JP2006222078A - プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】イオン生成対象の金属蒸気に加熱金属体上で光を照射し金属原子における電子を励起することにした。加熱金属体の材料として、仕事関数の大きいRe、Os、又はIrを用いることにした。さらに、加熱金属体の表面を凹凸状に加工することにより、イオン化確率を高め、大きなイオン電流の取り出しが可能になった。
【選択図】 図1
Description
(2)加熱金属体の表面粗さ係数を10以上、1000以下とすることにより、金属原子と加熱金属体が接触する確率が大きくなるので、イオン化確率が向上し、イオン電流を大きくすることができる。
(3)加熱金属体の材料に仕事関数の大きいRe、Os、Irを用いることにより、金属原子が電離しやすくなるので、イオン化確率が向上し、イオン電流を大きくすることができる。
(4)照射する光の波長を200nm以上、800nm以下とすることにより、イオン化確率を効率的に高めるだけの光エネルギーを金属原子中の電子に対して与えることが可能である。
(5)アルカリ金属又はアルカリ土類金属は、電離電圧が低いので、接触電離により十分な量のイオンを生成することが可能である。
(6)加熱金属体の温度を1000℃から3000℃とすることにより、融点の高い金属材料であるW、Re、Os、Irを加熱金属体に使用して、接触電離により十分な量のイオンを生成することが可能である。
(7)本発明の高電流プラズマ源を用いることで、アルカリ金属やアルカリ土類金属内包フラーレンの大量生成が可能になる。
「プラズマ源」とは、プラズマを生成する装置のことである。プラズマは、荷電粒子間にクーロン力による相互作用が働く、荷電粒子の移動により電流が流れるなど特有の性質を示す。通常、プラズマ源では、気体放電、衝突電離、接触電離などの電離方法で原子を励起してイオンと電子からなるプラズマを生成する。プラズマは、外部電界や外部磁界により荷電粒子の動きを制御でき、CVD、スパッタリング、エッチングなどの微細加工技術に応用されている。
「イオン源」とは、イオン又はイオンビームを生成する装置のことである。通常、イオン源では、プラズマ源によりイオンと電子を含むプラズマを生成し、引き出し電極による電界印加と質量分析により必要なイオンだけ加速してイオンビームとして取り出す方式が用いられている。イオン源で生成したイオンビームは、イオン注入、FIBなどの微細加工技術に応用されている。
以下の説明では、イオン生成対象原子として、例えば、Liを用いた場合について説明するが、Li以外のアルカリ金属や、アルカリ土類金属をイオン生成対象原子とした場合についても、本発明の効果が得られることは明らかである。
Pi = ρ / [ 1 + 2 exp( e ( W - Ei ) / kT ) ] ・・・(1)
で表される。ここで、ρはイオン生成対象原子が加熱金属体に衝突する確率を表す係数であり、kはボルツマン定数(1.38×10-23 J/K)、Tは加熱金属体の表面温度である。
従来のWからなる加熱金属体を用いてLiイオンを生成する場合のイオン化確率Piは、式(1)により、ρ=1と仮定した場合、例えば、加熱金属体の温度が2500℃の時に、
Pi(W、Li、2500℃) = 0.0166
になる。
材料 仕事関数 融点
Re 4.96Ev 3180℃
Os 4.83eV 3045℃
Ir 5.27eV 2443℃
W 4.35eV 3407℃
Pi(Re、Li、2500℃) = 0.0857
となり、加熱金属体の材料にReを用いれば、Wを用いた場合に比べ8倍以上にイオン化確率を向上させることが可能になる。
同様に、Osの仕事関数のデータにより、2500℃の場合のLiのイオン化確率を計算すると、
Pi(Os、Li、2500℃) = 0.0516
となり、加熱金属体の材料にOsを用いれば、Wを用いた場合に比べ5倍以上にイオン化確率を向上させることが可能になる。
Pi(Ir、Li、1000℃) = 0.1804
Pi(Ir、Li、2000℃) = 0.2400
と低い加熱温度でもイオン化確率を向上することが可能で、加熱に要する電力消費を低減できるという効果もある。
また、例えば、Reは高価な材料であり、部材コスト低減のためには、加熱金属体の厚さは薄いほうが好ましい。しかし、厚さ50μmの金属箔にすると高温に加熱したときに変形又は破損するという問題がある。そのため、タングステンの板の上にRe薄膜をスパッターなどの方法で形成した多層構造の金属板を用いることも可能である。また、加熱金属体の厚さが薄いとイオン電流の面内均一性が悪いという問題もある。イオン電流の面内均一性向上のためには、加熱金属体の厚さは100μm以上とするのが好ましい。
本発明に係るイオン化確率向上の第二の方法として、イオン生成対象の金属蒸気を加熱金属体に噴射する時、同時に、加熱金属体に光を照射することで、金属原子中の電子エネルギーを高め、イオン化確率を向上した。
本発明に係るイオン化確率向上の第三の方法として、加熱金属板の表面形状を凹凸のあるものとすることで、イオン化確率を向上した。
本発明に係るイオン化確率向上方法として、以上説明した第一の方法から第三の方法を組み合わせてプラズマ源又はイオン源を構成することも可能であり、各方法を単独で実施した場合にくらべ、より高いイオン電流をとれるプラズマ源又はイオン源をつくることができる。
以上、本発明の接触電離方式によりイオンを生成する装置に関しては、内包フラーレンの製造装置に用いられるプラズマ源を中心に説明してきたが、本発明のプラズマ源は、内包フラーレンの製造装置以外にもプラズマ加工装置などの一般的なプラズマ応用装置にも使用可能である。また、プラズマを発生した後、引き出し電極などからの電界印加によりイオンのみ取り出すイオン源としても使用することができ、イオン電流を向上する効果が高い。係る本発明のイオン源は、イオン注入などの一般的なイオン応用装置に使用することができる。
Re製ホットプレートを用いたプラズマ源を作製し、W製ホットプレートを用いたプラズマ源と比較した。ホットプレート(加熱金属板)の形状は、Re製が厚さ1mm、直径50mmの円板、W製が厚さ4mm、直径50mmの円板とした。
プラズマ源を真空室中に配置し、ホットプレートの裏面に配置した加熱ヒータによりホットプレートを1700〜1900℃に加熱した。ホットプレート表面に、Li蒸気を噴射してLi分子をイオン化しプラズマを生成した。真空室の周りに配置した電磁コイルで発生させた磁場によりプラズマを閉じ込め、イオンプローブによりプラズマ中のLiイオン電流を測定した。
図5は、Liイオン電流のホットプレート温度依存性の測定データを示すグラフである。Li昇華オーブンの温度は540℃とした。ホットプレートを加熱するヒータに印加した電力は2〜2.4kW、磁場強度は、Reプラズマ源では0.03T、Wプラズマ源では0.1Tとした。グラフから、Reプラズマ源、Wプラズマ源とも、温度が上昇するとイオン電流が増加することがわかる。また、Reプラズマ源はWプラズマ源と比較して、イオン電流が3.5〜3.8倍多くとれることがわかる。
Reプラズマ源をLi内包フラーレン製造装置に取付け、プラズマ源により生成したLiイオンプラズマを堆積基板に照射し、同時に、フラーレン昇華オーブンからフラーレン蒸気を堆積基板に噴射してLi内包フラーレンを堆積基板上に合成した。合成条件は以下の通りである。
ホットプレート投入電力:2.3〜2.5kW、磁場強度:0.03T、基板バイアス電圧:-30V、Liイオン電流:4.5〜6.6mA、C60オーブン温度:580〜600℃、合成時間:4時間
図6は、合成物のLDTOF-MASSによる質量分析データである。Li@C60の存在を示す727のピークがあり、Re製ホットプレートを用いて内包フラーレンを合成可能なことが確認できた。
2 絶縁被膜
