JP2006245296A - 転写方法、転写物の製造方法、回路基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 転写不良を低減し、製品歩留まりを向上させることが可能な転写技術を提供する。
【解決手段】 １以上の被転写体１０が形成されている第１基材１上の転写対象領域１１の外周に撥液処理を施す工程と、転写対象領域１１に接着剤を充填し、接着層３を形成する工程と、接着層３を介して第１基材１と第２基材２とを接合する工程と、接着層３を硬化させる工程と、第１基材１と第２基材２とを離隔して、接着層３により第２基材２に接着された被転写体を第２基材２に転写する工程と、を備えた被転写体の転写方法により上記課題を解決する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、素子や回路などの被転写体を転写する技術に関し、さらにその転写技術を利用した転写物の製造方法、回路基板の製造方法、電気光学装置及び電子機器に関するものである。

近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や薄膜ダイオード（ＴＦＤ）等の薄膜素子を備えた電子デバイスの製造において、一旦、仮の基板上で形成した薄膜素子を他の基板に転写する技術が開発されている。このような技術によれば、例えば薄膜素子の形成過程に高温プロセスが要求される場合においても、最終的に移し変える転写先の基板には耐熱性が要求されないので最終製品に使用できる基板の選択の幅が広がり、製品の多様化・コストの削減が図れる。

例えば、特許文献１には、このような転写技術として、薄膜素子などの被転写体を転写元基板に剥離層を介して形成した後、この被転写体を接着層を介して転写先の基板（転写先基板）に貼り合わせ、剥離層界面で転写元基板を剥離することにより薄膜素子を転写先基板に転写する方法が開示されている。また、特許文献１に記載の転写方法では、接着剤の塗布領域を画定したり、或いは後の剥離・転写工程を容易にするための流路を形成するために、被転写体上にシール材により囲み枠を設けている。
特開２００４−３２７８３６号公報

しかしながら、囲み枠（シール材）の材質によっては、剥離層界面よりも囲み枠が形成された層の界面の方が密着力が弱くなる場合がある。このような場合、転写元基板と転写先基板の剥離時に囲み枠が形成された領域では被転写体を第１基材側に引き寄せる力が働くことになる。一方、接着層により接着された領域では被転写体は第２基材側に引き寄せられるので、接着層と囲み枠の境界で被転写体を上下逆方向に引っ張る力が働くことになり、被転写体の一部が破損し、転写不良が生じる虞があった。したがって、このように囲み枠が形成された領域では、転写が良好にいくか否かが不明確となる。さらに、製品コスト等の観点から囲み枠を形成する材料に制約を受ける場合がある。

よって、本発明は、このような囲み枠が形成された領域における転写の不確実性をなくし、転写不良を低減し、製品歩留まりを向上させることが可能な転写技術を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために本発明の被転写体の転写方法は、１以上の被転写体が形成されている第１基材上の転写対象領域の外周に撥液処理を施す工程と、上記転写対象領域に接着剤を充填し、接着層を形成する工程と、上記接着層を介して上記第１基材と第２基材とを接合する工程と、上記接着層を硬化させる工程と、上記第１基材と上記第２基材とを離隔して、上記接着層により上記第２基材に接着された被転写体を上記第２基材に転写する工程と、を備えている。

かかる構成によれば、転写対象領域の外周に撥液処理がなされているので、囲み枠を用いずに接着剤を所定の転写対象領域内に納めることが可能となる。したがって、囲み枠の密着性が弱いことにより、被転写体が第１基材側に引き寄せられることにより生じる転写不良を回避することが可能となり、転写歩留まりを向上させることが可能となる。また、囲み枠を用いていないので、不要部が転写される虞もない。したがって、従来の囲み枠が形成された領域における転写の不確実性を回避し、確実に転写される領域を確定することができる。しかも、囲み枠と同様に、接着剤の充填領域を画定することが可能である。

ここで、「被転写体」とは、薄膜トランジスタ、ダイオード、抵抗、インダクタ、キャパシタ、その他能動素子・受動素子を問わない単体の素子、一定の機能を奏するように素子が集積され配線された集積回路等の回路（チップ）、さらに複数の素子の組み合わせからなる回路の一部、集積回路等の回路を１以上組み合わせて一定の機能を奏するように構成された装置の全部又は一部を意味する。また、「被転写体」の構成や形状、大きさには限定はない。

また、「第１基材」は、被転写体が複数集積して形成される基材をいい、必ずしも平板であることを要しない。したがって、例えば球面であってもよく、また可撓性を有するフィルムのように一定の剛性を有しないものでもよい。

「第２基材」は、第１基材上で形成された被転写体を移し変える先の対象をいう。なお、必ずしも最終製品に用いられる基板であることは要しない。すなわち、転写は何回行われてもよい。また、必ずしも平板であることは要せず、例えば球面であってもよい。また可撓性を有するフィルムのように一定の剛性を有しないものでもよい。

