JP2006253406A - 固体レーザー装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】高出力化可能で広い波長領域をカバーし、小型で高効率な複数波長を同時出力可能で、発光点が同一装置内に存在し、且つ、近接したレーザー光源を有する固体レーザー装置を提供する。
【解決手段】透明基板11の表面にレーザー材料12が接着されており、レーザー材料12は、中心部分にNdを添加した領域13を持つGdVO4単結晶で構成されている。共振器を構成すべく、一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには1063nmに対して約5%の透過のコーティングを施してある。もう一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティングを施してある。
【選択図】 図1
【解決手段】透明基板11の表面にレーザー材料12が接着されており、レーザー材料12は、中心部分にNdを添加した領域13を持つGdVO4単結晶で構成されている。共振器を構成すべく、一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには1063nmに対して約5%の透過のコーティングを施してある。もう一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティングを施してある。
【選択図】 図1
Description
本発明は、固体レーザー装置に関し、詳しくは、半導体レーザー励起固体レーザー装置、もしくは、半導体レーザー励起波長変換型固体レーザー装置に関する。
本発明に係る固体レーザー装置は、レーザープリンタ、レーザースキャンディスプレイ、プロジェクターなどに使用される物である。
本発明に係る固体レーザー装置は、レーザープリンタ、レーザースキャンディスプレイ、プロジェクターなどに使用される物である。
近年、レーザー光を利用した装置として、光ディスク装置やレーザープリンタ、レーザー計測器などの製品が実用化されている。また、将来的な実用化を目指し、レーザーディスプレイ等も開発、検討が進められている。
上記のような応用に対しては、レーザー光源の短波長化の要求や、色の三原色(赤、青、緑色)光源などの要求がある。これらの要求に対しては、半導体レーザー素子の開発や波長変換レーザーの開発が進められている。特に、高出力(〜10W程度)のレーザー光源を必要とする応用に対しては、固体レーザーを用いた波長変換光源が適しており、様々な研究機関が開発に取り組んでいる。
上記のような応用に対しては、レーザー光源の短波長化の要求や、色の三原色(赤、青、緑色)光源などの要求がある。これらの要求に対しては、半導体レーザー素子の開発や波長変換レーザーの開発が進められている。特に、高出力(〜10W程度)のレーザー光源を必要とする応用に対しては、固体レーザーを用いた波長変換光源が適しており、様々な研究機関が開発に取り組んでいる。
レーザーディスプレイ等の応用を考えた場合には、レーザー光源の小型化は不可欠であり、さらに色の三原色波長のレーザー出力を持つ高輝度な光源が理想である。また、その出力は高出力のものほど良く、広い応用が考えられる。
また、プロジェクターなどの投影型光学系では、三原色の光源は光軸を極力合致させることが光学的に有効であるため、発光点は近接していることが良い。
また、プロジェクターなどの投影型光学系では、三原色の光源は光軸を極力合致させることが光学的に有効であるため、発光点は近接していることが良い。
複数の波長を出力できるレーザー光源の従来技術としては、例えば第1例として特開2000−58958号公報に記載のものを挙げることができる。
これは、発光型半導体レーザーアレイについての発明であり、アレイ光源の各素子の波長を変化させている例である。
第2例として、特開平8−307017号公報に記載のものを挙げることができる。これは、固体レーザーのアレイ化によって、高出力光源を得る発明である。
第3例として、特開平7−22706号公報に記載のものを挙げることができる。これは、プロジェクター等に使用される、三原色光源についての発明であり、それぞれの色に対応する波長の面発光レーザーを基板上に実装し、光源を提供するものである。
これは、発光型半導体レーザーアレイについての発明であり、アレイ光源の各素子の波長を変化させている例である。
第2例として、特開平8−307017号公報に記載のものを挙げることができる。これは、固体レーザーのアレイ化によって、高出力光源を得る発明である。
第3例として、特開平7−22706号公報に記載のものを挙げることができる。これは、プロジェクター等に使用される、三原色光源についての発明であり、それぞれの色に対応する波長の面発光レーザーを基板上に実装し、光源を提供するものである。
特許文献1に記載のような構成では、各レーザー光源が面発光型レーザーであるため、出力に対して限界があるだけでなく、バンドギャップにより限定される波長域のみの多波長化となり、波長域がかなり狭い光源となってしまうという問題があった。
特許文献2に記載の構成は、マイクロチップレーザー構成をアレイ化したものであるが、単一波長の光源であり、且つ、Ndを全面に添加した単一の単結晶を用い、サファイア板によって端面からのみ放熱を実施しているため、高出力化の際には放熱に限界があり、大きな出力を得ることが難しいという問題があった。
特許文献3に記載の構成では、三原色の波長を出力することは可能となっているが、一つの光源からの出力は半導体レーザーであるため、現状では出力に限界があり、実装する個数によってのみ出力増加の対応をするしかなく、光源構成が複雑になることや、発光点が多数存在し、光学系の設計が複雑なものになるなどの問題があった。
特許文献2に記載の構成は、マイクロチップレーザー構成をアレイ化したものであるが、単一波長の光源であり、且つ、Ndを全面に添加した単一の単結晶を用い、サファイア板によって端面からのみ放熱を実施しているため、高出力化の際には放熱に限界があり、大きな出力を得ることが難しいという問題があった。
特許文献3に記載の構成では、三原色の波長を出力することは可能となっているが、一つの光源からの出力は半導体レーザーであるため、現状では出力に限界があり、実装する個数によってのみ出力増加の対応をするしかなく、光源構成が複雑になることや、発光点が多数存在し、光学系の設計が複雑なものになるなどの問題があった。
本発明は、高出力化可能で広い波長領域をカバーし、小型で高効率な複数波長を同時出力可能で、発光点が同一装置内に存在し、且つ、近接したレーザー光源を有する固体レーザー装置の提供を、その主な目的とする
換言すれば、高輝度な光源である固体レーザーの高機能化であり、レーザー出力波長の多波長化とそれに伴う発光点ずれの解消を目的としている。また、高輝度化に伴う発熱の問題も解消し、安定な動作を行うことも目的としている。
