、型の開口部が転写時における配線の接触面に対して小さい。このため、離形性に優れている。また、テーパ−形状にすることで、側面での離形時の抵抗を抑制することができる。この結果、転写性に優れた型となる。   Thus, the mold opening is small relative to the contact surface of the wiring during transfer. For this reason, it is excellent in releasability. Moreover, the resistance at the time of mold release on the side surface can be suppressed by using a tapered shape. As a result, the mold has excellent transferability.

ところで、本実施形態3では、紫外線硬化樹脂を用いた例を示しているが、短時間で硬化できる点が利点であり、プロセスタクト短縮に有効である。また、樹脂材料に熱可塑性樹脂を用いた場合に、選択する材料によっては配線との密着力に問題がある場合もあり、第1の樹脂にエポキシ樹脂にてパターンの精度を保ち、密着力を得た状態で第2の樹脂に熱可塑性樹脂にて形成する場合への適応も可能である。異なる樹脂材料を選択することで、リサイクルやリペア時における配線パターンの除去を、容易にすることも可能である。
すなわち、複数種類の樹脂を使い分けることで、密着力と離形性に優れた樹脂材料を選択することができる。配線と接触する樹脂材料には密着性の高い樹脂を選定し、型に接触する樹脂材料としては離形性の優れた材料が望ましい。また、形状寸法等の高精度化のために配線近傍の樹脂を熱硬化樹脂のように収縮応力の小さい材料を選定し、基板のベース材料としては熱可塑性樹脂を用いて生産性の高い製造方法として選定することも可能である。
By the way, in this Embodiment 3, although the example using an ultraviolet curable resin is shown, the point which can be hardened in a short time is an advantage, and it is effective for process tact shortening. In addition, when a thermoplastic resin is used as the resin material, there are cases where there is a problem in the adhesion with the wiring depending on the material to be selected. Adaptation to the case of forming the second resin with a thermoplastic resin in the obtained state is also possible. By selecting a different resin material, it is possible to easily remove the wiring pattern at the time of recycling and repair.
That is, a resin material having excellent adhesion and releasability can be selected by properly using a plurality of types of resins. As the resin material that comes into contact with the wiring, a resin having high adhesion is selected, and as the resin material that comes into contact with the mold, a material having excellent releasability is desirable. In addition, in order to increase the accuracy of shape dimensions, etc., a resin with a low shrinkage stress is selected as the resin in the vicinity of the wiring, such as a thermosetting resin, and a thermoplastic resin is used as the base material of the substrate, thereby producing a highly productive method It is also possible to select as

また、本実施形態ではポリイミドを用いた例を示しているが、材料としては絶縁材料であればよい。また、製造方法としてレジストを用いた方法を示したが、本製造方法例に限るものではなく、例えば、レジストの代わりにメタルマスクを絶縁材料に密着させてエッチング液にてパターン状にエッチングした後に、メタルマスクを除くことでも実施可能であり、比較的粗いパターンを大面積に形成する場合には、有効であると考えられる。   Moreover, although the example which used the polyimide is shown in this embodiment, what is necessary is just an insulating material as a material. Moreover, although the method using a resist was shown as a manufacturing method, it is not limited to this manufacturing method example. For example, after a metal mask is adhered to an insulating material instead of a resist and etched into a pattern with an etchant, It can also be carried out by removing the metal mask, and is considered effective when a relatively rough pattern is formed in a large area.

(実施形態4)
図4は、(1)型形成、(2)配線形成、(3)部品実装、(4)樹脂注入、(5)離型、の各処理図から構成される。図4において、実施形態4では、実施形態1と同様に、型1の上に配線を形成した。その後接続端子部に、エポキシ系導電性接着剤9をディスペンスにて供給し、その後、半導体チップに対して導電性接着剤9を介して型上の配線パターンと接続し、150℃1時間にて接着剤を硬化した。その後、実施形態1と同様に樹脂成形、離型することで、半導体チップ10を内在した配線基板を形成することができた。
(Embodiment 4)
FIG. 4 includes processing diagrams of (1) mold formation, (2) wiring formation, (3) component mounting, (4) resin injection, and (5) mold release. In FIG. 4, in the fourth embodiment, wiring is formed on the mold 1 as in the first embodiment. Thereafter, the epoxy conductive adhesive 9 is supplied to the connection terminal portion by dispensing, and then connected to the wiring pattern on the mold via the conductive adhesive 9 to the semiconductor chip, at 150 ° C. for 1 hour. The adhesive was cured. Thereafter, the resin substrate and the mold release were performed in the same manner as in the first embodiment, thereby forming the wiring substrate having the semiconductor chip 10 therein.

このように、小型化を狙う方法として、配線基板に部品を内蔵する方法も考えられるが、本実施形態によれば、型上に配線を形成後、接続材料を介して機能部品との接続をした状態で樹脂注入硬化することで可能となり、より効率の高い小型化が図れる。   As described above, as a method aiming at miniaturization, a method of incorporating components into the wiring board is also conceivable. In such a state, the resin can be injected and cured to achieve a more efficient miniaturization.

