JP2006211769A - 糸状物体の処理装置及び方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理物を容易に設置でき、所望のプラズマ処理を実施できる糸状物体の処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】被処理物を挿入可能な挿入口を備えた誘電体製筒２と、その周囲に電極３及び４を備え、前記誘電体製筒２にガス供給装置を連結し、前記電極３及び４に電力供給装置を連結した糸状物体の処理装置において、前記誘電体製筒２内部における被処理物の挿入方向に垂直な断面に接する内接円のうち、直径が最小となる内接円が、前記誘電体製筒２内部の空間、且つ電極３及び４間が成す空間に位置しない構造をとることで、被処理物にプラズマを照射する際に、被処理物を誘電体制筒２内の壁面に接触させることがなくなり、所望のプラズマ処理を実施することが可能となる。
【選択図】図３

Description

本発明は、糸状物体のプラズマ処理を行うための糸状物体の処理装置及び方法に関するもので、特に電子部品の導線及び端子の表面処理を行うための処理装置及び方法に関するものである。

糸状物体の一例として、コイルの端子部が挙げられる。これは、銅を主成分とする線材の表面にエナメル線に代表されるような樹脂を被覆した被覆線である。

プリント回路基板のはんだ接合面に予めプラズマを用いた処理、とりわけ設備のコストやフップリントに関して利点のある低温大気圧プラズマを用いて処理することで、フラックスを用いずに良好なはんだ接合を実現する技術が特許文献１で述べられている。

しかしながら、プリント回路基板へのプラズマ処理に代表されるように、低温大気圧プラズマによる表面処理の目的は接合表面の清浄化、及び表面改質であり、被覆線の有機被覆のような比較的厚い膜（５０μｍ）の除去工法に適用するには、膨大な処理時間を要するという問題があった。

この問題を解決する方法として、特許文献２に述べられているような微小領域に高密度なマイクロプラズマを生成する方法により、有機被覆膜を短時間で除去することが実現できる。

このマイクロプラズマによる、糸状物体に対するプラズマ処理の従来例として、導線の表面処理について、直方体型のマイクロプラズマ処理装置を例にとり、図１７を用いて説明する。

なお、導線は、一般に、銅を主成分とする線材の表面に、エナメル線に代表されるような樹脂を被覆した被覆線を意味し、樹脂は、ポリウレタン系、イミド系、ポリエステル系などが用いられる。

マイクロプラズマ源は、誘電体製筒２と、誘電体製筒２を挟んで相対する２つの電極３及び４から成り、誘電体製筒２内にガスを供給するガス供給装置（図示せず）と、２つの電極３及び４間に電力を供給する電源（図示せず）とを備える。図の右から左に向かって、誘電体製筒２内に希ガス及び反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚの高周波電圧もしくは高周波をパルス変調したもの、あるいは、パルス状の直流電圧を供給することにより、誘電体製筒２内にプラズマ９が発生する。誘電体製筒２内に導線を挿入し、プラズマ９を発生させることで、図１７に示すように、導線から樹脂の被覆を除去することができる。
特開平０９−２３５６８６号公報 特開２００４−３６３１５２号公報

しかしながら、従来例のプラズマ処理においては、プラズマ照射中に、被処理物が、誘電体製筒２内のプラズマ処理領域で、内壁に接触した場合、被処理物の接触した部分はプラズマの処理が施されない、または処理速度が小さくなるという問題点が生じていた。

図１７を参照して説明した導線のプラズマ処理において、導線１が誘電体製筒２のプラズマ照射部分の内壁面に接触していると、接触面にはプラズマが照射されず、樹脂の被覆も除去されない。特に、樹脂の被覆以外に、接着剤成分が含まれている場合、プラズマの熱により、接着剤が溶け、導線１が誘電体製筒２の内壁面に接着されてしまう。