「転写対象領域」は、転写される一以上の被転写体を含む領域であり、必ずしも第１基材上に形成された被転写体全部を含む必要はない。

「接着剤」は固化前に液状または半液状である公知の接着剤を種々に適用可能である。
上記接着層を形成する工程に先立ち、上記転写対象領域に親液処理を施す工程を含むことが好ましい。これによれば、接着層をより確実に転写対象領域に留めることが可能となる。

上記親液処理がプラズマ処理であることが好ましい。これによれば、接着層の選択的な親液処理が容易に可能となる。
また、親液処理の方法は、これに限らず、紫外線照射により行ってもよい。

上記撥液処理を施す工程が、上記転写対象領域の外周に撥液材料を配置する工程であることが好ましい。これによれば、転写対象領域の外周に撥液性を持たせることが可能となる。また、撥液材料を配置する工程は、撥液材料の皮膜を形成する工程であってもよく、撥液材料を用いてバンク（土台）を形成する工程であってもよい。なお、親液材料でバンクを形成した後、その後に撥液材料により皮膜を形成する工程であってもよい。バンクを形成することで、接着剤をより確実に転写対象領域内に納めることが可能となる。

上記撥液材料がアモルファスシリコンであることが好ましい。アモルファスシリコンは通常半導体材料として頻用される材料であり、例えば、被転写体が素子・回路等である場合にもデバイスに影響を与えることがないため好ましい。

なお、撥液材料としては、アモルファスシリコンに限定されるものではなく、例えば、フッ素系樹脂等の撥液性を有する樹脂を用いてもよい。

上記撥液処理を施す工程が、上記被転写体間を区画する流路が形成されるように上記転写対象領域の外周に撥液処理を施す工程であることが好ましい。これによれば、接着剤が充填される領域が画定されると同時に、後の転写工程を促進するための物理的作用を施す流路を形成することが可能となる。なお、撥液処理は、転写対象領域の外周を枠状に囲うものであってもよく、また、転写対象領域以外の領域全体に撥液処理が施されていてもよい。

上記転写する工程が、上記流路に物理的作用を施すことにより、上記第１基材を上記第２基材より離隔する工程を含むことが好ましい。これによれば、第１基材と第２基材との略全体に均等に離隔する力がいきわたり、被転写体の第１基材からの剥離が容易となる。また、剥離時に不均等な力を付与することにより生じる転写不良を回避することも可能となる。

上記物理的作用が、上記流路に流体を供給することにより及ぼされることが好ましい。流体であれば流路を満たして流路壁面に力を及ぼすことができる。なお、ここで「流体」は、気体（例：空気）であるか液体であるかを問わない。

第１基材は、剥離層を介して被転写体が形成されており、上記転写する工程は、さらに剥離層にエネルギーを付与することにより当該剥離層の密着性を弱める工程を含むことが好ましい。これによれば、エネルギー付与によって剥離層の結合力を弱め転写を容易にすることが可能となる。

ここで「剥離層」とは、エネルギーの付与によって基板と被転写体との結合力が弱まるような材料で形成されていればよく、例えばアモルファスシリコン、水素を含有するアモルファスシリコン、窒素を含有するアモルファスシリコン、水素含有合金、窒素含有合金、多層膜、セラミックス、金属、有機高分子材料等を利用可能である。また、「エネルギー」としては、例えば、光（レーザ光等）が考えられる。

光を照射するものとすれば、任意の領域へのエネルギー付与が行え、併せて正確な位置合わせが可能であるため、特に被転写体が微少な大きさである場合に有利である。ここでエネルギー源には限定はないが、例えばレーザ光を用いれば、コヒーレント光であるため効率的にエネルギーを付与でき、併せて正確な位置にエネルギーを付与することが可能である。

本発明の転写物の製造方法は、上記転写方法を使用して、上記被転写体を転写する工程を含むものである。これによれば、上記転写方法を使用するので、歩留まりよく転写物を製造することが可能となる。

本発明の回路基板の製造方法は、上記被転写体が薄膜素子であり、上記転写方法を使用して、当該薄膜素子を転写する工程を含むものである。これによれば、上記転写方法を使用するので、歩留まりよく回路基板を製造することが可能となる。

本発明は、上記回路基板の製造方法によって製造した回路基板を備えた電気光学装置及び電子機器を提供するものでもある。上述の回路基板の製造方法を利用するので信頼性の高い電気光学装置及び電子機器を提供し得る。

ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶素子、電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等が挙げられる。

「電子機器」とは、複数の素子または回路の組み合わせにより一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。回路基板を一枚または複数備えることが可能である。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。

次に、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図１乃至図７は、本実施形態に係る回路基板の製造方法の製造工程図である。これらの各図において（ａ）は斜視図を示し、（ｂ）はＡ−Ａ切断面における断面図を示す。

（転写元基板準備工程）
まず、 図１に示すように、基板１００上に剥離層１０１及び被転写層１０２を形成して転写元基板１（第１基材）を製造する。基板１００は、光が透過し得る透光性を有するものであることが好ましい。後の工程で基板１００を介して剥離層１０１に光を照射することができ、剥離層を光照射によって迅速かつ正確に剥離させることができるからである。光の透過率は１０％以上であることが好ましく、５０％以上であることがより好ましい。透過率が高い程光の減衰（ロス）が少なくなり、剥離層１０１を剥離するのにより小さな光量で済むからである。

