JP2003249353A - Active matrix driven organic led display device and its manufacturing method - Google Patents

Active matrix driven organic led display device and its manufacturing method

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JP2003249353A
JP2003249353A JP2002050011A JP2002050011A JP2003249353A JP 2003249353 A JP2003249353 A JP 2003249353A JP 2002050011 A JP2002050011 A JP 2002050011A JP 2002050011 A JP2002050011 A JP 2002050011A JP 2003249353 A JP2003249353 A JP 2003249353A
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JP
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organic led
layer
display device
active matrix
led display
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JP2002050011A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshimasa Fujita
Takashi Ogura
隆 小倉
悦昌 藤田
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/28Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
    • H01L27/32Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part with components specially adapted for light emission, e.g. flat-panel displays using organic light-emitting diodes [OLED]
    • H01L27/3241Matrix-type displays
    • H01L27/3244Active matrix displays

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a counter electrode of a transparent material on an organic LED layer without giving sputtering damage thereto.
SOLUTION: This organic LED display device having a plurality of organic LED elements each consisting of a thin film transistor, a pixel electrode, at least an organic LED layer and the counter electrode laminated on a substrate comprises a polymer protecting layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, the counter electrode being deposited by DC magnetron sputtering.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】この発明は薄膜トランジスタを利用したアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置とその製造方法に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention is an active matrix driving organic LED display device using a thin film transistor and a manufacturing method thereof. 【0002】 【従来の技術】近年、高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイへのニーズが高まっている。 [0002] In recent years, due to the advanced information, there is a growing demand for flat panel display. この種のディスプレイとしては、非自発光型の液晶ディスプレイ(LCD)、自発光型のプラズマディスプレイ(PD As this type of display, the non-self-luminous liquid crystal display (LCD), a self-luminous plasma display (PD
P)、及び、無機エレクトロルミネセンスディスプレイ(無機EL)、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(有機EL)等が知られている。 P), and an inorganic electroluminescent display (inorganic EL), an organic electroluminescence display (organic EL) and the like are known. 特に、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの進歩は、著しい。 In particular, advances in organic electroluminescence display significant. 【0003】有機LEDディスプレイにおいては、単純マトリックス駆動をさせて動画表示を行う駆動方法が知られている(例えば、特開平2−37385号公報参照)。 [0003] In the organic LED display is known driving method is a simple matrix driving by a moving display (e.g., see JP Hei 2-37385). しかし、このような駆動方法では、線順次駆動を行うので、走査線数が数百本と多い場合には、必要とされる瞬間輝度が数十万〜数百万cd/m 2にも達するので、下記のような問題があった。 However, in such driving method, since the line-sequential driving, when the number of scanning lines hundreds and large, instantaneous luminance is required high as hundreds of thousands to millions cd / m 2 since, there has been a problem such as the following. (1)駆動電圧が高くなり、配線での電圧降下が大きくなる。 (1) the drive voltage increases, the voltage drop of the wiring is increased. (2)高輝度側の低発光効率の領域での駆動が強いられるため、消費電力が大きくなる。 (2) Since the driving in the region of the low luminous efficiency of the high-luminance side is strong, power consumption is increased. 【0004】そこで、この問題を解決するため、薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス駆動を行う有機LEDディスプレイが開発された(例えば、特開平7 [0004] In order to solve this problem, an organic LED display to perform active matrix driving using thin film transistors have been developed (e.g., JP-A-7
―122360号公報、特開平7―122361号公報、特開平7―153576号公報、特開平8―241 -122360, JP-A No. 7-122361, JP-A No. 7-153576, JP-A No. 8-241
047号公報、特開平8―227276号公報参照)。 047 JP, see Japanese Patent Laid-Open No. 8-227276). 【0005】このようなアクティブマトリクス駆動を行う有機LEDディスプレイは、単純マトリックス駆動に比べて、低電圧駆動が可能で、発光効率の高い領域での駆動ができるため、消費電力が大幅に低減できるなどの極めて優れた特徴がある。 [0005] Organic LED display to perform such an active matrix drive, compared with the simple matrix drive, can be driven at a low voltage, since it is driven at high emission efficiency region, such as power consumption can be greatly reduced there is a very good feature of. しかし、液晶ディスプレイに比べ、有機LEDディスプレイの場合は、駆動用薄膜トランジスタが2つ以上用いられるため、開口率が非常に悪くなる(例えば、特開平7−111341号公報参照)。 However, compared with a liquid crystal display, in the case of organic LED displays, since the driving thin film transistor is used two or more, the aperture ratio is very poor (e.g., see JP Hei 7-111341). 【0006】そこで、画素の開口率を向上する目的で、 [0006] Therefore, in order to improve the aperture ratio of the pixel,
薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して有機LED素子を配置し基板の逆側から発光を取り出す構造のものも提案されている(例えば、特開平10−162959号公報、特開平10−189252号公報、特開平10−2 A structure in which light is extracted through the opposite side of the substrate is disposed an organic LED element via an insulating film on the thin film transistor has been proposed (e.g., JP-A-10-162959, JP-A No. 10-189252, JP No. 10-2
94182号公報、特開2001−28123号公報、 94182, JP-2001-28123, JP-
特開2001−291595号公報参照)。 See JP 2001-291595). 【0007】ここで、有機LED素子を配置し基板の逆側から発光を取り出す場合(トップエミッション構造)、有機LED層上に成膜した対向電極として透明電極を用いる必要がある。 [0007] Here, when (top emission structure) in which light is extracted from the opposite side of the substrate is disposed an organic LED element, it is necessary to use a transparent electrode as the counter electrode was deposited on the organic LED layer. この場合、透明な対向電極の成膜方法としては、スパッタリング法とEB法がある。 In this case, as the method of forming the transparent counter electrode, there is a sputtering method and EB method. 【0008】 【発明が解決しようとする課題】しかし、EB法では、 [0008] The object of the invention is to be Solved However, in the EB method,
対向電極を成膜する際に生じる高速電子線、高エネルギー原子、紫外線、二次電子線等によって有機LED層(特に、有機発光層)がダメージを受け、素子の発光特性が劣化する。 High energy electron generated when forming the opposite electrode, high energy atoms, ultraviolet, organic LED layer (in particular, organic light-emitting layer) by the secondary electron beam or the like is damaged, the light emitting characteristics of the device deteriorate. 【0009】また、スパッタリング法においても、対向電極を成膜する際に生じる高速電子線、高エネルギー原子、紫外線等によって有機LED層(特に、有機発光層)がダメージを受け、素子の発光特性が劣化する。 [0009] Also in the sputtering method, high-speed electron beam occurring when forming the opposite electrode, high energy atoms, organic LED layer by UV rays (in particular, organic light-emitting layer) is damaged, the light-emitting characteristics of the device to degrade. 【0010】ここで、スパッタダメージを防止する方法として、次のようなものが知られている。 [0010] Here, as a method for preventing sputtering damage, it is known as follows. 有機LED層上に抵抗加熱蒸着法で金属、または、合金層を成膜して、その上にRFマグネトロンスパッタリング法、または、DCマグネトロンスパッタリング法でITO膜を成膜して、成膜時の有機LED層へのダメージを防止する方法(Appl. Phys. Lett. 68(1 Metal resistance heating evaporation method to the organic LED layer, or by forming an alloy layer, RF magnetron sputtering thereon, or by forming an ITO film by DC magnetron sputtering, organic during film formation method of preventing damage to the LED layer (Appl. Phys. Lett. 68 (1
9), pp2606,1996参照)。 9), see pp2606,1996). 抵抗加熱蒸着法で形成した電子注入電極層上に透明電極を成膜する方法(特開平10−162959号公報参照)、抵抗加熱蒸着法で形成した電子注入電極層上に透明電極を成膜する方法(特開平10−294182号公報参照)。 Method of forming a transparent electrode was formed by resistance heating deposition electron injection electrode layer (see Japanese Patent Laid-Open No. 10-162959), forming a transparent electrode on the electron injection electrode layer which is formed by resistance heating vapor deposition method method (see Japanese Patent Laid-Open No. 10-294182). DC DC
スパッタリング法により形成した金属電極層上にDCスパッタリング法で透明電極を成膜する方法(特表200 Method of forming a transparent electrode by DC sputtering on the metal electrode layer formed by sputtering (JP-T 200
0−517469号公報参照)。 See JP-A-0-517469). 抵抗加熱法により保護電極を成膜して、その保護電極上に誘導結合型スパッタリング法により対向電極を成膜する方法(特開平11− By forming the protective electrode by resistance heating method, a method of forming a counter electrode by inductively coupled sputtering on the protective electrode (JP-A-11-
162652号公報参照)。 See Japanese Unexamined Patent Publication No. 162652). 【0011】しかし、これらの方法では、スパッタによるダメージを完全に防止できておらず、発光効率も従来の素子構成(有機LED素子の発光を基板側から取り出す構成)に比べて劣っている。 [0011] However, in these methods, not possible to completely prevent damage caused by sputtering, luminous efficiency is inferior as compared with the conventional element structure (configuration to take out luminescence in an organic LED element from a substrate side). 特に、有機発光層上に直接スパッタリング法により電極を形成した場合には有機発光層にダメージを与え、発光効率が極端に低下する。 Particularly, in the case of forming the electrode by directly sputtering an organic light emitting layer may damage the organic light-emitting layer, the luminous efficiency is extremely lowered.
さらに、スパッタダメージを低減するために誘電体層、 Further, the dielectric layer in order to reduce sputtering damage,
または、金属薄膜層からなる保護層抵抗加熱法で有機層と透明電極層との間に成膜した場合、スパッタダメージを低減するために誘電体層、金属薄膜層が、ある程度の膜厚(0.5〜20nm)を必要とし、この保護層上に透明電極を成膜する場合、保護層による吸収、反射により光取り出しの効率が低下(発光効率が低下)するという問題がある。 Or, when deposited between the organic layer and the transparent electrode layer with a protective layer resistance heating method composed of a metal thin film layer, the dielectric layer in order to reduce sputtering damage, the metal thin film layer, some thickness (0 .5~20Nm) require, when forming the transparent electrode on the protective layer, the absorption by the protective layer, there is a problem that efficiency of light extraction is reduced (lowered luminous efficiency) by reflection. 【0012】また、金属薄膜層を保護層として用いる場合、透明電極の成膜時に必要である酸素導入により金属薄膜層の酸化が起こり、有機LED層への電流に注入効率が低下し、素子特性が悪化するという問題もある。 [0012] In the case of using a metal thin film layer as a protective layer, oxidation occurs in the metal thin film layer by oxygen introduced is required during the formation of the transparent electrode, the current injection efficiency to the organic LED layer decreases, device properties there is also a problem that worse. また、透明電極の成膜時に必要である酸素導入により有機層(特に、有機発光層)の酸化が起こり、有機LED層の発光効率が低下し、素子特性が悪化するという問題もある。 The organic layer by oxygen introduced is required during the formation of the transparent electrode (in particular, organic light-emitting layer) occurs oxidation of, reduces the luminous efficiency of the organic LED layer, there is a problem that device characteristics are deteriorated. また、特表2000−517469号公報には、 Further, JP-T-2000-517469 is
スパッタダメージに対して耐性をもつ有機層を用いる記載があるが、透明電極の成膜に関する記載、DCスパッタリングとRFスパッタリングとを区別する記載がない。 Is described using an organic layer having a resistance to sputtering damage but description of film formation of the transparent electrode, there is no description distinguish between DC sputtering and RF sputtering. 【0013】このように、公知の技術では、有機LED [0013] Thus, in the known techniques, organic LED
素子部を配置し基板の逆側から発光を取り出す際に、有機LED素子上に対向電極として透明電極を成膜した場合、素子特性の劣化が起こり、十分実用に適したものとは言えなかった。 When light is extracted through the opposite side of the substrate disposed element, when depositing the transparent electrode as a counter electrode on the organic LED element, occurs deterioration of the element characteristics were not said to be suitable for sufficiently practical . 【0014】そこで、この発明は、有機LED素子部を基板上に配置し基板の逆側から発光を取り出すように構成し、有機LED素子上に対向電極として透明電極を成膜する際に、有機LED層にダメージを与えることがなく、素子特性の劣化の無いアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置とその製造方法を提供するものである。 [0014] Therefore, the present invention is an organic LED element unit configured to extract light emission from the opposite side of the substrate disposed on the substrate, when forming a transparent electrode as a counter electrode on the organic LED element, an organic without damaging the LED layer is intended to provide an active matrix-driven no degradation of the device characteristics organic LED display device and a manufacturing method thereof. 【0015】 【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、鋭意研究を行った結果、スパッタリング法により有機LED層上に電極を形成しても、特に、酸素導入下でスパッタリングを行っても有機LED層(特に、有機発光層)にダメージを与えることがない高分子材料を見出し、それを高分子保護層として用いることで、それを解決するに至った。 [0015] In order to solve the above object, according to an aspect of, result of intense study, even when forming an electrode on the organic LED layer by sputtering, in particular, carried out sputtering in an oxygen introduction be organic LED layer (in particular, organic light-emitting layer) found a polymeric material is not damaged, the it by using as the polymer protective layer, leading to solve it. 【0016】つまり、この発明は、基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機LED層と、 [0016] That is, the present invention has, on a substrate, a thin film transistor, a pixel electrode, and at least an organic LED layer,
対向電極とを積層した複数の有機LED素子を有する有機LED表示装置において、対向電極と有機LED層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がDC In the organic LED display device having a plurality of organic LED element formed by laminating a counter electrode provided with a polymer protective layer formed between the counter electrode and the organic LED layer, counter electrode DC
マグネトロンスパッタリング法により成膜されていることを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LE Active matrix driving organic LE, characterized in that it is deposited by magnetron sputtering
D表示装置を提供するものである。 There is provided a D display device. 【0017】この発明において、光取り出しを基板と逆の方向から行うことにより、基板上の配線、TFT等による開口率の低下を防止できるため、高開口率となる。 [0017] In the present invention, by performing the light extraction from the direction of the substrate opposite, since the wiring on the substrate, a decrease in aperture ratio due TFT or the like can be prevented, a high aperture ratio.