このような事情から、プラズマ処理時に、導線１を誘電体製筒２の内壁面に接触しないように設置する必要があり、導線１が誘電体製筒２の内壁面に接触した際には、導線を設置しなおした上で、再度、プラズマ処理を実施する必要があった。

一方、マイクロプラズマの特性上、電極間の距離が大きくなるほど、プラズマが生成しにくくなるため、誘電体製筒２の内部の空間は必然的に狭くなる。このため、導線１を誘電体製筒２内壁面に接触しないように設置するのは非常に困難であった。同時に、被処理物の挿入口も狭いため、導線１を誘電体製筒２内に挿入することも困難であった。

本発明は、上記従来の問題点に鑑み、狭い空間内でも、被処理物を容易に設置できる構造を有することで、被処理物を内壁に接触させることなく、所望のプラズマ処理を実施できるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。

本願の第１発明のプラズマ処理装置は、被処理物を挿入可能な挿入口を備えた筒と、該筒の周囲に電極を備え、前記筒にガス供給装置を連結し、前記電極に電力供給装置を連結したプラズマ処理装置であって、前記筒内部における被処理物の挿入方向に垂直な断面に接する内接円のうち、直径が最小となる内接円が、前記筒内部の空間、且つ電極間が成す空間に位置しない構造であることを特徴とする。

このような構成により、被処理物を内壁に接触させることなく、所望のプラズマ処理を行うことが可能となる。

本願の第１発明の糸状物体の処理装置において、好適には、前記筒内部の空間の直径が最小である内接円が、前記電極間が成す空間よりも少なくとも前記挿入口側に位置する構造であることが望ましい。

また、好適には、前記筒内部の空間の直径が最小である内接円の直径が、前記筒内部の空間、且つ前記電極間が成す空間における内接円の直径の最小値と比して、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、小さくなっていることが望ましい。

また、好適には、前記挿入口がテーパ形状により成ることが望ましい。

本願の第２発明の糸状物体の処理装置は、被処理物の挿入口を備えた筒と、被処理物を支持するためのガイドと、前記筒の周囲に電極を備え、前記筒にガス供給装置を連結し、前記電極に電力供給装置を連結したプラズマ処理装置であって、前記筒内部、及び前記ガイド内部における被処理物の挿入方向に垂直な断面に接する内接円のうち、直径が最小となる内接円が、前記ガイド内部の空間に位置する構造であることを特徴とする。

このような構成により、被処理物を内壁に接触させることなく、所望のプラズマ処理を行うことが可能となる。

本願の第２発明の糸状物体の処理方法において、好適には、前記ガイド内部の空間の直径が最小である内接円の直径が、前記筒内部の空間、且つ前記電極間が成す空間における内接円の直径の最小値と比して、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、小さくなっていることが望ましい。

また、好適には、前記ガイドが少なくとも被処理物の挿入口側に設けられていることが望ましい。

また、好適には、前記ガイドが前記筒と離れて設けられていることが望ましい。

本願の第１及び第２発明のプラズマ処理装置において、好適には、被処理物が電子部品の導線もしくは端子であることが望ましい。

本願の第３発明のプラズマ処理方法は、プラズマを発生させるための筒に被処理物を挿入する工程と、前記筒内にガスを導入する工程と、前記筒の周囲に設けられた電極に電力を供給する工程を含むプラズマ処理方法であって、被処理物が、少なくとも前記筒内部の空間、且つ電極間が成す空間において、筒内壁面に接触しないことを特徴とする。

本願の第３発明のプラズマ処理方法において、好適には、被処理物が電子部品の導線もしくは端子であることが望ましい。

以上のように、本発明の糸状物体の処理装置及び方法によれば、被処理物の挿入口がテーパ形状をとっているため、狭い空間内でも被処理物を容易に設置でき、被処理物の設置場所に比べ、プラズマ照射部分が広くなっているため、被処理物を内壁に接触させることなく、所望のプラズマ処理を実施できる。

