JP2006229078A - 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ - Google Patents

Abstract

【課題】 耐久性に優れたカラーフィルタを備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 複数の画素が配列されてなる固体撮像装置において、屈折率を異にすると共に光学膜厚を同じくする２種類の誘電体層を交互に積層されてなるλ／４多層膜にてスペーサ層を挟んた多層膜干渉フィルタ１０６を画素毎に所定波長の入射光を透過させるカラーフィルタとして用いる。そして、当該多層膜干渉フィルタ１０６の主面のうち、青色光を透過させるべき領域に穴部１０８を設ける。この場合において、穴部１０８の内径は波長λよりも小さい。
【選択図】 図１

Description

本発明は、固体撮像装置、その製造方法及びカメラに関し、特に、固体撮像装置が備えるカラーフィルタが透過させる光の帯域幅を拡大する技術に関する。

近年、デジタルカメラや携帯電話機等、固体撮像装置の適用範囲が爆発的に拡大しつつある。図１１は、従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す図である。図１１に示されるように、固体撮像装置９は２次元配列された単位画素９０１の各行を垂直シフトレジスタ９０２により選択し、その行信号を水平シフトレジスタ９０３により選択して、画素毎のカラー信号を出力アンプ９０４から出力する。なお、固体撮像装置９は駆動回路９０５にて垂直シフトレジスタ９０２、水平シフトレジスタ９０３及び出力アンプ９０４を駆動する。

図１２は固体撮像装置９の画素部分を示す断面図である。図１２に示されるように、固体撮像装置９の画素部分はＮ型半導体層１００１上にＰ型半導体層１００２、層間絶縁膜１００４、有機顔料タイプのカラーフィルタ１００６及び集光レンズ１００７を順次積層した構成を採っている。なお、Ｐ型半導体１００２の層間絶縁膜１００４側にはフォトダイオード１００３が形成されており、層間絶縁膜１００４中には遮光膜１００５が形成されている。

固体撮像装置９に入射した光は集光レンズ１００７にて集光され、カラーフィルタ１００６にて特定の色に分光された後、フォトダイオード１００３に入射する（例えば、非特許文献１参照。）。
「固体撮像素子の基礎」日本理工出版会、安藤・菰淵著、映像情報メディア学会編、１９９９年１２月発行、ｐ．１８３−１８８。

しかしながら、固体撮像装置の適用範囲としては車載用カメラも検討されており、かかる場合には固体撮像装置の耐久性が重要となる。すなわち、車載用カメラは直射日光や高温に曝される可能性が高く、かかる環境においても正常動作と長寿命を確保する必要があるからである。
これに対して、従来技術に係る固体撮像装置はカラーフィルタに有機顔料を用いており、直射日光や高温に曝されると変形したり、変質したりするため、正常動作と長寿命を確保することができない。

本発明は、上記のような問題に鑑みて為されたものであって、耐久性に優れたカラーフィルタを備えた固体撮像装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明に係る固体撮像装置は、複数の画素が配列されてなる固体撮像装置であって、λ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、画素毎に所定波長の入射光を透過させる多層膜干渉フィルタと、透過した入射光を光電変換する光電変換手段と、を備え、多層膜干渉フィルタの主面のうち、一つの画素に対応する部分に、複数の穴部又は溝部が設けられており、穴部の内径又は溝部の幅は波長λよりも小さいことを特徴とする。

このようにすれば、多層膜干渉フィルタは有機フィルタよりも高い耐久性を有するので、耐久性に優れたカラーフィルタを備えた固体撮像装置を提供することができる。
また、多層膜干渉フィルタにおいては透過させるべき光の波長に関わらずλ／４多層膜の膜厚を同じにする方が製造上有利であるところ、このような構成をとると、例えば、青色光の透過帯域幅が狭くなり感度が低下するといった弊害が生じる。このような問題に対して、多層膜干渉フィルタは専ら青色の光を分光する青色フィルタ部分を備え、穴部又は溝部は青色フィルタ部分に設ければ、青色光の透過帯域幅を拡張して固体撮像装置の感度を向上させることができる。

