JP5406241B2 - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は電子部品を実装するための配線板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board for mounting electronic components.

電子機器の小型化、薄型化及び高機能化に伴って、電子機器に組み込まれる電子部品も小型化が進み、電子部品を実装する配線板(プリント配線板)の配線も微細化されてきている。   As electronic devices become smaller, thinner, and more functional, electronic components built into electronic devices are also becoming smaller, and the wiring of printed circuit boards (printed wiring boards) on which electronic components are mounted has become finer. .

微細な配線パターンを形成する方法として、配線パターンを形成するためのパターンを有する金型(スタンパ)を用いて樹脂層にパターンを転写し、その転写されたパターンに導電材料を充填することにより配線パターンを形成するインプリント法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。   As a method for forming a fine wiring pattern, a pattern is transferred to a resin layer using a mold (stamper) having a pattern for forming the wiring pattern, and the transferred pattern is filled with a conductive material. An imprint method for forming a pattern is known (see, for example, Patent Document 1).

インプリント法において、金型を樹脂層から離型する際に、金型に樹脂層を構成する樹脂が付着し、これにより不具合が生じる場合がある。この離型不良を防止するために、樹脂層から離型し易い離型層が形成された金型(モールド)を用いるインプリント法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。   In the imprint method, when the mold is released from the resin layer, the resin constituting the resin layer adheres to the mold, which may cause problems. In order to prevent this mold release failure, an imprint method using a mold (mold) in which a mold release layer that can be easily released from a resin layer is used is known (for example, see Patent Document 2).

特開2001−320150号公報JP 2001-320150 A 特開2007−243181号公報JP 2007-243181 A

しかしながら、離型層が形成された金型を用いる手法では、樹脂に対し高温で熱インプリントすると離型するのが難しいという問題があった。   However, the technique using a mold having a release layer has a problem that it is difficult to release the resin when it is thermally imprinted at a high temperature.

本発明の目的は、金型を樹脂層から離型する際に離型性を向上させることができるとともに、微細なパターンを形成することができる配線板の製造方法を提供することである。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the wiring board which can improve a mold release property when releasing a metal mold | die from a resin layer, and can form a fine pattern.

本発明の一態様によれば、一面に凸部を有する金型を用意する工程と、金型の一面に、金型と剥離可能に導電性薄膜を形成する工程と、凸部を導電性薄膜とともに樹脂層に圧入する工程と、樹脂層を硬化させることにより、樹脂層に凸部の形状が転写された凹部を形成するとともに、樹脂層と導電性薄膜とを密着させる工程と、金型を導電性薄膜から剥離する工程と、凹部に導電性薄膜を介して導電材料を充填する工程とを含む配線板の製造方法が提供される。   According to one aspect of the present invention, a step of preparing a mold having a convex portion on one side, a step of forming a conductive thin film on one side of the mold so as to be peelable from the mold, and a step of forming the convex portion on the conductive thin film A step of press-fitting into the resin layer, a step of curing the resin layer to form a recess in which the shape of the protrusion is transferred to the resin layer, a step of closely attaching the resin layer and the conductive thin film, and a mold There is provided a method for manufacturing a wiring board including a step of peeling from a conductive thin film and a step of filling a concave portion with a conductive material via a conductive thin film.

本発明の一態様において、導電性薄膜を形成する工程は、導電性ナノインク、導電性ペースト及び導電性高分子のいずれかを塗布して導電性薄膜を形成しても良い。   In one embodiment of the present invention, in the step of forming a conductive thin film, the conductive thin film may be formed by applying any one of conductive nano ink, a conductive paste, and a conductive polymer.

本発明の一態様において、導電材料を充填する工程は、導電性薄膜をシード層として、電解めっきにより導電材料を充填しても良い。   In one embodiment of the present invention, the step of filling the conductive material may be filled with the conductive material by electrolytic plating using the conductive thin film as a seed layer.

本発明の一態様において、金型は、支持部と、支持部上に配置された第1の凸部と、第1の凸部上に配置された第2の凸部とを有し、凹部を形成する工程は、樹脂層に第1及び第2の凸部の形状がそれぞれ転写された第1及び第2の凹部を形成し、導電材料を充填する工程は、第1及び第2の凹部に導電材料をそれぞれ充填することにより第1の配線層及び第1の配線層と導通するビアをそれぞれ形成しても良い。   In one aspect of the present invention, the mold includes a support portion, a first convex portion disposed on the support portion, and a second convex portion disposed on the first convex portion. Forming the first and second concave portions in which the shapes of the first and second convex portions are respectively transferred to the resin layer, and filling the conductive material with the first and second concave portions. Each of the first wiring layer and the first wiring layer may be formed by being filled with a conductive material.

本発明の一態様において、樹脂層の下面に、ビアと導通する第2の配線層を形成する工程を更に含んでいても良い。   In one embodiment of the present invention, the method may further include a step of forming a second wiring layer electrically connected to the via on the lower surface of the resin layer.

本発明の一態様において、導電性薄膜を形成する工程は、第1の凸部と第2の凸部の連結部及び第1の凸部と支持部の連結部の少なくともいずれかにおいて曲率を有して導電性薄膜を形成しても良い。   In one embodiment of the present invention, the step of forming the conductive thin film has a curvature in at least one of a connection portion between the first protrusion and the second protrusion and a connection portion between the first protrusion and the support. Then, a conductive thin film may be formed.

本発明の他の一態様によれば、一面に凸部を有する金型を用意する工程と、金型の一面に、金型と剥離可能に導電性薄膜を形成する工程と、第1の樹脂層と、第1の樹脂層の一面に埋設された配線層とを有する基材を用意する工程と、第1の樹脂層の一面に第2の樹脂層を積層する工程と、凸部を導電性薄膜とともに第2の樹脂層に圧入し、凸部の先端部に位置する導電性薄膜を配線層と接触させる工程と、第2の樹脂層を硬化させることにより、第2の樹脂層に凸部の形状が転写された凹部を形成するとともに、第2の樹脂層と導電性薄膜とを密着させる工程と、金型を導電性薄膜から剥離する工程と、凹部に導電性薄膜を介して導電材料を充填する工程とを含む配線板の製造方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, a step of preparing a mold having a convex portion on one surface, a step of forming a conductive thin film on one surface of the mold so as to be peelable from the mold, and a first resin A step of preparing a substrate having a layer and a wiring layer embedded in one surface of the first resin layer, a step of laminating a second resin layer on one surface of the first resin layer, and conducting the protrusion The conductive resin thin film is press-fitted into the second resin layer together with the conductive thin film, the conductive thin film located at the tip of the convex portion is brought into contact with the wiring layer, and the second resin layer is cured to thereby protrude the second resin layer. Forming a concave portion to which the shape of the portion is transferred, contacting the second resin layer and the conductive thin film, peeling the mold from the conductive thin film, and conducting the conductive material in the concave portion via the conductive thin film. And a method of manufacturing a wiring board including a step of filling a material.