以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

（実施の形態１）
以下、本発明の第１実施形態について、図１から図６を参照して説明する。

図１は、電子部品に用いられる導線の樹脂被覆を除去するための、マイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図である。図１において、導線１は、一般に、銅を主成分とする線材の表面に樹脂が被覆された被覆線である。マイクロプラズマ源は、誘電体製筒２と、誘電体製筒２を挟んで相対する電極３及び４から成り、誘電体製筒２内にガスを供給するガス供給装置５と、２つの電極間に電力を供給する電源６とを備える。ガス供給装置５から、誘電体製筒２内に希ガスと反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に電源６から電力を供給することにより、誘電体製筒２内に局所的なプラズマ（図示せず）を発生させることができ、導線１を誘電体製筒２内に挿入しつつ、プラズマを発生させることで、導線１の樹脂被覆を除去することができる。

なお、本実施の形態において、電極３及び４は誘電体製筒２を挟んで相対する一対のみを設けているが、電極３及び４の位置が相対する状態からずれていたり、二対以上設けられていたりしてもよい。また、電極３及び４の形状を筒状にし、図２のように配置してもよい。

図３は、マイクロプラズマ源と電子部品の導線１の断面図である。導線１は被覆線であり、銅を主成分とする線材７の表面に、樹脂８が被覆されている。図の右から左に向かって誘電体製筒２内に希ガスと反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を供給することにより、誘電体製筒２内にプラズマ９が発生する。印加する電圧は、数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚの高周波電圧でもよいし、高周波をパルス変調したものでもよく、あるいは、パルス状の直流電流でもよい。このようなプラズマ源は数Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、典型的には１００００Ｐａから３気圧程度の範囲の圧力で動作する。とくに、大気圧付近での動作は、厳重な密閉構造や特別な排気装置が不要であるとともに、プラズマや活性粒子の拡散が適度に抑制されるため、好ましい。

また、誘電体製筒２の被処理物挿入口には、テーパ１０が設けられており、テーパ１０がガイドの役割を為すため、導線１を誘電体製筒２内へ容易に挿入することが可能となっている。

図４は、電子部品の導線にプラズマを照射している状態の断面図である。導線１を誘電体製筒２内に発生しているプラズマ９中に挿入し、プラズマ９を照射する。すると、プラズマ中の活性粒子が、被覆された樹脂８と化学反応して揮発し、挿入した導線１の先端部において、線材７が露出する。

なお、プラズマの発生には、希ガスと反応ガス及び電力が必要であり、ランニングコスト低減のため、導線１を挿入してからガスを供給し、プラズマ９を発生させてもよい。

図５（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、図４における点線ａ−ａ’、ｂ−ｂ’で切断した、マイクロプラズマ源の断面図である。誘電体製筒２内の領域において、導線の挿入方向に対して垂直な面で切断した断面に内接する最大円１１の直径のうち、電極３及び４間の成す領域の直径（Ｒ’）より短い直径（Ｒ）となる領域を設けている（Ｒ’＞Ｒ）。この領域を被処理物の挿入口側だけでなく、そのガスの導入口側にも設けることで、被処理物が長く、柔らかいものの場合であっても、確実に処理を行うことが可能となる。この直径の最小値は、電極３及び４間の成す領域の直径の最小値と比べ、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、短くなっている。この範囲より差が小さいと、被処理物と壁面が接触し、大きいと、プラズマの放電開始電圧が上がることになる。ただし、図２のような電極の配置の場合、図６に示すように、電極３及び４間の成す領域とは、電極３及び４が囲んでいる領域及び、その領域が成す領域を指す。このような構成により、プラズマ照射部分において、導線１が誘電体製筒２の内壁面に接触するのを防ぐことができ、導線１に未処理部分が残るという問題を避けることが可能となる。

