JP2006222224A - 窒化物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化物半導体12をMOCVD法、MBE法あるいはMOMBE法により形成する際に、窒素の原料としてNF3 などのハロゲン化窒素ガスを用いる。ハロゲン化窒素ガスは、800℃以下の低温においても高い分解効率を有しているので、形成時の温度を低くしても窒素を十分に供給することができる。よって、Inを含む窒化物半導体12のように熱による劣化が大きいものを形成する際に、温度を低くしても窒素不足が起こらず、優れた特性がえられる。
【選択図】 図1
Description
Claims (22)
- ハロゲン化窒素ガスを窒素の原料として、窒化物半導体を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体の製造方法。
- 前記ハロゲン化窒素ガスとして、三フッ化窒素ガス,三塩化窒素ガスおよび三塩化臭素ガスからなる群のうちの少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- インジウム(In)を含む窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- 更に、アルミニウム(Al)およびホウ素(B)のうちの少なくとも一方を含む拡散防止層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項3記載の窒化物半導体の製造方法。
- 更に、ハロゲン化窒素ガス以外の原料を用いて、他の半導体を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- インジウム(In)を含む窒化物半導体と、インジウムを含まない半導体とを形成する工程を含み、その少なくとも一方の原料としてハロゲン化窒素ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- p型不純物またはn型不純物を含む窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- 前記p型不純物として、マグネシウム(Mg),ベリリウム(Be),カルシウム(Ca)および亜鉛(Zn)からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項7記載の窒化物半導体の製造方法。
- 前記n型不純物として、ケイ素(Si)およびセレン(Se)からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項7記載の窒化物半導体の製造方法。
- GaN,AlGaN混晶,GaInN混晶,AlGaInN混晶,GaNAs混晶,GaInNAs混晶およびAlGaInNAs混晶からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体を形成する際に、その少なくとも一部の窒素の原料としてハロゲン化窒素ガスを用いることを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- 有機金属化学気相成長法、分子線エピタキシー法、または有機金属分子線エピタキシー法)により窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項1記載の窒化物半導体の製造方法。
- ハロゲン化窒素ガスを窒素の原料として、窒化物半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 前記ハロゲン化窒素ガスとして、三フッ化窒素ガス,三塩化窒素ガスおよび三塩化臭素ガスからなる群のうちの少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- インジウム(In)を含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- 更に、アルミニウム(Al)およびホウ素(B)のうちの少なくとも一方を含む拡散防止層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項14記載の半導体素子の製造方法。
- 更に、ハロゲン化窒素ガス以外の原料を用いて、他の半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- インジウム(In)を含む窒化物半導体層と、インジウムを含まない半導体層とを積層する工程を含み、その少なくとも一方の原料としてハロゲン化窒素ガスを用いることを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- p型不純物またはn型不純物を含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- 前記p型不純物として、マグネシウム(Mg),ベリリウム(Be),カルシウム(Ca)および亜鉛(Zn)からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項18記載の半導体素子の製造方法。
- 前記n型不純物として、ケイ素(Si)およびセレン(Se)からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体を形成することを特徴とする請求項18記載の半導体素子の製造方法。
- GaN,AlGaN混晶,GaInN混晶,AlGaInN混晶,GaNAs混晶,GaInNAs混晶およびAlGaInNAs混晶からなる群のうちの少なくとも1種を含む窒化物半導体層を形成する工程を含み、その少なくとも一部の窒素の原料としてハロゲン化窒素ガスを用いることを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
- 有機金属化学気相成長法、分子線エピタキシー法、または有機金属分子線エピタキシー法により窒化物半導体層を形成することを特徴とする請求項12記載の半導体素子の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117836A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529220A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系薄膜の成長方法 |
JPH05243153A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-09-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体薄膜の成長方法 |
JPH06164055A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 量子井戸型半導体レーザ |
JPH088186A (ja) * | 1994-06-18 | 1996-01-12 | Sony Corp | 半導体発光素子層の形成方法 |
JPH1079348A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体の製造方法及び半導体の製造装置 |
JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
JP2001210912A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
2005
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0529220A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-02-05 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 窒化ガリウム系薄膜の成長方法 |
JPH05243153A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-09-21 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 半導体薄膜の成長方法 |
JPH06164055A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 量子井戸型半導体レーザ |
JPH088186A (ja) * | 1994-06-18 | 1996-01-12 | Sony Corp | 半導体発光素子層の形成方法 |
JPH1079348A (ja) * | 1996-09-04 | 1998-03-24 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体の製造方法及び半導体の製造装置 |
JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
JP2001210912A (ja) * | 2000-01-24 | 2001-08-03 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008117836A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体の製造方法 |
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