JP2006210962A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】少なくともInとGaとを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層4を含む積層構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、発光層4は面内でIn比率の比較的小さい領域とIn比率の比較的大きい領域とを有する構成とし、それぞれの領域で青色と黄色の光を発光させ、これらの混合により発光層4の全体から白色光を得る。
【選択図】図1
Description
赤崎勇編著、「青色発光デバイスの魅力」、株式会社工業調査会、1997年5月発行、151頁〜154頁
以下、本発明の半導体発光素子の具体的な製造方法に基づいて説明する。
2 バッファ層
3 n型クラッド層
4 発光層
5 p型クラッド層
6 p型コンタクト層
7 p側電極
8 n側電極
Claims (4)
- 少なくともInとGaとを含む窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光層を含んだ積層構造を気相成長法によって形成した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記発光層は、気相成長時に供給されるGaの有機金属原料ガスとInの有機金属原料ガスとを含むIII族元素原料ガス中において、Inの原料ガスのInのモル比を0.6以上とし、面内でIn比率の比較的小さい領域とIn比率の比較的大きい領域とを形成し、それぞれの領域からの発光の混合により、前記発光層からの発光が白色となるようにしたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記発光層の気相成長時の基板温度を700℃以下とすることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記発光層からの発光は、420nm〜480nmの範囲に第1の発光ピークを有し、550nm〜580nmの範囲に第2の発光ピークを有することを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
- 前記第1の発光ピークの発光強度I1に対する前記第2の発光ピークの発光強度I2の比I2/I1は、0.4≦I2/I1≦2.2の範囲であることを特徴とする請求項3に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
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2006
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