換言すれば、高輝度な光源である固体レーザーの高機能化であり、レーザー出力波長の多波長化とそれに伴う発光点ずれの解消を目的としている。また、高輝度化に伴う発熱の問題も解消し、安定な動作を行うことも目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明では、半導体レーザーによりレーザー材料を端面励起し、光共振器によりレーザー出力を得る半導体レーザー励起固体レーザー装置において、前記レーザー材料は希土類が添加された領域と、希土類が添加されていない領域を持ち、同一透明基板上に前記レーザー材料が複数個配置され、それぞれのレーザー材料に対応した共振器を形成することで、複数波長を出力することを特徴とする。
その動作は、同一透明基板上に配置された、複数レーザー材料の希土類が添加された領域を半導体レーザーにより励起し、それぞれに波長特性の異なる共振器でレーザー発振が行われ、各共振器から異なった波長の光出力を取り出す動作を行う。
ここでは、特に、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作を得ることを目的としている。
また、同一透明基板上にレーザー材料を複数配置し、それぞれに応じた共振器を形成することにより複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した高機能な固体レーザー光源を実現することを目的としている。
その動作は、同一透明基板上に配置された、複数レーザー材料の希土類が添加された領域を半導体レーザーにより励起し、それぞれに波長特性の異なる共振器でレーザー発振が行われ、各共振器から異なった波長の光出力を取り出す動作を行う。
ここでは、特に、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作を得ることを目的としている。
また、同一透明基板上にレーザー材料を複数配置し、それぞれに応じた共振器を形成することにより複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した高機能な固体レーザー光源を実現することを目的としている。
請求項2に記載の発明では、半導体レーザーによりレーザー材料を端面励起し、光共振器によりレーザー出力を得る半導体レーザー励起固体レーザー装置において、前記レーザー材料は希土類が添加された領域と、希土類が添加されていない領域を持ち、同一透明基板上に前記レーザー材料を一つ配置し、複数の共振器を形成することで、複数波長を出力することを特徴とする。
その動作は、同一透明基板上に配置された、一つのレーザー材料の希土類が添加された領域を半導体レーザーにより励起し、それぞれに波長特性の異なる共振器でレーザー発振が行われ、各共振器から異なった波長の光出力を取り出す動作を行う。
ここでは、特に、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作を得ることを目的としている。
また、同一透明基板上にレーザー材料を一つ配置し、それぞれに応じた共振器を形成することにより複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した高機能な固体レーザー光源を実現することを目的としている。
その動作は、同一透明基板上に配置された、一つのレーザー材料の希土類が添加された領域を半導体レーザーにより励起し、それぞれに波長特性の異なる共振器でレーザー発振が行われ、各共振器から異なった波長の光出力を取り出す動作を行う。
ここでは、特に、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作を得ることを目的としている。
また、同一透明基板上にレーザー材料を一つ配置し、それぞれに応じた共振器を形成することにより複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した高機能な固体レーザー光源を実現することを目的としている。
請求項3に記載の発明では、請求項1又は2に記載の固体レーザー装置において、個々のレーザー出力光に対応して、前記共振器の外部に波長変換素子を配置することでレーザー光の波長変換光を得ることを特徴とする。
その動作は、基本的には請求項1又は2に記載の固体レーザー装置と同様であり、出力光波長が波長変換光となって出力される動作を行う。
ここでは、特に、請求項1、2に記載の個々のレーザー出力光に対して、共振器外部に波長変換素子を配置することにより、個々のレーザー出力の波長変換光を得て、固体レーザー装置の波長領域の拡大を可能にすることを目的としている。
その動作は、基本的には請求項1又は2に記載の固体レーザー装置と同様であり、出力光波長が波長変換光となって出力される動作を行う。
ここでは、特に、請求項1、2に記載の個々のレーザー出力光に対して、共振器外部に波長変換素子を配置することにより、個々のレーザー出力の波長変換光を得て、固体レーザー装置の波長領域の拡大を可能にすることを目的としている。
請求項4に記載の発明では、請求項3に記載の固体レーザー装置において、前記波長変換素子は、周期的に分極方向を反転させた擬似位相整合型の波長変換素子であることを特徴とする。
その動作は、請求項3に記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項3に記載の固体レーザー装置において、擬似位相整合型の素子を使用することによって、波長変換素子の個体差が無い素子を利用できるようにし、作製装置個体間の波長変換光の安定動作や出力安定性を向上することを目的としている。
その動作は、請求項3に記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項3に記載の固体レーザー装置において、擬似位相整合型の素子を使用することによって、波長変換素子の個体差が無い素子を利用できるようにし、作製装置個体間の波長変換光の安定動作や出力安定性を向上することを目的としている。
請求項5に記載の発明では、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、前記レーザー材料は単結晶で、且つ、希土類が添加されたコア部分とその周辺に希土類が添加されていない部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料を単結晶で希土類を添加したコア領域と無添加のクラッド領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料自体の単結晶品質を確保することで高効率な固体レーザーを実現し、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料を単結晶で希土類を添加したコア領域と無添加のクラッド領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料自体の単結晶品質を確保することで高効率な固体レーザーを実現し、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
