JP2006213893A - 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単一の結晶相で、発光ピーク波長λ(nm)と、発光スペクトルの半価幅W(1/2)(nm)、及び/又は発光スペクトルのピーク高さの4分の1高さにおけるスペクトル幅W(1/4)(nm)が、以下の関係式(I)及び/又は(II)を満たす酸化物蛍光体。波長変換材料としてのこの酸化物蛍光体と、紫外光から可視光の範囲の光を発光する半導体発光素子とから構成されてなる発光素子。この発光素子を含む画像表示装置及び照明装置。
W(1/2)≧λ/4−18 (I)
W(1/4)≧λ/2−100 (II)
ただし、λは、以下の式を満たす数である。
520≦λ≦600
【選択図】図1
Description
M1 aM2 bM3 cOd
〔式中、M1は2価の金属元素、M2は3価の金属元素、M3は4価の金属元素をそれぞれ示し、aは2.7〜3.3、bは1.8〜2.2、cは2.7〜3.3、dは11.0〜13.0の範囲の数である。〕」なる発明として先に特許出願した(特許文献1参照)。
単一の結晶相で、λとW(1/2)及び/又はW(1/4)とが、以下の関係式(I)及び/又は(II)を満たす酸化物蛍光体、
波長変換材料としてのこの酸化物蛍光体と、紫外光から可視光の範囲の光を発光する半導体発光素子とから構成されてなる発光素子、
少なくともこの発光素子を含む画像表示装置、
少なくともこの発光素子を含む照明装置、
を要旨とする。
W(1/2)≧λ/4−18 (I)
W(1/4)≧λ/2−100 (II)
ただし、λは、以下の式を満たす数である。
520≦λ≦600
M1 aM2 bXcM3 dM4 3Oe (III)
〔式(III)中、M1はMg及び/又はZn、M2は、MgとZnを除いた2価の金属元素、XはCeを中心とする発光中心イオンの金属元素(好ましくはCe)、M3はXを除く3価の金属元素、M4は4価の金属元素をそれぞれ示し、aからeは、それぞれ以下の式を満たす数である。
0.01≦a≦0.5、好ましくは0.1≦a≦0.5
2.5≦b≦3.3
0.05≦c≦0.5、好ましくは0.08≦c≦0.5
1.5≦d≦2.3
e={(a+b)×2+(c+d)×3+12}/2〕
W(1/2)≧λ/4−18 (I)
W(1/4)≧λ/2−100 (II)
即ち、まず、日立製作所製F−4500分光蛍光光度計を使用して、発光スペクトルを測定した。測定条件は以下の通りとした。蛍光体サンプルは、この装置のオプションである固体試料用セル、又は、同等の機能を有するセルに入れ、そのセルを同じくオプションの固体試料セルホルダーに固定して測定した。
[F4500分光蛍光光度計測定条件]
測定モード:蛍光
励起波長:200nm以上、500nm以下で、最も発光強度が強くなる波長。
スリット幅:励起側=5nm、蛍光側=5nm
スキャンスピード:60nm/分、又は、240nm/分
フォトマル電圧:400V、又は、700V。
スペクトル補正:あり
測定条件の中でW(1/2)やW(1/4)の値に最も影響するのは、蛍光側のスリット幅である。スリット幅を広くすると、見かけ上、W(1/2)やW(1/4)の値も大きくなる。
本発明者らは、W(1/2)やW(1/4)の値を算出するにあたり、上述のようにF4500型分光蛍光光度計を使用したが、これ以外のスペクトル測定装置を使用してもWを求めることができる。ただし、W(1/2)やW(1/4)の値が装置の光学系の配置などによって若干影響を受ける場合があるので、本発明の実施例、及び、比較例に示したW(1/2)やW(1/4)の値に一致するように、測定条件を調節した後に測定するか、何らかの係数を使用して補正する必要がある。
M1 aM2 bXcM3 dM4 3Oe (III)
〔式(III)中、M1はMg及び/又はZn、M2は、MgとZnを除いた2価の金属元素、XはCeを中心とする発光中心イオンの金属元素、M3はXを除く3価の金属元素、M4は4価の金属元素をそれぞれ示し、aからeは、それぞれ以下の式を満たす数である。
0.01≦a≦0.5
2.5≦b≦3.3
0.05≦c≦0.5
1.5≦d≦2.3
e={(a+b)×2+(c+d)×3+12}/2〕
がAイオン位置を占めるとすると、bは「3−a」に近い値をとり、又、発光中心イオンの主体としてのCeの結晶中の占有位置は明らかではないが、そのCe3+イオンのイオン半径がCa2+イオンのイオン半径に極めて近いことから、CeがAイオン位置を占めるとすると、bは「3−a−c」に近い値をとることとなる。一方、本発明におけるMgやZnのM1、及び2価の金属元素のM2の一部がAイオン位置以外に存在する場合や、逆に3価の金属元素のM3や4価の金属元素のM4の一部、或いは後述するフラックス等として添加された1価金属元素がAイオン位置に存在する場合、及び発光中心イオンの主体としてのCeがBイオン位置に存在することも考えられ、それらを考慮して、bが2.5〜3.3であれば所望の蛍光体となり得る。
源の化合物、及び4価の金属元素M4源の化合物、並びに、発光中心イオンとしてのCe等のX源の各原料化合物を混合し、加熱処理して反応させることにより製造される。