基板１００は、信頼性の高い材料、特に、耐熱性に優れた材料で構成されていることが好ましい。被転写層１０２を形成する際に、その種類や形成方法によってはプロセス温度が高くなる（例えば３５０〜１０００℃程度）ことがある。しかし、基板１００が耐熱性に優れていれば、基板１００上に被転写層１０２を形成する際の温度条件等の成膜条件の設定の幅を広げることが可能となる。これにより転写元基板上に多数の素子や回路を製造する際、所望の高温処理が可能となり、信頼性が高く高性能の素子や回路を製造することができる。

従って、基板１００は、被転写層１０２の形成の際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、歪点がＴｍａｘ以上の材料で構成されているものが好ましい。具体的には、基板１００の構成材料は、歪点が３５０℃以上のものが好ましく、５００℃以上のものがより好ましい。このようなものとしては、例えば、石英ガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラスが挙げられる。

また、基板１００の厚さは、特に限定されないが、通常は、０．１〜５．０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜１．５ｍｍ程度であるのがより好ましい。基板１００の厚さがより厚ければより強度が上昇し、より薄ければ基板１００の透過率が低い場合に、光の減衰をより生じにくくなるからである。なお、基板１００の光の透過率が高い場合には、その厚さは、上記上限値を超えるものであってもよい。なお、光を均一に照射できるように、基板１００の厚さは、均一であるのが好ましい。

このように転写元基板１に用いられる基板１００は様々な制約を受けるが、転写元基板は最終製品となる転写先基板２（第２基材）とは異なり、繰り返し利用することが可能であるため、比較的高価な材料を用いても繰り返し使用することによって製造コストの上昇を少なくすることが可能である。

剥離層１０１は、照射される光を吸収し、その層内及び／または界面において剥離（以下、「層内剥離」、「界面剥離」と言う）を生じるような性質を有するものであり、好ましくは、光の照射により、剥離層１０１を構成する物質の原子間または分子間の結合力が消失または減少すること、すなわち、アブレーションが生じて層内剥離および／または界面剥離に至るものがよい。

光の照射により、剥離層１０１から気体が放出され、分離効果が発現される場合もある。すなわち、剥離層１０１に含有されていた成分が気体となって放出される場合と、剥離層１０１が光を吸収して一瞬気体になり、その蒸気が放出され、分離に寄与する場合とがある。このような剥離層１０１の組成としては、例えば、次の材料Ａ〜Ｆに記載されるものが挙げられる。

材料Ａ．アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）
このアモルファスシリコン中には、水素（Ｈ）が含有されていてもよい。この場合、Ｈの含有量は、２原子％以上程度であるのが好ましく、２〜２０原子％程度であるのがより好ましい。このように、水素（Ｈ）が所定量含有されていると、光の照射によって水素が放出され、剥離層１０１に内圧が発生し、それが上下の薄膜を剥離する力となる。アモルファスシリコン中の水素（Ｈ）の含有量は、成膜条件、例えばＣＶＤにおけるガス組成、ガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、投入パワー等の条件を適宜設定することにより調整することができる。アモルファスシリコンは光吸収性がよく、また、成膜も容易であり実用性が高い。したがって、剥離層をアモルファスシリコンで構成することによって、光照射により正確に剥離を生じる剥離層を安価に形成することができる。

材料Ｂ．酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チタンまたはチタン酸化合物、酸化ジルコニウムまたはジルコン酸化合物、酸化ランタンまたはランタン酸化化合物等の各種酸化物セラミックス、透電体（強誘電体）あるいは半導体
酸化ケイ素としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｏ₂が挙げられ、ケイ酸化合物としては、例えばＫ₂ＳｉＯ₃、Ｌｉ₂ＳｉＯ₃、ＣａＳｉＯ₃、ＺｒＳｉＯ₄、Ｎａ₂ＳｉＯ₃が挙げられる。

酸化チタンとしては、ＴｉＯ、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂が挙げられ、チタン酸化合物としては、例えば、ＢａＴｉＯ₄、ＢａＴｉＯ₃、Ｂａ₂Ｔｉ₉Ｏ₂₀、ＢａＴｉ₅Ｏ₁₁、ＣａＴｉＯ₃、ＳｒＴｉＯ₃、ＰｂＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、ＺｒＴｉＯ₂、ＳｎＴｉＯ₄、Ａｌ₂ＴｉＯ₅、ＦｅＴｉＯ₃が挙げられる。

酸化ジルコニウムとしては、ＺｒＯ₂が挙げられ、ジルコン酸化合物としては、例えばＢａＺｒＯ₃、ＺｒＳｉＯ₄、ＰｂＺｒＯ₃、ＭｇＺｒＯ₃、Ｋ₂ＺｒＯ₃が挙げられる。

また窒素を含有するシリコンで構成することは好ましい。剥離層に窒素含有シリコンを用いた場合、光の照射に伴い窒素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。

材料Ｃ．ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＰＬＬＺＴ、ＰＢＺＴ等のセラミックスあるいは誘電体（強誘電体）