請求項6に記載の発明では、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、前記レーザー材料は単結晶と多結晶の複合型材料で、且つ、希土類が添加されたコア単結晶部分とその周辺に希土類が添加されていない多結晶部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア単結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料作製工程の一部を、セラミックス作製手法などを利用することができるようにし、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア単結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料作製工程の一部を、セラミックス作製手法などを利用することができるようにし、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
請求項7に記載の発明では、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、前記レーザー材料は多結晶材料で、且つ、希土類が添加されたコア部分とその周辺に希土類が添加されていない部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア多結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料作製工程を全て、セラミックス作製手法などを利用することができるようにし、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
その動作は、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置と同様である。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア多結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域とし、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成し、これにより、レーザー材料作製工程を全て、セラミックス作製手法などを利用することができるようにし、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化を目的としている。
請求項8に記載の発明では、請求項1乃至7のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、出力光波長領域が赤色、緑色、青色の領域の複数光を出射することを特徴とする。
その動作は、請求項1乃至7の何れかに記載の固体レーザー装置と同様であるが、出力波長領域が赤色、緑色、青色領域の複数光を出射する動作を行う。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、出力波長領域を、赤色、緑色、青色の領域の複数光とすることで、固体レーザー装置の画像表示機器への応用を目的としている。
その動作は、請求項1乃至7の何れかに記載の固体レーザー装置と同様であるが、出力波長領域が赤色、緑色、青色領域の複数光を出射する動作を行う。
ここでは、特に、請求項1乃至4の何れかに記載の固体レーザー装置において、出力波長領域を、赤色、緑色、青色の領域の複数光とすることで、固体レーザー装置の画像表示機器への応用を目的としている。
請求項9に記載の発明では、請求項8に記載の固体レーザー装置において、赤色領域波長は673nm付近、緑色波長は531.5nm付近、青色波長は456nm付近であることを特徴とする。
その動作は、請求項8に記載の固体レーザー装置と同様であるが、出力波長領域が赤色領域波長は673nm付近、緑色波長は531.5nm付近、青色波長は456nm付近の波長である動作を行う。
ここでは、特に、請求項8に記載の固体レーザー装置で、赤色領域波長が673nm付近、緑色領域波長が531.5nm付近、青色領域波長は456nm付近とすることで、色の表現範囲を広げ、固体レーザー装置の色表現力が高い画像表示機器への応用を目的としている。
その動作は、請求項8に記載の固体レーザー装置と同様であるが、出力波長領域が赤色領域波長は673nm付近、緑色波長は531.5nm付近、青色波長は456nm付近の波長である動作を行う。
ここでは、特に、請求項8に記載の固体レーザー装置で、赤色領域波長が673nm付近、緑色領域波長が531.5nm付近、青色領域波長は456nm付近とすることで、色の表現範囲を広げ、固体レーザー装置の色表現力が高い画像表示機器への応用を目的としている。
請求項1に記載の発明によれば、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作が可能となる。
また、同一透明基板上にレーザー材料を複数配置し、それぞれに応じた共振器を形成することによって複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した、高機能な固体レーザー光源が実現可能となる。
また、同一透明基板上にレーザー材料を複数配置し、それぞれに応じた共振器を形成することによって複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した、高機能な固体レーザー光源が実現可能となる。
請求項2に記載の発明によれば、レーザー材料を希土類添加領域と無添加領域とを持つ材料とし、量子効率による希土類添加領域の発熱を透明基板と接触している端面方向だけでなく、希土類の無添加領域である横方向からも可能にすることで、放熱特性を改善し、安定な動作が可能となる。
また、同一透明基板上にレーザー材料を一つ配置し、それぞれに応じた共振器を形成することによって複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した、高機能な固体レーザー光源が実現可能となる。
また、同一透明基板上にレーザー材料を一つ配置し、それぞれに応じた共振器を形成することによって複数波長を出力可能とすることで、レーザー出力波長の多波長化と発光点が近接した、高機能な固体レーザー光源が実現可能となる。
請求項3に記載の発明によれば、請求項1又は2の個々のレーザー出力光に対して、共振器外部に波長変換素子を配置することにより、個々のレーザー出力の波長変換光を得ることが可能となり、固体レーザー装置の波長領域の拡大が可能となる。
請求項4に記載の発明によれば、請求項3に記載の固体レーザー装置において、擬似位相整合型の素子を使用することによって、波長変換素子の個体差が無い素子を利用でき、作製装置個体間の波長変換光の安定動作や出力安定性を向上することが可能となる。