また、誘電体製筒２内のプラズマ照射部分と、被処理物の挿入口及び混合ガスの導入口との間において、誘電体製筒２内壁に傾斜１２を設けており、混合ガスの流れの乱れを防止し、反応効率をよくすることが可能となる。

なお、図３を用いて説明したテーパ１０の傾斜角度は、テーパ１０の延長線が、テーパ１０と傾斜１２の間の壁面に当たるよう設けられている。このような構成により、テーパ１０によって挿入方向を補正された導線が、そのまま電極３及び４間の成す領域の壁面に接触するのを防ぐことができる。

（実施の形態２）
次に、本発明の第２実施形態について、図７から図９を参照して説明する。

図７は、マイクロプラズマ源と電子部品の導線１の断面図である。導線１は、一般に、銅を主成分とする線材７の表面に、樹脂８が被覆された被覆線である。マイクロプラズマ源は、誘電体製筒２と、導線１を支持するガイド１３と、誘電体製筒２を挟んで相対する２つの電極３及び４から成り、誘電体製筒２内にガスを供給するガス供給装置（図示せず）と、２つの電極間に電力を供給する電源（図示せず）とを備える。図の右から左に向かって誘電体製筒２内に希ガスと反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を供給することにより、誘電体製筒２内にプラズマ９が発生する。印加する電圧は、数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚの高周波電圧でもよいし、高周波をパルス変調したものでもよく、あるいは、パルス状の直流電流でもよい。このようなプラズマ源は数Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、典型的には１００００Ｐａから３気圧程度の範囲の圧力で動作する。とくに、大気圧付近での動作は、厳重な密閉構造や特別な排気装置が不要であるとともに、プラズマや活性粒子の拡散が適度に抑制されるため、好ましい。

また、導線１はガイド１３を通して誘電体製筒２内に挿入する。ガイド１３の被処理物挿入口にはテーパ１４が設けてあり、導線１をガイド１３に容易に通すことが可能となっている。

テーパ１４の角度、及びガイド１３の長さは、その延長線がガイド１４の内壁に当たる角度及び長さとなっている。このような構成によって、導線１が誘電体製筒２内の壁面に接触するのを、より確実に防ぐことが可能となる。

なお、ガイド１３の形状に関しては、図中では筒状のものを記しているが、この形状にこだわる必要はなく、導線を支持可能な形状であればよい。例えば、複数の爪状のもので導線を挟み込む形状をとってもよい。

なお、本実施の形態において、電極３及び４は誘電体製筒２を挟んで相対する一対のみを設けているが、電極３及び４の位置が相対する状態からずれていたり、二対以上設けられていたりしてもよい。また、図２のように電極３及び４の形状を筒状にしてもよい。

図８は、電子部品の導線をマイクロプラズマ源に挿入し、プラズマを照射している状態の断面図である。導線１を誘電体製筒２内に発生しているプラズマ９中に挿入し、プラズマ９を照射する。すると、プラズマ中の活性粒子が、被覆された樹脂８と化学反応して揮発し、挿入した導線１の先端部において、線材７が露出する。