また、本発明に係る固体撮像装置は、多層膜干渉フィルタは画素毎に異なる色の光を透過させ、穴部又は溝部は、それが設けられた部分が透過させるべき光の色毎に異なる周期で周期的に配設されていることを特徴とする。このようにすれば、透過させるべき光の色に関わらず穴部又は溝部の周期を一定にした場合と比較して、色ごとに最適な透過帯域幅を実現することができる。

また、本発明に係る固体撮像装置は、穴部又は溝部は多層膜干渉フィルタの光が入射する側の主面に形成されていることを特徴とする。このようにすれば、穴部又は溝部を設けるための半導体プロセスを簡略化して、固体撮像装置の製造コストを低減し、かつ工期を短縮することができる。
また、穴部又は溝部は多層膜干渉フィルタの主面から誘電体層の数にして２層分又は３層分の深さを有することを特徴とする。このようにすれば、多層膜干渉フィルタの分光能力を確保しつつ、透過帯域幅を拡張することができる。

また、穴部又は溝部は、多層膜干渉フィルタの主面において１つの画素に対応する領域の一部のみに形成されていることを特徴とする。このようにすれば、穴部又は溝部を有する領域と有しない領域とは相異なる透過帯域幅を有し、両領域の透過光が１つの光電変換手段に入射するので、さらに透過帯域幅を拡張することができる。
また、穴部又は溝部は、格子状に配設されていることを特徴とする。このようにすれば、光の入射方向に依らずほぼ一定の分光特性を確保することができる。

また、本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、多層膜干渉フィルタを備えた固体撮像装置の製造方法であって、多層膜干渉フィルタの主面にレジストを形成する工程と、多層膜干渉フィルタの最上層から数えて２層目の誘電体層をエッチングストッパとして、多層膜干渉フィルタの最上層の誘電体層をエッチングする工程と、多層膜干渉フィルタの最上層から数えて３層目の誘電体層をエッチングストッパとして、多層膜干渉フィルタの２層目の誘電体層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする。このようにすれば、本発明に係る固体撮像装置を製造するための工数を低減し工期を短縮することができる。

また、本発明に係るカメラは、複数の画素が２次元配列されてなる固体撮像装置であって、λ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、画素毎に入射光を分光する多層膜干渉フィルタと、分光された入射光を光電変換する光電変換手段と、を備え、多層膜干渉フィルタの主面のうち、一つの画素に対応する部分に、複数の穴部又は溝部が設けられており、穴部の内径又は溝部の幅は波長λよりも小さい固体撮像装置を備えることを特徴とする。このようにすれば、より高い色の再現性を有する画像を得ることができる。

以下、本発明に係る固体撮像装置及びその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
［１］ 固体撮像装置の構成
図１は、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分を示す断面図である。図１に示されるように、固体撮像装置１は、Ｎ型半導体層１０１上にＰ型半導体層１０２、層間絶縁膜１０４、多層膜干渉フィルタ１０６及び集光レンズ１０７が順次積層されてなる。なお、Ｐ型半導体層１０２の層間絶縁膜１０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード１０３が画素毎に形成されている。隣り合うフォトダイオード１０３の間にはＰ型半導体層が介在しており、これを素子分離領域という。

また、層間絶縁膜１０４中には遮光膜１０５が形成されている。個々のフォトダイオード１０３と集光レンズ１０７とは対応関係にあり、遮光膜１０５は集光レンズ１０７を透過した光が対応関係に無いフォトダイオード１０３に入射するのを防ぐ。
多層膜干渉フィルタ１０６は所定の波長λの１／４に略等しい光学膜厚を有し、屈折率を異にする２種類の誘電体層、すなわち、高屈折率層としての二酸化チタン（ＴｉＯ₂）層と低屈折率層としての二酸化シリコン（ＳｉＯ₂）層とを８層、４組だけ交互に積層したλ／４多層膜にてスペーサ層を挟んだ構造を備えている。スペーサ層は透過させるべき光の波長に応じた光学膜厚を有している。ここで、光学膜厚とは、物理膜厚に屈折率を乗じて得られる指数を意味する。