本実施形態4では、接続材料をディスペンスにて供給したが、その他にも、はんだをめっきにて配線上や機能部品上に供給する方法でも、対応可能である。   In the fourth embodiment, the connection material is supplied by dispensing, but other methods can be used by supplying solder onto the wiring or functional component by plating.

本発明のパターン形状体、配線製造方法および配線基板に対応する、配線基板製造方法の手順例を示す図である。It is a figure which shows the example of a procedure of the wiring board manufacturing method corresponding to the pattern shape body, wiring manufacturing method, and wiring board of this invention. 本発明の配線構造体の実施形態2に対応する、製造方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing method corresponding to Embodiment 2 of the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体の実施形態3に対応する、製造方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing method corresponding to Embodiment 3 of the wiring structure of this invention. 本発明の配線構造体の実施形態4に対応する、製造方法の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the manufacturing method corresponding to Embodiment 4 of the wiring structure of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 金型A
2 レジスト
3 皮膜層
4 配線
5 型B
6 (トランスファ用成形)樹脂
7 絶縁膜
7a テーパ−(絶縁膜のテーパ−状構成部)
8 紫外線硬化樹脂
9 (エポキシ系)導電性接着剤
10 半導体チップ
1 Mold A
2 resist 3 coating layer 4 wiring 5 type B
6 (Molding for transfer) Resin 7 Insulating film 7a Taper (Tapered component of insulating film)
8 UV curable resin 9 (Epoxy) conductive adhesive 10 Semiconductor chip

Claims (14)

基材上にパターン状の絶縁材料が配置され、該絶縁材料の表面における開口部の面積と比較して基材表面側の露出面積を小さくし、前記絶縁材料の断面形状を山形形状としたことを特徴とするパターン形状体。   A patterned insulating material is arranged on the base material, the exposed area on the base material surface side is made smaller than the area of the opening on the surface of the insulating material, and the cross-sectional shape of the insulating material is a chevron shape Pattern shape body characterized by. 前記基材表面上に、さらに皮膜層を形成したことを特徴とする請求項1記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to claim 1, wherein a film layer is further formed on the surface of the base material. 前記皮膜層は、導電材料と絶縁材料とから構成されていることを特徴とする請求項2記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to claim 2, wherein the coating layer is composed of a conductive material and an insulating material. 前記基材は、導電性を有することを特徴とする請求項1から3の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shaped body according to claim 1, wherein the base material has conductivity. 前記基材上の開口部は、親水性を有することを特徴とする請求項1から4の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shaped body according to any one of claims 1 to 4, wherein the opening on the substrate has hydrophilicity. 前記絶縁材料は、疎水性を有することを特徴とする請求項1から5の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to claim 1, wherein the insulating material has hydrophobicity. 前記開口部は、テーパ状に構成されたことを特徴とする請求項1から6の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to any one of claims 1 to 6, wherein the opening is configured in a tapered shape. 前記開口部に配線が配置され、該配線の厚さは、前記絶縁材料の厚さよりもより小さいことを特徴とする請求項1から7の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to claim 1, wherein a wiring is disposed in the opening, and a thickness of the wiring is smaller than a thickness of the insulating material. 前記配線は、電解めっきで構成されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to claim 1, wherein the wiring is formed by electrolytic plating. 前記配線は、無電解めっきで構成されていることを特徴とする請求項1から8の何れか1項に記載のパターン形状体。   The pattern shape body according to any one of claims 1 to 8, wherein the wiring is configured by electroless plating. 所定の基材上にパターン状の型を形成するステップと、
前記型内へ導電材料を供給するステップと、
前記型内に形成された前記導電材料を所定の絶縁材料に転写するステップとを有することを特徴とする配線製造方法。
Forming a pattern mold on a predetermined substrate;
Supplying a conductive material into the mold;
And a step of transferring the conductive material formed in the mold onto a predetermined insulating material.
前記型は配線形成型を含んだ成型用型であり、該型内に流動性を有する絶縁材料を供給し、該供給した絶縁材料を硬化離形させることで配線を形成することを特徴とする請求項11に記載の配線製造方法。   The mold is a molding mold including a wiring forming mold, and a wiring is formed by supplying a fluid insulating material into the mold and curing and releasing the supplied insulating material. The wiring manufacturing method according to claim 11. 所定の基材上にパターン状の型が形成され、前記型内へ導電材料が供給され、前記型内に形成された前記導電材料が所定の絶縁材料に転写されて構成され、
前記型は配線形成型を含んだ成型用型であり、該型内に流動性を有する絶縁材料を供給し、該供給した絶縁材料を硬化離形させることで配線を形成したことを特徴とする配線基板。
A pattern mold is formed on a predetermined substrate, a conductive material is supplied into the mold, and the conductive material formed in the mold is transferred to a predetermined insulating material,
The mold is a molding mold including a wiring forming mold, and a wiring is formed by supplying a fluid insulating material into the mold and curing and releasing the supplied insulating material. Wiring board.
前記配線基板内に機能部品が含まれていることを特徴とする請求項13記載の配線基板。   The wiring board according to claim 13, wherein a functional component is included in the wiring board.
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