JP2002217248A - Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it - Google Patents

Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it

Info

Publication number
JP2002217248A
JP2002217248A JP2001011095A JP2001011095A JP2002217248A JP 2002217248 A JP2002217248 A JP 2002217248A JP 2001011095 A JP2001011095 A JP 2001011095A JP 2001011095 A JP2001011095 A JP 2001011095A JP 2002217248 A JP2002217248 A JP 2002217248A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
transfer plate
substrate
semiconductor device
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001011095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Ikuo Hirota
郁夫 広田
Ryuichi Nakamura
隆一 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Priority to JP2001011095A priority Critical patent/JP2002217248A/en
Publication of JP2002217248A publication Critical patent/JP2002217248A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Printing Methods (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a transfer plate for pattern formation that can improve the shape and alignment accuracy of the wiring pattern or the pattern of bumps, etc., of a substrate for semiconductor device at the time of forming the pattern, and to provide a method of manufacturing the substrate for semiconductor device using the plate. SOLUTION: The transfer plate 100 for pattern formation has a projecting pattern 21 formed on a base 11 and the upper surface of the pattern 21 is recessed. The pattern 21 is formed on the base 11 by using such an elastic material as silicone rubber, etc. A pattern forming material layer 51 is formed by supplying a pattern forming material to the recessed sections of the pattern 21 of the plate 100. The substrate for semiconductor device having a transferred pattern (bumps, etc.), 51a formed on a wiring board is obtained by pressing the projecting pattern 21 of the transfer plate 100 against a substrate 61 to be transferred composed of the wiring board and removing the plate 100 from the substrate 61 after applying a pressure to the plate 100.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ等を
搭載する半導体装置用基板のパターン形成用の転写版及
びそれを用いた半導体装置用基板の製造方法に関し、パ
ターンの形状及び位置精度の向上を図り、生産工程を短
縮することを可能とするパターン形成用転写版及びそれ
を用いた半導体装置用基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transfer plate for forming a pattern of a semiconductor device substrate on which a semiconductor chip or the like is mounted, and a method of manufacturing a semiconductor device substrate using the same. And a method for manufacturing a substrate for a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体チップ等を搭載するための半導体
装置用基板は、テレビ、携帯電話、ゲーム機、ラジオ、
音響機器、VTR等の民生用電子機器や、電子計算機、
OA機器、電子応用機器、電気計測器、通信機等の産業
用電子機器に広く用いられており、特に近年、これら電
子機器はよりコンパクトな形態へと要望が高まってい
る。これらの要求を充たすため、電子機器は小型化、高
密度化、高性能化に対応した設計がされ、これに基づい
て、用いられる半導体装置用基板においては配線パター
ンの細線化、ビアホールの小径化、ランド、パッド等の
小径化、基材のフレキシブル化、多層化及び高精細化が
急速に進んでいる。
2. Description of the Related Art Semiconductor device substrates for mounting semiconductor chips and the like include televisions, mobile phones, game machines, radios,
Consumer electronic devices such as audio equipment and VTRs, electronic computers,
It is widely used for industrial electronic equipment such as OA equipment, electronic applied equipment, electric measuring instruments, and communication equipment. In recent years, in particular, there has been an increasing demand for more compact electronic equipment. To meet these demands, electronic equipment is designed for miniaturization, high density, and high performance. Based on this, the wiring pattern of semiconductor devices used and the diameter of via holes are reduced. The diameter of land, pads, pads, and the like, the flexibility of the base material, the increase in the number of layers, and the increase in definition have been rapidly advancing.

【0003】これら半導体装置用基板に使用される絶縁
基材はエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂が
従来使用されているが、最近では、機械的強度及び耐熱
性に優れたポリイミドフィルムやポリエステルフィルム
等が使用され、更に高性能化を狙ってフッ素系樹脂、ポ
リフェニレンオキシド、ポリスルホン及びポリエーテル
イミド等の基材を使用したフィルムキャリア等の半導体
装置用基板の開発が行われている。フィルムキャリアを
例にとり説明すると、絶縁フィルムの両端にフィルム搬
送用及び位置決め用のスプロケットホールを形成し、そ
のスプロケットホールをガイドにして導体層、配線パタ
ーン、電極、パッド等を形成している。その場合、フィ
ルムに銅箔を貼着したり、めっき等にて形成した導体層
にレジストパターンを形成して、レジストパターンをマ
スクにして導体層をエッチングして、配線パターン及び
電極、パッド等を形成している。
[0003] Epoxy resins, phenolic resins, and acrylic resins have conventionally been used as insulating base materials for these semiconductor device substrates, but recently, polyimide films, polyester films, and the like having excellent mechanical strength and heat resistance have been used. A substrate for a semiconductor device such as a film carrier using a base material such as a fluorine-based resin, polyphenylene oxide, polysulfone, and polyetherimide is being developed with the aim of further improving the performance. Taking a film carrier as an example, sprocket holes for film transport and positioning are formed at both ends of an insulating film, and the sprocket holes are used as guides to form conductor layers, wiring patterns, electrodes, pads, and the like. In that case, a copper foil is stuck on a film, a resist pattern is formed on a conductor layer formed by plating or the like, and the conductor layer is etched using the resist pattern as a mask to form a wiring pattern, an electrode, a pad, and the like. Has formed.