材料Ｄ．窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物セラミックス

材料Ｅ．有機高分子材料
有機高分子材料としては、−ＣＨ−、−ＣＯ−（ケトン）、−ＣＯＮＨ−（アミド）、−ＮＨ−（イミド）、−ＣＯＯ−（エステル）、−Ｎ＝Ｎ−（アゾ）、−ＣＨ＝Ｎ−（シッフ）等の結合（光の照射によりこれらの結合が切断される）を有するもの、特に、これらの結合を多く有するものであればいかなるものでもよい。また、有機高分子材料は、構成式中に芳香族炭化水素（１または２以上のベンゼン環またはその縮合環）を有するものであってもよい。

このような有機高分子材料の具体例としては、ポリエチレン，ポリプロピレンのようなポリオレフィン，ポリイミド，ポリアミド，ポリエステル，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ），ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ），エポキシ樹脂等が挙げられる。

材料Ｆ．金属
金属としては、例えば、Ａｌ，Ｌｉ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｐｒ，Ｇｄ，Ｓｍまたはこれらのうちの少なくとも１種を含む合金が挙げられる。

その他、剥離層１０１を水素含有合金で構成することもできる。剥離層に水素含有合金を用いた場合、光の照射に伴い水素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。

また、剥離層１０１を窒素含有合金で構成することもできる。剥離層に窒素含有合金を用いた場合、光の照射に伴い窒素が放出され、これによって剥離層における剥離が促進されるからである。

さらに、剥離層１０１を多層膜からなるものとすることもできる。多層膜は、例えばアモルファスシリコン膜とその上に形成された金属膜とからなるものとすることができる。多層膜の材料として、上記したセラミックス，金属，有機高分子材料の少なくとも一種から構成することもできる。このように剥離層を多層膜または異種材料の組み合わせによる膜として構成すれば、アモルファスシリコンの場合と同様に、光の照射に伴う水素ガスや窒素ガスの放出によって、分離層における剥離が促進されるからである。

剥離層１０１の厚さは、剥離目的や剥離層の組成、層構成、形成方法等の諸条件により異なるが、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがさらに好ましい。剥離層１０１の膜厚がより大きい程より成膜の均一性を保て剥離にムラを生じにくくなる一方、膜厚がより薄い程剥離層１０１の良好な剥離性を確保するための光のパワー（光量）が小さくて済むとともに、後に剥離層１０１を除去する際にその作業にかかる時間がより少なくなるからである。なお、剥離層１０１の膜厚は、できるだけ均一であるのが好ましい。

剥離層１０１の形成方法は、特に限定されず、膜組成や膜厚等の諸条件に応じて適宜選択される。たとえば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェットコーティング法、粉末ジェット法等が挙げられ、これらのうちの２以上を組み合わせて形成することもできる。

例えば、剥離層１０１の組成がアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。

また、剥離層１０１をゾル−ゲル法によるセラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特に、スピンコートにより成膜するのが好ましい。

なお、図１には示されていないが、基板１００と剥離層１０１の性状に応じて、両者の密着性の向上等を目的とした中間層を基板１００と剥離層１０１の間に設けても良い。この中間層は、例えば製造時または使用時において被転写層を物理的または化学的に保護する保護層、絶縁層、被転写層へのまたは被転写層からの成分の移行（マイグレーション）を阻止するバリア層、反射層としての機能のうち少なくとも一つを発揮するものである。

この中間層の組成は、その目的に応じて適宜選択されえる。例えば非晶質シリコンで構成された剥離層と被転写層との間に形成される中間層の場合には、ＳｉＯ₂（酸化珪素）やＳｉＮ（窒化珪素）等が挙げられる。また、他の中間層の組成としては、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉまたはこれらを主成分とする合金のような金属が挙げられる。

中間層の厚みは、その形成目的に応じて適宜決定される。通常は、１０ｎｍ〜５μｍ程度であるのが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好ましい。中間層の膜厚がより大きい程より成膜の均一性を保て密着性にムラを生じにくくなる一方、膜厚がより薄い程剥離層にまで透過すべき光の減衰がより少なくなるからである。

中間層の形成方法としては、上記剥離層で説明した各種の方法が適用可能である。中間層は、一層で形成する他、同一または異なる組成を有する複数の材料を用いて二層以上形成することもできる。

剥離層１０１上に形成される被転写層１０２は、複数の被転写体１０を含んで形成される。各被転写体１０は、薄膜トランジスタその他の能動素子や受動素子、又はそれらの組み合わせからなる回路である。被転写体１０は、個々の素子であったり集積回路等の独立した機能を有するチップであったり、さらに両者の中間の独立した機能は奏しないが他の素子や回路と組み合わせることにより独立して機能する回路の部分であったりする。したがってその構造やサイズに限定はない。各被転写体１０は、同じ機能の素子又は回路を複数形成する場合の他、異なる機能の素子又は回路を複数形成したり、異なる種類の素子又は回路をそれぞれ複数個ずつ形成したりしてもよい。