本発明によれば、金型を樹脂層から離型する際に離型性を向上させることができるとともに、微細なパターンを形成することができる配線板の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, while releasing a metal mold | die from a resin layer, while being able to improve a mold release property, the manufacturing method of the wiring board which can form a fine pattern can be provided.

本発明の第1の実施の形態に係る配線板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the wiring board which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。It is process sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing method of the wiring board which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る金型の一部の斜視図である。It is a one part perspective view of the metal mold | die which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図2に引き続く工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 2 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図4に引き続く工程断面図である。FIG. 5 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 4 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図5に引き続く工程断面図である。FIG. 6 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 5 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図6に引き続く工程断面図である。FIG. 7 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 6 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図7に引き続く工程断面図である。FIG. 8 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 7 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図8に引き続く工程断面図である。FIG. 9 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 8 for illustrating the example of the method for manufacturing the wiring board according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係る配線板の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the wiring board which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための工程断面図である。It is process sectional drawing for demonstrating an example of the manufacturing method of the wiring board which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図11に引き続く工程断面図である。FIG. 12 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 11 for describing an example of the method for manufacturing the wiring board according to the second embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図12に引き続く工程断面図である。FIG. 13 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 12 for illustrating the example of the method for manufacturing the wiring board according to the second embodiment of the present invention. 本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を説明するための図13に引き続く工程断面図である。FIG. 14 is a process cross-sectional view subsequent to FIG. 13 for describing an example of the method of manufacturing the wiring board according to the second embodiment of the present invention.

次に、図面を参照して、本発明の第1及び第2の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。   Next, first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.

また、以下に示す第1及び第2の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。   The first and second embodiments described below exemplify apparatuses and methods for embodying the technical idea of the present invention. The technical idea of the present invention The material, shape, structure, arrangement, etc. are not specified below. The technical idea of the present invention can be variously modified within the scope of the claims.

(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態に係る配線板は、図1に示すように、樹脂層10と、樹脂層10の上面に埋設された第1の配線層11〜17と、樹脂層10の下面に配置された第2の配線層21,22と、第1の配線層12,16と第2の配線層21,22とをそれぞれ導通するビア18,19と、第1の配線層11〜17及びビア18,19のそれぞれと樹脂層10との間に配置された導電性薄膜3とを備える。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1, the wiring board according to the first embodiment of the present invention includes a resin layer 10, first wiring layers 11 to 17 embedded in the upper surface of the resin layer 10, and a resin layer 10. Second wiring layers 21 and 22 disposed on the lower surface, vias 18 and 19 that conduct the first wiring layers 12 and 16 and the second wiring layers 21 and 22, respectively, and the first wiring layers 11 to 11 17 and the vias 18 and 19 and the conductive thin film 3 disposed between the resin layer 10.

第1の配線層12とビア18の間及び第1の配線層16とビア19の間にそれぞれ界面はなく、第1の配線層12とビア18、及び第1の配線層16とビア19はそれぞれ一体的に形成されている。   There are no interfaces between the first wiring layer 12 and the via 18 and between the first wiring layer 16 and the via 19, respectively. The first wiring layer 12 and the via 18 and the first wiring layer 16 and the via 19 are Each is integrally formed.

樹脂層10の厚さは30μm程度である。樹脂層10の材料としては、例えば液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂が使用可能である。   The thickness of the resin layer 10 is about 30 μm. As a material of the resin layer 10, for example, a thermoplastic resin such as a liquid crystal polymer can be used.

第1の配線層11〜17のうち、ライン・アンド・スペース部分の線幅は5μm程度、間隔は5μm程度であり、ランド径は30μm程度である。第2の配線層21,22のうち、ライン・アンド・スペース部分の線幅は10μm程度、間隔は10μm程度であり、ランド径は80μm程度である。ビア18,19の直径は10μm程度、高さは25μm程度である。導電性薄膜3の厚さは10nm〜10μm程度が好ましい。   Among the first wiring layers 11 to 17, the line width of the line and space portion is about 5 μm, the interval is about 5 μm, and the land diameter is about 30 μm. Of the second wiring layers 21 and 22, the line width of the line and space portion is about 10 μm, the interval is about 10 μm, and the land diameter is about 80 μm. The diameters of the vias 18 and 19 are about 10 μm and the height is about 25 μm. The thickness of the conductive thin film 3 is preferably about 10 nm to 10 μm.

第1の配線層11〜17、ビア18,19、第2の配線層21,22及び導電性薄膜3の材料としては、銅(Cu)又は銀(Ag)等が使用可能である。第1の配線層11〜17、ビア18,19及び第2の配線層21,22のそれぞれは、同じ材料を用いても良いし、異なる材料を用いても良い。   As materials for the first wiring layers 11 to 17, the vias 18 and 19, the second wiring layers 21 and 22, and the conductive thin film 3, copper (Cu), silver (Ag), or the like can be used. The first wiring layers 11 to 17, the vias 18 and 19, and the second wiring layers 21 and 22 may be made of the same material or different materials.

本発明の第1の実施の形態に係る配線板によれば、第1の配線層11〜17が樹脂層10の上面に埋設されているので、多層化する際に高い平坦性を得ることができる。   According to the wiring board according to the first embodiment of the present invention, since the first wiring layers 11 to 17 are embedded in the upper surface of the resin layer 10, it is possible to obtain high flatness when multilayered. it can.