【0004】また、半導体装置用基板と半導体チップ等
の素子の接合形態によっては、半導体装置用基板に接合
用のバンプが形成される場合もある。このバンプを形成
する方法としては、スクリーン印刷にて必要なバンプ形
状だけを形成するスクリーン印刷法や、バンプ形成部分
の導体層を露出させ、それ以外の部分を樹脂レジストで
被覆してめっきによりバンプ材料を析出形成させるめっ
き法などが用いられている。
[0004] Depending on the form of bonding between the semiconductor device substrate and elements such as semiconductor chips, bonding bumps may be formed on the semiconductor device substrate. As a method of forming the bump, there are a screen printing method in which only the necessary bump shape is formed by screen printing, and a method in which the conductive layer of the bump forming portion is exposed, the other portion is covered with a resin resist, and the bump is formed by plating. A plating method of depositing and forming a material is used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】これらのバンプ形成方
法では、バンプ形成工程における位置合わせ(アライメ
ント)の基準をフィルムキャリアの搬送用に形成された
スプロケットホールとする場合が多く、フィルムキャリ
アの製造工程を何回か搬送している内に上記スプロケッ
トホールの形状が変化し、バンプ形成の際の位置決め精
度が悪くなることがあるため、高精細化、高密度化対応
のフィルムキャリアのアライメントでは問題となる。
In these bump forming methods, the reference for alignment in the bump forming step is often a sprocket hole formed for transporting the film carrier. The shape of the sprocket hole changes during several times of transfer, and the positioning accuracy at the time of bump formation may be deteriorated.Therefore, there is a problem in alignment of a film carrier for high definition and high density. Become.

【0006】また、スクリーン印刷法を用いてバンプを
形成した場合、製造工程において繰り返しパターン印刷
が行われることでスクリーン版が伸びたりして、所望パ
ターン形成を安定して形成することが困難になる。一
方、樹脂レジストを用いためっき法によるバンプ形成で
は、めっきによりバンプ材料を析出させた後、樹脂レジ
ストを剥離して所望バンプ形状を得るが、バンプ形状の
仕様によってはバンプ高さが数十μmとなるため、所望
バンプ高さ分のめっき膜厚を形成するために必要なめっ
き時間は、条件等によってかなりの時間を必要とする場
合もあり、生産性を低下させる要因となるため、工程及
び条件の改良等が必要となっている。
Further, when bumps are formed by using a screen printing method, the screen plate is elongated due to repeated pattern printing in a manufacturing process, and it is difficult to stably form a desired pattern. . On the other hand, in the bump formation by a plating method using a resin resist, after a bump material is deposited by plating, the resin resist is peeled to obtain a desired bump shape. However, depending on the specification of the bump shape, the bump height is several tens μm. Therefore, the plating time required to form a plating film thickness for the desired bump height may require a considerable amount of time depending on conditions and the like. It is necessary to improve the conditions.

【0007】本発明は上記問題点に鑑み考案されたもの
で、半導体装置用基板の配線パターンやバンプ等のパタ
ーン形成に際し、パターン形状及び位置合わせ精度に優
れたパターン形成用転写版及びそれを用いた半導体装置
用基板の製造方法を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems, and has been devised in order to form a wiring pattern or a bump on a semiconductor device substrate. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device substrate.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を解決するため、まず、請求項1においては、半導体装
置用基板のパターン形成に用いる転写版において、支持
体上に所望のパターン形状を有する凸型パターンが設け
られており、前記凸型パターンの上面が、凹状になって
いることを特徴とするパターン形成用転写版としたもの
である。
In order to solve the above-mentioned problems in the present invention, first, in claim 1, a transfer plate used for forming a pattern of a substrate for a semiconductor device has a desired pattern shape on a support. The transfer plate for pattern formation is characterized in that a convex pattern having the following pattern is provided, and the upper surface of the convex pattern is concave.