いずれにせよ、被転写体１０は同一の基板上に形成されるものであるため、同様な製造プロセスで製造可能である。このような薄膜素子の例として、薄膜トランジスタの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、抵抗、キャパシタ、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。

なお、被転写層１０２の厚みには限定は無いが、あまりに薄いと集積回路等の基板として強度が少なすぎ、あまりに厚いと特殊な被転写体間分離処理をしない限り、被転写体１０を分離することが難しくなる。そのため例えば被転写層１０２は１〜３μｍ程度に形成する。

（撥液処理・親液処理工程）
次に、図２に示すように被転写層１０２の今回転写対象となる被転写体１０を含む転写対象領域１１の外周に撥液処理を施し、被転写体１０を含む転写対象領域に親液処理を施す。ここで、撥液処理は、隣接する被転写体１０同士の間に流路１７が形成されるように行う。図２中、符号１４は撥液処理が施された領域を示し、符号１５は親液処理が施された領域を示す。なお、ここでは基板１００上に形成された被転写体１０総てを一括して転写することとするが、一部のみを取り囲んで一部の被転写体１０のみを転写するようにしてもよい。

撥液処理は、例えば撥液材料としてアモルファスシリコンを用い、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤを含む）等により被転写層１０２上に成膜することにより行うことができる。その後、所望のパターンにエッチング等によりパターニングする。膜のパターニングは、エッチング等により行うことができる。なお、成膜方法はこれに限らず、例えば後述の液滴吐出装置と同様の装置を用いたインクジェット法によってもよい。

また、撥液材料も上記に限定されず、例えばフッ素系樹脂等の撥液性を有する樹脂を用いてもよい。さらに、撥液材料を厚く堆積させることでバンク（土台）を形成してもよい。これによれば、より接着剤を確実に所定領域に留めることが可能となる。なお、バンクは親液材料で形成してもよく、その場合には表面を撥液材料で処理することになる。撥液材料の膜厚は、転写元基板１上の被転写体１０と転写先基板２との接着を確実にするため、乾燥時の接着層３の膜厚よりも薄く形成することが好ましい。

また、親液処理は転写対象領域内を例えばＯ₂ガスを処理ガスとしてプラズマ処理することにより行うことができる。また、プラズマ処理に代えて、紫外線照射処理を行ってもよい。このように、転写対象領域にプラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、転写対象領域を粗面化し、親液性を高めることが可能である。

（充填工程）
次いで、図３に示すように、被転写体１０上に接着剤を個別に充填し、接着層３を形成する。このような接着層３の個別形成は、ディスペンス法や印刷法、インクジェット法を利用する。インクジェット法を実施するためには液滴吐出装置を利用する。液滴吐出装置の構造は、静電駆動タイプ、ピエゾ駆動タイプ、熱駆動タイプ等に分けられるが、その中でも静電駆動タイプ及びピエゾ駆動タイプの装置は、材料液に熱を加えず吐出させるため熱により接着剤の性質を変化させるおそれがないので好ましい。

このような接着層１２０を構成する接着剤としては、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。また、接着剤の組成は、特に限定されず、例えばエポキシ系、アクリレート系等のいかなるものであってもよい。

（重ね合わせ・接着層硬化工程）
次に、図４に示すように、接着層３が形成された転写元基板１の面に転写先基板２（第２基材）を重ね合わせる。転写先基板２としては、特に限定されないが、基板（板材）、特に透明基板が挙げられる。なお、このような基板は平板であっても、湾曲板であってもよい。また転写先基板２は、転写元基板１に比べ、耐熱性・耐食性等の特性が劣るものであってもよい。本発明では、転写元基板１側に被転写体１０を形成し、その後、被転写体１０を転写先基板２に転写するため、転写先基板２には、被転写体１０の形成時に要求されるような耐熱性等の特性が要求されないからである。

したがって、被転写体１０の形成の際の最高温度をＴｍａｘとしたとき、転写先基板２の構成材料として、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点がＴｍａｘ以下のものを用いることができる。例えば、転写先基板２は、ガラス転移点（Ｔｇ）または軟化点が好ましくは８００℃以下、より好ましくは５００℃以下、さらに好ましくは３２０℃以下の材料で構成することができる。

次いで、充填された接着層３を硬化させる。
接着剤の硬化方法は、使用する接着剤の種類に応じて、熱や光線（例：紫外線）を照射することにより行われる。

（照射工程）
接着層３が硬化したら、図５に示すように、転写元基板１側から剥離層１０１にレーザ光Ｌを照射して剥離層の密着性を弱める。剥離層１０１は、光が照射されると剥離（層内剥離および／または界面剥離）を生じる。層内剥離および／または界面剥離が生じる原理は、剥離層１０１の構成材料にアブレーションが生じること、また、剥離層１０１に含まれているガスの放出、さらには照射直後に生じる溶融、蒸散等の相変化によるものである。

ここで、アブレーションとは、照射光を吸収した固定材料（剥離層１０１の構成材料）が光化学的または熱的に励起され、その表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出することをいい、主に、剥離層１０１の構成材料の全部または一部が溶融、蒸散（気化）等の相変化を生じる現象として現れる。また、上記相変化によって微小な発泡状態となり、結合力が低下することもある。