次に、本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を、図2〜図9を用いて説明する。   Next, an example of a method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

(イ)図2に示すように金型6を用意する。金型6は、支持部30と、支持部30上に配置された2段の凸部(凸状パターン)を備える。2段の凸状パターンは、配線層形成用の第1の凸部31〜37と、第1の凸部32,36上に配置されたビア形成用の第2の凸部(突起)38,39とからなる。金型6は種々の方法で作製可能であるが、特に微細なサイズが要求される場合には、シード層が形成されたシリコン(Si)基板上にレジストを塗布し、レジストを電子線(EB)、紫外線(UV)又はレーザーを用いて描画・現像してパターニングする。この一連の工程を繰り返し、パターニングしたレジストの凹凸部にニッケル(Ni)や銅(Cu)等を用いためっきにより導電材料を充填した後、レジストを除去することにより金型6を作製可能である。本発明の第1の実施の形態においては、レジストをi線露光でパターニングし、図1に示したビア18,19は直径10μm、高さ25μm、第1の配線層11〜17のライン・アンド・スペース部分の線幅は5μm、間隔は5μmであり、ランド径は30μmの形状を得た。金型6の表面には、必要に応じて離型し易いように市販のフッ素シランカップリング剤で離型処理をすることができる。金型6の材料は特に限定されないが、離型し易い材料であることが好ましく、例えばシリコン(Si)、セラミクス、金属又はポリマー等が使用可能である。金型6の支持部30の一部、第1の凸部36及び第2の凸部39を上面側からみた斜視図を図3に示す。図3のA−A方向から見た場合、図2の断面図の一部に対応する。   (A) A mold 6 is prepared as shown in FIG. The mold 6 includes a support part 30 and a two-stage convex part (convex pattern) arranged on the support part 30. The two-stage convex pattern includes first convex portions 31 to 37 for forming a wiring layer, and second convex portions (projections) 38 for forming vias disposed on the first convex portions 32 and 36. 39. The mold 6 can be manufactured by various methods. When a fine size is particularly required, a resist is applied on a silicon (Si) substrate on which a seed layer is formed, and the resist is applied to an electron beam (EB). ), Ultraviolet rays (UV) or laser to draw and develop and pattern. The metal mold 6 can be produced by repeating this series of steps, filling the uneven portion of the patterned resist with a conductive material by plating using nickel (Ni), copper (Cu), or the like, and then removing the resist. . In the first embodiment of the present invention, the resist is patterned by i-line exposure, and the vias 18 and 19 shown in FIG. 1 have a diameter of 10 μm, a height of 25 μm, and the line-and-lines of the first wiring layers 11 to 17. -The line width of the space portion was 5 μm, the interval was 5 μm, and the land diameter was 30 μm. The surface of the mold 6 can be subjected to mold release treatment with a commercially available fluorine silane coupling agent so that the mold can be easily released as necessary. The material of the mold 6 is not particularly limited, but is preferably a material that is easy to release, and for example, silicon (Si), ceramics, metal, polymer, or the like can be used. FIG. 3 shows a perspective view of a part of the support part 30 of the mold 6, the first convex part 36 and the second convex part 39 as seen from the upper surface side. 3 corresponds to a part of the cross-sectional view of FIG.

(ロ)図2に示すように、金型6の第1の凸部31〜37及び第2の凸部38,39が設けられた面を上向きにする。そして、スキージ4を用いたスクリーン印刷、スピンコート法又はスプレーコート法等により、金型6の第1の凸部31〜37及び第2の凸部38,39が設けられた面に導電材料3を塗布する。導電材料3としては、銅(Cu)又は銀(Ag)等のナノ粒子を金属フィラーとした導電性ナノインク、銅(Cu)ペーストや銀(Ag)ペースト等の導電性ペースト、又は導電性高分子等が使用可能である。   (B) As shown in FIG. 2, the surface of the mold 6 on which the first convex portions 31 to 37 and the second convex portions 38 and 39 are provided faces upward. Then, the conductive material 3 is formed on the surface of the mold 6 on which the first convex portions 31 to 37 and the second convex portions 38 and 39 are provided by screen printing using the squeegee 4, spin coating method, spray coating method, or the like. Apply. Examples of the conductive material 3 include a conductive nano ink using nanoparticles such as copper (Cu) or silver (Ag) as a metal filler, a conductive paste such as a copper (Cu) paste or a silver (Ag) paste, or a conductive polymer. Etc. can be used.

(ハ)その後、図4に示すように、導電材料3を乾燥又は加熱(焼成)することにより、金型6の表面に、金型6と剥離可能に導電性薄膜3が形成される。導電性薄膜3の厚さは10nm〜10μm程度が好ましい。導電材料3が導電性ナノインクの場合、加熱により分散剤が分解して金属フィラー同士が融合するとともに、溶媒も蒸発し、ほぼ純粋な金属が得られる。また、導電材料3がアルコール等の有機溶媒を含む場合には、加熱しなくても分散剤が分解して金属フィラー同士が融合する。また、金属フィラーのインク中での含有率を制御することにより、焼結時に導電材料3の体積を50%以上収縮させることも可能である。   (C) Thereafter, as shown in FIG. 4, the conductive material 3 is dried or heated (fired), whereby the conductive thin film 3 is formed on the surface of the mold 6 so as to be peelable from the mold 6. The thickness of the conductive thin film 3 is preferably about 10 nm to 10 μm. When the conductive material 3 is a conductive nano ink, the dispersant is decomposed by heating and the metal fillers are fused together, and the solvent is evaporated to obtain a substantially pure metal. Further, when the conductive material 3 contains an organic solvent such as alcohol, the dispersant is decomposed and the metal fillers are fused without heating. In addition, by controlling the content of the metal filler in the ink, the volume of the conductive material 3 can be shrunk by 50% or more during sintering.

(ニ)図5に示すように、熱可塑性樹脂等の樹脂層10を用意し、導電性薄膜3を有する金型6と樹脂層10を対向させる。本発明の第1の実施の形態においては、樹脂層10として液晶ポリマーフィルムを用いる。図6に示すように、プレス等により加熱しながら導電性薄膜3を有する金型6を樹脂層10に圧入する。軟化した樹脂層10が金型6のパターンに追従しきった時点で金型6及び樹脂層10を冷却し、樹脂層10を硬化させる。樹脂層10として液晶ポリマーフィルムを用いた場合、プレス条件は例えば270℃、10MPaで10分とする。別途、270℃まで昇温する時間が30分、加熱後に常温まで冷却する時間が60分かかる。樹脂層10は、金型6の第1の凸部31〜37が転写された第1の凹部41〜47と、第2の凸部38,39が転写された第2の凹部(穴)48,49を有する。第2の凹部48,49は、第1の凹部42,46に連続し、且つ第1の凹部41〜47よりも深い深さを有する。また、樹脂層10が接着剤として機能し、樹脂層10と導電性薄膜3とを密着させることができる。その後、必要に応じて、研磨又はエッチング等により、樹脂層10の一部を厚さ方向に除去して、樹脂層10の表面から第2の凸部38,39の先端部に位置する導電性薄膜3の一部を露出させても良い。   (D) As shown in FIG. 5, a resin layer 10 such as a thermoplastic resin is prepared, and the mold 6 having the conductive thin film 3 and the resin layer 10 are opposed to each other. In the first embodiment of the present invention, a liquid crystal polymer film is used as the resin layer 10. As shown in FIG. 6, the mold 6 having the conductive thin film 3 is pressed into the resin layer 10 while being heated by a press or the like. When the softened resin layer 10 completely follows the pattern of the mold 6, the mold 6 and the resin layer 10 are cooled, and the resin layer 10 is cured. When a liquid crystal polymer film is used as the resin layer 10, the pressing condition is, for example, 270 ° C. and 10 MPa for 10 minutes. Separately, it takes 30 minutes to heat up to 270 ° C. and 60 minutes to cool to room temperature after heating. The resin layer 10 includes first concave portions 41 to 47 to which the first convex portions 31 to 37 of the mold 6 are transferred, and second concave portions (holes) 48 to which the second convex portions 38 and 39 are transferred. , 49. The second recesses 48 and 49 are continuous with the first recesses 42 and 46 and have a depth deeper than that of the first recesses 41 to 47. Moreover, the resin layer 10 functions as an adhesive, and the resin layer 10 and the conductive thin film 3 can be adhered to each other. Thereafter, if necessary, a part of the resin layer 10 is removed in the thickness direction by polishing or etching, and the conductivity located from the surface of the resin layer 10 to the tips of the second convex portions 38 and 39. A part of the thin film 3 may be exposed.