【0009】また、請求項2においては、請求項1記載
の前記パターン形成用転写版の凸型パターンの少なくと
も上部が、弾性材料で形成されていることを特徴とする
パターン形成用転写版としたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the transfer plate for pattern formation, wherein at least an upper portion of the convex pattern of the transfer plate for pattern formation according to the first aspect is formed of an elastic material. Things.

【0010】さらにまた、請求項3においては、請求項
1または請求項2記載のパターン形成用転写版を用い
て、パターン形成材料をパターン形成用転写版の凸型パ
ターン上に設ける工程と、パターン形成材料を被転写基
板に転写してパターンを形成する工程とからなる半導体
装置用基板の製造方法としたものである。
According to a third aspect of the present invention, a pattern forming material is provided on the convex pattern of the pattern forming transfer plate by using the pattern forming transfer plate according to the first or second aspect. And forming a pattern by transferring a forming material to a transfer-receiving substrate.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につき説
明する。請求項1に係わるパターン形成用転写版は、支
持体上に所望のパターン形状を有する凸型パターンが設
けられており、前記凸型パターンの上面が、凹状になっ
ているもので、パターン形成用転写版の凸型パターン上
へパターン形成材料を所定量保持することができ、しか
も所望パターン形状だけを容易に転写することができる
ようにしたものである。また、支持体上に設けられる凸
型パターンはパターン形成に必要な部分に限定されるた
め、パターン形成材料の使用量は必要最小量に抑えるこ
とができる。
Embodiments of the present invention will be described below. The pattern-forming transfer plate according to claim 1, wherein a convex pattern having a desired pattern shape is provided on a support, and an upper surface of the convex pattern is concave. A predetermined amount of the pattern forming material can be held on the convex pattern of the transfer plate, and only the desired pattern shape can be easily transferred. Further, since the convex pattern provided on the support is limited to a portion necessary for pattern formation, the amount of the pattern forming material used can be suppressed to a necessary minimum amount.

【0012】図1に、本発明のパターン形成用転写版の
一実施例を示す模式構成断面図を、図2に、本発明のパ
ターン形成用転写版の他の実施例を示す模式構成断面図
を、図3(a)及び(b)に、本発明のパターン形成用
転写版の凸型パターンの先端部の凹部形状の実施形態を
示す模式構成断面図をそれぞれ示す。本発明のパターン
形成用転写版は、図1に示すように、支持体11上に凸
型パターン21が形成されており、凸型パターン21の
上面は凹状を示す形状になっている。凸型パターン21
は支持体11上に弾性材料で形成されており、凸型パタ
ーンの高さは弾性材料の硬度、弾性により適宜設定可能
であるが、50μm以上あることが好ましい。弾性材料
としては、弾性体であることが好ましく、特にはウレタ
ンゴム、シリコンゴムであることが望ましい。支持体1
1としては、金属、プラスチック等が使用可能である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a transfer plate for pattern formation of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of a transfer plate for pattern formation of the present invention. FIGS. 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing an embodiment of the concave shape at the tip of the convex pattern of the transfer plate for pattern formation of the present invention. In the transfer plate for pattern formation of the present invention, as shown in FIG. 1, a convex pattern 21 is formed on a support 11, and the upper surface of the convex pattern 21 has a concave shape. Convex pattern 21
Is formed of an elastic material on the support 11, and the height of the convex pattern can be appropriately set according to the hardness and elasticity of the elastic material, but is preferably 50 μm or more. The elastic material is preferably an elastic body, particularly preferably urethane rubber or silicon rubber. Support 1
As 1, metal, plastic and the like can be used.

【0013】本発明のパターン形成用転写版の他の実施
形態としてパターン形成用転写版200があり、図2に
示すように、パターン形成用転写版200の凸型パター
ン30が凸型パターン12と弾性材料からなる凸型パタ
ーン21とで構成された2段構造になっており、凸型パ
ターン12は、例えば支持体11を凸状に加工したも
の、または支持体11上に例えばめっき等で形成した材
質を凸状に加工したもの等が用いられる。このような2
段構造の凸型パターン30は、弾性材料からなる凸型パ
ターン21の変形を最小限に抑えることができるため、
位置精度の優れたパターン転写が可能となる。
As another embodiment of the transfer plate for pattern formation of the present invention, there is a transfer plate for pattern formation 200, and as shown in FIG. It has a two-stage structure composed of a convex pattern 21 made of an elastic material. The convex pattern 12 is formed by, for example, processing the support 11 into a convex shape, or forming the support 11 on the support 11 by, for example, plating. The processed material is processed into a convex shape or the like. Such 2
The step-shaped convex pattern 30 can minimize the deformation of the convex pattern 21 made of an elastic material,
Pattern transfer with excellent positional accuracy can be performed.