図１から分かるように、多層膜干渉フィルタ１０６構造の物理膜厚は透過させる光の波長域毎に異なっており、赤色領域、緑色領域及び青色領域のそれぞれについて６２２ｎｍ、５４２ｎｍ、５６２ｎｍである。
本実施の形態においては、多層膜干渉フィルタ１０６のうち青色を検出するフォトダイオード１０３に入射する光を透過させる部分の集光レンズ１０７側には井戸のような穴部１０８が複数形成されている。すなわち、穴部１０８の側面は多層膜干渉フィルタの主面に直交している。また、穴部１０８は集光レンズ側から数えて第３層目までを貫通しており、その底には第４層目が露出している。

図２は、固体撮像装置の一画素分の平面図である。図２において、丸印は多層膜干渉フィルタ１０６に設けられた穴部１０８を示す。また、円形領域２０１は集光レンズ１０７が配設される位置を示し、矩形領域２０２はフォトダイオード１０３の位置に相当する。図２に示されるように、穴部１０８は直角格子状に配列されている。円形領域２０１内において、平面視した場合における穴部１０８の面積と穴部１０８以外の面積の比率は概ね１：１であって、内径は約１００ｎｍである。青色光の波長は概ね４００ｎｍから５００ｎｍであり、穴部１０８の内径は波長λよりも小さい。

［２］ 穴部と分光特性の関係
次に、多層膜干渉フィルタに設けられた穴部と分光特性との関係について説明する。
（１） 穴部の深さと分光特性との関係
図３は、穴部の内径と間隔とが共に１００ｎｍである場合について、多層膜干渉フィルタの青色光を透過させる部分の分光特性を穴部の深さ毎に示すグラフである。図３において、穴部の深さは穴部が貫通する層数で示されている。また、グラフの縦軸は透過率を示し、横軸は波長を示す。なお、当該分光特性は、有限領域時間差分法（FDTD method: finite difference time domain method）を用いて算出されたものであって、多層膜干渉フィルタを構成するλ／４多層膜の層数は８層、４組、設定中心波長λは５３０ｎｍで、多層膜干渉フィルタの主面に対して光が垂直に入射した場合に関するグラフである。

図３に示されるように、穴部の深さが１層から３層へと深くなるにつれて、透過光の帯域幅が拡大する。そして、穴部の深さが４層を超えると、多層膜干渉フィルタの分光能力が徐々に低下し、穴部の深さが６層を超えると波長域に関わらず入射光を透過させるようになる。
このため、本実施の形態においては穴部１０８が貫通する層数を３層として、多層膜干渉フィルタ１０６の分光能力を確保しつつ、透過帯域幅の拡大を図っている。

図４は、多層膜干渉フィルタ１０６に穴部１０８を設けた場合の分光特性と、設けない場合の分光特性とを示すグラフである。図４において、グラフ４００は穴部１０８を設けた場合の青色光透過領域の分光特性を示し、グラフ４０１は穴部１０８を設けない場合の青色光透過領域の分光特性を示す。また、グラフ４０２、４０３はそれぞれ緑色透過領域及び赤色透過領域の分光特性を示す。図４に示されるように、穴部１０８を設けることによって青色透過領域の帯域幅が短波長側に拡大される。

（２） 穴部の割合と分光特性との関係
次に、多層膜干渉フィルタを平面視したときに穴部が占める面積比と分光特性との関係について説明する。
図５は、穴部の内径が１８０ｎｍで穴部の間隔が２０ｎｍである場合について、穴部の深さと透過率との関係を示すグラフである。図５に示されるように、この場合には、穴部の深さが２層と３層とでは分光特性はほとんど変わらない。また、穴部の深さが４層以上では分光能力が失われる。

図６は、穴部の内径が２０ｎｍで穴部の間隔が１８０ｎｍである場合について、穴部の深さと透過率との関係を示すグラフである。この場合には、図６に示されるように、穴部の深さが７層でも分光能力を有する一方、深くなるに連れて長波長の光を透過させるようになるので、青色光のみを透過させるという目的にはそぐわない。
穴部の深さが３層の場合について透過帯域幅を比較すると、穴部の内径と間隔とが共に１００ｎｍの場合が最も広く、穴部の内径が１８０ｎｍの場合がこれに続き、穴部の内径が２０ｎｍの場合が最も狭い。従って、穴部の内径と間隔とを概ね同じような大きさにすれば望ましい分光特性を得ることができる。