(ホ)図7に示すように、金型6を樹脂層10から離型する。このとき、導電性薄膜3は金型6よりも樹脂層10との密着性が高いため、金型6から剥離して樹脂層10側に転写される。   (E) As shown in FIG. 7, the mold 6 is released from the resin layer 10. At this time, since the conductive thin film 3 has higher adhesion to the resin layer 10 than the mold 6, the conductive thin film 3 is peeled off from the mold 6 and transferred to the resin layer 10 side.

(ヘ)図8に示すように、導電性薄膜3をシード層として電解めっきを施し、第1の凹部41〜47及び第2の凹部48,49に銅(Cu)又は銀(Ag)等の導電材料をそれぞれ充填することにより、第1の配線層11〜17及びビア18,19をそれぞれ形成する。なお、導電性薄膜3をシード層として用いずに、導電性ペースト等の導電材料を印刷等により第1の凹部41〜47及び第2の凹部48,49に導電性薄膜3を介してそれぞれ充填し、焼結させても良い。   (F) As shown in FIG. 8, electrolytic plating is performed using the conductive thin film 3 as a seed layer, and copper (Cu) or silver (Ag) or the like is formed on the first recesses 41 to 47 and the second recesses 48 and 49. The first wiring layers 11 to 17 and the vias 18 and 19 are formed by filling the conductive materials, respectively. In addition, without using the conductive thin film 3 as a seed layer, the first recesses 41 to 47 and the second recesses 48 and 49 are filled via the conductive thin film 3 by printing or the like with a conductive material such as a conductive paste. And may be sintered.

(ト)研磨又はエッチング等により、第1の凹部41〜47及び第2の凹部48,49に充填された部分以外の導電材料の余剰部分と、第1の凹部41〜47及び第2の凹部48,49上に位置する部分以外の導電性薄膜3の余剰部分を図9に示すように除去する。   (G) Excess portions of the conductive material other than the portions filled in the first concave portions 41 to 47 and the second concave portions 48 and 49 by polishing or etching, and the first concave portions 41 to 47 and the second concave portions. Excess portions of the conductive thin film 3 other than the portions positioned on 48 and 49 are removed as shown in FIG.

(チ)図1に示すように、樹脂層10の下面に第2の配線層21,22をビア18,19のそれぞれと接触するように位置合わせをしてそれぞれ形成する。例えば、セミアディティブ法では、樹脂層10の下面にシード層を形成した後にレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストをパターニングし、電解銅めっきを施した後、レジスト及びシード層を除去することにより第2の配線層21,22を形成する。又は、印刷版を用いて樹脂層10の下面に導電性ペーストを印刷・焼結することにより第2の配線層21,22を形成しても良い。本発明の第1の実施の形態においては、セミアディティブ法により、ライン・アンド・スペース部分の配線幅を10μm、配線間隔を10μm、ランド径を80μmとした。その後、配線板の表層にソルダーレジストやカバーレイを設けても良い。   (H) As shown in FIG. 1, the second wiring layers 21 and 22 are formed on the lower surface of the resin layer 10 so as to be in contact with the vias 18 and 19, respectively. For example, in the semi-additive method, after forming a seed layer on the lower surface of the resin layer 10, a resist is applied, the resist is patterned using a photolithography technique, electrolytic copper plating is performed, and then the resist and the seed layer are removed. Thus, the second wiring layers 21 and 22 are formed. Alternatively, the second wiring layers 21 and 22 may be formed by printing and sintering a conductive paste on the lower surface of the resin layer 10 using a printing plate. In the first embodiment of the present invention, the line width of the line and space portion is 10 μm, the wiring interval is 10 μm, and the land diameter is 80 μm by the semi-additive method. Thereafter, a solder resist or a coverlay may be provided on the surface layer of the wiring board.

本発明の第1の実施の形態に係る配線板の製造方法によれば、2段形状の金型6を用いて、第1の配線層11〜17及びビア18,19を一括で形成することができる。この結果、レーザービア形成の場合に比して、第1の配線層11〜17とビア18,19とを位置合わせする必要がなくなる。   According to the method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment of the present invention, the first wiring layers 11 to 17 and the vias 18 and 19 are collectively formed using the two-stage mold 6. Can do. As a result, it is not necessary to align the first wiring layers 11 to 17 and the vias 18 and 19 as compared with the case of laser via formation.

更に、図2に示すように導電材料を塗布して導電性薄膜3を形成するので、例えばスパッタリングにより導電性薄膜3を形成する場合に比して導電性薄膜3を厚く形成することができる。   Further, since the conductive thin film 3 is formed by applying a conductive material as shown in FIG. 2, the conductive thin film 3 can be formed thicker than when the conductive thin film 3 is formed by sputtering, for example.

更に、金型6を樹脂層10から離型するときに、金型6から導電性薄膜3が剥離されることで、樹脂層10を加熱して形成させたとしても、金型6に形成された導電性薄膜3を剥離させることにより、従来のような樹脂の付着(離型不良)を防止することができる。   Further, when the mold 6 is released from the resin layer 10, the conductive thin film 3 is peeled off from the mold 6, so that even if the resin layer 10 is formed by heating, it is formed on the mold 6. By peeling off the conductive thin film 3, it is possible to prevent the conventional resin adhesion (mold release failure).