【0014】パターン形成用転写版の凸型パターンの形
状は図3(a)に示すように、支持体11からほぼ直角
に立ち上がって凸型パターンが形成されているものと、
図3(b)に示すように、凸型パターンがテーパ形状を
しているものとに区分される。凸型パターンをテーパ形
状にすると、パターン形成材料の供給及びパターン形成
材料を被転写基板に押圧して転写する際、凸型パターン
が変形しにくく、微細パターンの形成に好適である。さ
らに、凸型パターンの先端部の凹部形状は図3(a)及
び(b)に示すように、各種の形状があり、パターン形
成材料の種類、パターン形成材料の膜厚、転写されるパ
ターン形状等により適宜選択、設定することができる。
As shown in FIG. 3A, the shape of the convex pattern of the transfer plate for pattern formation is such that the convex pattern rises almost at right angles from the support 11 to form the convex pattern.
As shown in FIG. 3B, the convex pattern is classified into a tapered shape. When the convex pattern is tapered, the convex pattern is less likely to be deformed when the pattern forming material is supplied and the pattern forming material is pressed and transferred to the substrate to be transferred, which is suitable for forming a fine pattern. Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, there are various shapes of the concave portion at the tip of the convex pattern, and the type of the pattern forming material, the film thickness of the pattern forming material, the pattern shape to be transferred. It can be appropriately selected and set according to the above.

【0015】以下、パターン形成用転写版の作製法につ
いて説明する。パターン形成用転写版の作製法の一例を
図4(a)〜(e)に示す。まず、ガラス基板41上に
黒色の着色感光性樹脂を用いて感光層を形成し、パター
ンニング処理して、黒色パターン13を形成する(図4
(a)参照)。ここで、黒色パターン13は凸型パター
ン先端部の凹部形成用の型となると共に、露光用マスク
の遮光パターンとして機能する。次に、ガラス基板41
及び黒色パターン13上に、ドライフィルムを用いて所
定厚の感光性樹脂層14を形成する(図4(b)参
照)。
Hereinafter, a method for producing a transfer plate for pattern formation will be described. FIGS. 4A to 4E show an example of a method for producing a transfer plate for pattern formation. First, a photosensitive layer is formed on a glass substrate 41 using a black colored photosensitive resin, and patterning is performed to form a black pattern 13 (FIG. 4).
(A)). Here, the black pattern 13 serves as a mold for forming a concave portion at the tip of the convex pattern, and also functions as a light-shielding pattern of an exposure mask. Next, the glass substrate 41
Then, a photosensitive resin layer 14 having a predetermined thickness is formed on the black pattern 13 using a dry film (see FIG. 4B).

【0016】次に、ガラス基板41側より感光性樹脂層
14を露光して、現像等の一連のパターニング処理を行
って、ガラス基板41上に開口部15を有する樹脂パタ
ーン14aを形成する(図4(c)参照)。この開口部
15及び樹脂パターン14aがパターン形成用転写版を
作製する際の型枠になる。次に、開口部15に硬化性シ
リコンゴムを流し込み、ステンレス板等からなる支持体
11を重ねて、加圧・加熱してシリコンゴムを硬化さ
せ、支持体11にシリコンゴムを接着させる(図4
(d)参照)。次に、ガラス基板41及び樹脂パターン
14aを剥離して、支持体11上に先端部が凹部形状を
有する凸型パターン21が形成された本発明のパターン
形成用転写版100を作製することができる(図4
(e)参照)。
Next, the photosensitive resin layer 14 is exposed from the glass substrate 41 side, and a series of patterning processes such as development are performed to form a resin pattern 14a having an opening 15 on the glass substrate 41 (FIG. 1). 4 (c)). The opening 15 and the resin pattern 14a serve as a frame when a transfer plate for pattern formation is manufactured. Next, a curable silicone rubber is poured into the opening 15, a support 11 made of a stainless steel plate or the like is overlaid, and the silicon rubber is cured by applying pressure and heat, and the silicone rubber is bonded to the support 11 (FIG. 4).
(D)). Next, the glass substrate 41 and the resin pattern 14a are peeled off, so that the pattern-forming transfer plate 100 of the present invention in which the convex pattern 21 having the concave portion at the tip end is formed on the support 11 can be manufactured. (FIG. 4
(E)).

