JP2006235612A5 - - Google Patents

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電極及び電界発光層を有する発光素子と、
ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトランジスタと、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、
前記発光素子の電極と、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方とを電気的に接続する配線とを有し、
前記電極は、前記配線と電気的に接続される領域の近傍に、前記配線と電気的に接続される領域に比較して幅が細い領域を有することを特徴とする表示装置。 A light emitting device having an electrode and an electroluminescent layer;
A transistor having an active layer including a source, a drain, and a channel formation region;
A power supply line electrically connected to one of a source or a drain of the transistor;
A wiring for electrically connecting the electrode of the light emitting element and the other of the source and the drain of the transistor;
The display device , wherein the electrode has a region having a narrower width in a vicinity of a region electrically connected to the wiring than a region electrically connected to the wiring . 請求項１において、前記電極の幅が細い領域の幅は３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the width of the region where the electrode is narrow is 3 μm or less. 請求項１または２において、前記電極の幅が細い領域は、当該電極において最も幅が細いことを特徴とする表示装置。   3. The display device according to claim 1, wherein the region where the width of the electrode is narrow is the narrowest in the electrode. 電極及び電界発光層を有する発光素子と、
ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトランジスタと、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、
前記発光素子の電極と、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方とを電気的に接続する配線とを有し、
前記配線は、前記電極と電気的に接続される第１の領域と、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方と電気的に接続される第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域の間に形成された第３の領域とを有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域及び前記第２の領域に比較して幅が細いことを特徴とする表示装置。 A light emitting device having an electrode and an electroluminescent layer;
A transistor having an active layer including a source, a drain, and a channel formation region;
A power supply line electrically connected to one of a source or a drain of the transistor;
A wiring for electrically connecting the electrode of the light emitting element and the other of the source and the drain of the transistor;
The wiring includes a first region electrically connected to the electrode, a second region electrically connected to the other of the source and the drain of the transistor, the first region, and the second region. A third region formed between the regions,
The display device, wherein the third region is narrower than the first region and the second region . 請求項４において、前記第３の領域の幅は３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 4, wherein the width of the third region is 3 μm or less. 電極及び電界発光層を有する発光素子と、
ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトランジスタと、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、
前記発光素子の電極と、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方とを電気的に接続する配線と、
ゲート配線とを有し、
前記活性層は、前記配線と重なる第１の領域と、前記ゲート配線と重なる第２の領域と、前記電源線と重なる第３の領域と、前記配線、前記ゲート配線、及び前記電源線に重ならない第４の領域とを有し、
前記第４の領域は、前記第１乃至第３の領域に比較して幅が細いことを特徴とする表示装置。 A light emitting device having an electrode and an electroluminescent layer;
A transistor having an active layer including a source, a drain, and a channel formation region;
A power supply line electrically connected to one of a source or a drain of the transistor;
A wiring for electrically connecting the electrode of the light emitting element and the other of the source and the drain of the transistor;
Gate wiring,
The active layer overlaps the first region overlapping the wiring , the second region overlapping the gate wiring , the third region overlapping the power supply line , the wiring, the gate wiring, and the power supply line. A fourth region that must not be,
The display device, wherein the fourth region is narrower than the first to third regions . 請求項６において、前記第４の領域の幅は３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。 The display device according to claim 6, wherein the width of the fourth region is 3 μm or less. 電極及び電界発光層を有する発光素子と、
ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を含む活性層を有するトランジスタと、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方に電気的に接続された電源線と、
前記発光素子の電極と、前記トランジスタのソースまたはドレインの他方とを電気的に接続する配線とを有し、
前記電源線は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される領域の近傍に、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される領域に比較して幅が細い領域を有することを特徴とする表示装置。 A light emitting device having an electrode and an electroluminescent layer;