更に、導電性薄膜3を、第1の凹部41〜47及び第2の凹部48,49を導電材料で充填するために行うめっき用のシード層として利用することができ、別途シード層を形成する工程が不要となる。更に、軟化した熱可塑性樹脂10を硬化させることにより導電性薄膜3と樹脂層10とを密着させるため、樹脂層10の表面に無電解めっき等により別途シード層を形成する場合と比して、シード層である導電性薄膜3と樹脂層10との密着性を向上させることができる。   Further, the conductive thin film 3 can be used as a seed layer for plating performed to fill the first concave portions 41 to 47 and the second concave portions 48 and 49 with a conductive material, and a seed layer is separately formed. A process becomes unnecessary. Furthermore, in order to adhere the conductive thin film 3 and the resin layer 10 by curing the softened thermoplastic resin 10, compared to the case where a seed layer is separately formed on the surface of the resin layer 10 by electroless plating or the like, The adhesion between the conductive thin film 3 as the seed layer and the resin layer 10 can be improved.

(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態に係る配線板は、図10に示すように、第1の基材1及び第2の基材2を備える多層基板である。
(Second Embodiment)
As shown in FIG. 10, the wiring board according to the second embodiment of the present invention is a multilayer substrate including a first base material 1 and a second base material 2.

第1の基材1は、第1の樹脂層10と、第1の樹脂層10の上面に埋設された第1の配線層11〜17と、第1の樹脂層10の下面に配置された第2の配線層21,22と、第1の配線層12,16と第2の配線層21,22とをそれぞれ導通する第1のビア18,19と、第1の配線層11〜17及び第1のビア18,19のそれぞれと第1の樹脂層10との間に配置された第1の導電性薄膜3とを備える。   The first substrate 1 is disposed on the first resin layer 10, the first wiring layers 11 to 17 embedded in the upper surface of the first resin layer 10, and the lower surface of the first resin layer 10. The first wiring layers 21 and 22, the first wiring layers 12 and 16 and the first wiring layers 21 and 22, respectively, the first vias 18 and 19, and the first wiring layers 11 to 17 and The first conductive thin film 3 is provided between each of the first vias 18 and 19 and the first resin layer 10.

第2の基材2は、第1の樹脂層10上に配置された第2の樹脂層20と、第2の樹脂層20の上面に埋設された第3の配線層51〜57と、第3の配線層52,56と第1の配線層12,16とをそれぞれ導通する第2のビア58,59と、第3の配線層51〜57及び第2のビア58,59のそれぞれと第2の樹脂層20との間に配置された第2の導電性薄膜5とを備える。   The second substrate 2 includes a second resin layer 20 disposed on the first resin layer 10, third wiring layers 51 to 57 embedded in the upper surface of the second resin layer 20, The third wiring layers 52 and 56 and the first wiring layers 12 and 16, respectively, the second vias 58 and 59, and the third wiring layers 51 to 57 and the second vias 58 and 59, respectively. And the second conductive thin film 5 disposed between the two resin layers 20.

第1の基材1及び第2の基材2の構成は、図1に示した配線板と実質的に同様であるので、重複した説明を省略する。第1の基材1及び第2の基材2の各構成要素は、互いに同じ材料を用いてもよく、互いに異なる材料を用いても良い。   Since the structure of the 1st base material 1 and the 2nd base material 2 is substantially the same as the wiring board shown in FIG. 1, the overlapping description is abbreviate | omitted. The components of the first base material 1 and the second base material 2 may use the same material or different materials.

本発明の第2の実施の形態に係る配線板によれば、第1の配線層11〜17及び第3の配線層51〜57が、第1の樹脂層10及び第2の樹脂層20の上面にそれぞれ埋設されているので、高い平坦性を得ることができる。   According to the wiring board according to the second embodiment of the present invention, the first wiring layers 11 to 17 and the third wiring layers 51 to 57 are formed of the first resin layer 10 and the second resin layer 20. Since they are embedded in the upper surface, high flatness can be obtained.

次に、本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法の一例を、図11〜図14を用いて説明する。   Next, an example of a method for manufacturing a wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

(イ)図11に示すように第1の基材1を予め用意しておく。第1の基材1は、例えば図1〜図9に示した配線板と同様の製造工程で作製可能である。   (A) First substrate 1 is prepared in advance as shown in FIG. The 1st base material 1 is producible with the manufacturing process similar to the wiring board shown, for example in FIGS.

(ロ)一方、図11に示すように支持部60と、支持部60上に配置された配線層形成用の第1の凸部61〜67と、第1の凸部62,66上にそれぞれ配置されたビア形成用の第2の凸部(突起)68,69を有する金型7を用意する。図10に示した第3の配線層51〜57及び第2のビア58,59が、第1の配線層11〜17及び第1のビア18,19と同じ形状の場合は、金型7として図2に示した金型6と同じものを用いても良い。図11に示すように、金型7の第1の凸部61〜67及び第2の凸部68,69が設けられている面に導電材料5を塗布し、導電材料5を乾燥又は加熱(焼成)することにより、金型7と剥離可能に第2の導電性薄膜5を形成する。   (B) On the other hand, as shown in FIG. 11, on the support part 60, the first convex parts 61 to 67 for forming the wiring layer disposed on the support part 60, and the first convex parts 62 and 66, respectively. A mold 7 having second vias (projections) 68 and 69 for forming vias is prepared. When the third wiring layers 51 to 57 and the second vias 58 and 59 shown in FIG. 10 have the same shape as the first wiring layers 11 to 17 and the first vias 18 and 19, the mold 7 is used. You may use the same thing as the metal mold | die 6 shown in FIG. As shown in FIG. 11, the conductive material 5 is applied to the surface of the mold 7 on which the first convex portions 61 to 67 and the second convex portions 68 and 69 are provided, and the conductive material 5 is dried or heated ( By baking, the second conductive thin film 5 is formed so as to be peelable from the mold 7.

(ハ)図11に示すように、第1の基材1の第1の配線層11〜17が設けられている面に第2の樹脂層20を積層(ラミネート)する。本発明の第2の実施の形態においては、第2の樹脂層20を250℃、1MPa、1分で真空ラミネートを行う。金型7を第2の樹脂層20に対向させ、画像認識又はピンアライメント等により第1の基材1の第1の配線層12,16と金型7の第2の凸部68,69とを位置合わせする。   (C) As shown in FIG. 11, the second resin layer 20 is laminated (laminated) on the surface of the first substrate 1 on which the first wiring layers 11 to 17 are provided. In the second embodiment of the present invention, the second resin layer 20 is vacuum laminated at 250 ° C., 1 MPa, and 1 minute. The mold 7 is opposed to the second resin layer 20, and the first wiring layers 12 and 16 of the first substrate 1 and the second protrusions 68 and 69 of the mold 7 are formed by image recognition or pin alignment. Align.