【0017】請求項3に係わる本発明のパターン形成用
転写版を用いた半導体装置用基板の製造方法について説
明する。パターン形成用転写版を用いたパターン形成方
法の一例を図5(a)〜(d)に示す。まず、パターン
形成材料をパターン形成用転写版100の凸型パターン
21の凹部に供給することにより、凸型パターン21の
上部にパターン形成材料層51を形成する(図5(b)
参照)。パターン形成材料としては、導体層をエッチン
グする際に使用するレジストパターンを形成する場合は
通常の樹脂レジストが、配線パターンあるいはバンプ等
を直接形成する場合は銅、銀、カーボン等からなる導電
性のペーストあるいは半田ペースト等をそれぞれ使用で
きる。パターン形成材料の供給方法としては、スクリー
ン印刷法、ローラー法等があるが、パターン形成材料の
供給を選択的にできること、供給量の制御ができるこ
と、必要部分へ必要量のパターン形成材料を供給できる
こと、効率的に行えること等からからスクリーン印刷法
が好適である。
A method for manufacturing a substrate for a semiconductor device using the transfer plate for pattern formation of the present invention according to claim 3 will be described. FIGS. 5A to 5D show an example of a pattern forming method using a pattern-forming transfer plate. First, a pattern forming material is supplied to the concave portion of the convex pattern 21 of the pattern forming transfer plate 100 to form a pattern forming material layer 51 on the convex pattern 21 (FIG. 5B).
reference). As a pattern forming material, a normal resin resist is used when forming a resist pattern used when etching a conductive layer, and a conductive material made of copper, silver, carbon, or the like when directly forming a wiring pattern or a bump. Paste, solder paste, or the like can be used. As a method of supplying the pattern forming material, there are a screen printing method, a roller method, and the like. The pattern forming material can be selectively supplied, the supply amount can be controlled, and a necessary amount of the pattern forming material can be supplied to a necessary portion. The screen printing method is preferable because it can be performed efficiently.

【0018】次に、絶縁基材等からなる被転写基板61
にパターン形成材料層51が形成された凸型パターン2
1を押し当て、押圧する(図5(c)参照)。ここで、
被転写基板61としては絶縁基材に銅箔等を積層した銅
貼り積層板、絶縁基材にあらかじめ配線パターン等を形
成した配線板等が使用可能である。凸型パターン21を
被転写基板61に押圧した場合凸型パターン21の先端
部が弾性材料で形成されているため、凸型パターン21
の被転写基板61に対する密着性も得られ、パターン形
成材料層51が凸型パターン21よりはみ出すこともな
い。
Next, the transfer substrate 61 made of an insulating base material or the like
Pattern 2 on which a pattern forming material layer 51 is formed
1 and pressed (see FIG. 5C). here,
As the transferred substrate 61, a copper-clad laminate in which a copper foil or the like is laminated on an insulating base, a wiring board in which a wiring pattern or the like is formed in advance on the insulating base, or the like can be used. When the convex pattern 21 is pressed against the substrate 61 to be transferred, the distal end of the convex pattern 21 is formed of an elastic material.
Is obtained, and the pattern forming material layer 51 does not protrude from the convex pattern 21.

【0019】さらに、パターン形成用転写版を被転写基
板61より剥離して、被転写基板61上に転写パターン
51aが形成される(図5(d)参照)。このように、
パターン形成用転写版を用いたパターン形成は、必要な
パターン部分だけが選択され、転写されるので、所望パ
ターンを容易に形成することができる。さらに、転写パ
ターン51aは、パターン形成材料として樹脂レジスト
を使用すればレジストパターンになり、パターン形成材
料として導電性ペーストあるいは半田ペースト等を使用
すれば配線パターンあるいはバンプ等を被転写基板61
上に直接形成できる。
Further, the pattern-forming transfer plate is peeled off from the transfer substrate 61 to form a transfer pattern 51a on the transfer substrate 61 (see FIG. 5D). in this way,
In the pattern formation using the transfer plate for pattern formation, only a necessary pattern portion is selected and transferred, so that a desired pattern can be easily formed. Further, the transfer pattern 51a becomes a resist pattern when a resin resist is used as a pattern forming material, and a wiring pattern or a bump or the like is formed when a conductive paste or a solder paste is used as the pattern forming material.
Can be formed directly on top.

【0020】[0020]