請求項5に記載の発明によれば、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料を単結晶で希土類を添加したコア領域と無添加のクラッド領域としており、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成している。これにより、レーザー材料自体の単結晶品質を確保することで高効率な固体レーザーを実現でき、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化が可能となる。
請求項6に記載の発明によれば、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア単結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域としており、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成している。これにより、レーザー材料作製工程の一部に、セラミックス作製手法などを利用することができ、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化が可能となる。
請求項7に記載の発明によれば、請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、固体レーザー材料は希土類を添加したコア多結晶領域と無添加のクラッド多結晶領域としており、且つレーザー材料の端面でレーザー共振器を形成している。これにより、レーザー材料作製工程の全てにセラミックス作製手法などを利用することができ、容易化されることによる材料作製コストの低減と、共振器の単純化を図ることでの部品点数減少などの低コスト化が可能となる。
請求項8に記載の発明によれば、請求項1乃至7のうちの何れかに記載の固体レーザー装置の出力波長領域を、赤色、緑色、青色の領域の複数光とすることで、固体レーザー装置の画像表示機器への応用が可能となる。
請求項9に記載の発明によれば、請求項8に記載の固体レーザー装置で、赤色領域波長が673nm付近、緑色領域波長が531.5nm付近、青色領域波長は456nm付近とすることで、色の表現範囲が広がり、固体レーザー装置の色表現力が高い画像表示機器への応用が可能となる。
以下、本発明の第1の実施形態(請求項1、3、4、5、8、9に対応)を図1及び図2に基づいて説明する。
図1は、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示し、図2は、装置全体を示している。
固体レーザー装置1は、透明基板11と、レーザー材料12と、波長変換素子14、15と、半導体レーザーアレイ21と、励起用光学系25を有している。
透明基板11は9mm×5mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料12が接着されている。
レーザー材料12は、中心部分にNd(ネオジウム)を添加した領域(コア部分又はコア領域)13(1mm×1mm領域)を持つGdVO4単結晶で構成され、全体として3mm×3mm×1mmのサイズを有している。
図1は、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示し、図2は、装置全体を示している。
固体レーザー装置1は、透明基板11と、レーザー材料12と、波長変換素子14、15と、半導体レーザーアレイ21と、励起用光学系25を有している。
透明基板11は9mm×5mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料12が接着されている。
レーザー材料12は、中心部分にNd(ネオジウム)を添加した領域(コア部分又はコア領域)13(1mm×1mm領域)を持つGdVO4単結晶で構成され、全体として3mm×3mm×1mmのサイズを有している。
本実施形態では同一のレーザー材料12を2個配置している。レーザー材料12の端面には、共振器構成を得るべく、誘電体コーティングが施してある。すなわち、一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには1063nmに対して約5%の透過のコーティングを施してある。
もう一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティングを施してある。これにより、レーザー材料12の端面には共振器が構成される。
波長変換素子14、15は、分極反転構造を形成したMgO:LiNbO3結晶であり、2mm×2mm×10mmのサイズとしている。
分極反転構造の周期は、1063nm用素子で6.9μm、912nm用素子で4.2μmとしており、それぞれの波長に対する第2高調波を発生することができる素子としている。また、波長変換素子14、15の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。
もう一方のレーザー材料12の透明基板11との接着面12aには、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面12bには912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティングを施してある。これにより、レーザー材料12の端面には共振器が構成される。
波長変換素子14、15は、分極反転構造を形成したMgO:LiNbO3結晶であり、2mm×2mm×10mmのサイズとしている。
分極反転構造の周期は、1063nm用素子で6.9μm、912nm用素子で4.2μmとしており、それぞれの波長に対する第2高調波を発生することができる素子としている。また、波長変換素子14、15の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。
半導体レーザーアレイ(半導体レーザーアレイ素子)21は波長808nm、出力20Wの素子を使用しており、励起用光学系25は半導体レーザーアレイ21からの出力光を2つのスポットに集光できるように構成している。
半導体レーザーアレイ21はペルチェ素子22上に実装され、ペルチェ素子22は実装基板24に接触され、波長制御のための温度制御を実施している。また、図2に示すように、透明基板11は、レーザー材料12の接合面からペルチェ素子23で放熱され、ペルチェ素子23で構成される放熱板自体が波長変換素子14、15のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料12と波長変換素子14、15の温度制御を実施している。
半導体レーザーアレイ21はペルチェ素子22上に実装され、ペルチェ素子22は実装基板24に接触され、波長制御のための温度制御を実施している。また、図2に示すように、透明基板11は、レーザー材料12の接合面からペルチェ素子23で放熱され、ペルチェ素子23で構成される放熱板自体が波長変換素子14、15のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料12と波長変換素子14、15の温度制御を実施している。