また、有機発光層上に直接、スパッタリング法で電極を形成しない為、有機発光層の劣化を防止でき、発光効率の劣化を防止できる。 Also, directly on the organic light emitting layer, since that does not form an electrode by a sputtering method, can be prevented the deterioration of the organic light-emitting layer, it can be prevented the deterioration of the luminous efficiency. また、保護層として、誘電体層や金属層を用いる必要がないため、光取り出し効率に優れる。 Further, as the protective layer, it is not necessary to use a dielectric layer and a metal layer, excellent light extraction efficiency. 【0018】さらに、この発明は、スパッタに耐性のある高分子層を設け、DCスパッタリング法を用いるため、スパッタダメージのない発光特性の優れたアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置を提供することができる。 Furthermore, the present invention is a polymer layer which is resistant to sputtering provided, for using the DC sputtering method, it is possible to provide an excellent active matrix driving organic LED display device without the light emitting characteristics sputtering damage . 【0019】対向電極は、透明電極が好ましい。 The counter electrode is a transparent electrode is preferable. 透明電極は、インジウムと亜鉛とからなる酸化物、又は、インジウムと錫とからなる酸化物が好ましい。 Transparent electrode, an oxide composed of indium and zinc, or oxide of indium and tin are preferred. これにより、 As a result,
有機発光層からの発光を効果的に基板と逆側から取り出す事が可能となる。 That light is emitted from the organic light emitting layer effectively from the side opposite to the substrate side becomes possible. 透明電極は、膜厚が50〜500n Transparent electrode has a film thickness 50~500n
mが好ましい。 m is preferable. ここで、膜厚が、50nm以下であると、透明電極の導電性が十分でなく、駆動電圧の上昇の原因となる、また、膜厚が500nm以上であると、透明電極自身の透過率の低下が問題となり、光取り出し効率が、極端に低下してしまい、発光効率が悪化する。 Here, the film thickness is, if it is 50nm or less, is not sufficient conductivity of the transparent electrodes, causing increase in driving voltage, and when the film thickness is 500nm or more, the transmittance of the transparent electrode itself reduction becomes a problem, the light extraction efficiency, will be extremely reduced, emission efficiency is deteriorated. 【0020】高分子保護層は、ホール輸送性を持つホール輸送高分子保護層であってもよい。 The polymer protective layer may be a hole transporting polymer protective layer having a hole transporting property. ホール輸送高分子保護層は、ポリチオフェン誘導体、または、アニリン誘導体を含有することが好ましい。 Hole transporting polymer protective layer is a polythiophene derivative, or preferably contains aniline derivative. これにより、スパッタリング法で成膜した電極から効率よくホールを有機LE Thus, efficiently hole from the formed electrode by sputtering an organic LE
D層に注入することが可能となる。 It is possible to inject the D layer. 高分子保護層は、電子輸送性を持つ電子輸送高分子保護層であってもよい。 Polymer protective layer may be an electron-transporting polymer protective layer having an electron transporting property. 【0021】電子輸送高分子保護層は、アルカリ金属、 [0021] The electron-transporting polymer protective layer, an alkali metal,
アルカリ土類金属、希土類元素、アルカリ金属イオン、 Alkaline earth metals, rare earth elements, alkali metal ion,
アルカリ土類金属イオン、希土類元素イオン、又は、イオン性有機物を含有することが好ましい。 Alkaline earth metal ions, rare earth ions, or preferably contains an ionic organic substances. これにより、 As a result,
スパッタリング法で成膜した電極から効率よく電子を有機LED層に注入することが可能となる。 Efficiently electrons from the formed electrode by sputtering becomes possible to inject into the organic LED layer. 高分子保護層は、膜厚が5〜200nmが好ましい。 Polymer protective layer has a thickness 5~200nm is preferred. ここで、膜厚が5nm以下であると、スパッタダメージを完全に防止することが不可能であり、膜厚が200nm以上であると駆動電圧の上昇が問題となる。 Here, the film thickness is 5nm or less, it is impossible to completely prevent sputtering damage, increase in driving voltage and the thickness is 200nm or more becomes a problem. 絶縁物からなる電荷注入層をさらに備え、電荷注入層は、高分子保護層と対向電極間に設けられてなることが好ましい。 Further comprising a charge injection layer made of an insulating material, the charge injection layer is preferably formed provided between the polymer protective layer and the counter electrode. これにより、スパッタリング法で成膜した電極から効率よく電子を有機LED層に注入することが可能となる。 Thus, efficiently electrons from the formed electrode can be injected into the organic LED layer by sputtering. 電荷注入層は、 Charge injection layer,
膜厚が0.01〜10nmであってもよい。 The film thickness may be a 0.01~10nm. ここで、膜厚が0.01nm以下であると効果的に電子の注入を行う効果が現れず、10nm以上であると電子注入層の透過率の低下が問題となる。 Here, the film thickness does not appear the effect of performing effectively injection of electrons by mass or less 0.01 nm, decrease of the transmittance of the electron injection layer when is 10nm or more becomes a problem. 【0022】絶縁物は、アルカリフッ化物、アルカリ土類フッ化物、アルカリ酸化物、又はアルカリ土類酸化物であってもよい。 The insulator is an alkali fluoride, an alkaline earth fluoride, or an alkali oxide or alkaline earth oxides. これにより、更に、スパッタリング法で成膜した電極から効率よく電子を有機LED層に注入することが可能となる。 Thus, further efficiently electrons from an electrode was formed by sputtering becomes possible to inject into the organic LED layer. 画素電極は、反射率が90%以上の金属膜からなることが好ましい。 Pixel electrodes, it is preferable that the reflectance is 90% or more of the metal film. 画素電極は、A Pixel electrodes, A
l、Ag又は、Al−Li合金でもよい。 l, Ag or may be Al-Li alloys. 【0023】また、この発明は、有機LED層の上に高分子保護層を形成し、高分子保護層の上に、対向電極をDCマグネトロンスパッタリング法により成膜することを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LED Further, the present invention is on the organic LED layers to form a polymer protective layer, on the polymer protective layer, an active matrix drive, characterized by forming the counter electrode by a DC magnetron sputtering method type organic LED
表示装置の製造方法を提供するものである。 There is provided a method of manufacturing a display device. ここで、高分子保護層は転写法で成膜されてもよい。 Here, the polymer protective layer may be formed by transfer method. これにより、 As a result,
ウエットプロセスで高分子保護層を用いたときに問題になる可能性のある高分子保護層の溶媒が先に形成してある有機層を、溶解、または、汚染してしまう事による発光特性の劣化を防止することが可能となる。 The organic layer solvent of possible polymer protective layer be a problem when using the polymer protective layer by a wet process are formed first, dissolution, or degradation of light emission characteristics caused by the contaminate it is possible to prevent. 【0024】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明するが、この発明はこれらの実施の形態によって限定されるものではない。 [0024] PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the drawings will be described embodiments of the invention, the invention is not limited by these embodiments. この発明のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の第1の実施の形態は、図1に示すように、画素毎に、基板1上に、ゲート絶縁膜3と、層間絶縁膜4と、アクティブマトリックス駆動用薄膜トランジスタ回路2と、薄膜トランジスタ回路2および層間絶縁膜4の上に形成された平坦膜5と、平坦膜5の上に形成された画素電極6 First embodiment of an active matrix driving organic LED display device of the present invention, as shown in FIG. 1, for each pixel, on the substrate 1, a gate insulating film 3, an interlayer insulating film 4, an active matrix a driving thin film transistor circuit 2, a thin film transistor circuit 2 and a flat film 5 formed on the interlayer insulating film 4, a pixel electrode 6 formed on the flat film 5
と、画素電極6とトランジスタ回路2とを接続するコンタクトホール13と、画素電極6の上に形成された少なくとも1層の有機発光層を有する有機LED層7と、有機LED層7上に成膜された高分子保護層8と、高分子保護層8の上にDCスパッタにより成膜される対向電極10と、対向電極10の上に順次積層された封止膜17 When film forming the contact hole 13 for connecting the pixel electrode 6 and the transistor circuit 2, and the organic LED layer 7 having an organic light-emitting layer at least one layer formed on the pixel electrode 6, on the organic LED layer 7 the polymer protective layer 8, an opposing electrode 10 which is formed by DC sputtering on the polymer protective layer 8, a sealing film are sequentially stacked on the counter electrode 10 17
および偏光板18とを備え、基板1と逆側から発光を取り出すことが可能である。 And a polarizing plate 18, it is possible to extract light emission from the substrate 1 and the opposite side. ここでは、画素電極6と、有機LED層7と、高分子保護層8と、対向電極10とが、有機LED素子11を構成する。 Here, the pixel electrode 6, an organic LED layer 7, and the polymeric protective layer 8, and the counter electrode 10, the organic LED element 11. 【0025】この発明のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の第2の実施の形態は、図2に示すように、画素毎に、基板1上に、ゲート絶縁膜3と、層間絶縁膜4と、アクティブマトリックス駆動用薄膜トランジスタ回路2と、その上に形成された平坦膜5と、その上に形成された画素電極6と、画素電極6とトランジスタ回路とを接続するコンタクトホール13と、画素電極6の上に形成された少なくとも1層の有機発光層を有する有機LED層7と、有機LED層の上に成膜された高分子保護層8と、高分子保護層8の上に形成された電荷注入層9と、電荷注入層9の上にDCスパッタにより成膜された対向電極10と、その上に順次積層された封止膜17および偏光板18とを備え、基板1と逆側から発光を取り出すこ The second embodiment of an active matrix driving organic LED display device of the present invention, as shown in FIG. 2, for each pixel, on the substrate 1, a gate insulating film 3, an interlayer insulating film 4 , an active matrix driving thin film transistor circuit 2, a flat film 5 formed thereon, and pixel electrodes 6 formed thereon, a contact hole 13 for connecting the pixel electrode 6 and the transistor circuit, the pixel electrode 6 an organic LED layer 7 having an organic light-emitting layer at least one layer formed on a polymer protective layer 8 which is formed on the organic LED layer, formed on the polymer protective layer 8 charges an injection layer 9, a charge and a counter electrode 10 which is formed by DC sputtering on the injection layer 9, and a sealing film 17 and a polarizer 18 are sequentially laminated thereon, the light emitting from the substrate 1 and the opposite side this taking out a が可能である。 It is possible. ここでは、画素電極6と、有機LED層7と、高分子保護層8と、電荷注入層9と、対向電極10とが有機LED素子11を構成する。 Here, the pixel electrode 6, an organic LED layer 7, and the polymeric protective layer 8, and the charge injection layer 9, and the counter electrode 10 constitute an organic LED element 11. 【0026】図3と図4にこの発明のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の駆動回路の平面図と電気回路とをそれぞれ示す。 [0026] Figures 3 and 4 in a plan view and an electric circuit of a driving circuit of an active matrix driving organic LED display device of the present invention respectively. この例においては、1画素の有機LED素子11を駆動する薄膜トランジスタ回路2は、2つの薄膜トランジスタ(TFT)2a,2bと1つのコンデンサー21で構成されるが、4つのTFT In this example, a thin film transistor circuit 2 for driving an organic LED element 11 of one pixel, two thin film transistors (TFT) 2a, the 2b and consists of a single capacitor 21, four TFT
