JP2006239873A - 画像形成装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 像形成される画像が所定の画素パターンを有しているかどうかを比較部625で判定し、所定の画素パターンを有していると判定すると、その画素パターンに含まれる制御対象画素のレーザ光を発生する際、半導体レーザを流れる電流を低減させるための光量補正信号S610をレーザ駆動回路に出力する。
【選択図】 図9
Description
画像信号に応じて半導体レーザより発光されるレーザ光に基づいて像を形成する像形成手段と、
前記半導体レーザに通電して駆動する駆動手段と、
前記像形成手段により像形成される画像が所定の画素パターンを有しているかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記所定の画素パターンを有していると判定されると、前記画素パターンに含まれる制御対象画素のレーザ光を発生する際に前記半導体レーザを流れる電流を変更するように前記駆動手段を制御する制御手段と、
とを有することを特徴とする。
画像信号に応じて半導体レーザより発光されるレーザ光に基づいて像を形成する画像形成装置の制御方法であって、
像形成対象の画像が所定の画素パターンを有しているかどうかを判定する判定工程と、
前記判定工程で前記所定の画素パターンを有していると判定すると、前記画素パターンに含まれる制御対象画素のレーザ光を発生する際に前記半導体レーザを流れる電流を変更する制御工程ととを有することを特徴とする。
図2は、本発明の実施の形態に係るレーザプリンタの概略断面図である。
半導体レーザ2の微分効率をη[mW/Ma]、閾値電流をIth[mA]とすると、アナログスイッチ9を短絡した時のレーザ光量Psは以下のようになる。尚、ここでは、半導体レーザ2が所定の光量のレーザ光を発光している時のレーザ駆動電流Iopsが閾値電流Ithより充分大きいとしている。
このようにアナログスイッチ9を閉じた状態でサンプリングを行い、後述する所定のタイミングでアナログスイッチ9を開く。アナログスイッチ9がオープンの状態では、抵抗8と抵抗7とは直列に接続された状態となるため抵抗7を電流が流れ、抵抗7,8の両端にサンプルコンデンサ6に印加されるのと同じ電圧Vrsが保持される。このときのレーザ駆動電流をIopo、抵抗7の抵抗値をRs2とすると、アナログスイッチ9を短絡した時のレーザ駆動電流Iopoとレーザ光量Poは以下の式で表される。
Po=η(Iopo−Ith)≒ηlopo=η(Vrs/(Rsl+Rs2))
∴ Ps/Po=(Rs2/Rsl)+1
以上から、抵抗7,8の設定値と、アナログスイッチ9の開閉制御によりホールド時のレーザ光量を可変できることがわかる。
前述の実施の形態1では、1画素単位でレーザ光量を調整したが、1画素内を更にn等分し、そのn等分した(1/n)画素単位でレーザ光量を調整してもよい。その場合の動作を本発明の実施の形態2として、図を参照して説明する。尚、この実施の形態2に係るレーザプリンタの構成は前述の実施の形態1と同様であるため、その説明を省略する。
Claims (13)
- 画像信号に応じて半導体レーザより発光されるレーザ光に基づいて像を形成する像形成手段と、
前記半導体レーザに通電して駆動する駆動手段と、
前記像形成手段により像形成される画像が所定の画素パターンを有しているかどうかを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記所定の画素パターンを有していると判定されると、前記画素パターンに含まれる制御対象画素のレーザ光を発生する際に前記半導体レーザを流れる電流を変更するように前記駆動手段を制御する制御手段と、
とを有することを特徴とする画像形成装置。 - 前記制御対象画素は、レーザ光がオフの画素の近傍に位置しているレーザ光がオンとなる画素であることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記所定の画素パターンは、複数の直線の交点を表すパターン或は、当該交点の一部を表すパターンを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。
- 前記判定手段は、前記画像に含まれるM×N画素パターンと前記所定の画素パターンとが一致するかどうかにより判定することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の画像形成装置。
- 前記制御手段は、前記半導体レーザを流れる電流が減少するように前記駆動手段を制御することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の画像形成装置。
- 前記制御手段は、一画素周期を分割した期間内で、前記半導体レーザを流れる電流を変更するように制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の画像形成装置。
- 画像信号に応じて半導体レーザより発光されるレーザ光に基づいて像を形成する画像形成装置の制御方法であって、
像形成対象の画像が所定の画素パターンを有しているかどうかを判定する判定工程と、
前記判定工程で前記所定の画素パターンを有していると判定すると、前記画素パターンに含まれる制御対象画素のレーザ光を発生する際に前記半導体レーザを流れる電流を変更する制御工程と、
とを有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。 - 前記制御対象画素は、レーザ光がオフの画素の近傍に位置しているレーザ光がオンとなる画素であることを特徴とする請求項7に記載の画像形成装置の制御方法。
- 前記所定の画素パターンは、複数の直線の交点を表すパターン或は、当該交点の一部を表すパターンを含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の画像形成装置の制御方法。
- 前記判定工程は、前記画像に含まれるM×N画素パターンと前記所定の画素パターンとが一致するかどうかにより判定することを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の画像形成装置の制御方法。
- 前記制御工程では、前記半導体レーザを流れる電流が減少するように制御することを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の画像形成装置の制御方法。
- 前記制御工程では、一画素周期を分割した期間内で、前記半導体レーザを流れる電流を変更するように制御することを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の画像形成装置の制御方法。
- 半導体レーザに流す電流を、入力される画像信号に応じてオン/オフするスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を流れる電流を定電流制御する定電流回路と、
制御信号に応じて前記スイッチング素子を流れる電流値を所定値に制限する電流制限回路と、
を有することを特徴とするレーザ駆動回路。
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