M1源化合物としてMg(OH)2・3MgCO3・3H2O;Mgとして0.003モル、M2源化合物としてCaCO3;0.027モル、M3源化合物としてSc2O3;0.0085モル、及びM4源化合物としてSiO2;0.03モル、並びにX源化合物としてCeO2;0.003モルの各原料を、少量のエタノールと共にメノウ乳鉢に入れ、よく混合した後、乾燥させ、次いで、乾燥させた原料混合物を白金箔に包み、水素を4重量%含有する窒素ガスを流通させながら、1400℃で3時間、加熱することにより焼成し、引き続いて粉砕した後、2mol/Lの塩酸による洗浄処理、水洗、乾燥、及び分級処理を順次行うことにより酸化物蛍光体(組成:Ca2.7Ce0.3Sc1.7Mg0.3Si3O12)を製造した。
日立製作所社製F4500型分光蛍光光度計を使用して、蛍光スペクトルを測定した。蛍光体サンプルは、同装置のオプションである固体試料セルホルダーの円形セルに入れた。測定条件は以下の通りとした。
測定モード:蛍光
励起波長:455nm
スリット幅:励起側=5nm、蛍光側=5nm
スキャンスピード:240nm/分
フォトマル電圧:400V。
スペクトル補正:あり
Y2O3;1.05モル、Gd2O3;0.39モル、Al2O3;2.5モル、CeO2;0.12モル、融剤としてBaF2;0.25モルを純水と共に、アルミナ製容器及びビーズの湿式ボールミル中で粉砕、混合し、乾燥後、ナイロンメッシュを通過させた。得られた粉砕混合物をアルミナ製坩堝中で、大気下、1450℃にて2時間加熱することにより焼成した。引き続いて、水洗浄、乾燥、及び分級処理を行うことにより(Y0.7Gd0.26Ce0.04)3Al5O12蛍光体を得た。
この蛍光体について、実施例1と同様の評価を行い、結果を図1及び表1−Aに示した。
蛍光体製造原料を、M1源化合物としてMg(OH)2・3MgCO3・3H2O;Mgとして0.015モル、M2源化合物としてCaCO3;0.0147モル、M3源化合物としてSc2O3;0.0075モル、Y2O3;0.0025モル、及びM4源化合物としてSiO2;0.03モル、並びにX源化合物としてCe(NO3)3(水溶液);0.0003モルとしたこと、の外は、実施例1と同様にして蛍光体(組成:Ca1.47Ce0.03Mg1.5Sc1.5Y0.5Si3O12.015)を製造した。
この蛍光体について、実施例1と同様の評価を行い、結果を図1及び表1−Aに示した。
実施例1及び比較例1で製造した蛍光体を用い、以下の手順で図5に示す表面実装型白色LEDを作製し、その評価を行った。
蛍光体1gに対して、シリコーン樹脂を10gの比率で良く混合し、この蛍光体と樹脂の混合物を、LED11をボンディングしたフレーム13のカップ部分に注いだ。これを150℃で2時間保持し、シリコーン樹脂を硬化させることにより、蛍光体含有樹脂部12を形成して表面実装型白色LEDを得た。
なお、白色LEDは、室温(約24℃)において、20mAで駆動した。白色LEDからの全ての発光を積分球で受け、さらに光ファイバーによって分光器に導き入れ、発光スペクトルと全光束を測定した。
2;マウントリード
3;インナーリード
4;半導体発光素子
5;蛍光体含有樹脂部
6;導電性ワイヤー
7;モールド部材
8;面発光照明装置
9;拡散板
10;保持ケース
11;LED
12;蛍光体含有樹脂部
13;フレーム
14;導電性ワイヤー
15;端子
16;端子
Claims (13)
- 単一の結晶相で、発光ピーク波長λ(nm)と発光スペクトルの半価幅W(1/2)(nm)が以下の関係式(I)を満たすことを特徴とする酸化物蛍光体。
W(1/2)≧λ/4−18 (I)
ただし、λは、以下の式を満たす数である。
520≦λ≦600 - 単一の結晶相で、発光ピーク波長λ(nm)と発光スペクトルのピーク高さの4分の1高さにおけるスペクトル幅W(1/4)(nm)が以下の関係式(II)を満たすことを特徴とする酸化物蛍光体。
W(1/4)≧λ/2−100 (II)
ただし、λは、以下の式を満たす数である。
520≦λ≦600 - Ceを発光イオンとして含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物蛍光体。
- 蛍光体母体結晶がガーネット構造の化合物であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体。
- 蛍光体母体結晶がアルカリ土類金属を主成分として含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体。
- 蛍光体母体結晶がケイ素を主成分として含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体。
- 下記一般式(III)で表されるガーネット構造の化合物であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体。
M1 aM2 bXcM3 dM4 3Oe (III)
〔式(III)中、M1はMg及び/又はZn、M2は、MgとZnを除いた2価の金属元素、XはCeを中心とする発光中心イオンの金属元素、M3はXを除く3価の金属元素、M4は4価の金属元素をそれぞれ示し、aからeは、それぞれ以下の式を満たす数である。
0.01≦a≦0.5
2.5≦b≦3.3
0.05≦c≦0.5
1.5≦d≦2.3