と2つのコンデンサーが組み合わされていてもよい。 When the two capacitors may be combined. 【0027】図3と図4に示す駆動回路では、共通電極線20を介して各薄膜トランジスタ回路2に駆動電圧が供給され、信号線19および走査線16に信号パルスを入力して、薄膜トランジスタ2a,2bを動作させることにより、単位画素中の有機LED素子11が発光または発光停止して、動画及び静止画の画像表示を行う。 [0027] In the driving circuit shown in FIG. 3 and FIG. 4, the common driving voltage electrode line 20 through the respective thin film transistor circuits 2 are supplied, by inputting a signal pulse to the signal lines 19 and scanning lines 16, a thin film transistor 2a, by operating the 2b, organic LED element 11 in the unit pixel emits light or emission stop, an image is displayed in the moving and still images. 【0028】以下、各部の構成及び形成方法について説明する。 [0028] Hereinafter, the configuration and the formation method of each part. 基板1としては、例えば、ガラス、石英等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等のプラスチィック、アルミナ基板等のセラミックス等の基板、もしくは、アルミニウム、鉄等の金属基板にSiO 2 、有機絶縁材料等の絶縁物をコートしてある基板、もしくは、アルミニウム等の金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板を用いることができる。 As the substrate 1, for example, glass, inorganic material such as quartz, polyethylene terephthalate, poly carbazole, such as polyimide Purasuchiikku, substrates such as ceramics of the alumina substrate or the like or,, SiO 2 aluminum, the metal substrate such as iron, an organic insulating substrate are coated with the insulating material or the like or may be a substrate subjected to insulation treatment of the surface of the metal substrate such as aluminum by a method such as anodic oxidation. 【0029】しかし、低温プロセスで形成したポリシリコンTFTを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、500℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板がよい。 [0029] However, in order to form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed by low temperature processes, 500 ° C. without melting at a temperature, and good substrate distortion does not occur. また、高温プロセスで形成したポリシリコンTFTを用いた薄膜トランジスタを形成するためには、1000℃以下の温度で融解せず、かつ、歪みが生じない基板がよい。 Further, in order to form a thin film transistor using a polysilicon TFT formed at high temperature process, 1000 ° C. without melting at a temperature, and good substrate distortion does not occur. 【0030】また、有機LED層7からの発光を基板1 Further, the substrate emission from the organic LED layer 7 1
と逆側から取り出す場合には、外光が前記TFTに入射し、前記TFTの特性に変化が生じるのを防ぐために、 And when taken out from the opposite side, in order to prevent the external light incident on the TFT, the change in characteristics of the TFT occurs,
基板1として、遮光性を兼ね備えた遮光性基板を用いることが好ましい。 As the substrate 1, it is preferable to use a light-shielding substrate that combines a light shielding property. 例えば、アルミナ等のセラミック基板、金属基板に絶縁物をコートした基板、金属基板の表面を酸化などの絶縁化処理を施した基板、ガラス、石英、プラスチック等の透明基板の表面に遮光性絶縁物をコートしてある基板等が挙げられる。 For example, a ceramic substrate such as alumina, the substrate coated with the metal substrate to an insulator substrate which has been subjected to insulating treatment such as oxidation of the surface of the metal substrate, a glass, quartz, light-shielding insulator on the surface of the transparent substrate such as a plastic board, and the like, which are coated with. 【0031】薄膜トランジスタ回路2に用いる薄膜トランジスタ2a,2bとしては、公知の薄膜トランジスタ(TFT)を用いることが可能であり、また、薄膜トランジスタの代わりにMIMダイオードを用いてもよい。 The thin film transistor 2a used in the thin film transistor circuit 2, the 2b, it is possible to use a known thin-film transistor (TFT), may also be used MIM diode instead of the thin film transistor. 【0032】また、薄膜トランジスタ2a,2bは、公知の材料、構造、及び、成膜方法を用いて形成することが可能である。 Further, the thin film transistors 2a, 2b are known materials, structures and can be formed using a film forming method. 例えば、薄膜トランジスタの活性層の材料としては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、または、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、 For example, as the material of the active layer of the thin film transistor, amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, inorganic semiconductor materials such as cadmium selenide, or a polythiophene derivative, Chi off ene oligomer,
ポリ(p−フェリレンビニレン)誘導体、ナフタセン等の有機半導体材料を使用することができる。 Poly (p- ferrimagnetic vinylene) derivative, an organic semiconductor material such as naphthacene can be used. また、薄膜トランジスタの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型を使用することができる。 As the structure of a thin film transistor, for example, it can be used staggered type, an inverted staggered top gate type, a coplanar type. 【0033】また、薄膜トランジスタ2a,2bの活性層の成膜方法としては、例えば、アモルファスシリコンをプラズマCVD法により積層し、イオンドーピングする方法や、SiH 4ガスを用いてLPCVD法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、または、Si 26ガスを用いてLPCVD法により、また、 Further, as a deposition method of a thin film transistor 2a, 2b active layer of, for example, amorphous silicon is deposited by a plasma CVD method, an amorphous silicon and a method of ion doping, by LPCVD using SiH 4 gas and, after obtaining the polysilicon amorphous silicon is crystallized by solid phase growth method, a method for ion doping by ion implantation, or by LPCVD method using Si 2 H 6 gas, also,
SiH 4ガスを用いてPECVD法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法(低温プロセス)、また、減圧CVD The amorphous silicon was formed by PECVD using SiH 4 gas, and annealed by laser such as an excimer laser, after obtaining the polysilicon amorphous silicon is crystallized, a method of ion doping by an ion doping method (low temperature process), In addition, a low-pressure CVD
法またはLPCVD法によりポリシリコンを積層し、1 Polysilicon laminated by law or LPCVD method, 1
000℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜を形成し、その上にn +ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、 Is thermally oxidized at 000 ° C. or higher to form a gate insulating film, a gate electrode of the n + polysilicon is formed thereon, then,
イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法(高温プロセス)や有機半導体材料をインクジェット等の方法により成膜する方法、有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が用いることができる。 It can how be formed by a method such as an inkjet method (high temperature process) and organic semiconductor material to ion doping by ion implantation, and a method to obtain a single crystal film of an organic semiconductor material is used. 【0034】また、ゲート絶縁膜3としては、従来の材料を用いることが可能であり、例えば、PECVD、L [0034] As the gate insulating film 3, it is possible to use conventional materials, for example, PECVD, L
PCVD法により形成されたSiO 2 、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるSiO 2を用いることができる。 SiO 2 is formed by a PCVD method, a polysilicon film may be SiO 2 obtained by thermal oxidation.
また、薄膜トランジスタを駆動する信号電極線、走査電極線、共通電極線には、従来の材料を使用することが可能であり、例えば、Ta、Al、Cu等を使用することができる。 Further, the signal electrode lines for driving the TFT, the scanning electrode lines, the common electrode line, it is possible to use the conventional materials, for example, it can be used Ta, Al, Cu or the like. 【0035】層間絶縁膜4としては、例えば、ポリイミド、SiO 2等を用いることができる。 [0035] As the interlayer insulating film 4, for example, polyimide, a SiO 2 or the like. また、これらの材料を、CVD、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエットプロセスにより形成することが可能であり、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行う事も可能である。 Further, these materials, CVD, a dry process such as vacuum deposition, it is possible to form a wet process such as spin coating, it is also possible to perform patterning by photolithography. 【0036】平坦化膜5は、基板1上の形成された薄膜トランジスタ回路2による凸凹による有機LED素子の欠陥(画素電極、有機LED層、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡等)等を防止するために設けられ、これには、例えば、SiO 2 、SiN(Si The flattening film 5, the defect of the organic LED element by unevenness due to the thin-film transistor circuit 2 formed on the substrate 1 (pixel electrode, an organic LED layer, disconnection of the opposing electrode, short-circuiting the pixel electrode and the counter electrode), etc. It provided to prevent, and include, for example, SiO 2, SiN (Si
34 )、TaO(Ta 25 )等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等を使用することができる。 3 N 4), it can be used TaO (Ta 2 O 5) inorganic materials such as polyimide, acrylic resins, organic materials of resist materials and the like. また、平坦膜5は、これらの材料を、CVD、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート等のウエットプロセスにより形成することが可能である。 Further, the flat film 5, these materials can be formed CVD, a dry process such as vacuum evaporation, wet process such as spin coating. 【0037】本発明における有機LED素子11は、前述のように、画素電極6、少なくとも1層の発光層を有する有機LED層7、高分子保護層8と対向電極7を備える。 The organic LED element 11 in the present invention comprises, as described above, the pixel electrode 6, the organic LED layer 7 having a light emitting layer at least one layer of a polymeric protective layer 8 and the counter electrode 7. 有機LED層7は、発光層の単層構造、あるいは、電荷輸送層と発光層の多層構造であっても良く、例えば下記の構成が挙げられる。 The organic LED layer 7 is a single-layer structure of the light-emitting layer, or may have a multilayer structure of the charge transporting layer and light emitting layer, for example, the following structures may be mentioned. 発光層正孔輸送層/発光層発光層/電子輸送層正孔輸送層/発光層/電子輸送層正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層正孔注入層/正孔輸送層/発光層/ホールブロキィング層/電子輸送層【0038】ここで、発光層は、1層であっても良いし、多層構造であっても良い。 Emitting layer hole transport layer / light-emitting layer emitting layer / electron transport layer hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blow Qiao ing layer / electron-transporting layer [0038] here, the light emitting layer may be a single layer or may be a multilayer structure. また、発光層に使用できる発光材料としては、低分子発光材料や高分子発光材を用いることができる。 As the luminescent material for use in the emitting layer, it is possible to use low molecular light emitting material or polymer light-emitting material. 【0039】低分子発光材料としては、例えば、4, Examples of the low-molecular light emitting material, for example, 4,