なお、プラズマの発生には、希ガスと反応ガス及び電力が必要であり、ランニングコスト低減のため、導線１を挿入しつつ、ガスを供給し、プラズマ９を発生させてもよい。

図９（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、図８における点線ａ−ａ’、ｂ−ｂ’で切断した、マイクロプラズマ源の断面図である。導線の挿入方向に対して垂直な面で切断した断面に内接する最大円１１の直径において、ガイド１３内の領域の直径の最大値（Ｒ）が、誘電体製筒２内の領域、且つ電極３及び４間の成す領域の直径の最小値（Ｒ’）より短い領域を設けている（Ｒ’＞Ｒ）。この領域を持つガイドを、ガスの導入口側にも設ける、もしくは、誘電体製筒２内の、電極３及び４間の成す領域、もしくはコイルに囲まれた領域に対してガスの導入口側にも設ける事で、被処理物が長く、柔らかいものの場合であっても、確実に処理を行うことが可能となる。この直径の最小値は、電極３及び４間の成す領域もしくは、コイルに囲まれた領域の直径の最小値と比べ、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、短くなっている。この範囲より差が小さいと、被処理物と壁面が接触し、大きいと、プラズマの放電開始電圧が上がることになる。ただし、図２のような電極の配置の場合、電極３及び４間の成す領域とは、電極３及び４が囲んでいる領域及び、その領域が成す領域を指す。このような構成により、プラズマ照射部分において、導線１が誘電体製筒２の内壁面に接触するのを防ぐことができ、導線１に未処理部分が残るという問題を避けることが可能となる。また、誘電体製筒２とガイド１３の間には間隔があり、そこからガスを逃がすことで、ガス流路の径の縮小による流れの乱れを防ぐことが可能となり、反応効率を上げることができる。

（実施の形態３）
次に、本発明の第３実施形態について、図１０から図１６を参照して説明する。

図１０は、電子部品に用いられる導線の樹脂被覆を除去するための、マイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図である。図１０において、導線１は、一般に、銅を主成分とする線材の表面に樹脂が被覆された被覆線である。マイクロプラズマ源は、誘電体製筒２と、誘電体製筒２を挟んで相対する電極３及び４から成り、誘電体製筒２内にガスを供給するガス供給装置５と、２つの電極間に電力を供給する電源６とを備える。誘電体製筒２は内部で概ねＴ字型の空間を形成しており、うち一方からは導線１を挿入し、残り二方のうち一方からガスを供給してもよいし、両方からガスを供給するようにしてもよい。また、誘電体製筒２内の形状を、概ね十字型にし、一方を導線の挿入口に、残り三方のうち、少なくとも一方からガスを供給するようにしてもよいし、複数の枝分かれを持つ形状にしてもよいが、ガスの流出の点から、多数の分岐は反応効率を下げることになる。ガス供給装置５から、誘電体製筒２内に希ガスと反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に電源６から電力を供給すると、誘電体製筒２内に局所的なプラズマ（図示せず）を発生させることができ、導線１を誘電体製筒２内に挿入し、プラズマを発生させることで、導線１の樹脂被覆を除去することができる。

なお、本実施の形態において、電極３及び４は誘電体製筒２を挟んで相対する一対のみを設けているが、電極３及び４の位置が相対する状態からずれていたり、二対以上設けられていたりしてもよい。また、電極３及び４の形状を筒状にし、図１１のように配置してもよい。

図１２（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ図１０における平面（Ａ）、（Ｂ）で切断した断面図である。導線１は、一般に、銅を主成分とする線材７の表面に、樹脂８が被覆された被覆線である。図１２（Ａ）（Ｂ）の右から左及び図１２（Ｂ）の下から上に向かって誘電体製筒２内に希ガスと反応性ガスの混合ガスを供給しつつ、電極３及び４間に１３．５６ＭＨｚの高周波電圧を供給することにより、誘電体製筒２内にプラズマ９が発生する。印加する電圧は、数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚの高周波電圧でもよいし、高周波をパルス変調したものでもよく、あるいは、パルス状の直流電流でもよい。このようなプラズマ源は数Ｐａから数気圧まで動作可能であるが、典型的には１００００Ｐａから３気圧程度の範囲の圧力で動作する。とくに、大気圧付近での動作は、厳重な密閉構造や特別な排気装置が不要であるとともに、プラズマや活性粒子の拡散が適度に抑制されるため、好ましい。

誘電体製筒２の被処理物挿入口には、テーパ１０が設けてあり、テーパ１０がガイドの役割を為すため、導線１を誘電体製筒２内へ容易に挿入することが可能となっている。

図１３は、電子部品の導線にプラズマを照射している状態の断面図であり、（Ａ）は図１０における平面（Ａ）で切断した断面図であり、（Ｂ）は図１０における平面（Ｂ）で切断した断面図である。導線１を誘電体製筒２内に発生しているプラズマ９中に挿入し、プラズマ９を照射する。すると、プラズマ中の活性粒子が、被覆された樹脂８と化学反応して揮発し、挿入した導線１の先端部において、線材７が露出する。