次に、本実施形態おける固体レーザー装置1の動作を説明する。半導体レーザーアレイ21から出射されたレーザー光は、励起用光学系25で分岐されて2つのスポットに分けられ、2つのレーザー材料12のNdが添加された領域13を照射する。
その結果、レーザー材料12が励起され、前述の共振器構成によってそれぞれの波長(1063nm、912nm)のレーザーがそれぞれ発振し、レーザー材料12より出力される。
それぞれ出射されたレーザー光は、それぞれに対応した周期分極反転構造を作製した、MgO:LiNbO3結晶である波長変換素子14、15へ入射する。波長変換素子14、15では、レーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nmと456nmの第2高調波出力(16、17)が得られる。
その結果、レーザー材料12が励起され、前述の共振器構成によってそれぞれの波長(1063nm、912nm)のレーザーがそれぞれ発振し、レーザー材料12より出力される。
それぞれ出射されたレーザー光は、それぞれに対応した周期分極反転構造を作製した、MgO:LiNbO3結晶である波長変換素子14、15へ入射する。波長変換素子14、15では、レーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nmと456nmの第2高調波出力(16、17)が得られる。
本実施形態においては、Ndを添加している領域13(コア部分又はコア領域)と添加していない領域(クラッド領域)を持つレーザー材料12を透明基板11上に2個配置し、それぞれに共振器を構成することで(請求項1)、波長が異なるレーザーの発光点がより近接し、且つレーザー材料12の放熱も良好になることで安定したレーザー動作を実現できる。
また、レーザー出射光を波長変換素子14、15で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置1の波長域の拡大を実現できる。また、波長変換素子14、15に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー出射光を波長変換素子14、15で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置1の波長域の拡大を実現できる。また、波長変換素子14、15に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー材料12を単結晶構成とすることにより、レーザー材料12の品質を保つことができ、高効率な固体レーザーを実現できる。また、レーザー材料12の端面12a、12bで共振器を構成することにより(請求項5)、共振器の単純化を図ることができ、部品点数減少などの低コスト化を実現できる。
また、レーザー出力を緑色(531.5nm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。
但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
また、レーザー出力を緑色(531.5nm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。
但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
次に、図3及び図4に基づいて第2の実施形態(請求項2、3、4、6、8、9に対応)を説明する。
図3は、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示し、図4は、装置全体を示している。
固体レーザー装置2は、透明基板31と、レーザー材料32と、波長変換素子34、35、36と、半導体レーザーアレイ41と、励起用光学系45を有している。
透明基板31は、9mm×4mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料32が接着されている。レーザー材料32は、中心部分にNdを添加したGdVO4単結晶領域33(1mm×1mm領域)を3箇所(1.5mmピッチで配列)持ち、周辺をYAGセラミックス材料で構成され、5mm×2mm×0.5mmのサイズを有している。
図3は、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示し、図4は、装置全体を示している。
固体レーザー装置2は、透明基板31と、レーザー材料32と、波長変換素子34、35、36と、半導体レーザーアレイ41と、励起用光学系45を有している。
透明基板31は、9mm×4mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料32が接着されている。レーザー材料32は、中心部分にNdを添加したGdVO4単結晶領域33(1mm×1mm領域)を3箇所(1.5mmピッチで配列)持ち、周辺をYAGセラミックス材料で構成され、5mm×2mm×0.5mmのサイズを有している。
また、レーザー材料32の端面には、共振器構成を得るべく、誘電体コーティングが施してある。それぞれのNd添加領域に対応してコーティングが施してあり、内容は下記のとおりである。
(1)レーザー材料32の透明基板31との1箇所目の接着面32a−1には、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティング、その対向する面32b−1には1063nmに対して約5%の透過のコーティング
(2)レーザー材料32の透明基板31との2箇所目の接着面32a−2には、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面32b−2には912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(3)レーザー材料32の透明基板31との3箇所目の接着面32a−3には、1346nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面32b−3には、1346nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(1)レーザー材料32の透明基板31との1箇所目の接着面32a−1には、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティング、その対向する面32b−1には1063nmに対して約5%の透過のコーティング