4'−ビス(2,2'−ジフェニルビニル)−ビフェニル(DPVBi)等の芳香族ジメチリデェン化合物、5 4'-bis (2,2'-diphenyl vinyl) - aromatic Jimechiriden compounds such as biphenyl (DPVBi), 5
−メチル−2−[2−[4−(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル]ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、3−(4−ビフェニルイル)−4−フェニル−5−t−ブチルフェニル−1, - methyl 2- [2- [4- (5-methyl-2-benzoxazolyl) phenyl] vinyl] oxadiazole compounds such as benzoxazole, 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5 -t- butylphenyl -1,
2,4−トリアゾール(TAZ)等のトリアゾ−ル誘導体、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、(8 2,4-triazole (TAZ) etc. triazole - Le derivatives, 1,4-bis (2-methyl styryl) styryl benzene compounds such as benzene, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives , fluorescent organic material, azomethine zinc complexes such as fluorenone derivatives, (8
−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム錯体(Al - hydroxyquinolinato) aluminum complex (Al
3 )等の蛍光性有機金属化合物等が挙げられる。 q 3) fluorescent organic metal compound such as and the like. 【0040】また、高分子発光材料としては、例えば、 [0040] In addition, as the polymer light-emitting material, for example,
ポリ(2−デシルオキシ−1,4−フェニレン)DO− Poly (2-decyloxy-1,4-phenylene) DO-
PPP、ポリ[2,5−ビス−[2−(N,N,N−トリエチルアンモニウム)エトキシ]−1,4−フェニル−アルト−1,4−フェニルレン]ジブロマイド(PP PPP, poly [2,5-bis - [2- (N, N, N- triethylammonium) ethoxy] -1,4-phenyl - Alto 1,4 phenyl alkylene] dibromide (PP
P−NEt 3 + )、ポリ[2−(2'−エチルヘキシルオキシ)−5−メトキシ−1,4−フェニレンビニレン] P-NEt 3 +), poly [2- (2'-ethylhexyl oxy) -5-methoxy-1,4-phenylene vinylene]
(MEH−PPV)、ポリ[5−メトキシ−(2−プロパノキシサルフォニド)−1,4−フェニレンビニレン](MPS−PPV)、ポリ[2,5−ビス−(ヘキシルオキシ)−1,4−フェニレン−(1−シアノビニレン)](CN−PPV)等のポリフェニレンビニレン誘導体、(ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)) (MEH-PPV), poly [5-methoxy - (2-propanoate carboxymethyl monkey sulfonyl de) -1,4-phenylene vinylene] (MPS-PPV), poly [2,5-bis - (hexyloxy) -1, 4-phenylene - (1-cyanovinylene)] (CN-PPV) polyphenylene vinylene derivatives such as (poly (9,9-dioctyl fluorene))
(PDAF)等のポリフルオレン誘導体、 等のポリスピロ誘導体等が挙げられる。 (PDAF) polyfluorene derivatives such as, polyspiro derivatives thereof and the like. 【0041】また、発光材料として高分子発光材料の前駆体(例えば、PPV前駆体、PNV前駆体。PPP前駆体等)等を用いてもよい。 Further, the precursor of the polymer light-emitting material as a luminescent material (for example, PPV precursor, PNV precursor .PPP precursor, etc.) or the like may be used. 【0042】また発光層は、前記発光材料のみから構成されてもよいし、これらに正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤(ドナー、アクセプター等)、または、発光性のドーパントを含有させてもよいし、これらが、高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されていてもよい。 Further light-emitting layer, the may be formed only from the light-emitting material, hole transporting material to, electron transport materials, additives (donor, acceptor, etc.), or, by incorporating a light-emitting dopant it may be, they are, in the polymeric material, or may be dispersed in an inorganic material. 【0043】ここで発光性のドーパントとしては、例えば、スチリル誘導体、ペリレン、イリジウム錯体、クマリン誘導体、ルモーゲンFレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、ポリフィリン誘導体等がある。 [0043] As here luminescent dopant, for example, styryl derivatives, perylene, iridium complexes, coumarin derivatives, Rumogen F Red, dicyanomethylenepyran, Fenokizazon, there are porphyrin derivatives. 【0044】電荷輸送層は、1層であっても良いし、多層構造であってもよい。 The charge transport layer may be a single layer, or a multilayer structure. また、電荷輸送層として使用できる電荷輸送材料としては、例えば、正孔輸送材料として、無機p型半導体材料、ポルフィリン化合物、N, As the charge-transporting material that can be used as the charge transport layer, for example, as a hole transport material, an inorganic p-type semiconductor material, a porphyrin compound, N,
N'‐ビス‐(3‐メチルフェニル)‐N,N'‐ビス‐(フェニル)‐ベンジジン(TPD)、N,N'‐ジ(ナフタレン‐1‐イル)‐N,N'‐ジフェニル‐ベンジジン(NPD)等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン(PANI)、 N'- bis - (3-methylphenyl) -N, N'- bis - (phenyl) - benzidine (TPD), N, N'- di (naphthalene-1-yl) -N, N'- diphenyl - benzidine (NPD) aromatic tertiary amine compounds such as, hydrazone compounds, quinacridone compounds, low molecular materials such styrylamine compound, polyaniline (PANI),
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDT/ 3,4-polyethylene dioxythiophene (PEDT /
PSS)、ポリ[トリフェニルアミン誘導体](Pol PSS), poly [triphenylamine derivatives] (Pol
y−TPD)、ポリビニルカルバゾール(PVCz)等の高分子材料、ポリ(p−フェニレンビニレン)前駆体(Pre−PPV)、ポリ(p−ナフタレンビニレン) y-TPD), polymeric materials such as polyvinyl carbazole (PVCz), poly (p- phenylene vinylene) precursor (Pre-PPV), poly (p- naphthalene vinylene)
前駆体(Pre−PNV)等の高分子材料前駆体等が挙げられる。 Polymeric material precursor such as precursor (Pre-PNV) and the like. 【0045】また、電子輸送材料として、無機n型半導体材料、オキサジアゾ−ル誘導体、トリアゾ−ル誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体などの低分子材料、ポリ[オキサジアゾール誘導体](Poly−OX Further, as the electron transport material, an inorganic n-type semiconductor material, oxadiazole - Le derivatives, triazole - Le derivative, thio pyrazine dioxide derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, small molecules such as fluorenone derivatives material, poly [oxadiazole derivatives] (poly-OX
Z)、ポリスチレン誘導体(PSS)等が挙げられる。 Z), polystyrene derivatives (PSS) and the like. 【0046】また電荷輸送層は、前記電荷輸送材料のみから構成されてもよいし、添加剤等を含有してもよく、 [0046] The charge transport layer may be composed of only the charge-transporting material may also contain additives such as,
また、前記電荷輸送材料が高分子材料中、もしくは、無機材料中に分散されていてもよい。 Further, the charge transport material is a polymeric material, or may be dispersed in an inorganic material. また、これらの発光材料、電荷輸送は、スピンコ−ティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法等のウエットプロセス、もしくは、真空蒸着法、レーザー転写法等のドライプロセスで形成することができる。 Further, these light-emitting materials, charge transport, a spin - coating, dipping, doctor blade method, a coating method and the like, an ink-jet method, a wet process of printing method such as a screen printing method or a vacuum deposition method, a laser it can be formed by a dry process of a transfer method. 【0047】高分子保護層8は、ガスを導入した際のスパッタに対して耐性を持つ(高分子保護層8上にDCマグネトロンスパッタ法で対向電極10を成膜する際に有機LED層7にダメージを与えない、もしくは、高分子保護層8自体が劣化しない)材料から構成されている。 The polymeric protective layer 8, the organic LED layer 7 when forming the counter electrode 10 by DC magnetron sputtering on a gas resistant to sputtering when introducing the (polymeric protective layer 8 no damage, or polymer protective layer 8 itself is not degraded) and a material. 【0048】特に、酸素ガスを導入して行うスパッタ法に対して耐性を持つ高分子保護層8の材料としては、例えば、ポリチオフェン誘導体、アニリン誘導体、ポリ[トリフェニルアミン誘導体]、ポリビニルカルバゾール(PVCz)、ポリ(フェニルキノザリン)(PP [0048] Particularly, as the material of the polymer protective layer 8 having a resistance to sputtering performed by introducing oxygen gas, for example, polythiophene derivatives, aniline derivatives, poly [triphenylamine derivatives, polyvinyl carbazole (PVCz ), poly (phenylquinoxaline The phosphorus) (PP
Q)、ポリスチレンサルフォネート誘導体(SPS)等が挙げられるが、発光特性、寿命の観点からは、ポリチオフェン誘導体、アニリン誘導体が好ましい。 Q), although polystyrene monkey sulphonate derivative (SPS), and the like, emission characteristics, in terms of lifetime, polythiophene derivatives, aniline derivatives preferred. 【0049】これらは、一般にホール輸送層に用いられるが、金属、金属イオン、イオン性有機材料を、特に、 [0049] These include, but generally used in the hole transport layer, a metal, metal ion, an ionic organic materials, in particular,
アルカリ金属、または、アルカリ土類金属、希土類元素、及び、その金属イオンをドープすることで電子輸送層として用いることも可能である。 Alkali metal, or alkaline earth metals, rare earth elements and, and can be used as the electron-transporting layer by doping the metal ions. 【0050】ここで、高分子保護層8は、スピンコ−ティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、等の塗布法、インクジェット法、スクリーン印刷法等の印刷法等のウエットプロセス、もしくは、真空蒸着法、レーザー転写法等のドライプロセスで形成することができる。 [0050] Here, the polymer protective layer 8, a spin - coating, dipping, doctor blade method, a coating method and the like, an ink-jet method, a wet process of printing method such as a screen printing method, or a vacuum deposition method it can be formed by a dry process such as a laser transfer method. 【0051】また、この高分子保護膜8の膜厚としては、5〜200nmが好ましく、高分子保護膜8の膜厚が5nm以下であるとスパッタダメージを効果的に防止することが困難で有り、200nm以上であると、有機LED素子としての発光特性、寿命が悪化する。 [0051] The film thickness of the polymer protective layer 8, preferably from 5 to 200 nm, there is difficult thickness of the polymer protective film 8 to prevent sputtering damage effectively If it is 5nm or less , if it is 200nm or more, the emission characteristics of the organic LED element, the lifetime is deteriorated. また、 Also,
膜厚として更に好ましくは、10〜100nmである。 More preferably the film thickness is 10 to 100 nm.
これにより、高分子保護層による透過率の低下を更に改善することが可能となり、発光特性が、更に良くなる。 This makes it possible to further improve the reduction of the transmittance due to the polymer protective layer, the emission characteristics become better. 【0052】画素電極6としては、従来の電極材料を用いることが可能であり、対向電極と対で、陽極、もしくは、陰極として用いることができる。 [0052] As the pixel electrode 6, it is possible to use a conventional electrode material, the paired opposed electrodes, the anode or can be used as the cathode. 例えば、陽極としては、仕事関数が高い金属(Au、Pt、Ni等)、もしくは、透明電極(ITO、IDIXO、SnO 2等) For example, as the anode, high work function metal (Au, Pt, Ni, etc.), or a transparent electrode (ITO, IDIXO, SnO 2, etc.)