【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、ガラス基板41上に下記組成の黒色の着色感光性
樹脂を用いて感光層を形成し、露光、現像処理して黒色
樹脂パターンを形成した。 着色感光性樹脂溶液の組成 アクリル樹脂 8.2重量% (組成:メタクリル酸エチル15.7重量%、メタクリル酸メチル8.8重量 %、アクリル酸メチル10.5重量%、エチルカルビトール65.0重量%から なる共重合体) トリメチルプロパントリアクリレート 4.9重量% トリクロロメチルS−トリアジン 1.0重量% ブチルカルビトール 58.9重量% 黒色無機顔料(CuO・Cr23) 27.0重量% さらに、低融点ガラスペーストLF−01(日本電気硝
子製)を黒色樹脂パターン上に積層して400℃で焼成
することにより、ガラス基板41の所定位置に黒色パタ
ーン13を形成した(図4(a)参照)。
The present invention will be described in detail with reference to the following examples.
First, a photosensitive layer was formed on a glass substrate 41 using a black colored photosensitive resin having the following composition, and exposed and developed to form a black resin pattern. Composition of colored photosensitive resin solution 8.2% by weight of acrylic resin (Composition: 15.7% by weight of ethyl methacrylate, 8.8% by weight of methyl methacrylate, 10.5% by weight of methyl acrylate, 65.0% of ethyl carbitol) % By weight) trimethylpropane triacrylate 4.9% by weight Trichloromethyl S-triazine 1.0% by weight butyl carbitol 58.9% by weight Black inorganic pigment (CuO.Cr 2 O 3 ) 27.0% by weight % Further, a low-melting glass paste LF-01 (manufactured by Nippon Electric Glass) is laminated on a black resin pattern and fired at 400 ° C. to form a black pattern 13 at a predetermined position on the glass substrate 41 (FIG. 4 ( a)).

【0021】次に、ガラス基板41及び黒色パターン1
3上にネガ型のドライフィルムレジストを貼着して、感
光性樹脂層14を形成した(図4(b)参照)。
Next, the glass substrate 41 and the black pattern 1
A photosensitive resin layer 14 was formed by pasting a negative dry film resist on 3 (see FIG. 4B).

【0022】次に、ガラス基板41側から感光性樹脂層
14を露光し、現像等の一連のパターニング処理を行っ
て、ガラス基板41上に開口部15を有する樹脂パター
ン14aを形成し、パターン形成用転写版を作製するた
めの型枠を作製した(図4(c)参照)。
Next, the photosensitive resin layer 14 is exposed from the glass substrate 41 side, and a series of patterning processes such as development are performed to form a resin pattern 14a having an opening 15 on the glass substrate 41, thereby forming a pattern. A mold for producing a transfer plate was prepared (see FIG. 4C).

【0023】次に、この型枠に硬化性シリコンゴムを流
し込み、厚さ1.0mmのステンレス板(SUS30
4)からなる支持体14を重ねて硬化させたのち、型枠
からガラス基板41及び樹脂パターン14aを剥離し
て、本発明のパターン形成用転写版100を得た(図4
(e)参照)。
Next, a curable silicone rubber was poured into the mold, and a 1.0 mm thick stainless steel plate (SUS30) was used.
After the support 14 made of 4) was overlaid and cured, the glass substrate 41 and the resin pattern 14a were peeled off from the mold to obtain a transfer plate 100 for pattern formation of the present invention (FIG. 4).
(E)).

【0024】さらに、パターン形成材料としてSn63
wt%、Pb37wt%組成からなる半田ぺーストをス
クリーン印刷により、パターン形成用転写版100の凸
型パターン21の凹部に供給し、パターン形成材料層5
1を形成した(図5(b)参照)。
Further, Sn63 is used as a pattern forming material.
A solder paste having a composition of 37% by weight of Pb is supplied to the concave portions of the convex pattern 21 of the transfer plate 100 for pattern formation by screen printing, and the pattern forming material layer 5 is formed.
1 was formed (see FIG. 5B).

【0025】次に、あらかじめ絶縁基材に配線パターン
等が形成された配線基板からなる被転写基板61にパタ
ーン形成材料層51が形成されたパターン形成用転写版
100を所望位置に位置合わせし、重ね合わせた後、ラ
ミネータで加圧後、パターン形成用転写版100を被転
写基板61より剥離し、配線基板上に半田バンプが形成
された半導体装置用基板を作製した。ここで、パターン
形成材料層51は、パターン形成用転写版100の凸型
パターン21から完全に転移して所望位置に半田バンプ
が設計通りに形成されているのが確認された。
Next, a pattern-forming transfer plate 100 having a pattern-forming material layer 51 formed on a transfer-receiving substrate 61, which is a wiring substrate having a wiring pattern or the like formed on an insulating base material, is positioned at a desired position. After being superposed, the transfer plate for pattern formation 100 was peeled off from the transferred substrate 61 after pressing with a laminator, and a semiconductor device substrate in which solder bumps were formed on a wiring substrate was manufactured. Here, it was confirmed that the pattern forming material layer 51 was completely transferred from the convex pattern 21 of the pattern forming transfer plate 100 and solder bumps were formed at desired positions as designed.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明のパターン形成用転写版は、支持
体上に凸型パターンを有し、凸型パターンの先端に凹部
が形成された構成であり、且つ凸型パターンが弾性材料
で形成されているため、パターン形成材料を所定量保持
することができ、しかも所望パターン形状だけを容易に
転写することができ、安定したパターン形成が可能とな
The transfer plate for forming a pattern according to the present invention has a configuration in which a convex pattern is formed on a support, a concave portion is formed at the tip of the convex pattern, and the convex pattern is formed of an elastic material. As a result, a predetermined amount of the pattern forming material can be held, and only the desired pattern shape can be easily transferred, so that a stable pattern can be formed.