剥離層１０１が層内剥離を生じるか、界面剥離を生じるか、またはその両方であるかは、剥離層１０１の組成や、その他種々の要因に左右され、その要因の１つとして、照射される光の種類、波長、強度、到達深さ等の条件が挙げられる。

照射する光Ｌとしては、剥離層１０１に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。

そのなかでも、剥離層１０１の剥離（アブレーション）を生じさせ易く、かつ高精度の局部照射が可能である点で、レーザ光が好ましい。レーザ光はコヒーレント光であり、基板１００を介して剥離層に高出力パルス光を照射して高精度で所望部分に剥離を生じさせるのに好適である。したがって、レーザ光の使用によって、容易にかつ確実に被転写体１０を剥離させることができる。

このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ₂レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられる。

このレーザ光としては、波長１００ｎｍ〜３５０ｎｍを有するレーザ光が好ましい。このように短波長レーザ光を用いることにより、光照射精度が高められるとともに、剥離層１０１における剥離を効果的に行うことができる。

上述の条件を満たすレーザ光としては、例えばエキシマレーザを挙げることができる。エキシマレーザは、短波長紫外域の高エネルギーのレーザ光出力が可能なガスレーザであり、レーザ媒質として希ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅなど）とハロゲンガス（Ｆ₂，ＨＣｌなど）とを組み合わせたものを用いることにより、代表的な４種類の波長のレーザ光を出力することができる（ＸｅＦ＝３５１ｎｍ，ＸｅＣｌ＝３０８ｎｍ，ＫｒＦ＝２４８ｎｍ，ＡｒＦ＝１９３ｎｍ）。エキシマレーザは、短波長域で高エネルギーを出力するため、極めて短時間で剥離層１０１にアブレーションを生じさせることができ、よって基板１００に温度上昇をほとんど生じさせることなく、被転写体１０等に劣化、損傷を生じさせることなく、剥離層１０１を剥離することができる。

あるいは、剥離層１０１に、例えばガス放出、気化、昇華等の相変化を起こさせて分離特性を与える場合、照射されるレーザ光の波長は、３５０から１２００ｎｍ程度が好ましい。

このような波長のレーザ光は、ＹＡＧ、ガスレーザなどの一般加工分野で広く使用されるレーザ光源や照射装置を用いることができ、光照射を安価にかつ簡単に行うことができる。また、このような可視光領域の波長のレーザ光を用いることによって、基板１００が可視光透光性であればよく、基板の選択の自由度を広げることができる。

また、照射されるレーザ光のエネルギー密度、特に、エキシマレーザの場合のエネルギー密度は、１０〜５０００ｍＪ／ｃｍ²程度とするのが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ²程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、１〜１０００ｎｓｅｃ程度とするのが好ましく、１０〜１００ｎｓｅｃ程度とするのがより好ましい。エネルギー密度がより高くまたは照射時間がより長い程アブレーション等が生じ易く、一方で、エネルギー密度がより低くまたは照射時間がより短い程剥離層１０１を透過した照射光により被転写体１０等に悪影響を及ぼすおそれを低減できるからである。

なお、剥離層１０１を透過した照射光が被転写体１０にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、剥離層１０１上にタンタル（Ｔａ）等の金属膜を形成する方法がある。これにより、剥離層１０１を透過したレーザ光は、金属膜の界面で完全に反射され、それよりの上の被転写体１０に悪影響を与えない。

レーザ光に代表される照射光は、その強度が均一となるように照射されるのが好ましい。照射光の照射方向は、剥離層１０１に対し垂直な方向に限らず、剥離層１０１に対し所定角度傾斜した方向であってもよい。

また、剥離層１０１の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、剥離層１０１の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。

（転写工程）
次いで、図６に示すように、流体として空気流Ｗ１〜Ｗ４を流路１７に目がけて供給する。上記したように、転写元基板１と転写先基板２との間であって囲み枠１３の外側には、空気が流通しうる空間が形成され流路１７となっている。このため、四方から流入した空気流により流路１７内部は高圧状態となり、図６（ｂ）の白抜き矢印の方向に応力が作用する。剥離層１０１にはレーザ光が照射されその密着性が喪失しているので、空気流によって生ずる応力によって基板１００と転写先基板２とが容易に分離する（図７参照）。ここで被転写体１０は接着層３によって転写先基板２に接着されているため転写先基板２とともに剥離される。

一方、被転写体１０以外の被転写層１０２の部分は、被転写体１０と分離し、基板１００側に残る可能性がある。このような部分が基板１００側に残るか、破壊されてしまうかは、両者間の密着度に依る。図７は、これらの部分が基板１００側に残ったまま転写先基板２が分離された場合を示している。

なお、剥離後、転写された被転写層１０２底面または転写した基板１００表面には剥離層１０１の剥離残分が付着している場合がある。この残渣を完全に取り除くための方法としては、例えば洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法、またはこれらを組み合わせた方法の中から適宜選択して採用することができる。