を用いることができ、陰極としては仕事関数の低い金属(Ca、Al、Mg:Ag合金、Li:Al合金)、もしくは、薄膜の絶縁層と金属電極を組み合わせたもの(LiF/Al等)を用いることができる。 Can be used, low work function metal as a cathode (Ca, Al, Mg: Ag alloys, Li: Al alloy), or a combination of insulating layer and a metal electrode thin film (LiF / Al, etc.) it can be used. しかし、画素電極6側から発光を取り出す場合には、透明電極を用いることが好ましい。 However, in the case where light is extracted through the pixel electrode 6 side, it is preferable to use a transparent electrode. また、基板と逆側から発光を取り出す場合でも、酸化、エッチングの容易さを考えるとI Further, even when the light is emitted from the side opposite to the substrate side, oxidation, given the ease of etching I
TO等の透明電極を用いる法が好ましい。 Law to use a transparent electrode of the TO and the like are preferable. ただし、この場合、基板と透明電極の間に、発光効率を向上させる目的で(反射光を利用する)Al、Ag等の反射性電極を設けることが好ましく、また、コントラストを向上させる目的では。 However, in this case, between the substrate and the transparent electrode, luminous efficiency (utilizing reflected light) purpose of improving the Al, it is preferable to provide a reflective electrode such as Ag, In order to improve the contrast. CrO 2等の黒色膜を設けることが好ましい。 It is preferably provided a black film such as CrO 2. 【0053】また、画素電極6はこれらの材料を用いてEB、スパッタ、抵抗加熱蒸着法、もしくは、レーザー転写法で形成することが可能である。 [0053] Further, the pixel electrode 6 by using these materials EB, sputtering, resistance heating deposition method, or may be formed by a laser transfer method. また、画素電極6 Further, the pixel electrode 6
は、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行うことも可能である。 Is also possible to perform patterning by photolithography. 【0054】また、ここで、画素電極6の逆側(対向電極10側)から発光を取り出す場合には、画素電極6として、薄膜トランジスタへの光の入射によるトランジスタ特性の変化を防止するため、遮光性を兼ね備えた遮光性画素電極を用いてもよい。 [0054] Further, here, in the case where light is extracted through the opposite side of the pixel electrode 6 (the counter electrode 10 side), as the pixel electrode 6, to prevent the change in transistor characteristics due to incidence of light to the thin film transistor, light shielding it may be used light-shielding pixel electrodes having both sex. また、従来の画素電極と遮光性画素電極を組み合わせてもよい。 It may be combined with light-shielding pixel electrodes and the conventional pixel electrodes. 【0055】ここで、遮光性電極としては、例えば、タンタル、炭素等の黒色電極、アルミニウム、銀、アルミニウム−リチウム合金等の反射電極を用いることが可能である。 [0055] Here, as the light-shielding electrode, for example, tantalum, black electrode such as carbon, aluminum, silver, aluminum - it is possible to use a reflective electrode such as a lithium alloy. これら遮光性電極の膜厚としては、100nm The thickness of these light-shielding electrode, 100 nm
以上にすることが好ましい。 It is preferable to be greater than or equal to. これら遮光性電極の膜厚が100nm以上であると、遮光性電極のみで十分な遮光効果が得られるが、膜厚が100nm以下であると十分な遮光効果を得ることが困難である。 If the thickness of these light-shielding electrode is at 100nm or more, a sufficient light shielding effect is obtained only by the light-shielding electrode, the film thickness is difficult to obtain a sufficient light-shielding effect When it is 100nm or less. 更に好ましくは、 More preferably,
200nm以上がよい。 It is more than 200nm. 【0056】また、光の取り出し効率の観点から、画素電極6としては、反射率が90%以上の金属膜であることが好ましい。 [0056] From the viewpoint of light extraction efficiency, as the pixel electrode 6, it is preferable that the reflectance is 90% or more of the metal film. よって、画素電極6として透明電極を用いる場合には、画素電極6の有機LED層7と逆側の面に更に、金属層を設けることが好ましい。 Therefore, in the case of using a transparent electrode as the pixel electrode 6, further organic surface of the LED layers 7 opposite side of the pixel electrode 6, it is preferable to provide the metal layer. また、外光の画素電極6での反射に起因するコントラストの低下を防止する目的で、画素電極6として黒色電極を用いてもよい。 Further, in order to prevent a reduction in contrast due to reflection at the pixel electrode 6 of the external light, it may be used black electrode as the pixel electrode 6. 【0057】対向電極10としては、従来の電極材料を用い、DCマグネトロンスパッタリング法により成膜する事が可能であり、画素電極6と対で、陽極もしくは陰極として用いることができる。 [0057] As the counter electrode 10, using a conventional electrode material, it is possible to deposit by a DC magnetron sputtering method, a pair with the pixel electrode 6 can be used as an anode or a cathode. つまり、対向電極10を陽極として用いた場合は、画素電極6は陰極となり、対向電極10を陰極として用いた場合には、画素電極6は陽極となる。 That is, in the case of using the counter electrode 10 as an anode, the pixel electrode 6 becomes a cathode, when using the counter electrode 10 as a cathode, the pixel electrode 6 is an anode. 【0058】ここで、DCマグネトロンスパッタリング法以外の方法で、成膜した場合、例えば、抵抗加熱蒸着法を用いた場合には、透明電極を成膜することは不可能であり、RFマグネトロンスパッタリング法を用いると、スパッタによるダメージが生じ、発光効率、寿命が、低下する。 [0058] Here, a method other than DC magnetron sputtering method, case of forming, for example, in the case of using a resistance heating deposition method, it is impossible to form a transparent electrode, RF magnetron sputtering with the resulting damage due to sputtering, luminous efficiency, lifetime, reduced. また、EB法を用いても、RFマグネトロンスパッタリング法と同様の問題が生じ、発光効率や寿命が低下する。 Moreover, even by using an EB method, it caused the same problem as RF magnetron sputtering method, light emission efficiency and life may be shortened. 【0059】また、対向電極10側から発光を取り出す場合には、対向電極10として透明電極を用いることが好ましく、その材料としては、インジウム(In)、亜鉛(Zn)からなる酸化物、もしくは、インジウム(I [0059] Also, in the case where light is extracted through the counter electrode 10 side, it is preferable to use a transparent electrode as the counter electrode 10, as the material thereof, oxides of indium (In), zinc (Zn), or, indium (I
n)、錫(Sn)からなる酸化物が挙げられる。 n), it includes oxide of tin (Sn). 更に、 In addition,
室温成膜時の抵抗の観点からは、インジウム(In)、 From the viewpoint of resistance during film formation at room temperature, indium (In),
亜鉛(Zn)からなる酸化物を用いることが好ましい。 It is preferable to use an oxide of zinc (Zn). 【0060】ここで、透明電極の膜厚としては、50〜 [0060] Here, the film thickness of the transparent electrode, 50
500nmが好ましく、50nm以下であると十分低い電気抵抗を得ることができず、駆動電圧の上昇が問題として生じる。 500nm are preferred, it is not possible to obtain a sufficiently low electrical resistance when is 50nm or less, increase in driving voltage caused a problem. また、500nm以上であると透過率が低下し、発光効率の低下の問題が生じる。 Further, it reduces the transmittance is 500nm or more, the problem of decrease in emission efficiency. 従って、膜厚が100〜300nmであることがさらに好ましい。 Therefore, it is more preferable that the thickness is 100 to 300 nm. これにより、透明電極による透過率の減少を更に低減することが可能となる発光効率を向上されることができる。 Thus, it is possible to be improved luminous efficiency becomes possible to further reduce the decrease in transmittance due to the transparent electrode. 【0061】この発明においては、高分子保護層8と対向電極10との間に絶縁物からなる電荷注入層9(図2)を設けることが好ましく。 [0061] In the present invention, it is preferable to provide a charge injection layer 9 made of an insulating material between the polymeric protective layer 8 and the counter electrode 10 (FIG. 2). 電荷注入層9を設けることで、より効率よく対向電極10から電荷(ホール、電子)を、有機LED層7内に注入することが可能となる。 By providing the charge injection layer 9, more efficiently charge from the counter electrode 10 (holes, electrons), and it is possible to inject into the organic LED layer 7. 【0062】ここで、電荷注入層9の膜厚は0.01〜 [0062] Here, the 0.01 film thickness of the charge injection layer 9
10nmが好ましい。 10nm is preferable. ここで、膜厚が0.01nm以下であると、電荷の注入を向上させる効果がない。 Here, it is not more than 0.01 nm, no effect of improving the charge injection thickness. また、 Also,
10nm以上であると絶縁層として働き、駆動電圧の上昇につながる。 And is 10nm or more acts as an insulating layer, leading to increase in the drive voltage. 更に、0.1〜5nmがより好ましい。 In addition, 0.1~5nm is more preferable.
これにより、更に、注入効率を向上させ、かつ、電荷注入層による透過率の低下を防止することが可能となり発光効率を向上させることが可能となる。 Thus, further, the injection efficiency is improved, and it becomes possible to improve the luminous efficiency becomes possible to prevent a decrease in transmittance due to the charge injection layer. 【0063】また、一般にITO,IDIXO等の透明電極は、効率良くホールを有機LED層7内に注入することが可能であるため、陽極として用いられる。 [0063] In general ITO, transparent electrodes such as IDIXO, for efficiently holes may be injected into the organic LED layer 7, it is used as an anode. しかし、電荷注入層9の材料として、アルカリフッ化物(L However, as the material of the charge injection layer 9, alkali fluoride (L
iF、NaF、KF、RbF、CsF)、アルカリ土類フッ化物(BeF 2 、MgF 2 、CaF 2 、SrF 2 、Ba iF, NaF, KF, RbF, CsF), alkaline earth fluorides (BeF 2, MgF 2, CaF 2, SrF 2, Ba
2 )、アルカリ酸化物(Li 2 O、Na 2 O、K 2 O、R F 2), alkali oxides (Li 2 O, Na 2 O , K 2 O, R
2 O、Cs 2 O)、アルカリ土類酸化物(BeO、Mg b 2 O, Cs 2 O) , alkaline earth oxides (BeO, Mg
O、CaO、SrO、BaO)を用いることにより電子を効率良く有機LED層7内に注入することが可能となり、透明電極を陽極として用いることが可能となる。 O, CaO, SrO, it is possible to inject electrons by using BaO) efficiently organic LED layer 7, it is possible to use as an anode of a transparent electrode. 【0064】偏光板18としては、従来の直線偏向板と1/4λ板を組み合わせたものであれば良い。 [0064] As the polarizing plate 18, as long as a combination of a conventional linear polarization plate and a 1 / 4.lamda plate. これにより、コントラストを向上させることが可能である。 Thus, it is possible to improve the contrast. 【0065】封止膜17(又は封止基板)としては、従来から封止に用いられる材料および封止方法を用いることが可能であり、例えば、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスをガラス、金属等で封止する方法、更に、不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方法を取ることができる。 [0065] The sealing film 17 (or sealing substrate), it is possible to use a material and sealing method conventionally used for sealing, for example, nitrogen gas, an inert gas such as argon gas Glass a method of sealing a metal or the like, may take a method of mixing a moisture absorbent such as barium oxide in an inert gas. 【0066】また、対向電極10上に樹脂を直接スピンコート、もしくは、貼り合わせて封止膜としてもよい。 [0066] Further, the resin directly spin-coated on the counter electrode 10, or may be a sealing film adhered.