［３］ 多層膜干渉フィルタ１０６の製造方法
次に、多層膜干渉フィルタ１０６の製造方法について説明する。図５は多層膜干渉フィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。図５において、多層膜干渉フィルタ１０６の製造工程は（ａ）から（ｆ）へと進む。また、Ｎ型半導体層１０１、Ｐ型半導体層１０２、フォトダイオード１０３及び遮光膜１０５は図示を省略した。

まず、層間絶縁膜１０４上に、高周波（ＲＦ）スパッタ装置を用いて、二酸化シリコン層５０１、５０３と二酸化チタン層５０２、５０４とを交互に積層したλ／４多層膜を形成し、更に、二酸化チタン層５０４上に二酸化シリコンからなるスペーサ層５０５を形成する（図５（ａ））。
次に、透過させるべき波長域に応じた膜厚にスペーサ層５０５をエッチングする。すなわち、スペーサ層５０５上にレジスト５０６を形成し、スペーサ層５０５の赤色光を透過させるべき部分をエッチングする（図５（ｂ））。レジスト５０６を除去した後、更に、スペーサ層５０５上にレジスト５０７を形成し、スペーサ層５０５の緑色光を透過させる部分をエッチングする（図５（ｃ））。

このスペーサ層５０５のエッチングに際しては、例えば、ウエハ一面にレジストを塗布し、露光前ベーク（プリベーク）の後、ステッパなどの露光装置によって露光を行い、レジスト現像、および最終ベーク（ポストベーク）によって、レジスト５０６や５０７を形成する。その後、４フッ化メタン（ＣＦ₄）系のエッチングガスを用いて、物理的にスペーサ層５０５のエッチングを行う。

次に、高周波（ＲＦ）スパッタ装置を用いて、二酸化チタン層５０８、５１０と二酸化シリコン層５０９、５１１とを交互に積層したλ／４多層膜を形成する（図５（ｄ））。そして、二酸化シリコン層５１１の青色光を透過させるべき領域にレジスト５１２を形成する。レジスト５１２を形成するには、例えば、上述のような方法によれば良い。
レジスタ５１２を形成した後、４フッ化メタン系のエッチングガスを用いて、ガス流量４０ｓｃｃｍ、圧力０．０５Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー２００Ｗのエッチング条件のもとで、二酸化シリコン層５１１をエッチングし、塩素系のエッチングガスを用いて、ガス流量６０ｓｃｃｍ、圧力０．０５Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー１５０Ｗのエッチング条件のもとで、二酸化チタン層５１０をエッチングする。再び、４フッ化メタン系のエッチングガスを用いて二酸化シリコン層５０９をエッチングした後、レジスト５１２を除去する。このようにして、穴部１０８が形成される（図５（ｆ））。

［４］ 変形例
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施の形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することができる。
（１） 上記実施の形態においては、高屈折率層の材料として二酸化チタンをい用いる場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。

すなわち、高屈折率層の材料として、二酸化チタンに代えて、窒化シリコン（Ｓｉ₃Ｎ₄）や三酸化二タンタル（Ｔａ₂Ｏ₃）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）等、他の材料を用いても良い。また、低屈折率層の材料についても二酸化シリコン以外の材料を用いても良い。多層膜干渉フィルタに用いる材料の如何に関わらず本発明の効果を得ることができる。

（２） 上記実施の形態においては、専ら多層膜干渉フィルタ１０６の青色光を透過させるべき領域に穴部を設ける場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、これに代えて次のようにしても良い。
図８は、本変形例に係る多層膜干渉フィルタの形状を２種類示す断面図である。まず、図８（ａ）には、赤色、緑色及び青色のそれぞれ穴部を設けた多層膜干渉フィルタが示されている。多層膜干渉フィルタに穴部を設けることによって得られる効果は透過させるべき光の波長域によって異なるので、透過させるべき光の波長に応じて穴部の内径や深さ、穴部以外の部分との面積比を調整する必要がある。