(ニ)図12に示すように、プレス等により加熱しながら金型7を第2の樹脂層20に圧入し、第1の配線層12,16と、第2の凸部68,69の先端部に位置する第2の導電性薄膜5とを接触させる。これにより第2の樹脂層20が硬化し、第2の樹脂層20に第1の凹部71〜77及び第2の凹部78,79が形成されるとともに、第1の基材1及び第2の基材2が一体化する。また、第2の樹脂層20が接着剤として機能し、第2の樹脂層20と第2の導電性薄膜5とを密着させることができる。なお、図12に示すように金型7を第2の樹脂層20に圧入したときに、第2の導電性薄膜5と、第1の配線層12,16との接続信頼性が十分に得られない場合は、図12に示すように金型7を第2の樹脂層20に圧入する前に、研磨等により第2の凸部68,69の先端部に位置する第2の樹脂層20の一部を予め除去し、第2の導電性薄膜5を露出させても良い。   (D) As shown in FIG. 12, the mold 7 is press-fitted into the second resin layer 20 while being heated by a press or the like, and the tips of the first wiring layers 12 and 16 and the second convex portions 68 and 69 are pressed. The second conductive thin film 5 located in the part is brought into contact. As a result, the second resin layer 20 is cured, and the first concave portions 71 to 77 and the second concave portions 78 and 79 are formed in the second resin layer 20, and the first base material 1 and the second base material 2 are formed. The base material 2 is integrated. Moreover, the 2nd resin layer 20 functions as an adhesive agent, and the 2nd resin layer 20 and the 2nd electroconductive thin film 5 can be stuck. As shown in FIG. 12, when the mold 7 is press-fitted into the second resin layer 20, sufficient connection reliability between the second conductive thin film 5 and the first wiring layers 12 and 16 is obtained. If not, the second resin layer 20 located at the tip of the second protrusions 68 and 69 by polishing or the like before press-fitting the mold 7 into the second resin layer 20 as shown in FIG. May be removed in advance to expose the second conductive thin film 5.

(ホ)図13に示すように、金型7を第2の樹脂層20から離型する。このとき、第2の導電性薄膜5は金型7よりも第2の樹脂層20との密着性が高いため、金型7から剥離して第2の樹脂層20側に転写される。   (E) As shown in FIG. 13, the mold 7 is released from the second resin layer 20. At this time, since the second conductive thin film 5 has higher adhesion to the second resin layer 20 than the mold 7, the second conductive thin film 5 is peeled off from the mold 7 and transferred to the second resin layer 20 side.

(ヘ)図14に示すように、第2の導電性薄膜5をシード層として電解めっきを施し、第1の凹部71〜77及び第2の凹部78,79に銅(Cu)又は銀(Ag)等の導電材料を充填し、第3の配線層51〜57及び第2のビア58,59を形成する。   (F) As shown in FIG. 14, electrolytic plating is performed using the second conductive thin film 5 as a seed layer, and copper (Cu) or silver (Ag) is applied to the first concave portions 71 to 77 and the second concave portions 78 and 79. The third wiring layers 51 to 57 and the second vias 58 and 59 are formed.

(ト)研磨又はエッチング等により、第1の凹部71〜77及び第2の凹部78,79に充填された導電材料以外の導電材料の余剰部分及び第1の凹部71〜77及び第2の凹部78,79上に位置する部分以外の第2の導電性薄膜5の余剰部分を図10に示すように除去し、多層基板が完成する。   (G) Excess portions of the conductive material other than the conductive material filled in the first concave portions 71 to 77 and the second concave portions 78 and 79 by polishing or etching, and the first concave portions 71 to 77 and the second concave portions. Excess portions of the second conductive thin film 5 other than the portions located on the portions 78 and 79 are removed as shown in FIG. 10 to complete the multilayer substrate.

本発明の第2の実施の形態に係る配線板の製造方法によれば、2段形状の金型7を用いて、第3の配線層51〜57及び第2のビア58,59を一括で形成することができる。この結果、レーザービア形成の場合に比して、第3の配線層51〜57と第2のビア58,59とを位置合わせする必要がなくなる。   According to the method for manufacturing a wiring board according to the second embodiment of the present invention, the third wiring layers 51 to 57 and the second vias 58 and 59 are collectively formed using the two-stage mold 7. Can be formed. As a result, it is not necessary to align the third wiring layers 51 to 57 and the second vias 58 and 59 as compared with the case of laser via formation.

更に、図11に示すように導電材料を塗布して第2の導電性薄膜5を形成するので、例えばスパッタリングにより第2の導電性薄膜5を形成する場合に比して、第2の導電性薄膜5を厚く形成することができる。   Furthermore, as shown in FIG. 11, since the second conductive thin film 5 is formed by applying a conductive material, the second conductive thin film 5 is formed as compared with the case where the second conductive thin film 5 is formed by sputtering, for example. The thin film 5 can be formed thick.

更に、金型7を第2の樹脂層20から離型するときに、金型7から第2の導電性薄膜5が剥離されることで、第2の樹脂層20を加熱して形成させたとしても、金型7に形成された導電性薄膜5を剥離させることにより、従来のような樹脂の付着(離型不良)を防止することができる。   Further, when the mold 7 is released from the second resin layer 20, the second conductive thin film 5 is peeled off from the mold 7 so that the second resin layer 20 is formed by heating. Even so, by peeling off the conductive thin film 5 formed on the mold 7, it is possible to prevent conventional resin adhesion (mold release failure).

更に、第2の導電性薄膜5を、第1の凹部71〜77及び第2の凹部78,79を導電材料で充填するために行うめっき用のシード層として利用することができ、別途シード層を形成する工程が不要となる。更に、第2の樹脂層20を硬化させることにより第2の導電性薄膜5と第2の樹脂層20とを密着させるため、第2の樹脂層20の表面に無電解めっき等により別途シード層を形成する場合と比して、シード層である第2の導電性薄膜5と第2の樹脂層20との密着性を向上させることができる。   Further, the second conductive thin film 5 can be used as a seed layer for plating performed to fill the first recesses 71 to 77 and the second recesses 78 and 79 with a conductive material. The process of forming is eliminated. Furthermore, in order to make the 2nd conductive thin film 5 and the 2nd resin layer 20 adhere | attach by hardening the 2nd resin layer 20, it seeds separately on the surface of the 2nd resin layer 20 by electroless plating etc. Compared with the case of forming, the adhesion between the second conductive thin film 5 as the seed layer and the second resin layer 20 can be improved.