A transistor having an active layer including a source, a drain, and a channel formation region;
A power supply line electrically connected to one of a source or a drain of the transistor;
A wiring for electrically connecting the electrode of the light emitting element and the other of the source and the drain of the transistor;
The power supply line has a narrower region in the vicinity of a region electrically connected to one of the source or drain of the transistor than a region electrically connected to one of the source or drain of the transistor. A display device comprising: 請求項８において、前記電源線の幅が細い領域の幅は３μｍ以下であることを特徴とする表示装置。   9. The display device according to claim 8, wherein a width of the region where the power supply line is narrow is 3 μm or less. 請求項８または９において、前記電源線の幅が細い領域は、当該電源線において最も幅が細いことを特徴とする表示装置。   10. The display device according to claim 8, wherein the power supply line has a narrowest width in the power supply line. 請求項１乃至１０のいずれか一において、前記トランジスタの活性層は、非晶質半導体膜または結晶性半導体膜であることを特徴とする表示装置。   11. The display device according to claim 1, wherein the active layer of the transistor is an amorphous semiconductor film or a crystalline semiconductor film. 請求項１乃至１１のいずれか一において、前記トランジスタはトップゲート型またはボトムゲート型であることを特徴とする表示装置。   12. The display device according to claim 1, wherein the transistor is a top gate type or a bottom gate type. 請求項１乃至１２のいずれか一に記載の表示装置は、エレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the display device is an electroluminescence display device. 請求項１乃至１３のいずれか一に記載の表示装置が組み込まれたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus in which the display device according to any one of claims 1 to 13 is incorporated. 請求項１４において、前記電子機器は、テレビジョン装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末、携帯電話機、電子書籍、画像再生装置のいずれか一であることを特徴とする電子機器。 According to claim 14, wherein the electronic device is a television device, a video camera, a digital camera, a navigation system, an audio reproducing device, a computer, a game machine, a portable information terminal, a mobile phone, an electronic book, one of the image reproducing apparatus- An electronic device characterized by being
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1822385B (en) 2005-01-31 2013-02-06 株式会社半导体能源研究所 Display device and electronic device comprising same
KR101293570B1 (en) 2007-03-21 2013-08-06 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor and organic light emitting device including thin film transistor
JP2011002502A (en) * 2009-06-16 2011-01-06 Hitachi Displays Ltd Display device
WO2012001740A1 (en) * 2010-06-30 2012-01-05 パナソニック株式会社 Organic electroluminescent display device
JP5967887B2 (en) * 2010-11-24 2016-08-10 キヤノン株式会社 Method for dimming organic EL display device and method for manufacturing organic EL display device
JP6056175B2 (en) * 2012-04-03 2017-01-11 セイコーエプソン株式会社 Electro-optical device and electronic apparatus
CN103926724B (en) 2013-06-24 2018-03-30 上海天马微电子有限公司 A kind of display device of TFT drivings
KR102457244B1 (en) * 2016-05-19 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 Display device
KR102568518B1 (en) * 2016-10-25 2023-08-18 엘지디스플레이 주식회사 Ultra High Density Flat Display Having High Aperture Ratio
KR20230096533A (en) 2021-12-23 2023-06-30 엘지디스플레이 주식회사 Electroluminescence Display Having Repair Structure

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0740101B2 (en) * 1985-04-23 1995-05-01 旭硝子株式会社 Thin film transistor
JPH0786616B2 (en) * 1989-03-28 1995-09-20 シャープ株式会社 Manufacturing method of active matrix display device
JPH06102536A (en) * 1992-09-22 1994-04-15 Hitachi Ltd Thin film transistor array
JP3525058B2 (en) * 1998-09-04 2004-05-10 シャープ株式会社 Liquid crystal display
JP4282219B2 (en) * 2000-11-28 2009-06-17 三洋電機株式会社 Pixel darkening method
JP3983625B2 (en) * 2001-07-17 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device
JP2003249353A (en) * 2002-02-26 2003-09-05 Sharp Corp Active matrix driven organic led display device and its manufacturing method
JP4508547B2 (en) * 2002-04-26 2010-07-21 三洋電機株式会社 EL panel dimming method and EL panel
KR20050094882A (en) * 2003-01-27 2005-09-28 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 Method for manufacturing organic el display
JP4849779B2 (en) * 2003-05-16 2012-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

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