これにより、外部からの酸素、水分が素子内に混入するのを防止することが可能となり、寿命の向上には不可欠である。 Accordingly, oxygen from the outside, moisture becomes possible to prevent infiltration into the device, it is essential to improve the lifetime. 【0067】また、この発明においては、遮光層を、有機LED素子11からの発光が薄膜トランジスタに達するのを防止する位置に設けてもよい。 [0067] Further, in the present invention, the light-shielding layer, light emission from the organic LED element 11 may be provided at a position to prevent from reaching the TFT. 更に詳しくは、有機LED素子11中の発光層から薄膜トランジスタ中の半導体層に入射してくる光路上、または、有機LED素子11中の発光層からの発光が透明電極に反射して薄膜トランジスタ中の半導体層に入射してくる光路上にも設けることができる。 More specifically, the optical path coming incident on the semiconductor layer in the thin film transistor from the light emitting layer in the organic LED element 11, or a semiconductor in the thin film transistor is reflected to the light emitting transparent electrode from the light-emitting layer in the organic LED element 11 it can also be provided on the optical path coming incident on the layer. 【0068】ここで、遮光層として、有機LED層7中に発光層の発光ピークの波長での透過率が10%以下となるような層構成にすることが好ましい。 [0068] Here, as the light-shielding layer, it is preferable that the layer structure as the transmittance at a wavelength of emission peak of the light emitting layer in the organic LED layer 7 is 10% or less. これにより、 As a result,
薄膜トランジスタ中の半導体層の特性の変化、劣化を効果的に抑制することが可能となる。 Changes in the characteristics of the semiconductor layer in the thin film transistor, it is possible to effectively suppress the deterioration. 【0069】例えば、ゲート絶縁膜3を遮光層とする遮光性ゲート絶縁膜、層間絶縁膜4を遮光層とする遮光性層間絶縁膜、平坦化膜5を遮光層とする遮光性絶縁膜、 [0069] For example, light-shielding gate insulating film for the gate insulating film 3 and the light shielding layer, light-shielding interlayer insulating film for the interlayer insulation film 4 and the light shielding layer, light-shielding insulating film and the light-shielding layer planarizing film 5,
もしくは、画素電極6を遮光層とする遮光性画素電極が挙げられる。 Or include shielding pixel electrodes for the pixel electrode 6 and the light shielding layer. また、これら遮光層を複数個組み合わせてもよい。 It is also possible by combining a plurality of these light-shielding layers. 【0070】ここで、遮光層としては、光の吸収(少なくとも有機LED層7中の発光層の発光波長で吸収を持つ材料により遮光層を形成する)、光の反射(少なくとも有機LED層7中の発光層の発光波長を反射する材料により遮光層を形成する)、もしくは、光の干渉(適切な膜厚の絶縁膜をアモルファスシリコン、ポリシリコン等で挟みアモルファスシリコン、ポリシリコン間で起こる干渉を利用し、少なくとも有機LED層7中の発光層の発光波長で吸収を持つ層構成により遮光層を形成する)を利用し、有機LED素子11からの発光、もしくは、外光が薄膜トランジスタに達するのを防止することが可能である。 [0070] Here, as the light-shielding layer, (the material by forming the light-shielding layer having an absorption at the emission wavelength of the light-emitting layer in at least an organic LED layer 7) absorption of light, reflection of light (at least an organic LED layer 7 in forming the light shielding layer of a material that reflects the emission wavelength of the light-emitting layer of), or interference of light (of appropriate thickness insulating film of amorphous silicon, amorphous silicon sandwiched with polysilicon or the like, the interference occurs between the polysilicon utilized, utilizing the forming the light shielding layer by layer structure) having an absorption at the emission wavelength of the light-emitting layer in at least an organic LED layer 7, light emitted from the organic LED element 11, or the external light reaches the thin film transistor it is possible to prevent. 【0071】 【実施例】以下、実施例と比較例により本発明を更に具体的に説明する。 [0071] EXAMPLES The following further illustrate the present invention by Examples and Comparative Examples. (比較例1) まず、ガラス基板上に、DCマグネトロンスパッタリング法より電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nm成膜する。 (Comparative Example 1) First, on a glass substrate, as the electrode from the DC magnetron sputtering method, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to 150nm deposited. ここで、電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In Here, the conditions at the time of electrode deposition, a sputtering target, IDIXO (atomic ratio of an In an In
/(In+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Tor Using /(In+Zn)=0.83), argon and oxygen ratio 99: mixed vacuum gas of 1 3 × 10 -3 Tor
rになるまで導入し、スパッタリングパワーを800 Introduced until the r, the sputtering power 800
W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 W, or the substrate temperature at room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0072】次に、真空蒸着法によりNPDを40nm Next, 40nm the NPD by the vacuum deposition method
の厚さに成膜する。 It is formed to a thickness of. 次に真空蒸着法によりAlq3を6 Next, Alq3 by vacuum deposition method 6
0nmの厚さに成膜し、この上に真空蒸着法によりLi It was deposited to a thickness of 0 nm, Li by vacuum evaporation on the
Fを1nmの厚さに成膜した。 Was deposited F to the thickness of 1nm. 最後に、真空蒸着法によりアルミニウムを膜厚100nm、幅2mm、長さ50 Finally, the aluminum film thickness 100 nm, a width 2mm by a vacuum deposition method, the length 50
mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 A masked vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the mm. 【0073】(比較例2) まず、ガラス基板上に、真空蒸着法によりアルミニウムを膜厚100nm、幅2m [0073] (Comparative Example 2) First, on a glass substrate, an aluminum film thickness 100nm by vacuum deposition, width 2m
m、長さ50mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 m, a masked vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the length 50 mm. 次に、この上に真空蒸着法によりLi Then, Li by vacuum evaporation on the
Fを1nmの厚さに成膜し、次に真空蒸着法によりAl Forming a F a thickness of 1 nm, then Al by vacuum evaporation
q3を60nmの厚さに成膜し、次に真空蒸着法によりNPDを40nmの厚さに成膜する。 q3 was formed to a thickness of 60 nm, then depositing a NPD to a thickness of 40nm by vacuum deposition. 【0074】最後に、DCマグネトロンスパッタリング法より対向電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nmの厚さに成膜する。 [0074] Finally, as a counter electrode than DC magnetron sputtering to deposit an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to a thickness of 150 nm.
ここで、対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In Here, the conditions at the time of the counter electrode film formation, as a sputtering target, IDIXO (atomic ratio of an In an In
/(In+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Tor Using /(In+Zn)=0.83), argon and oxygen ratio 99: mixed vacuum gas of 1 3 × 10 -3 Tor
rになるまで導入し、スパッタリングパワーを800 Introduced until the r, the sputtering power 800
W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 W, or the substrate temperature at room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0075】(比較例3) まず、ガラス基板上に、真空蒸着法によりアルミニウムを膜厚100nm、幅2m [0075] (Comparative Example 3) First, on a glass substrate, an aluminum film thickness 100nm by vacuum deposition, width 2m
m、長さ50mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 m, a masked vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the length 50 mm. 次に、この上に真空蒸着法によりLi Then, Li by vacuum evaporation on the
Fを1nm成膜し、次に真空蒸着法によりAlq3を6 The F was 1nm deposited, Alq3 by vacuum evaporation and then the 6
0nm成膜し、次に真空蒸着法によりNPDを40nm And 0nm deposition, then 40nm the NPD by the vacuum deposition method
成膜する。 It is deposited. 次に、NPD上に高分子保護層としてPED Next, PED as the polymer protective layer on the NPD
OT/PSSを転写法により1nm成膜する。 The OT / PSS to 1nm formed by a transfer method. 【0076】最後に、DCマグネトロンスパッタリング法より対向電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nm成膜する。 [0076] Finally, as a counter electrode than DC magnetron sputtering method, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to 150nm deposited. ここで、 here,
対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In/(In The conditions at the time of the counter electrode deposition, a sputtering target, the atomic ratio of IDIXO (In In / (In
+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率9 + Zn) = 0.83) with a ratio of argon and oxygen 9
9:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Torrになるまで導入し、スパッタリングパワーを800W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 9: 1 mixed gas was introduced until the degree of vacuum is 3 × 10 -3 Torr, a sputtering power 800 W, a substrate temperature room temperature, film thickness was deposited to a 150 nm. 【0077】(実施例1) 高分子保護層として用いたPEDOT/PSSの膜厚を5nmとしたこと以外は、 [0077] except that the film thickness of PEDOT / PSS was used (Example 1) polymer protective layer was 5 nm,
比較例3と同様である。 Is the same as in Comparative Example 3. (実施例2) 高分子保護層として用いたPEDOT/ (Example 2) PEDOT was used as the polymer protective layer /
PSSの膜厚を10nmとしたこと以外は、比較例3と同様である。 Except that the thickness of the PSS was 10nm is the same as Comparative Example 3. 【0078】(実施例3) 高分子保護層として用いたPEDOT/PSSの膜厚を50nmとしたこと以外は、比較例3と同様である。 [0078] (Example 3) except that the 50nm film thickness of PEDOT / PSS used as the polymer protective layer is the same as that of Comparative Example 3. (実施例4) 高分子保護層として用いたPEDOT/ (Example 4) PEDOT was used as the polymer protective layer /
PSSの膜厚を100nmとしたこと以外は、比較例3 Except that the thickness of the PSS and 100nm is Comparative Example 3
と同様である。 Is the same as that. 【0079】(実施例5) 高分子保護層として用いたPEDOT/PSSの膜厚を200nmとしたこと以外は、比較例3と同様である。 [0079] (Example 5) except that the 200nm thickness of the PEDOT / PSS was used as the polymer protective layer is the same as that of Comparative Example 3. (比較例3) 高分子保護層として用いたPEDOT/ (Comparative Example 3) PEDOT was used as the polymer protective layer /
PSSの膜厚を300nmとしたこと以外は、比較例3 Except that the thickness of the PSS and 300nm is Comparative Example 3
と同様である。 Is the same as that. 【0080】(比較例5) 対向電極として用いたID [0080] ID used as (Comparative Example 5) counter electrodes
IXOの膜厚を10nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that the thickness of IXO was 10nm is the same as in Example 3. (実施例6) 対向電極として用いたIDIXOの膜厚を50nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that the thickness of the IDIXO used as (Example 6) the counter electrode was set to 50 nm, the same as in Example 3. 【0081】(実施例7) 対向電極として用いたID [0081] ID used as (Example 7) the counter electrode
IXOの膜厚を300nmとしたこと以外は、実施例3 Except that the 300nm thickness of IXO, Example 3
と同様である。 Is the same as that. (実施例8) 対向電極として用いたIDIXOの膜厚を500nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that the thickness of the IDIXO used as (Example 8) the counter electrode was 500 nm, the same as in Example 3. (比較例5) 対向電極として用いたIDIXOの膜厚を800nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that the thickness of the IDIXO used as (Comparative Example 5) counter electrodes was 800 nm, the same as in Example 3. 【0082】(実施例9) 高分子保護層としてPED [0082] (Example 9) PED as the polymer protective layer
OT/PSSの代わりにPANIを膜厚100nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that the thickness of 100nm and PANI instead of OT / PSS is the same as in Example 3. (実施例10) 対向電極として用いたIDIXOの代わりにITOを膜厚300nmとしたこと以外は、実施例3と同様である。 Except that a film thickness 300nm of ITO in place of IDIXO used as (Example 10) the counter electrode, the same as in Example 3. 【0083】(比較例7) 対向電極の成膜法としてD [0083] D as a film forming method (Comparative Example 7) the counter electrode
Cマグネトロンスパッタリング法の代わりにRFマグネトロンスパッタリング法としたこと以外は、実施例4と同様である。 Except that the RF magnetron sputtering method in place of the C magnetron sputtering method are the same as in Example 4. ここで、対向電極成膜時の条件としては、 Here, as a condition at the time of the counter electrode film formation,
スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In/(In+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99:1の混合ガスを真空度が3× As a sputtering target, using IDIXO (atomic ratio of In In / (In + Zn) = 0.83), argon and oxygen ratio 99: mixed gas vacuum of 1 3 ×
10 -3 Torrになるまで導入し、スパッタリングパワーを200W、RF周波数13.56MHz、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 Was introduced until 10 -3 Torr, a sputtering power 200 W, RF frequency 13.56 MHz, at a substrate temperature of room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0084】(比較例8) 対向電極の成膜法としてD [0084] D as a film forming method (Comparative Example 8) the counter electrode
Cマグネトロンスパッタリング法の代わりにEB法としたこと以外は、実施例4と同様である。 Except that the EB method, instead of the C magnetron sputtering method are the same as in Example 4. ここで、対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In/(In+Z Here, the conditions at the time of the counter electrode film formation, as a sputtering target, IDIXO (atomic ratio of In In / (In + Z
n)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99: Using n) = 0.83), the ratio of argon and oxygen 99:
1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Torrになるまで導入し、加速電圧を150kV、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 1 mixed gas was introduced until the degree of vacuum is 3 × 10 -3 Torr, the acceleration voltage 150 kV, at a substrate temperature of room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0085】(実施例11) まず、ガラス基板上に、 [0085] (Example 11) First, on a glass substrate,
真空蒸着法により銀を膜厚100nm、幅2mm、長さ50mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 Silver film thickness 100nm by vacuum deposition, width 2 mm, a mask vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the length of 50mm was performed. その上に、銀の蒸着時に使用したものと同様のマスクを用いてカルシウムを膜厚1nm、幅2mm、長さ50mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 Thereon was subjected silver thickness 1nm calcium using the same mask as that used during deposition of a width 2 mm, a mask vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the length 50 mm. 次に、発光層として、PDAFを転写法により80nmの厚さに成膜する。 Next, as a light emitting layer is formed to a thickness of 80nm by a transfer method PDAF. 次に、PDAF上に高分子保護層としてPEDOT/PSSを転写法により40 Then, by a transfer method PEDOT / PSS as the polymer protective layer on the PDAF 40
nmの厚さに成膜する。 It is deposited to a thickness of nm. 【0086】最後に、DCマグネトロンスパッタリング法より対向電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nmの厚さに成膜する。 [0086] Finally, as a counter electrode than DC magnetron sputtering to deposit an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to a thickness of 150 nm.