なお、プラズマの発生には、希ガスと反応ガス及び電力が必要であり、ランニングコスト低減のため、導線１を挿入してからガスを供給し、プラズマ９を発生させてもよい。

また、図１３では、導線を一直線上に配置しているが、図１４に示すように、概ねＬ字型になるように配置してもよい。ただし、図１４は電極３及び４間を通る水平面で切断した断面図である。

図１５（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ、図１３における点線ａ−ａ’、ｂ−ｂ’で切断した、マイクロプラズマ源の断面図である。誘電体製筒２内の領域において、導線の挿入方向に対して垂直な面で切断した断面に内接する最大円１１の直径（Ｒ）において、電極３及び４間の成す領域の直径（Ｒ’）より短い直径となる領域を設けている（Ｒ’＞Ｒ）。この領域を被処理物の挿入口側だけでなく、他の開口部にも設けることで、被処理物が長く、柔らかいもの、あるいは概ね直角に曲がっているようなものの場合であっても、確実に処理を行うことが可能となる。この直径の最小値は、電極３及び４間の成す領域の直径の最小値と比べ、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、短くなっている。この範囲より差が小さいと、被処理物と壁面が接触し、大きいと、プラズマの放電開始電圧が上がることになる。ただし、図１１のような電極の配置の場合、図１６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、電極３及び４間の成す領域とは、電極３及び４が囲んでいる領域及び、その領域が成す領域を指す。このような構成により、プラズマ照射部分において、導線１が誘電体製筒２の内壁面に接触するのを防ぐことができ、導線１に未処理部分が残るという問題を避けることが可能となる。また、誘電体製筒２内のプラズマ照射部分と、被処理物の挿入口及び混合ガスの導入口との間において、誘電体製筒２内壁に傾斜１２を設けており、混合ガスの流れの乱れを防止し、反応効率をよくすることが可能となる。

なお、図１２を用いて説明したテーパ１０の傾斜角度は、テーパ１０の延長線が、テーパ１０及と傾斜１２の間の壁面に当たるよう設けられている。このような構成により、テーパ１０によって挿入方向を補正された導線が、そのまま電極３及び４間の成す領域の壁面に接触するのを防ぐことができる。

本発明の糸状物体の処理装置は、電子部品の端子部の樹脂被覆を効果的に剥離できる装置、電子部品の端子部に鉛フリーはんだをメッキする処理装置、電子部品を鉛フリーはんだ実装工程に適応させる処理装置を提供でき、コイル、トランスをはじめとする電子部品の製造や、電子部品を実装する工程に適用可能である。

本発明の実施の形態１におけるマイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図 本発明の実施の形態１における他のマイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図 本発明の実施の形態１において導線をマイクロプラズマ源に挿入する状態を示す断面図 本発明の実施の形態１において導線にプラズマを照射している状態を示す断面図 （Ａ）図４における点線ａ−ａ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図、（Ｂ）図４における点線ｂ−ｂ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図 本発明の実施の形態１における他の装置において導線にプラズマを照射している状態を示す断面図 本発明の実施の形態２において導線をマイクロプラズマ源に挿入する状態を示す断面図 本発明の実施の形態２において導線にプラズマを照射している状態を示す断面図 （Ａ）図８における点線ａ−ａ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図、（Ｂ）図８における点線ｂ−ｂ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図 本発明の実施の形態３におけるマイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図 本発明の実施の形態３における他のマイクロプラズマ処理装置の概略構成を示す斜視図 （Ａ）本発明の実施の形態３において導線をマイクロプラズマ源に挿入する状態を示す垂直面での断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態３において導線をマイクロプラズマ源に挿入する状態を示す水平面での断面図 （Ａ）本発明の実施の形態３において導線にプラズマを照射している状態を示す図１０における平面（Ａ）での断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態３において導線にプラズマを照射している状態を示す図１０における平面（Ｂ）での断面図 本発明の実施の形態３における他の導線の挿入方法において、導線にプラズマを照射している状態を示す図１０における平面（Ｂ）での断面図 （Ａ）図１３（Ａ）における点線ａ−ａ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図、（Ｂ）図１３（Ａ）における点線ｂ−ｂ’で切断したマイクロプラズマ処理装置の断面図 （Ａ）本発明の実施の形態３における他の装置において導線にプラズマを照射している状態を示す、図１０における平面（Ａ）での断面図、（Ｂ）本発明の実施の形態３における他の装置において導線にプラズマを照射している状態を示す、図１０における平面（Ｂ）での断面図 従来例において、導線にプラズマを照射している状態を示す断面図