この場合において、上記実施の形態にて説明した製造方法を用いれば、レジストパターンを変化させることによって穴部の位置や形状を異ならせることができる。このようにすれば、領域毎により適切な帯域幅の光を透過させることができる。
次に、図８（ｂ）には、青色領域の一部にのみ穴部を設けた多層膜干渉フィルタが示されている。このようにすれば、青色領域の穴部を設けた領域と設けなかった領域とで分光特性を異ならせることができるので、透過させるべき光の帯域幅を更に拡大することができる。

なお、穴部を一部に設けるのは青色領域のみ限定されないのは言うまでも無く、他の領域においても同様に、一部分にのみ穴部を設けることによって同様の効果を得ることができる。また、穴部の有無によってのみならず、ひとつの領域に設ける穴部の形状を異ならせることによっても同様の効果を得ることができる。
この他、穴部を直角格子状に配置する代わりに六角格子状に配置しても良い。また、穴部の分布は均一でなくとも良く。一端から他端に向かって段階的に穴部の分布の粗密が遷移するとしても良い。このようにしても透過帯域幅を拡大することができる。また、穴部を設ける箇所は集光レンズ側の主面に限られず、フォトダイオード側に穴部を設けても良い。

図９は、本変形例に係る穴部の配置を示す図であって、図９（ａ）は穴部が六角格子状に配置されている多層膜干渉フィルタを示す平面図であり、図９（ｂ）は穴部の分布が画素中央ほど密で、画素周辺へと向かうに連れて疎になる多層膜干渉フィルタを示す平面図である。また、図９（ｃ）はフォトダイオード側の主面に穴部を設けた多層膜干渉フィルタを示す断面図である。

また、穴部の形状は円筒状が好適であるが、多角柱状とする場合には角数が多い方が望ましい。
また、穴部に代えて溝部を設けても良い。すなわち、溝部の幅が透過すべき光の波長よりも小さい溝部を複数、多層膜干渉フィルタの主面上に平行に形成しても良い。また、穴部と溝部とを併用しても良い。

（３） 上記実施の形態においては、専らλ／４多層膜が８層である場合について説明したが、本発明がこれに限定されないのは言うまでもなく、８層に代えて４層や１２層、１６層、或いはそれ以上等、８層以外の層数のλ／４多層膜を用いても良い。
また、スペーサ層にはλ／４多層膜の高屈折率層と同じ材料を用いても良いし、低屈折率層と同じ材料を用いても良い。また、λ／４多層膜を構成する何れの層の材料とも異なる材料を用いても良い。

（４） 上記実施の形態においては特に言及しなかったが、本発明をカメラに適用すれば以下のような効果が得られる。図１０は、本変形例に係るカメラの主要な構成を示すブロック図である。図１０に示されるように、デジタルカメラ８はレンズ８０１、固体撮像素子８０２、色信号合成部８０３、映像信号作成部８０４及び素子駆動部８０５を備えている。

レンズ８０１はデジタルカメラ８に入射した光を固体撮像装置８０２の撮像領域上に結像させる。固体撮像装置８０２は入射光を光電変換して色信号を生成する。素子駆動部８０５は固体撮像装置８０２から色信号を取り出す。色信号合成部８０３は固体撮像装置８０２から受け付けた色信号に色シェーディングを施す。映像信号作成部８０４は色信号合成部８０３にて色シェーディングを施された色信号からカラー映像信号を生成する。カラー映像信号は最終的にカラー画像データとして記録媒体に記録される。

この場合において、上述のように、固体撮像装置８０２が備える多層膜干渉フィルタに穴部を設ければ、多層膜干渉フィルタの分光特性を改善することができるので、デジタルカメラ８はより忠実に色を再現することができる。

本発明に係る固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及びカメラは、固体撮像装置が備えるカラーフィルタが透過させる光の帯域幅を拡大して、より忠実に色を再現する技術として有用である。