ここで、対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In Here, the conditions at the time of the counter electrode film formation, as a sputtering target, IDIXO (atomic ratio of an In an In
/(In+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Tor Using /(In+Zn)=0.83), argon and oxygen ratio 99: mixed vacuum gas of 1 3 × 10 -3 Tor
rになるまで導入し、スパッタリングパワーを800 Introduced until the r, the sputtering power 800
W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 W, or the substrate temperature at room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0087】(比較例8) まず、ガラス基板上に、真空蒸着法により銀を膜厚100nm、幅2mm、長さ5 [0087] (Comparative Example 8) First, on a glass substrate, a silver film thickness 100nm by vacuum deposition, width 2 mm, length 5
0mmとなるように抵抗加熱蒸着装置でマスク蒸着を行った。 A masked vapor deposition by resistance heating evaporation apparatus such that the 0 mm. その上に、銀の蒸着時に使用したものと同様のマスクを用いてRFマグネトロンスパッタリング法でIT By RF magnetron sputtering thereon, using the same mask as that used during silver deposition
Oを膜厚150nm、幅2mm、長さ50mmとなるように成膜を行った。 O film thickness 150 nm, a width 2 mm, was formed to have a length 50 mm. 次に、ITOの抵抗を十分下げる為、200℃で、アニールを行う。 Next, in order to reduce the resistance of the ITO sufficient, at 200 ° C., annealing. 【0088】次に、発光層として、PPV前駆体をスピンコート法により80nmの厚さに成膜する。 [0088] Next, as a light emitting layer, forming the PPV precursor to a thickness of 80nm by spin coating. 次に、N Then, N
2雰囲気下で160℃、4h加熱する事でPPV前駆体をPPVに変換する。 160 ° C. under 2 atmosphere to convert the PPV precursor to PPV by being 4h heating. 次に、PPV上に高分子保護層としてPEDOT/PSSをスピンコート法により40n Then, 40n by spin coating PEDOT / PSS as the polymer protective layer on PPV
mの厚さに成膜する。 It is formed to a thickness of m. 【0089】最後に、DCマグネトロンスパッタリング法より対向電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nmの厚さに成膜する。 [0089] Finally, as a counter electrode than DC magnetron sputtering to deposit an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to a thickness of 150 nm.
ここで、対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In Here, the conditions at the time of the counter electrode film formation, as a sputtering target, IDIXO (atomic ratio of an In an In
/(In+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率99:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Tor Using /(In+Zn)=0.83), argon and oxygen ratio 99: mixed vacuum gas of 1 3 × 10 -3 Tor
rになるまで導入し、スパッタリングパワーを800 Introduced until the r, the sputtering power 800
W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 W, or the substrate temperature at room temperature, the film thickness was deposited to a 150 nm. 【0090】(実施例12) 高分子保護層としてNa [0090] (Example 12) Na as the polymer protective layer
SPS(ポリスチレンスルフォン酸ナトリウム)をスピンコート法により40nmの厚さに成膜したこと以外は、比較例8と同様にした。 Except that deposited to a thickness of 40nm by SPS (polystyrenesulfonic sodium sulfonic acid) spin coating method in the same manner as in Comparative Example 8. (実施例13) 高分子保護層と対向電極の間に抵抗加熱蒸着法でLi 2 Oを1nmの厚さに成膜したこと以外は、実施例12と同様にした。 Except that by forming a Li 2 O to a thickness of 1nm a resistance heating evaporation method during (Example 13) the polymer protective layer and the counter electrode, and in the same manner as in Example 12. 以上の様にして作製した素子に直流電圧を印加することにより、発光輝度が10 By applying a DC voltage to the device manufactured in the manner described above, light emission luminance 10
0cd/m 2のときの発光効率と電圧を測定し、定電流駆動で初期輝度が100cd/m 2からの輝度半減寿命を測定した。 The luminous efficiency and voltage when the 0 cd / m 2 was measured, the initial luminance was measured brightness half-life from 100 cd / m 2 at a constant current driving. その結果を表1と表2に示す。 The results are shown in Table 1 and Table 2. 【0091】 【表1】 [0091] [Table 1] 【0092】 【表2】 [0092] [Table 2] 【0093】(実施例14) 遮光性基板としてアルミナ基板(板厚:2.0mm(±3.0%)、抵抗値:> [0093] (Example 14) an alumina substrate (thickness as the light-shielding substrate: 2.0 mm (± 3.0%), resistance:>
10 14 Ω・cm、軟化点:1400℃)を用いた。 10 14 Ω · cm, softening point: 1400 ℃) was used. この基板上に、SiH 4の分解によるLP−CDV法により、膜厚50nmのα−Si膜を成膜し、その後、固層成長法によりα−Siを多結晶化する。 On this substrate, the LP-CDV method by decomposition of SiH 4, forming a alpha-Si film having a film thickness of 50 nm, then the multi-crystallized alpha-Si by solid phase epitaxy. 次に、チャンネル部、ソース・ドレイン部からなるPoly−Si膜をエッチング加工し、ゲート絶縁膜としてp−Siを10 Next, the channel part, the Poly-Si film made of the source and drain portions is etched, the p-Si as a gate insulating film 10
00℃以上で熱酸化して膜厚100nmのSiO 2を形成する。 It is thermally oxidized to form a SiO 2 film thickness 100nm at 00 ° C. or higher. 【0094】この後、ゲート電極としてAlをスパッタリングで成膜する。 [0094] After that, Al is deposited by sputtering as a gate electrode. そして、ゲート電極をパターニングする。 Then, the patterning of the gate electrode. また、コンデンサーの下部電極を加工した。 Further, to process the lower electrode of the capacitor. 【0095】この後、ゲート電極側面を陽極酸化し、オフセット部を形成し、その後、ソース・ドレイン部にイオン打ち込み法によりリンを高濃度にドープする。 [0095] Thereafter, a gate electrode side is anodized to form an offset portion, then heavily doped with phosphorus by ion implantation into the source and drain portions. 走査線を形成し、この後、絶縁膜としてSiO 2を膜厚30 Forming a scan line, after which the SiO 2 film thickness 30 as an insulating film
0nmの膜を形成する。 Forming a film of 0nm. コンタクトホールを開口し、更にソースメタル、共通電極の形成を行い、コンデンサーの上部電極を形成し、高温プロセスにてPoly−Si A contact hole, further subjected to formation of a source metal, a common electrode, to form an upper electrode of the capacitor, Poly-Si at a high temperature process
TFTを形成した。 The formation of the TFT. 【0096】次に、遮光性絶縁膜として、Ni 0.7 Zn [0096] Next, as a light-shielding insulating film, Ni 0.7 Zn
0.3 Fe 24ターゲットを用いてスパッタ法により無機黒色絶縁膜を全面に2μmの膜厚になるように成膜する。 The inorganic black insulating film is deposited to have a thickness of 2μm on the entire surface by a sputtering method using 0.3 Fe 2 O 4 target. ここで、可視光領域での透過率は2%以下であった。 Here, the transmittance in the visible light region was 2% or less. 【0097】次に、ドレイン電極と電気的に接続できるようにフォトリソグラフィー法によりコンタクトホールを画素の中央部に設けた。 Next, providing the contact hole in the center of the pixel by photolithography to allow electrically connected to the drain electrode. これにより画素に均等に電流を供給することができる。 Thus it is possible to supply uniformly current to the pixel. 【0098】次に、この遮光性絶縁膜上に、アルミニウムを3μmの厚さにスパッタ法により成膜する。 [0098] Next, on the light-shielding insulating film is deposited by sputtering aluminum to a thickness of 3 [mu] m. 次に、 next,
これを4μmの厚み分研磨することで遮光性絶縁膜とコンタクトホールを含めて平坦化する。 This flattening, including light-shielding insulating film and the contact holes by grinding the thickness of the 4 [mu] m. 【0099】次に、画素電極として、銀を抵抗加熱により150nmの厚さに成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターン化を行う。 [0099] Next, as the pixel electrode, silver was deposited to a thickness of 150nm by resistance heating, performing patterning by photolithography. 次に、画素電極間に、SiO Then, between the pixel electrodes, SiO
2からなるテーパー状の絶縁膜を成膜する。 Tapered insulating film made of 2 forming a. これにより画素電極のエッジ部での電界集中による素子の劣化を防止することが可能となる。 Thus it is possible to prevent the deterioration of the device due to electric field concentration at the edge portion of the pixel electrode. 【0100】この上に、赤色発光層として、CN−PP [0100] On this, as a red light-emitting layer, CN-PP
Vをインクジェット法により膜厚が50nmになるように赤色発光画素内に成膜する。 Thickness deposited on the red light emission in the pixel to be 50nm by an ink jet method V. 次に、緑色発光層として、Alq3を抵抗加熱蒸着法によりシャドーマスクを用い膜厚が50nmになるように緑色発光画素内に成膜する。 Next, as a green light-emitting layer, the film thickness using a shadow mask to deposit a green emission in the pixel to be 50nm by resistance heating evaporation method Alq3. 次に、青色発光層として、PDAFをインクジェット法により膜厚が50nmになるように青色発光画素内に成膜する。 Next, as a blue light-emitting layer is deposited on the blue emitting the pixel to a film thickness of a 50nm to PDAF by an inkjet method. 【0101】次に、ベースフィルムとして0.1mm膜厚のポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、このフィルムにレーザー光を熱に変換する層としてカーボン粒子を混合した熱硬化型エポキシ樹脂を5μmの膜厚コーティングして室温硬化する。 Next, a polyethylene terephthalate film of 0.1mm thickness as a base film, a thermosetting epoxy resin mixed with carbon particles as a layer for converting laser light to heat the film thickness coating of 5μm in the film to room temperature curing Te. 次に熱伝播および剥離層として、ポリαメチルスチレン膜を1μmの膜厚にコーティングして形成し、次に高分子保護層としてPEDO Then the heat propagation and peel layer, formed by coating a poly α-methyl styrene film thickness of 1 [mu] m, then PEDO as the polymer protective layer
T/PSS水溶液をスピンコート法により膜厚が50n T / PSS aqueous solution of the film thickness by the spin coating method 50n
mになるように成膜したものを作製した。 It was produced which was formed so as to be m. 【0102】次に、このフィルムを発光層が形成してある基板に、貼り付け、13WのYAGレーザーで所望の位置を走査することで、高分子保護層をp−Si TF [0102] Next, the substrate on which the film are to the light emitting layer formation, paste, by scanning the desired position YAG laser 13W, the polymer protective layer p-Si TF
Tを形成してある基板上にパターン転写を行う。 Forming a T transferring a pattern onto a substrate are. 【0103】最後に、DCマグネトロンスパッタリング法より対向電極として、In−Zn−O系非晶質導電性酸化物(IDIXO)を150nm成膜する。 [0103] Finally, as a counter electrode than DC magnetron sputtering method, an In-Zn-O-based amorphous Shitsushirube conductive oxide (IDIXO) to 150nm deposited. ここで、 here,
対向電極成膜時の条件としては、スパッタリングターゲットとして、IDIXO(Inの原子数比In/(In The conditions at the time of the counter electrode deposition, a sputtering target, the atomic ratio of IDIXO (In In / (In
+Zn)=0.83)を用い、アルゴンと酸素の比率9 + Zn) = 0.83) with a ratio of argon and oxygen 9
9:1の混合ガスを真空度が3×10 -3 Torrになるまで導入し、スパッタリングパワーを800W、基板温度室温で、膜厚が150nmになるように成膜した。 9: 1 mixed gas was introduced until the degree of vacuum is 3 × 10 -3 Torr, a sputtering power 800 W, a substrate temperature room temperature, film thickness was deposited to a 150 nm. 【0104】以上の様にして作製したアクティブ駆動型発光表示装置の信号線に電源を接続し、走査線に順次走査信号を印加することにより、全画素から、発光ムラのない発光が観測された。 [0104] Connect the power to the signal line of the above active drive type light emitting display device manufactured in the manner, by applying a sequential scanning signal to the scanning line, from all the pixels, no uneven light emission light was observed . 【0105】 【発明の効果】この発明によれば、有機LED層の上にスパッタに耐性のある高分子層を設け、対向電極をDC [0105] [Effect of the Invention] According to the present invention, the polymer layer is resistant to sputtering on the organic LED layer is provided, the counter electrode DC
マグネトロンスパッタリング法を用いて形成するので、 Since formed by using a magnetron sputtering method,
対向電極を透明材料で形成しても、有機LED層にスパッタダメージを与えることがなく発光特性と発光効率に優れたアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置を提供することが可能となる。 Be formed counter electrode of a transparent material, it is possible to provide an active matrix driving type organic LED display device which can give a sputtering damage to the organic LED layer excellent in light emission characteristics and luminous efficiency without.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の第1の実施の形態のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の断面図である。 It is a cross-sectional view of an active matrix driving organic LED display device of the first embodiment of the BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】本発明の第2の実施の形態のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の断面図である。 It is a cross-sectional view of an active matrix driving organic LED display device of the second embodiment of the present invention; FIG. 【図3】本発明のアクティブマトリックス駆動型有機L Active matrix driving organic L of the present invention; FIG