【0027】さらに、本発明のパターン形成用転写版を
用いて半導体装置用基板を作製することにより、パター
ン形成材料が凸型パターンに必要かつ充分に供給され、
パターン形成材料の転写性も優れているため、設計通り
のレジストパターン、配線パターン及びバンプ等が配線
基板上に容易に、精度良く形成ができ、パターン欠損等
を抑制することが可能となり、優れた位置合せ精度が得
られると共に、半導体装置用基板の製造歩留まりが向上
する。このように、パターン形状及び位置合わせ精度に
優れた半導体装置用基板を作製することが可能となり、
優れた実用上の効果を発揮する。
Further, by manufacturing a substrate for a semiconductor device using the transfer plate for pattern formation of the present invention, the pattern forming material is supplied to the convex pattern in a necessary and sufficient manner,
Since the transferability of the pattern forming material is also excellent, a resist pattern, a wiring pattern, a bump, and the like as designed can be easily and accurately formed on a wiring substrate, and it is possible to suppress pattern defects and the like. The alignment accuracy is obtained, and the production yield of the semiconductor device substrate is improved. Thus, it becomes possible to manufacture a semiconductor device substrate having excellent pattern shape and alignment accuracy,
It has excellent practical effects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のパターン形成用転写版の一実施例を示
す模式構成断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing one embodiment of a transfer plate for pattern formation of the present invention.

【図2】本発明のパターン形成用転写版の他の実施例を
示す模式構成断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the transfer plate for pattern formation of the present invention.

【図3】(a)及び(b)は、本発明のパターン形成用
転写版の凸型パターンの先端部の凹部形状の実施形態を
示す模式構成断面図である。
FIGS. 3 (a) and 3 (b) are schematic cross-sectional views showing an embodiment of a concave shape at the tip of a convex pattern of a transfer plate for pattern formation of the present invention.

【図4】(a)〜(e)は、本発明のパターン形成用転
写版の作製法の一例を示す模式構成断面図であるであ
る。
FIGS. 4A to 4E are schematic sectional views showing an example of a method for producing a transfer plate for pattern formation of the present invention.

【図5】(a)〜(d)は、本発明のパターン形成用転
写版を用いて印刷形成材料の凸型パターンへの供給及び
被転写基板への転写を模式的に示す模式構成断面図であ
るである。
FIGS. 5A to 5D are schematic structural cross-sectional views schematically showing supply of a print forming material to a convex pattern and transfer to a substrate to be transferred using a transfer plate for pattern formation of the present invention. It is.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11……支持体 12……凸型パターン 13……黒色パターン 14……感光性樹脂層 14a……樹脂パターン 15……開口部 21、22、23、24、25……凸型パターン 30……2段構造の凸型パターン 31、32、33、34、35……テーパ形状の凸型パ
ターン 41……ガラス基板 51……パターン形成材料層 51a……転写パターン 61……被転写基板 100、200……パターン形成用転写版
11 ... Support 12 ... Convex pattern 13 ... Black pattern 14 ... Photosensitive resin layer 14a ... Resin pattern 15 ... Opening 21,22,23,24,25 ... Convex pattern 30 ... Two-stage convex pattern 31, 32, 33, 34, 35 Tapered convex pattern 41 Glass substrate 51 Pattern forming material layer 51a Transfer pattern 61 Transfer substrate 100, 200 .... Transfer plate for pattern formation

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/20 H01L 23/12 Q Fターム(参考) 2H113 AA01 AA02 BA01 BB22 CA17 DA62 DA64 FA10 2H114 AA01 AA08 DA60 DA62 EA01 EA04 5E343 AA02 BB72 DD56 DD62 DD64 FF02 FF08 GG08 5F044 MM33 MM49 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/20 H01L 23/12 Q F term (Reference) 2H113 AA01 AA02 BA01 BB22 CA17 DA62 DA64 FA10 2H114 AA01 AA08 DA60 DA62 EA01 EA04 5E343 AA02 BB72 DD56 DD62 DD64 FF02 FF08 GG08 5F044 MM33 MM49