(2)レーザー材料32の透明基板31との2箇所目の接着面32a−2には、912nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面32b−2には912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(3)レーザー材料32の透明基板31との3箇所目の接着面32a−3には、1346nmに対して高反射であり、1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面32b−3には、1346nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
これにより、レーザー材料32の端面には共振器が構成される。波長変換素子34、35、36は、分極反転構造を形成したMgO:LiNbO3結晶であり、1.5mm×1.5mm×10mmのサイズとしている。分極反転構造の周期は、1063nm用素子で6.9μm、912nm用素子で4.2μm、1346nm用素子で12.9μmとしており、それぞれの波長に対する第2高調波を発生することができる素子としている。
波長変換素子34、35、36の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。半導体レーザーアレイ41は波長808nm、出力20Wの素子を使用しており、励起用光学系45は半導体レーザーアレイ41からの出力光を3つのスポットに集光できるように構成している。
半導体レーザーアレイ41はペルチェ素子42上に実装され、ペルチェ素子42は実装基板44に接触されて波長制御のための温度制御を実施している。また、図4に示すように、透明基板31は、レーザー材料32の接合面からペルチェ素子43で放熱され、ペルチェ素子43で構成される放熱板自体が波長変換素子34、35、36のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料32と波長変換素子34、35、36の温度制御を実施している。
波長変換素子34、35、36の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。半導体レーザーアレイ41は波長808nm、出力20Wの素子を使用しており、励起用光学系45は半導体レーザーアレイ41からの出力光を3つのスポットに集光できるように構成している。
半導体レーザーアレイ41はペルチェ素子42上に実装され、ペルチェ素子42は実装基板44に接触されて波長制御のための温度制御を実施している。また、図4に示すように、透明基板31は、レーザー材料32の接合面からペルチェ素子43で放熱され、ペルチェ素子43で構成される放熱板自体が波長変換素子34、35、36のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料32と波長変換素子34、35、36の温度制御を実施している。
次に、本実施形態おける固体レーザー装置2の動作を説明する。半導体レーザーアレイ41から出射されたレーザー光は励起用光学系45で分岐されて3つのスポットに分けられ、レーザー材料32のNdが添加された単結晶領域を照射する。
その結果、レーザー材料32が励起され、図3に示すように、前述の共振器構成によってそれぞれの波長(1063nm、912nm、1346nm)のレーザーがそれぞれ発振し、レーザー材料32より出力される。それぞれ出射されたレーザー光は、それぞれに対応した周期分極反転構造を作製した、MgO:LiNbO3結晶である波長変換素子34、35、36へ入射する。波長変換素子34、35、36では、レーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nmと456nm、673nmの第2高調波出力(37、38、39)が得られる。
その結果、レーザー材料32が励起され、図3に示すように、前述の共振器構成によってそれぞれの波長(1063nm、912nm、1346nm)のレーザーがそれぞれ発振し、レーザー材料32より出力される。それぞれ出射されたレーザー光は、それぞれに対応した周期分極反転構造を作製した、MgO:LiNbO3結晶である波長変換素子34、35、36へ入射する。波長変換素子34、35、36では、レーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nmと456nm、673nmの第2高調波出力(37、38、39)が得られる。
本実施形態においては、Ndを添加している領域33(コア単結晶部分又はコア単結晶領域)と添加していない領域(クラッド多結晶領域)を持つレーザー材料32を1つ透明基板31上に配置し、それぞれに共振器を構成することで(請求項2)、波長が異なるレーザーの発光点がより近接し、且つレーザー材料32の放熱も良好になることで安定したレーザー動作を実現できる。
また、レーザー出射光を波長変換素子34、35、36で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置2の波長域の拡大を実現できる。
また、波長変換素子34、35、36に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー材料32をNdが添加された単結晶領域と無添加の多結晶(セラミックス)領域で構成することにより、複合型のレーザー材料32に安定なセラミックス育成手法を一部利用でき、安定に供給できることで固体レーザー装置2の安定供給が可能になる。
また、レーザー材料32の端面で共振器を構成することにより(請求項6)、共振器の単純化を図ることができ、部品点数減少などの低コスト化を実現できる。
また、レーザー出力を緑色(531.5mm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
また、レーザー出射光を波長変換素子34、35、36で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置2の波長域の拡大を実現できる。
また、波長変換素子34、35、36に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー材料32をNdが添加された単結晶領域と無添加の多結晶(セラミックス)領域で構成することにより、複合型のレーザー材料32に安定なセラミックス育成手法を一部利用でき、安定に供給できることで固体レーザー装置2の安定供給が可能になる。
また、レーザー材料32の端面で共振器を構成することにより(請求項6)、共振器の単純化を図ることができ、部品点数減少などの低コスト化を実現できる。
また、レーザー出力を緑色(531.5mm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
次に、図5及び図4に基づいて第3の実施形態(請求項2、3、4、7、8、9に対応)を説明する。
図5に、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示す。装置全体図は図4と同様であるので図4を参照する。