e={(a+b)×2+(c+d)×3+12}/2〕 - 前記一般式(III)におけるXがCeであることを特徴とする請求項7に記載の酸化物蛍光体。
- 前記一般式(III)におけるcが以下の式を満たすことを特徴とする請求項7又は8に記載の酸化物蛍光体。
0.08≦c≦0.5 - 前記一般式(III)におけるaが以下の式を満たすことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体。
0.1≦a≦0.5 - 波長変換材料としての請求項1乃至10のいずれか1項に記載の酸化物蛍光体と、紫外光から可視光の範囲の光を発光する半導体発光素子とから構成されてなることを特徴とする発光素子。
- 少なくとも請求項11に記載の発光素子を含むことを特徴とする画像表示装置。
- 少なくとも請求項11に記載の発光素子を含むことを特徴とする照明装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005030677A JP4904694B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置 |
KR1020077010554A KR101267284B1 (ko) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 형광체, 및 그것을 사용한 발광 장치, 그리고 화상 표시장치, 조명 장치 |
PCT/JP2005/018981 WO2006041168A1 (ja) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置 |
CN2005800330706A CN101031630B (zh) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | 荧光体和使用该荧光体的发光装置、以及图像显示装置和照明装置 |
EP05793577A EP1808471A4 (en) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | FLUORESCENT MATERIAL, FLUORESCENT DEVICE USING THE MATERIAL, AND IMAGE DISPLAY DEVICE AND LIGHTING EQUIPMENT |
US11/577,016 US7713441B2 (en) | 2004-10-15 | 2005-10-14 | Fluorescent material, fluorescent device using the same, and image display device and lighting equipment |
TW094136198A TW200628588A (en) | 2004-10-15 | 2005-10-17 | Phosphor, light emitting device using the same, and image display and lighting equipment |
US12/713,546 US20100213817A1 (en) | 2004-10-15 | 2010-02-26 | Fluorescent material, fluorescent device using the same, and image display device and lighting equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005030677A JP4904694B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2006213893A true JP2006213893A (ja) | 2006-08-17 |
JP4904694B2 JP4904694B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2005030677A Expired - Fee Related JP4904694B2 (ja) | 2004-10-15 | 2005-02-07 | 酸化物蛍光体、並びにそれを用いた発光素子、画像表示装置、及び照明装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4904694B2 (ja) |
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US8487330B2 (en) | 2007-12-07 | 2013-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Phosphor and LED light-emitting device using the same |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101022 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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