ED表示装置の駆動回路の平面図である。 It is a plan view of the driving circuit of the ED display device. 【図4】図3に示す駆動回路の電気回路図である。 Figure 4 is an electrical circuit diagram of the drive circuit shown in FIG. 【符号の説明】 1. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1. 基板2. Substrate 2. 薄膜トランジスタ回路2a. Thin film transistor circuit 2a. 薄膜トランジスタ2b. Thin film transistor 2b. 薄膜トランジスタ3. Thin film transistor 3. ゲート絶縁膜4. Gate insulating film 4. 層間絶縁膜5. Interlayer insulating film 5. 平坦化膜6. Planarization layer 6. 画素電極7. Pixel electrodes 7. 有機LED層8. Organic LED layer 8. 高分子保護層9. Polymer protective layer 9. 電荷注入層10. Charge injection layer 10. 対向電極11. Counter electrode 11. 有機LED素子13. The organic LED element 13. コンタクトホール16. The contact hole 16. 走査線17. Scanning line 17. 封止膜18. The sealing film 18. 偏光板19. A polarizing plate 19. 信号線20. Signal line 20. 共通電極線21. Common electrode line 21. コンデンサー condenser

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl. 7識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 C 33/24 33/24 Fターム(参考) 3K007 AB03 AB11 AB18 BA06 CB01 DB03 EA01 FA01 5C094 AA31 AA43 BA03 BA29 CA19 DA09 EA05 FB01 FB16 GB10 JA08 JA12 5G435 AA06 AA17 BB05 KK05 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (51) Int.Cl. 7 identification mark FI theme Court Bu (reference) H05B 33/22 H05B 33/22 C 33/24 33/24 F -term (reference) 3K007 AB03 AB11 AB18 BA06 CB01 DB03 EA01 FA01 5C094 AA31 AA43 BA03 BA29 CA19 DA09 EA05 FB01 FB16 GB10 JA08 JA12 5G435 AA06 AA17 BB05 KK05

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板上に、薄膜トランジスタと、画素電極と、少なくとも有機LED層と、対向電極とを積層した複数の有機LED素子を有する有機LED表示装置において、対向電極と有機LED層との間に形成された高分子保護層を備え、対向電極がDCマグネトロンスパッタリング法により成膜されていることを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 To the Claims 1] on a substrate, a thin film transistor, a pixel electrode, an organic LED display device having at least organic LED layer, a plurality of organic LED element formed by laminating a counter electrode, and a counter electrode comprising a polymer protective layer formed between the organic LED layer, an active matrix driving organic LED display device, wherein a counter electrode is formed by DC magnetron sputtering. 【請求項2】 対向電極が、透明電極である請求項1記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 2. A counter electrode, an active matrix driving organic LED display device according to claim 1, wherein the transparent electrode. 【請求項3】 透明電極が、インジウムと亜鉛とからなる酸化物、又は、インジウムと錫とからなる酸化物で形成された請求項2記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 Wherein transparent electrodes, an oxide composed of indium and zinc, or an active matrix driving organic LED display device according to claim 2, wherein formed by oxide of indium and tin. 【請求項4】 透明電極は、膜厚が50〜500nmである請求項2または3記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 4. A transparent electrode, an active matrix driving organic LED display device having a thickness of claims 2 or 3 wherein the 50 to 500 nm. 【請求項5】 高分子保護層が、ホール輸送性を持つホール輸送高分子保護層である請求項1〜4記載のいずれか1つに記載のアクティブマトリックス駆動型有機LE 5. A polymeric protective layer, an active matrix driving organic LE according to any one of claims 1 to 4, wherein the hole transport polymer protective layer having a hole transporting property
    D表示装置。 D display device. 【請求項6】 ホール輸送高分子保護層が、ポリチオフェン誘導体、または、アニリン誘導体を含有することを特徴とする請求項5記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 6. hole transporting polymer protective layer, a polythiophene derivative, or an active matrix driving organic LED display device according to claim 5, wherein the containing aniline derivative. 【請求項7】 高分子保護層が、電子輸送性を持つ電子輸送高分子保護層である請求項1〜4のいずれか1つに記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 7. The polymer protective layer, an active matrix driving organic LED display device according to any one of claims 1 to 4 which is an electron transporting polymer protective layer having an electron transporting property. 【請求項8】 電子輸送高分子保護層が、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、アルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類元素イオン、又は、イオン性有機物を含有する請求項7記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 8. The electron-transporting polymer protective layer, an alkali metal, alkaline earth metal, rare earth elements, alkali metal ions, alkaline earth metal ions, rare earth ions, or, according to claim 7 containing an ionic organic substance active matrix driving organic LED display device. 【請求項9】 高分子保護層は、膜厚が5〜200nm 9. The polymer protective layer has a thickness of 5~200nm
    である請求項1〜8のいずれか1つに記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 Active matrix driving organic LED display device according to any one of claims 1 to 8 is. 【請求項10】 絶縁物からなる電荷注入層をさらに備え、電荷注入層は、高分子保護層と対向電極間に設けられてなる請求項1〜9のいずれか1つに記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 10. further comprising a charge injection layer made of an insulating material, the charge injection layer, an active matrix drive according to any one of claims 1 to 9 thus provided between the polymer protective layer and the counter electrode type organic LED display device. 【請求項11】 電荷注入層は、膜厚が0.01〜10 11. A charge injection layer has a thickness of 0.01 to 10
    nmである請求項10記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 Active matrix driving organic LED display device according to claim 10 wherein the nm. 【請求項12】 絶縁物が、アルカリフッ化物、アルカリ土類フッ化物、アルカリ酸化物、又はアルカリ土類酸化物である請求項10または11記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 12. insulating material, alkali fluorides, alkaline earth fluorides, alkali oxides, or active matrix driving organic LED display device according to claim 10 or 11 wherein the alkaline earth oxide. 【請求項13】 画素電極は、反射率が90%以上の金属膜からなる請求項1〜12のいずれか1つに記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 13. The pixel electrode includes an active matrix driving organic LED display device according to any one of claims 1 to 12, the reflectance is 90% or more of the metal film. 【請求項14】 画素電極が、Al、Ag又は、Al− 14. The pixel electrode, Al, Ag, or, Al-
    Li合金からなる請求項13記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置。 Active matrix driving organic LED display device according to claim 13 consisting of Li alloy. 【請求項15】 請求項1記載の有機LED表示装置において、有機LED層の上に高分子保護層を形成し、高分子保護層の上に、対向電極をDCマグネトロンスパッタリング法により成膜することを特徴とするアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の製造方法。 15. The organic LED display device according to claim 1, wherein the polymer protective layer is formed on the organic LED layer, on the polymer protective layer, forming a film of the counter electrode by a DC magnetron sputtering method method for manufacturing an active matrix driving organic LED display device characterized. 【請求項16】 高分子保護層を転写法で成膜することを特徴とする請求項15記載のアクティブマトリックス駆動型有機LED表示装置の製造方法。 16. A manufacturing method of an active matrix driving organic LED display device according to claim 15, wherein the forming the transfer method the polymer protective layer.
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005108644A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd Organic el element
JP2005340187A (en) * 2004-04-28 2005-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device, its manufacturing method, and light emitting device using it
JP2006058814A (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp Display apparatus
JP2006185985A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Sony Corp Light emitting device and its manufacturing method
JP2006235612A (en) * 2005-01-31 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic equipment
JP2006287078A (en) * 2005-04-04 2006-10-19 Sony Corp Organic electroluminescence element
US7187121B2 (en) 2002-04-09 2007-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic luminescence device with anti-reflection layer and organic luminescence device package
US7737630B2 (en) 2002-08-09 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
US8026667B2 (en) 2004-03-09 2011-09-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device having electrode power supply line
JP2013016815A (en) * 2004-08-19 2013-01-24 Lg Chem Ltd Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
US8629440B2 (en) 2005-01-31 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with defective pixels correction structure
US8906517B2 (en) 2005-04-04 2014-12-09 Sony Corporation Organic electroluminescence device
JP2015053514A (en) * 2003-10-03 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
JP2016018781A (en) * 2014-07-07 2016-02-01 友達光電股▲ふん▼有限公司AU Optronics Corporation Organic electroluminescence display panel
US9368756B2 (en) 2012-10-12 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7187121B2 (en) 2002-04-09 2007-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Organic luminescence device with anti-reflection layer and organic luminescence device package
US7332859B2 (en) 2002-04-09 2008-02-19 Canon Kabushiki Kaisha Organic luminescence device with anti-reflection layer and organic luminescence device package
JP2010192455A (en) * 2002-08-09 2010-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device
US7737630B2 (en) 2002-08-09 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescence element and a light emitting device using the same
JP2005108644A (en) * 2003-09-30 2005-04-21 Sanyo Electric Co Ltd Organic el element
JP2015053514A (en) * 2003-10-03 2015-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 Light-emitting device
US9461271B2 (en) 2003-10-03 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US8247968B2 (en) 2004-03-09 2012-08-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device having electrode power supply line
US8026667B2 (en) 2004-03-09 2011-09-27 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Electroluminescence display device having electrode power supply line
JP4610408B2 (en) * 2004-04-28 2011-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting device and a method for manufacturing the same, and light emitting device
JP2005340187A (en) * 2004-04-28 2005-12-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light emitting device, its manufacturing method, and light emitting device using it
JP2013016815A (en) * 2004-08-19 2013-01-24 Lg Chem Ltd Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same
JP2006058814A (en) * 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp Display apparatus
JP2006185985A (en) * 2004-12-27 2006-07-13 Sony Corp Light emitting device and its manufacturing method
US9257453B2 (en) 2005-01-31 2016-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including first to sixth transistors and light-emitting element
US8629440B2 (en) 2005-01-31 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with defective pixels correction structure
US9613988B2 (en) 2005-01-31 2017-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having narrower wiring regions
JP2006235612A (en) * 2005-01-31 2006-09-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and electronic equipment
US8906517B2 (en) 2005-04-04 2014-12-09 Sony Corporation Organic electroluminescence device
JP2006287078A (en) * 2005-04-04 2006-10-19 Sony Corp Organic electroluminescence element
US9368756B2 (en) 2012-10-12 2016-06-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same
JP2016018781A (en) * 2014-07-07 2016-02-01 友達光電股▲ふん▼有限公司AU Optronics Corporation Organic electroluminescence display panel

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