総ての被転写体１０が剥離された後に、基板１００は再利用（リサイクル）に供することができる。基板１００を再利用することにより、製造コストの無駄を省くことができる。これは石英ガラスのような高価な材料、希少な材料からなる基板１００を用いる場合に特に有効となる。

ここで、従来の転写方法に対する本発明のメリットについてより具体的に説明する。
従来の転写方法においては、図１１に示すように被転写体１０上に囲み枠１３（シール材）が形成されており、囲み枠１３の密着力が剥離層１０１の密着力よりも弱い場合には、囲み枠１３で剥離が生じることになる。すなわち、破線Ｂ−Ｂに沿って上下に剥離する力が働くことになり、接着層３と囲み枠１３の境界部では被転写体１０を上下逆方向に引き寄せる力が働くため、被転写体の一部が破損し、転写不良が生じる場合があった。

しかしながら、本実施形態では、囲み枠１３を用いず、撥液処理を施すことにより接着層３を形成する領域を定め、流路を形成している。したがって、被転写体１０上に囲み枠１３が形成されていることにより生じる上記転写不良の問題を回避することができ、歩留まりよく転写物を製造することができる。また、囲み枠１３を用いていないので、不要部が転写される虞もない。したがって、従来の囲み枠１３が形成された領域における転写の不確実性を回避し、確実に転写される領域を確定することができる。しかも、囲み枠１３と同様に、接着剤の充填領域を画定することが可能である。

また、被転写体１０の周囲に流路１７が縦横に巡らされているので、転写工程において空気を通過させて被転写体の剥離を促進させることができ、被転写体の転写をより確実なものとすることができる。
なお、本実施形態では、転写元基板１側に撥液処理、親液処理を施し、接着層３を形成したが、これに限らず、転写先基板２側に形成してもよい。

次に、被転写体１０の一例を示す。
図８（ａ）は、本実施形態において用いられる被転写体１０の一例である薄膜トランジスタＴの断面図である。この薄膜トランジスタＴは、剥離層１０１に絶縁膜１０３を介して形成されており、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極１０６、層間絶縁膜１０５、及びアルミニウム等からなる電極１０７、チャネル領域１０８、及びポリシリコン層にｎ型不純物やｐ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン領域１０９を具備する。薄膜トランジスタＴはこのような構成に限定されることなく、シリコンベースのトランジスタやＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）などの種々の構造を適用し得る。

図８（ｂ）及び図９（ｃ）は、本実施形態において用いられる被転写体１０の一例として、集積回路である薄膜トランジスタで形成されたメモリ素子を示してある。

図８（ｃ）に示すように、当該集積回路２００は、メモリセルアレー２０１、アドレスバッファ２０２、行デコーダ２０３、ワードドライバ２０４、アドレスバッファ２０５、列デコーダ２０６、列選択スイッチ２０７、入出力回路２０８、及び制御回路２０９の各ブロックを備えている。各ブロックには、薄膜トランジスタを中心とする回路が形成されており、互いのブロック間には金属層をパターニングすることによる配線が形成されている。

図８（ｂ）は、図８（ｃ）のＢ―Ｂ断面における集積回路２００の断面図であり、ｐ型薄膜トランジスタＴｐとｎ型薄膜トランジスタＴｎとが形成されている付近を示している。当該断面図に示すように、基板１００上には剥離層１０１が形成され、剥離層１０１の上に被転写層１０２が形成されている。被転写層１０２には、下地となる絶縁膜１０３上に、図８（ａ）に示すような構造のｎ型薄膜トランジスタＴｎ及びｐ型薄膜トランジスタＴｐが形成され、各々のソースまたはドレインが電極１０７で相互に接続されている。保護層１１０は、被転写層１０２を保護するための膜である。

集積回路２００の回路構成は種々に考えられるが、このようなメモリ回路に関するものの他、例えば電気光学装置である表示装置用の画素駆動回路等にも適用が考えられる。このように、被転写体１０としては、個々の素子のみならず素子の組み合わせによって一定の機能を奏するように構成された集積回路も適用可能である。

＜電気光学装置＞
次に、上述した回路基板の製造方法によって製造される電気光学装置について説明する。

図９に、本実施の形態における電気光学装置５０の基板平面ブロック図を示す。当該電気光学装置５０は、転写先基板２上に、表示領域４０、走査線駆動回路２０、及びデータ線駆動回路３０を配置して構成されている。走査線駆動回路２０からは選択信号線Ｖｓｎが、データ線駆動回路３０からはデータ線Ｉｄａｔａｍが、それぞれ表示領域４０に配線されている。選択信号線Ｖｓｎとデータ線Ｉｄａｔａｍとは交差する位置に対応させて画素領域Ｐｍｎが設けられており、アクティブマトリクス基板を構成している。各画素領域Ｐｍｎは、例えば電界発光効果により発光可能なＥＬ素子と薄膜トランジスタ等で構成された周辺回路とが設けられている。選択信号線Ｖｓｎとデータ線Ｉｄａｔａｍとを制御することにより、各画素領域に対する電流プログラムが行われ、ＥＬ素子による発光が制御される。

ここで、この電気光学装置５０は、本発明の回路基板の製造方法により、転写元基板１で製造された被転写体である集積回路等が転写先基板２に転写されて形成されたものである。