固体レーザー装置3は、透明基板51と、レーザー材料52と、波長変換素子54、55、56と、半導体レーザーアレイ41と、励起用光学系45を有している。
透明基板51は、9mm×4mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料52が接着されている。レーザー材料52はセラミックスであり、中心部分にNdを添加したGdVO4領域53(1mm×1mm領域)を3箇所(1.5mmピッチで配列)持ち、周辺をYAGセラミックス材料で構成され、5mm×2mm×0.5mmのサイズを有している。
図5に、本実施形態における固体レーザー装置の基本構成(要部)を示す。装置全体図は図4と同様であるので図4を参照する。
固体レーザー装置3は、透明基板51と、レーザー材料52と、波長変換素子54、55、56と、半導体レーザーアレイ41と、励起用光学系45を有している。
透明基板51は、9mm×4mm×1mmのサファイア板を用いており、その表面にレーザー材料52が接着されている。レーザー材料52はセラミックスであり、中心部分にNdを添加したGdVO4領域53(1mm×1mm領域)を3箇所(1.5mmピッチで配列)持ち、周辺をYAGセラミックス材料で構成され、5mm×2mm×0.5mmのサイズを有している。
レーザー材料52の端面には、共振器構成を得るべく、誘電体コーティングが施してあり、それぞれのNd添加領域に対応して、コーティングが施してある。内容は下記の通りである。
(4)レーザー材料52の透明基板51との1箇所目の接着面には、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティング、その対向する面には1063nmに対して約5%の透過のコーティング
(5)レーザー材料52の透明基板51との2箇所目の接着面には、912nmに対して高反射であり1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面には912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(6)レーザー材料52の透明基板51との3箇所目の接着面には、1346nmに対して高反射であり1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面には1346nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(4)レーザー材料52の透明基板51との1箇所目の接着面には、1063nmに対して高反射であり、808nmに対して高透過のコーティング、その対向する面には1063nmに対して約5%の透過のコーティング
(5)レーザー材料52の透明基板51との2箇所目の接着面には、912nmに対して高反射であり1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面には912nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
(6)レーザー材料52の透明基板51との3箇所目の接着面には、1346nmに対して高反射であり1063nmと808nmに対して高透過のコーティングを、その対向する面には1346nmに対して約5%の透過、且つ1063nmに対して高透過のコーティング
これにより、レーザー材料52の端面には共振器が構成される。波長変換素子は分極反転構造を形成したMgO:LiNbO3結晶であり、1.5mm×1.5mm×10mmとしている。分極反転構造の周期は1063nm用素子で6.9μm、912nm用素子で4.2μm、1346nm用素子で12.9μmとしており、それぞれの波長に対する第2高調波を発生することができる素子としている。
また、波長変換素子54、55、56の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。
また、波長変換素子54、55、56の両端面にはそれぞれ波長変換前の波長と波長変換後の波長に対して高透過となるコーティングが施してある。
半導体レーザーアレイ41は波長808nm、出力20Wの素子を使用しており、励起用光学系45は半導体レーザーアレイ41からの出力光を3つのスポットに集光できるように構成している。半導体レーザーアレイ41はペルチェ素子42上に実装され、ペルチェ素子42は実装基板44に接触され、波長制御のための温度制御を実施している。
図4に示すように、透明基板51は、レーザー材料52の接合面からペルチェ素子43で放熱され、ペルチェ素子43で構成される放熱板自体が波長変換素子54、55、56のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料52と波長変換素子54、55、56の温度制御を実施している。
図4に示すように、透明基板51は、レーザー材料52の接合面からペルチェ素子43で放熱され、ペルチェ素子43で構成される放熱板自体が波長変換素子54、55、56のホルダーを兼ねている。これにより、レーザー材料52と波長変換素子54、55、56の温度制御を実施している。
次に、本実施形態についての動作を説明する。半導体レーザーアレイ41から出射されたレーザー光は励起用光学系45で分岐されて3つのスポットに分けられ、レーザー材料52のNdが添加された領域を照射する。その結果、レーザー材料52が励起され、前述の共振器構成によってそれぞれの波長(1063nm、912nm、1346nm)のレーザーがそれぞれ発振し、レーザー材料52より出力される。それぞれ出射されたレーザー光は、それぞれに対応した周期分極反転構造を作製した、MgO:LiNbO3結晶である波長変換素子54、55、56へ入射する。
波長変換素子54、55、56ではレーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nm、456nm、673nmの第2高調波出力(57、58、59)が得られる。
波長変換素子54、55、56ではレーザー光の第2高調波への変換が行われ、531.5nm、456nm、673nmの第2高調波出力(57、58、59)が得られる。
本実施形態においては、Ndを添加している領域53(コア多結晶領域)と添加していない領域(クラッド多結晶領域)を持つレーザー材料52を一つ透明基板51上に配置し、それぞれに共振器を構成することで(請求項2)、波長が異なるレーザーの発光点がより近接し、且つレーザー材料52の放熱も良好になることで安定したレーザー動作を実現できる。
また、レーザー出射光を波長変換素子54、55、56で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置3の波長域の拡大を実現できる。
また、波長変換素子54、55、56に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー出射光を波長変換素子54、55、56で波長変換することにより(請求項3)、固体レーザー装置3の波長域の拡大を実現できる。