符号の説明

１ 導線
２ 誘電体製筒
３ 電極
４ 電極
５ ガス供給装置
６ 電源
７ 線材
８ 樹脂
９ プラズマ
１０ テーパ
１１ 内接円
１２ 傾斜

Claims (11)

1. 被処理物を挿入可能な挿入口を備えた筒と、該筒の周囲に電極を備え、前記筒にガス供給装置を連結し、前記電極に電力供給装置を連結した糸状物体の処理装置であって、前記筒内部における被処理物の挿入方向に垂直な断面に接する内接円のうち、直径が最小となる内接円が、前記筒内部の空間、且つ電極間が成す空間に位置しない構造であることを特徴とする糸状物体の処理装置。
2. 前記筒内部の空間の直径が最小である内接円が、前記電極間が成す空間よりも少なくとも前記挿入口側に位置する構造であることを特徴とする請求項１に記載の糸状物体の処理装置。
3. 前記筒内部の空間の直径が最小である内接円の直径が、前記筒内部の空間、且つ前記電極間が成す空間における内接円の直径の最小値と比して、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、小さくなっていることを特徴とする請求項１に記載の糸状物体の処理装置。
4. 前記挿入口がテーパ形状により成ることを特徴とする請求項１に記載の糸状物体の処理装置。
5. 被処理物の挿入口を備えた筒と、被処理物を支持するためのガイドと、前記筒の周囲に電極を備え、前記筒にガス供給装置を連結し、前記電極に電力供給装置を連結した糸状物体の処理装置であって、前記筒内部、及び前記ガイド内部における被処理物の挿入方向に垂直な断面に接する内接円のうち、直径が最小となる内接円が、前記ガイド内部の空間に位置する構造であることを特徴とする糸状物体の処理装置。
6. 前記ガイド内部の空間の直径が最小である内接円の直径が、前記筒内部の空間、且つ前記電極間が成す空間における内接円の直径の最小値と比して、０．０２ｍｍ以上２ｍｍ以下、小さくなっていることを特徴とする請求項５に記載の糸状物体の処理装置。
7. 前記ガイドが少なくとも被処理物の挿入口側に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の糸状物体の処理装置。
8. 前記ガイドが前記筒と離れて設けられていることを特徴とする請求項５に記載の糸状物体の処理装置。
9. 被処理物が電子部品の導線もしくは端子であることを特徴とする請求項１及び５に記載の糸状物体の処理装置。
10. プラズマを発生させるための筒に被処理物を挿入する工程と、前記筒内にガスを導入する工程と、前記筒の周囲に設けられた電極に電力を供給する工程を含むプラズマ処理方法であって、被処理物が、少なくとも前記筒内部の空間、且つ電極間が成す空間において、筒内壁面に接触しないことを特徴とする糸状物体の処理方法。
11. 被処理物が電子部品の導線もしくは端子であることを特徴とする請求項１０に記載の糸状物体の処理方法。

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