本実施形態によれば、当該回路基板の製造方法を利用しているので、薄型の電気光学装置を歩留まりよく提供できる。

＜電子機器＞
次に、上述した回路基板の製造方法によって製造される電子機器、特にフレキシブル表示装置について説明する。

図１０は、本実施形態におけるフレキシブル表示装置１０００の構成を示す斜視図である。図１０において、フレキシブル表示装置１０００は、フレキシブル表示体１００１に、駆動回路１００３からの表示信号が信号線配線１００２を通じて供給されるように構成されている。フレキシブル表示体１００１は、拡大図に示すように、画素配線１００４の交差点に本発明に係る被転写体１０がそれぞれ転写されて構成されている。当該被転写体１０は、画素の表示素子（例えばＥＬ素子）を含む画素回路が形成されている。駆動回路１００３から表示信号を供給することにより、任意の画像Ｇが表示されるように構成されている。

上記構成において、フレキシブル表示体１００１は本発明の転写先基板に相当している。当該フレキシブル表示装置１０００の製造時には、予めフレキシブル表示体１００１上に画素配線１００４を形成しておいてから、個々の画素回路が形成されている被転写体１０を本発明の転写方法や回路基板の製造方法に基づいて転写していくことになる。

本実施形態によれば、当該本発明の転写方法や回路基板の製造方法を利用しているので、薄型の電子機器を歩留まりよく提供できる。

なお、上記実施の形態は、本発明の趣旨の範囲で種々に変形して適用することが可能である。

本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ（横方向）切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 本発明の回路基板の製造工程を示すものであり、（ａ）は概略斜視図、（ｂ）は（ａ）の横方向切断面における断面図である。 （ａ）は本実施形態に係る半導体装置の断面図、（ｂ）は本実施形態に係る集積回路の断面図、（ｃ）はその平面図である。 本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 変形例に係る電子機器の応用例である。 従来の転写方法を説明するための図である。

符号の説明

１・・・転写元基板、２・・・転写先基板、３・・・接着層、１０・・・被転写体、１１・・・転写対象領域、１３・・・囲み枠、１４・・・撥液領域、１５・・・親液領域、１７・・・流路、２０・・・走査線駆動回路、３０・・・データ線駆動回路、４０・・・表示領域、５０・・・電気光学装置、１００・・・基板、１０１・・・剥離層、１０２・・・被転写層、１０３・・・絶縁膜、１０４・・・ゲート絶縁膜、１０５・・・層間絶縁膜、１０６・・・ゲート電極、１０７・・・電極、１０８・・・チャネル領域、１０９・・・ドレイン領域、１１０・・・保護層、１２０・・・接着層、２００・・・集積回路、２０１・・・メモリセルアレー、２０２・・・アドレスバッファ、２０３・・・行デコーダ、２０４・・・ワードドライバ、２０５・・・アドレスバッファ、２０６・・・列デコーダ、２０７・・・列選択スイッチ、２０８・・・入出力回路、２０９・・・制御回路、１０００・・・フレキシブル表示装置、１００１・・・フレキシブル表示体、１００２・・・信号線配線、１００３・・・駆動回路、１００４・・・画素配線、Ｌ・・・光、Ｗ１〜Ｗ４・・・空気流

Claims (11)

1. １以上の被転写体が形成されている第１基材上の転写対象領域の外周に撥液処理を施す工程と、
   前記転写対象領域に接着剤を充填し、接着層を形成する工程と、
   前記接着層を介して前記第１基材と第２基材とを接合する工程と、
   前記接着層を硬化させる工程と、
   前記第１基材と前記第２基材とを離隔して、前記接着層により前記第２基材に接着された被転写体を前記第２基材に転写する工程と、
   を備えたことを特徴とする被転写体の転写方法。
2. 前記接着層を形成する工程に先立ち、前記転写対象領域に親液処理を施す工程を含む、請求項１に記載の転写方法。
3. 前記撥液処理を施す工程が、前記転写対象領域の外周に撥液材料を配置する工程である、請求項１又は請求項２に記載の転写方法。
4. 前記撥液材料がアモルファスシリコンである、請求項３に記載の転写方法。
5. 前記撥液処理を施す工程が、前記被転写体間を区画する流路が形成されるように前記転写対象領域の外周に撥液処理を施す工程である、請求項１乃至４のいずれかに記載の転写方法。
6. 前記転写する工程が、前記流路に物理的作用を施すことにより、前記第１基材を前記第２基材より離隔する工程を含む、請求項５に記載の転写方法。
7. 前記物理的作用が、前記流路に流体を供給することにより及ぼされる、請求項６に記載の転写方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の転写方法を使用して、前記被転写体を転写する工程を含むことを特徴とする転写物の製造方法。
9. 前記被転写体が薄膜素子であり、請求項１乃至７のいずれかに記載の転写方法を使用して、当該薄膜素子を転写する工程を含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
10. 請求項９に記載の製造方法により製造した回路基板を備えた電気光学装置。
11. 請求項９に記載の製造方法により製造した回路基板を備えた電子機器。