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体装置用基板のパターン形成に用いる
転写版において、支持体上に所望のパターン形状を有す
る凸型パターンが設けられており、前記凸型パターンの
上面が、凹状になっていることを特徴とするパターン形
成用転写版。
In a transfer plate used for forming a pattern of a substrate for a semiconductor device, a convex pattern having a desired pattern shape is provided on a support, and an upper surface of the convex pattern is concave. A transfer plate for pattern formation, characterized in that:
【請求項2】請求項1記載の前記パターン形成用転写版
の凸型パターンの少なくとも上部が、弾性材料で形成さ
れていることを特徴とするパターン形成用転写版。
2. A transfer plate for forming a pattern according to claim 1, wherein at least an upper portion of the convex pattern of the transfer plate for forming a pattern is formed of an elastic material.
【請求項3】請求項1または請求項2記載のパターン形
成用転写版を用いて、パターン形成材料をパターン形成
用転写版の凸型パターン上に設ける工程と、パターン形
成材料を被転写基板に転写してパターンを形成する工程
とからなる半導体装置用基板の製造方法。
3. A step of providing a pattern forming material on a convex pattern of a pattern forming transfer plate using the pattern forming transfer plate according to claim 1; Transferring a pattern to form a pattern.
JP2001011095A 2001-01-19 2001-01-19 Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it Pending JP2002217248A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001011095A JP2002217248A (en) 2001-01-19 2001-01-19 Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001011095A JP2002217248A (en) 2001-01-19 2001-01-19 Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002217248A true JP2002217248A (en) 2002-08-02

Family

ID=18878273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001011095A Pending JP2002217248A (en) 2001-01-19 2001-01-19 Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002217248A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007112128A (en) * 2005-09-22 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd Letterpress for letterpress printing and printed matter
JP2008071681A (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Toppan Printing Co Ltd Letterpress for printing, and method of manufacturing letterpress for printing
JP2008087256A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Toppan Printing Co Ltd Letterpress, printer, and manufacturing method of organic electronic device, and manufacturing process of letterpress
JP2008168478A (en) * 2007-01-10 2008-07-24 Toppan Printing Co Ltd Printing letterpress and manufacturing method of printing letterpress
WO2023157709A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-24 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing connection structure, and transfer method for singulated adhesive film

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007112128A (en) * 2005-09-22 2007-05-10 Toppan Printing Co Ltd Letterpress for letterpress printing and printed matter
JP2008071681A (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Toppan Printing Co Ltd Letterpress for printing, and method of manufacturing letterpress for printing
JP2008087256A (en) * 2006-09-29 2008-04-17 Toppan Printing Co Ltd Letterpress, printer, and manufacturing method of organic electronic device, and manufacturing process of letterpress
JP2008168478A (en) * 2007-01-10 2008-07-24 Toppan Printing Co Ltd Printing letterpress and manufacturing method of printing letterpress
WO2023157709A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-24 デクセリアルズ株式会社 Method for manufacturing connection structure, and transfer method for singulated adhesive film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7281328B2 (en) Method of fabricating rigid-flexible printed circuit board
US8250750B2 (en) Method for manufacturing tape wiring board
US8633392B2 (en) Circuit board with high-density circuit patterns
KR20060012043A (en) Cof flexible printed wiring board and method of producing the wiring board
KR20060129939A (en) Printed circuit board and method of producing the same
KR100658022B1 (en) Method of manufacturing circuit device
EP0147566B1 (en) Method of forming contacts for flexible module carriers
US6808643B2 (en) Hybrid interconnect substrate and method of manufacture thereof
US8828247B2 (en) Method of manufacturing printed circuit board having vias and fine circuit and printed circuit board manufactured using the same
JP4086607B2 (en) Circuit device manufacturing method
JP2002217248A (en) Transfer plate for pattern formation and method of manufacturing substrate for semiconductor device using it
JP2002118204A (en) Semiconductor device, substrate for mounting semiconductor and method for manufacturing the same
US8378225B2 (en) Printed circuit board and method for fabricating the same
KR20120120789A (en) Method for manufacturing printed circuit board
JP5640613B2 (en) Manufacturing method of semiconductor package substrate
KR20130033851A (en) Multi layer pcb and manufacturing method thereof
US20030113951A1 (en) Method for manufacturing multi-layer package substrates
JP4123637B2 (en) Film carrier manufacturing method
CN112243317B (en) Circuit board structure and manufacturing method thereof
US20210298184A1 (en) Method of manufacturing circuit board structure
JPH07176565A (en) Wiring board and its manufacture
US20240237232A1 (en) Circuit board and manufacturing method thereof, and light emitting module
KR101313155B1 (en) Plating Method for PCB and Method for Manufacturing Flexible PCB Using the Same
KR20000041060A (en) Flexible ball grid array substrate and fabrication method thereof
JP2003324168A (en) Printed wiring board for mounting semiconductor integrated circuit