(その他の実施の形態)
上記のように、本発明は第1及び第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
(Other embodiments)
As described above, the present invention has been described according to the first and second embodiments. However, it should not be understood that the description and drawings constituting a part of this disclosure limit the present invention. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.

例えば、本発明の第1及び第2の実施の形態において、樹脂層10の材料として熱可塑性樹脂を用いる場合を説明したが、エポキシ樹脂等の半硬化状態の熱硬化性樹脂を用いることもできる。この場合、図6に示すように、プレス等により加熱しながら、導電性薄膜3を有する金型6を半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層10に圧入する。樹脂層10としては、例えばエポキシ系フィルムを使用し、プレス条件は、100℃、0.3MPaで1分とする。別途、100℃まで昇温する時間が10分、加熱後に常温まで冷却する時間が20分かかる。金型6を離型する前に、オーブンにて180℃、30分で焼成した後冷却することにより、樹脂層10を完全に硬化させる。これにより、樹脂層10には、金型6の第1の凸部31〜37が転写された第1の凹部41〜47と、第2の凸部38,39が転写された第2の凹部(穴)48,49が形成される。また、樹脂層10が接着剤として機能し、樹脂層10と導電性薄膜3とを密着させることができる。その後、図7に示すように金型6を樹脂層10から離型する。   For example, in the first and second embodiments of the present invention, the case where a thermoplastic resin is used as the material of the resin layer 10 has been described, but a semi-cured thermosetting resin such as an epoxy resin can also be used. . In this case, as shown in FIG. 6, the mold 6 having the conductive thin film 3 is pressed into the resin layer 10 made of a semi-cured thermosetting resin while being heated by a press or the like. As the resin layer 10, for example, an epoxy film is used, and the pressing condition is 100 ° C. and 0.3 MPa for 1 minute. Separately, it takes 10 minutes to heat up to 100 ° C. and 20 minutes to cool to room temperature after heating. Before releasing the mold 6, the resin layer 10 is completely cured by baking in an oven at 180 ° C. for 30 minutes and then cooling. Accordingly, the first concave portions 41 to 47 to which the first convex portions 31 to 37 of the mold 6 are transferred and the second concave portions to which the second convex portions 38 and 39 are transferred are formed on the resin layer 10. (Hole) 48 and 49 are formed. Moreover, the resin layer 10 functions as an adhesive, and the resin layer 10 and the conductive thin film 3 can be adhered to each other. Thereafter, the mold 6 is released from the resin layer 10 as shown in FIG.

また、本発明の第1の実施の形態において、図4に示すように金型6の表面に導電材料を塗布することにより、第1の凸部31〜37と支持部30との連結部、及び第1の凸部32,36と第2の凸部38,39との連結部(第2の凸部38,39の根元部)の少なくともいずれかにおいてテーパ状に曲率を有して導電性薄膜3を形成しても良い。これにより、図7に示すように金型6を樹脂層10から離型するときに、第1の凸部31〜37と支持部30との連結部、及び第1の凸部32,36と第2の凸部38,39との連結部の少なくともいずれかの曲率を有している部分への力の集中を抑制することができ、導電性薄膜3がめくれる等の損傷を防止することができる。また、第1の凸部31〜37及び第2の凸部38,39の転写パターンである第1の配線層11〜17の角部及びビア18,19の根元部の少なくともいずれかが曲率を有することにより、高周波特性に優れた配線板を実現することができる。これらは本発明の第2の実施の形態においても同様に適用することが可能である。   In the first embodiment of the present invention, as shown in FIG. 4, by applying a conductive material to the surface of the mold 6, a connecting portion between the first convex portions 31 to 37 and the support portion 30, In addition, at least one of the connecting portions (the root portions of the second convex portions 38 and 39) between the first convex portions 32 and 36 and the second convex portions 38 and 39 has a tapered curvature and is conductive. The thin film 3 may be formed. Thereby, when the mold 6 is released from the resin layer 10 as shown in FIG. 7, the connecting portions between the first convex portions 31 to 37 and the support portion 30, and the first convex portions 32 and 36 The concentration of force on the portion having the curvature of at least one of the connecting portions with the second convex portions 38 and 39 can be suppressed, and damage such as turning up of the conductive thin film 3 can be prevented. it can. Further, at least one of the corner portions of the first wiring layers 11 to 17 and the root portions of the vias 18 and 19 which are transfer patterns of the first convex portions 31 to 37 and the second convex portions 38 and 39 has a curvature. By having it, it is possible to realize a wiring board having excellent high-frequency characteristics. These can be similarly applied to the second embodiment of the present invention.

また、本発明の第1の実施の形態において、図1に示したビア18,19の先端部は曲面であるが、ビア18,19の先端部は平面であっても良い。また、ビア18,19の直径が根元部から先端部にかけて小さくなっている場合を示したが、ビア18,19の直径は一定であっても良い。これらは本発明の第2の実施の形態においても同様に適用することが可能である。   In the first embodiment of the present invention, the tip portions of the vias 18 and 19 shown in FIG. 1 are curved surfaces, but the tip portions of the vias 18 and 19 may be flat. Moreover, although the case where the diameters of the vias 18 and 19 are reduced from the root part to the tip part is shown, the diameters of the vias 18 and 19 may be constant. These can be similarly applied to the second embodiment of the present invention.

また、本発明の第2の実施の形態に係る配線板として、図10に示すように第1の基材1及び第2の基材2を備える多層基板を説明したが、第2の基材2上に積層された他の基材を更に備えていても良い。   Moreover, although the multilayer substrate provided with the 1st base material 1 and the 2nd base material 2 as shown in FIG. 10 was demonstrated as a wiring board which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, the 2nd base material Another base material laminated on 2 may be further provided.

このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。   As described above, the present invention naturally includes various embodiments not described herein. Therefore, the technical scope of the present invention is defined only by the invention specifying matters according to the scope of claims reasonable from the above description.