また、波長変換素子54、55、56に擬似位相整合型素子を使用することにより(請求項4)、個体差の無い安定した波長変換光を実現することができる。
また、レーザー材料52を多結晶(セラミックス)構成とし、Ndが添加された領域と無添加の領域とすることにより、複合型のレーザー材料52が全て安定なセラミックス育成手法で作製可能となるため、安定に供給できることで装置の安定供給が可能となる。
また、レーザー材料52の端面で共振器を構成することにより(請求項7)、共振器の単純化を図ることができ、部品点数減少などの低コスト化を実現できる。
また、レーザー出力を緑色(531.5nm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。
但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
また、レーザー材料52の端面で共振器を構成することにより(請求項7)、共振器の単純化を図ることができ、部品点数減少などの低コスト化を実現できる。
また、レーザー出力を緑色(531.5nm)と青色(456nm)とすることにより(請求項8、9)、高品質な画像機器(レーザーディスプレイ装置など)への応用が可能になる。
但し、画像機器へ応用する場合には、赤色光は別途用意する必要がある。
上記各実施形態では特定の材料や構成を例示したが、これに限定される趣旨ではなく、上述した機能、特性が得られる範囲で適宜、他の材料や構成を採用することができる。
例えば、励起用半導体レーザーはレーザー結晶の吸収波長によって変更される。また、Nd添加の場合でも、880nm付近の半導体レーザーを用いても励起できる。
また、レーザー結晶に関しても、GdVO4を主に用いているが、YVO4やYAG、LSBなどの結晶でも良い。また、非線形光学結晶に関しても、他のバルク結晶(KTPやLBO)やLiTaO4などの分極反転構造デバイスなども使用できる。
例えば、励起用半導体レーザーはレーザー結晶の吸収波長によって変更される。また、Nd添加の場合でも、880nm付近の半導体レーザーを用いても励起できる。
また、レーザー結晶に関しても、GdVO4を主に用いているが、YVO4やYAG、LSBなどの結晶でも良い。また、非線形光学結晶に関しても、他のバルク結晶(KTPやLBO)やLiTaO4などの分極反転構造デバイスなども使用できる。
11、31、51 透明基板
12、32、52 レーザー材料
13 コア部分又はコア領域
14、15、34、35、36、54、55、56 波長変換素子
21、41 半導体レーザーとしての半導体レーザーアレイ
33 コア単結晶部分又はコア単結晶領域
53 コア多結晶領域
12、32、52 レーザー材料
13 コア部分又はコア領域
14、15、34、35、36、54、55、56 波長変換素子
21、41 半導体レーザーとしての半導体レーザーアレイ
33 コア単結晶部分又はコア単結晶領域
53 コア多結晶領域
Claims (9)
- 半導体レーザーによりレーザー材料を端面励起し、光共振器によりレーザー出力を得る半導体レーザー励起固体レーザー装置において、
前記レーザー材料は希土類が添加された領域と、希土類が添加されていない領域を持ち、同一透明基板上に前記レーザー材料が複数個配置され、それぞれのレーザー材料に対応した共振器を形成することで、複数波長を出力することを特徴とする固体レーザー装置。 - 半導体レーザーによりレーザー材料を端面励起し、光共振器によりレーザー出力を得る半導体レーザー励起固体レーザー装置において、
前記レーザー材料は希土類が添加された領域と、希土類が添加されていない領域を持ち、同一透明基板上に前記レーザー材料を一つ配置し、複数の共振器を形成することで、複数波長を出力することを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項1又は2に記載の固体レーザー装置において、
個々のレーザー出力光に対応して、前記共振器の外部に波長変換素子を配置することでレーザー光の波長変換光を得ることを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項3に記載の固体レーザー装置において、
前記波長変換素子は、周期的に分極方向を反転させた擬似位相整合型の波長変換素子であることを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、
前記レーザー材料は単結晶で、且つ、希土類が添加されたコア部分とその周辺に希土類が添加されていない部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、
前記レーザー材料は単結晶と多結晶の複合型材料で、且つ、希土類が添加されたコア単結晶部分とその周辺に希土類が添加されていない多結晶部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項1乃至4のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、
前記レーザー材料は多結晶材料で、且つ、希土類が添加されたコア部分とその周辺に希土類が添加されていない部分を配置した構成を有し、前記共振器は前記レーザー材料の端面によって形成されていることを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項1乃至7のうちの何れかに記載の固体レーザー装置において、
出力光波長領域が赤色、緑色、青色の領域の複数光を出射することを特徴とする固体レーザー装置。 - 請求項8に記載の固体レーザー装置において、
赤色領域波長は673nm付近、緑色波長は531.5nm付近、青色波長は456nm付近であることを特徴とする固体レーザー装置。
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JP (1) | JP2006253406A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006352009A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、表示装置およびプロジェクタ |
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2005
- 2005-03-10 JP JP2005067753A patent/JP2006253406A/ja active Pending
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JP2006352009A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、表示装置およびプロジェクタ |
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