本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の画素部分を示す断面図である。 本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の一画素分の平面図である。 ８層のλ／４多層膜からなる多層膜干渉フィルタの青色光を透過させる部分の分光特性を穴部の深さ毎に示すグラフである。 本発明の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６に穴部１０８を設けた場合の分光特性と、設けない場合の分光特性とを示すグラフである。 穴部の内径が１８０ｎｍで穴部の間隔が２０ｎｍである場合について、穴部の深さと透過率との関係を示すグラフである。 穴部の内径が２０ｎｍで穴部の間隔が１８０ｎｍである場合について、穴部の深さと透過率との関係を示すグラフである。 本発明の実施の形態に係る多層膜干渉フィルタ１０６を製造する諸工程を示す図である。 本発明の変形例（２）に係る多層膜干渉フィルタの形状を２種類示す断面図である。 本発明の変形例（２）に係る穴部の配置を示す図である。 本発明の変形例（４）に係るカメラの主要な構成を示すブロック図である。 従来技術に係る固体撮像装置の構成を示す図である。 従来技術に係る固体撮像装置７の画素部分を示す断面図である。

符号の説明

１………………………………………固体撮像装置
７………………………………………デジタルカメラ
１０１…………………………………Ｎ型半導体層
１０２…………………………………Ｐ型半導体層
１０３…………………………………フォトダイオード
１０４…………………………………層間絶縁膜
１０５…………………………………遮光膜
１０６…………………………………多層膜干渉フィルタ
１０７…………………………………集光レンズ
１０８…………………………………穴部
２０１…………………………………円形領域
２０２…………………………………矩形領域
４００、４０１、４０２、４０３…グラフ
５０１、５０３、５０９、５１１…二酸化シリコン層
５０２、５０４、５０８、５１０…二酸化チタン層
５０５…………………………………スペーサ層
５０６、５０７、５１２……………レジスト
７０１…………………………………レンズ
７０２…………………………………固体撮像素子
７０３…………………………………色信号合成部
７０４…………………………………映像信号作成部
７０５…………………………………素子駆動部

Claims (9)

1. 複数の画素が配列されてなる固体撮像装置であって、
   λ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、画素毎に所定波長の入射光を透過させる多層膜干渉フィルタと、
   透過した入射光を光電変換する光電変換手段と、を備え、
   多層膜干渉フィルタの主面のうち、一つの画素に対応する部分に、複数の穴部又は溝部が設けられており、
   穴部の内径又は溝部の幅は波長λよりも小さい
   ことを特徴とする固体撮像装置。
2. 多層膜干渉フィルタは専ら青色の光を分光する青色フィルタ部分を備え、
   穴部又は溝部は青色フィルタ部分に設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 多層膜干渉フィルタは画素毎に異なる色の光を透過させ、
   穴部又は溝部は、それが設けられた部分が透過させるべき光の色毎に異なる周期で周期的に配設されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 穴部又は溝部は多層膜干渉フィルタの光が入射する側の主面に形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 穴部又は溝部は多層膜干渉フィルタの主面から誘電体層の数にして２層分又は３層分の深さを有する
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
6. 穴部又は溝部は、多層膜干渉フィルタの主面において１つの画素に対応する領域の一部のみに形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
7. 穴部又は溝部は、格子状に配設されている
   ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 多層膜干渉フィルタを備えた固体撮像装置の製造方法であって、
   多層膜干渉フィルタの主面にレジストを形成する工程と、
   多層膜干渉フィルタの最上層から数えて２層目の誘電体層をエッチングストッパとして、多層膜干渉フィルタの最上層の誘電体層をエッチングする工程と、
   多層膜干渉フィルタの最上層から数えて３層目の誘電体層をエッチングストッパとして、多層膜干渉フィルタの２層目の誘電体層をエッチングする工程と、
   を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
9. 複数の画素が２次元配列されてなる固体撮像装置であって、
   λ／４多層膜にてスペーサ層を挟んでなり、画素毎に入射光を分光する多層膜干渉フィルタと、
   分光された入射光を光電変換する光電変換手段と、を備え、
   多層膜干渉フィルタの主面のうち、一つの画素に対応する部分に、複数の穴部又は溝部が設けられており、
   穴部の内径又は溝部の幅は波長λよりも小さい固体撮像装置
   を備えることを特徴とするカメラ。

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