3、7、8、25、26、29、105、106 電熱線
4、22、32、102 加熱金属体
5、23、28、103 金属昇華オーブン
6、24、104 金属蒸気導入管
9、33 光源
10、27、34、107 プラズマ
30 金属
31 金属蒸気
Claims (9)
- 金属からなる蒸気を加熱金属体に噴射し、同時に、前記加熱金属体に光を照射することにより金属イオンを生成するイオン源及びプラズマ源。
- 表面粗さ係数が10以上、1000以下の加熱金属体に、金属からなる蒸気を噴射することにより金属イオンを生成するイオン源及びプラズマ源。
- Re、Os、又はIrからなる加熱金属体に、金属からなる蒸気を噴射することにより金属イオンを生成するイオン源及びプラズマ源。
- 前記加熱金属体に照射する光の波長が200nm以上、800nm以下であることを特徴とする請求項1記載のイオン源及びプラズマ源。
- 前記金属がアルカリ金属又はアルカリ土類金属であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のイオン源及びプラズマ源。
- 前記加熱金属体の温度が1000℃以上3000℃以下であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のイオン源及びプラズマ源。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載のイオン源により金属イオンを生成するイオン生成方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載のプラズマ源により金属イオンを生成するプラズマ生成方法。
- 請求項1乃至6のいずれか1項記載のプラズマ源を用い金属内包フラーレン類を生成する内包フラーレンの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006004976A JP2006222078A (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-12 | プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 |
PCT/JP2006/300357 WO2006075691A1 (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-13 | プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 |
TW095101423A TWI433611B (zh) | 2005-01-14 | 2006-01-13 | A plasma source, an ion manufacturing method, a plasma manufacturing method, and a method of manufacturing the inner package carbon cluster |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005007288 | 2005-01-14 | ||
JP2006004976A JP2006222078A (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-12 | プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011225805A Division JP2012049141A (ja) | 2005-01-14 | 2011-10-13 | プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006222078A true JP2006222078A (ja) | 2006-08-24 |
Family
ID=36677714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006004976A Pending JP2006222078A (ja) | 2005-01-14 | 2006-01-12 | プラズマ源、イオン源、及び、イオン生成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006222078A (ja) |
TW (1) | TWI433611B (ja) |
WO (1) | WO2006075691A1 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000200697A (ja) * | 1998-10-26 | 2000-07-18 | Matsushita Electric Works Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2002029718A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-29 | Takeshi Hatanaka | フラーレンおよびカーボンナノチューブの製造法およびその装置 |
JP2002078364A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Japan Science & Technology Corp | 光利用熱電子発電方法およびその装置 |
JP2004026763A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Mitsubishi Materials Corp | 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料並びにこれから作られるチタン含有誘電体薄膜 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2004026763A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2006-01-12 | 株式会社イデアルスター | 内包フラーレンの製造方法及び製造装置 |
-
2006
- 2006-01-12 JP JP2006004976A patent/JP2006222078A/ja active Pending
- 2006-01-13 TW TW095101423A patent/TWI433611B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-01-13 WO PCT/JP2006/300357 patent/WO2006075691A1/ja not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2004026763A (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-29 | Mitsubishi Materials Corp | 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料並びにこれから作られるチタン含有誘電体薄膜 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006075691A1 (ja) | 2006-07-20 |
TW200635447A (en) | 2006-10-01 |
TWI433611B (zh) | 2014-04-01 |
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