JP2006210954A - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 162
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 description 49
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
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Abstract
【解決手段】スクライブラインにより区画された複数の半導体チップ領域20aを含む半導体チップ形成領域12、及び半導体チップ形成領域を囲む周辺領域14を含む主表面を有する半導体ウェハ10であって、半導体チップ領域内に形成された回路素子と、半導体チップ領域内に形成され、回路素子に接続された複数の接続パッドと、主表面上に形成され、接続パッドそれぞれの一部分を露出させる絶縁膜と、半導体チップ領域内の絶縁膜上に設けられ、複数の半導体チップ領域内及び複数の半導体チップ領域間にわたって、等しい間隔w1及びw0で配置された複数の突起電極と、絶縁膜上に形成され、複数の突起電極の頂面を露出させる封止部とを具えている。
【選択図】図3
Description
幅となっているので、幅広のスクライブストリート140を流れる封止樹脂134の流速と突起電極間領域142を流れる封止樹脂134の流速も異なるものとなる。すなわち、
図示例の場合には、スクライブストリート140を流れる樹脂の流速は、突起電極間領域142を流れる樹脂の流速よりも速くなる。
発生してしまうことがある。また、例えばフィラーといった封止樹脂の構成成分の分布が、このような不均一な流速に基因して、偏ってしまう恐れがある。
図2〜図5を参照して、第1の実施の形態の製造方法につき説明する。
が形成される。
図6及び図7を参照して、この発明の第2の実施の形態の半導体装置の製造方法につき説明する。この実施の形態の製造方法により製造される半導体チップの構成については、第1の実施の形態の製造方法により製造される半導体チップと同様であるのでその詳細な説明は省略する。
12:半導体チップ形成領域
14:周辺領域
15:回路素子
15a:回路素子の表面(基板の主表面)
18:回路素子接続用パッド
20:半導体チップ
20a:半導体チップ領域
22:絶縁膜
24:配線
25:再配線層
26:突起電極用パッド
26a:内部ダミー突起電極用パッド
26b:外部ダミー突起電極用パッド
28:突起電極
28a:内部ダミー突起電極
28b:外部ダミー突起電極
31:配線構造
32:外部端子
34:封止部
Claims (3)
- スクライブラインにより区画された複数の半導体チップ領域を含む半導体チップ形成領域、及び該半導体チップ形成領域を囲む周辺領域を含む主表面を有する半導体ウェハであって、
前記半導体チップ領域内に形成された回路素子と、
前記半導体チップ領域内に形成され、前記回路素子に接続された複数の接続パッドと、
前記主表面上に形成され、前記接続パッドそれぞれの一部分を露出させる絶縁膜と、
前記各半導体チップ領域内の前記絶縁膜上に設けられ、前記複数の半導体チップ領域内及び前記複数の半導体チップ領域間にわたって、等しい間隔で配置された複数の突起電極と、
前記絶縁膜上に形成され、複数の前記突起電極の頂面を露出させる封止部と
を具えていることを特徴とする半導体ウェハ。 - スクライブラインにより区画された複数の半導体チップ領域を含む半導体チップ形成領域、及び該半導体チップ形成領域を囲む周辺領域を含む主表面を有する半導体ウェハであって、
前記半導体チップ領域内に形成された回路素子と、
前記半導体チップ領域内に形成され、前記回路素子に接続された複数の接続パッドと、
前記主表面上に形成され、前記接続パッドそれぞれの一部分を露出させる絶縁膜と、
前記半導体チップ形成領域内の前記絶縁膜上及び前記周辺領域内の前記絶縁膜上に設けられ、前記半導体チップ形成領域内及び前記半導体チップ形成領域と前記周辺領域とにわたって、等しい間隔で配置された複数の突起電極及び複数のダミー突起電極と、
前記絶縁膜上に形成され、複数の前記突起電極の頂面を露出させる封止部と
を具えていることを特徴とする半導体ウェハ。 - 前記接続パッドから前記突起電極へと延在する配線を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体ウェハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006126705A JP4340271B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 半導体ウェハ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006126705A JP4340271B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 半導体ウェハ |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004044787A Division JP3819395B2 (ja) | 2004-02-20 | 2004-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210954A true JP2006210954A (ja) | 2006-08-10 |
JP4340271B2 JP4340271B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=36967356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006126705A Expired - Lifetime JP4340271B2 (ja) | 2006-04-28 | 2006-04-28 | 半導体ウェハ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4340271B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016197731A (ja) * | 2016-06-22 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | 半導体パッケージ |
JP2018113482A (ja) * | 2018-04-18 | 2018-07-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016197731A (ja) * | 2016-06-22 | 2016-11-24 | Hoya株式会社 | 半導体パッケージ |
JP2018113482A (ja) * | 2018-04-18 | 2018-07-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
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JP4340271B2 (ja) | 2009-10-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A711 | Notification of change in applicant |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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S533 | Written request for registration of change of name |
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