1,2…基材
3,5…導電性薄膜(導電材料)
4…スキージ
6,7…金型
10,20…樹脂層
11〜17,21,22,51〜57…配線層
18,19,58,59…ビア
30,60…支持部
31〜37,61〜67…第1の凸部
38,39,68,69…第2の凸部
41〜47,71〜77…第1の凹部
48,49,78,79…第2の凹部
1, 2 ... Base material 3, 5 ... Conductive thin film (conductive material)
4 ... Squeegee 6, 7 ... Mold 10, 20 ... Resin layer 11-17, 21, 22, 51-57 ... Wiring layer 18, 19, 58, 59 ... Via 30, 60 ... Support part 31-37, 61- 67 ... 1st convex part 38, 39, 68, 69 ... 2nd convex part 41-47, 71-77 ... 1st recessed part 48, 49, 78, 79 ... 2nd recessed part

Claims (4)

支持部と、前記支持部上に配置された第1の凸部と、前記第1の凸部上に配置された第2の凸部とを一面に有する金型を用意する工程と、
前記金型の前記一面に、導電性ナノインク、導電性ペースト及び導電性高分子のいずれかを塗布することにより前記金型と剥離可能に導電性薄膜を形成する工程と、
前記第1及び第2の凸部を前記導電性薄膜とともに樹脂層の一面から圧入し、前記第2の凸部の先端部に位置する前記導電性薄膜を前記樹脂層の他面にまで到達させる工程と、
前記樹脂層を硬化させることにより、前記樹脂層に前記第1及び第2の凸部の形状がそれぞれ転写された第1及び第2の凹部を形成するとともに、前記樹脂層と前記導電性薄膜とを密着させる工程と、
前記金型を前記導電性薄膜から剥離する工程と、
前記導電性薄膜をシード層として電解めっきにより、前記第1及び第2の凹部に前記導電性薄膜を介して導電材料を充填することにより、第1の配線層及び前記第1の配線層と導通するビアをそれぞれ形成する工程
とを含むことを特徴とする配線板の製造方法。
Preparing a mold having a support part, a first convex part arranged on the support part, and a second convex part arranged on the first convex part on one side ;
Forming a conductive thin film on the one surface of the mold so as to be peelable from the mold by applying any one of conductive nano ink, conductive paste, and conductive polymer ;
The first and second convex portions are press-fitted together with the conductive thin film from one surface of the resin layer , and the conductive thin film located at the tip of the second convex portion reaches the other surface of the resin layer. Process,
By curing the resin layer, the resin layer and the conductive thin film are formed while forming the first and second recesses in which the shapes of the first and second protrusions are transferred to the resin layer, respectively. A step of adhering
Peeling the mold from the conductive thin film;
By conducting electroplating using the conductive thin film as a seed layer, the first and second recesses are filled with a conductive material via the conductive thin film, thereby conducting with the first wiring layer and the first wiring layer. A method of manufacturing a wiring board, comprising: forming each via .
前記第2の凸部の先端部に位置する前記導電性薄膜を前記樹脂層の他面にまで到達させる工程において、前記第2の凸部の先端部に位置する前記導電性薄膜を前記樹脂層の他面から露出させ、
前記樹脂層の下面に、前記露出した導電性薄膜を介して前記ビアと導通する第2の配線層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項に記載の配線板の製造方法。
In the step of causing the conductive thin film positioned at the distal end portion of the second convex portion to reach the other surface of the resin layer, the conductive thin film positioned at the distal end portion of the second convex portion is the resin layer. Exposed from the other side,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1 , further comprising a step of forming a second wiring layer electrically connected to the via via the exposed conductive thin film on a lower surface of the resin layer.
前記導電性薄膜を形成する工程は、前記第1の凸部と前記第2の凸部の連結部及び前記第1の凸部と前記支持部の連結部の少なくともいずれかにおいて曲率を有して前記導電性薄膜を形成することを含むことを特徴とする請求項又はに記載の配線板の製造方法。 The step of forming the conductive thin film has a curvature in at least one of the connecting portion between the first protruding portion and the second protruding portion and the connecting portion between the first protruding portion and the supporting portion. a method for manufacturing a wiring board according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises forming said conductive thin film. 支持部と、前記支持部上に配置された第1の凸部と、前記第1の凸部上に配置された第2の凸部とを一面に有する金型を用意する工程と、
前記金型の前記一面に、導電性ナノインク、導電性ペースト及び導電性高分子のいずれかを塗布することにより前記金型と剥離可能に導電性薄膜を形成する工程と、
第1の樹脂層と、前記第1の樹脂層の一面に埋設された配線層とを有する基材を用意する工程と、
前記第1の樹脂層の前記一面に第2の樹脂層を積層する工程と、
前記第1及び第2の凸部を前記導電性薄膜とともに前記第2の樹脂層の一面から圧入し、前記第2の凸部の先端部に位置する前記導電性薄膜を前記第2の樹脂層の他面にまで到達させ、前記第2の凸部の先端部に位置する前記導電性薄膜を前記配線層と接触させる工程と、
前記第2の樹脂層を硬化させることにより、前記第2の樹脂層に前記第1及び第2の凸部の形状がそれぞれ転写された第1及び第2の凹部を形成するとともに、前記第2の樹脂層と前記導電性薄膜とを密着させる工程と、
前記金型を前記導電性薄膜から剥離する工程と、
前記導電性薄膜をシード層として電解めっきにより、前記第1及び第2の凹部に前記導電性薄膜を介して導電材料を充填することにより、第1の配線層及び前記第1の配線層と導通するビアをそれぞれ形成する工程
とを含むことを特徴とする配線板の製造方法。
Preparing a mold having a support part, a first convex part arranged on the support part, and a second convex part arranged on the first convex part on one side ;
Forming a conductive thin film on the one surface of the mold so as to be peelable from the mold by applying any one of conductive nano ink, conductive paste, and conductive polymer ;
Preparing a base material having a first resin layer and a wiring layer embedded in one surface of the first resin layer;
Laminating a second resin layer on the one surface of the first resin layer;
The first and second convex portions are press-fitted together with the conductive thin film from one surface of the second resin layer , and the conductive thin film located at the tip of the second convex portion is inserted into the second resin layer. Reaching the other surface, contacting the conductive thin film located at the tip of the second convex portion with the wiring layer;
The second resin layer is cured to form first and second recesses in which the shapes of the first and second projections are transferred to the second resin layer, respectively, and the second A step of closely adhering the resin layer and the conductive thin film;
Peeling the mold from the conductive thin film;
By conducting electroplating using the conductive thin film as a seed layer, the first and second recesses are filled with a conductive material via the conductive thin film, thereby conducting with the first wiring layer and the first wiring layer. A method of manufacturing a wiring board, comprising: forming each via .
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